JPS6069544A - ガス センサ− - Google Patents
ガス センサ−Info
- Publication number
- JPS6069544A JPS6069544A JP12770184A JP12770184A JPS6069544A JP S6069544 A JPS6069544 A JP S6069544A JP 12770184 A JP12770184 A JP 12770184A JP 12770184 A JP12770184 A JP 12770184A JP S6069544 A JPS6069544 A JP S6069544A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- item
- thin film
- oxide
- active metal
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ガス センサー、及びこのようなセンサ
ーの製造方法に関するものである。
ーの製造方法に関するものである。
工業では、有毒ガスの検出及び測定は重要な問題である
。若干のガス、例えば硫化水素、は非常に有毒であり、
従って百万分の−から百万分の十まで程の低濃度で確か
な測定のできる検出方式を提供することが必要である。
。若干のガス、例えば硫化水素、は非常に有毒であり、
従って百万分の−から百万分の十まで程の低濃度で確か
な測定のできる検出方式を提供することが必要である。
有毒ガスの検出方法は幾つか発表された。ガス クロマ
トグラフィー法及び吸収/滴定法のような分析技法は、
言うまでもなくこれらの低濃度で正確でもあり、確実で
もあるが、包含する設備は、かさ高であり、且つ扱いに
くいという不利な点がある。その上、これらの技法に固
有の応答時間が比較的長く、従って、一連の継続した読
み取りを行うのには不適切になる。これらの不利な点を
克服しようとして、半導体カス セン4ノ゛−が開発さ
れた。このタイプのロンサーは、絶縁基体上に沈積させ
た半4 (A物質、代表的には金属酸化物、の薄膜を包
有している。
トグラフィー法及び吸収/滴定法のような分析技法は、
言うまでもなくこれらの低濃度で正確でもあり、確実で
もあるが、包含する設備は、かさ高であり、且つ扱いに
くいという不利な点がある。その上、これらの技法に固
有の応答時間が比較的長く、従って、一連の継続した読
み取りを行うのには不適切になる。これらの不利な点を
克服しようとして、半導体カス セン4ノ゛−が開発さ
れた。このタイプのロンサーは、絶縁基体上に沈積させ
た半4 (A物質、代表的には金属酸化物、の薄膜を包
有している。
物質は、調査中の有mガスが極微h!存在づれば、電気
抵抗が変化するような物質であり、この抵抗の変化を増
幅器を経て監視する。このような装置は手軽であり、且
つ応答時間は比較的速い【プれども、現今の製造方法で
は、広範囲の電気12f性を備えた装置を製造するとい
う不利な点かある。このために、検査装置及び品質管理
に比較的太きな装置が必要になる。
抵抗が変化するような物質であり、この抵抗の変化を増
幅器を経て監視する。このような装置は手軽であり、且
つ応答時間は比較的速い【プれども、現今の製造方法で
は、広範囲の電気12f性を備えた装置を製造するとい
う不利な点かある。このために、検査装置及び品質管理
に比較的太きな装置が必要になる。
米国特許第4,399.424号明細市では、絶縁基質
にイオンブレーティングした半導体金属酸化物薄膜を包
有し、該酸化物薄膜は、イの固有抵抗が薄膜に近接する
ガス又は蒸気の濃度の関数になっている、カス及び蒸気
を検出し、且つ濃度を測定するための半導体センサーを
開示している。
にイオンブレーティングした半導体金属酸化物薄膜を包
有し、該酸化物薄膜は、イの固有抵抗が薄膜に近接する
ガス又は蒸気の濃度の関数になっている、カス及び蒸気
を検出し、且つ濃度を測定するための半導体センサーを
開示している。
本発明によって、ガス及び蒸気を検出し、11つその濃
度を測定するための半導体センサー−を提供するが、セ
ンサーは絶縁基体に担持された半導体金属酸化物薄膜を
包有し、該酸化物薄膜にはガス及び蒸気の濃度に対応づ
る固有抵抗があり、且つ酸化物薄膜に接触している活性
金属があるために、存在しているガス及び蒸気に対する
酸化物の応答を増強している。
度を測定するための半導体センサー−を提供するが、セ
ンサーは絶縁基体に担持された半導体金属酸化物薄膜を
包有し、該酸化物薄膜にはガス及び蒸気の濃度に対応づ
る固有抵抗があり、且つ酸化物薄膜に接触している活性
金属があるために、存在しているガス及び蒸気に対する
酸化物の応答を増強している。
代表的には、例えば白金から成る、薄い表面薄膜の形態
をしている活性金属の存在が、存在しているガス及び蒸
気に対する、下にある酸化物質の応答を増強することを
見い出した。
をしている活性金属の存在が、存在しているガス及び蒸
気に対する、下にある酸化物質の応答を増強することを
見い出した。
図面を参考にして、本発明を説明するが、図面では、
第1図は半導体ガス センサーの透視図であり、第2図
は第1図のセンサーの横断面図であり、第3図は第1図
及び第2図のセンサーを組み込んであるガス測定回路の
説明略図であり、且つ第4図でtよ還元性ガスに対する
、第1図及び第2図のセンサーの代表的な応答を示す。
は第1図のセンサーの横断面図であり、第3図は第1図
及び第2図のセンサーを組み込んであるガス測定回路の
説明略図であり、且つ第4図でtよ還元性ガスに対する
、第1図及び第2図のセンサーの代表的な応答を示す。
第1図及び第2図を参考にして、一連の貴金属電極12
,13.14を沈積させである絶縁性基体11、代表的
にはアルミナ、を包有する半導体ガス センサーを示づ
。金及び金合金は化学的に不活性でもあり、比較的使用
しやすくもあるので、これらの物質の電極を使用Jるの
が好ましい。電極は、厚いフィルム インキを沈積させ
、次に焼成又は真空蒸発によって作るのが代表的である
。
,13.14を沈積させである絶縁性基体11、代表的
にはアルミナ、を包有する半導体ガス センサーを示づ
。金及び金合金は化学的に不活性でもあり、比較的使用
しやすくもあるので、これらの物質の電極を使用Jるの
が好ましい。電極は、厚いフィルム インキを沈積させ
、次に焼成又は真空蒸発によって作るのが代表的である
。
第1図で知ることができるように、一連の電極は、長い
電極13を間に配置しである、比較的λ0い一対の電極
12.14から成る。
電極13を間に配置しである、比較的λ0い一対の電極
12.14から成る。
次に、実質的にU字形をしlc抵抗器通路15を、通路
の末端か電極12及び14とそれぞれ接触するように沈
積させ、且つ長い電極13を、(〕7字の2本の突出部
分の間に、突出部から間隔を保って、沈積させる。この
抵抗器通路は、非接触遮へい物を通して沈積ざぜ、次に
インキを焼成する、導電性インキで通路を印刷覆る通常
の技法で施してもよい。このような技法は当業界では周
知であって、これ以上の説明はしなくてもよいであろう
1゜次に、半導体金属酸化物、代表的には酸化スズ(S
n 02 ) 、酸化亜鉛(ZnO)又は酸化第二鉄(
Fe20a)、、の薄膜16を構造体に、かぶせる。こ
の酸化物層は多孔性焼結体として生成させることができ
、あるいは過剰の酸化性蒸気、及び、場合によっては、
薄膜16の電気的特性を制御するための一種類尾上のド
ープ剤と共に、蒸気形態の金属を含有する無線周波数の
プラズマから、イオンブレーティングで生成させるのが
有利なこともある。装置の活性領域は、長い電極13と
U字形抵抗器通路15との間に配置する薄膜16の部分
によって規定される。薄膜16は、アルミナでドープし
、且つ無線周波数酸素プラズマ放電中にスズのアルミニ
ウム0.1%金合金電子衝撃させて生成させた酸化スズ
から成るのが好ましい。
の末端か電極12及び14とそれぞれ接触するように沈
積させ、且つ長い電極13を、(〕7字の2本の突出部
分の間に、突出部から間隔を保って、沈積させる。この
抵抗器通路は、非接触遮へい物を通して沈積ざぜ、次に
インキを焼成する、導電性インキで通路を印刷覆る通常
の技法で施してもよい。このような技法は当業界では周
知であって、これ以上の説明はしなくてもよいであろう
1゜次に、半導体金属酸化物、代表的には酸化スズ(S
n 02 ) 、酸化亜鉛(ZnO)又は酸化第二鉄(
Fe20a)、、の薄膜16を構造体に、かぶせる。こ
の酸化物層は多孔性焼結体として生成させることができ
、あるいは過剰の酸化性蒸気、及び、場合によっては、
薄膜16の電気的特性を制御するための一種類尾上のド
ープ剤と共に、蒸気形態の金属を含有する無線周波数の
プラズマから、イオンブレーティングで生成させるのが
有利なこともある。装置の活性領域は、長い電極13と
U字形抵抗器通路15との間に配置する薄膜16の部分
によって規定される。薄膜16は、アルミナでドープし
、且つ無線周波数酸素プラズマ放電中にスズのアルミニ
ウム0.1%金合金電子衝撃させて生成させた酸化スズ
から成るのが好ましい。
スズ及びアルミニウムはプラズマ内で酸化されて、プラ
ズマに露出した、どの固体表面上にでも、ドープされた
酸化スズの層を生成する。このような薄膜は硫化水素に
対して、非常に特異性があることが見い出された。
ズマに露出した、どの固体表面上にでも、ドープされた
酸化スズの層を生成する。このような薄膜は硫化水素に
対して、非常に特異性があることが見い出された。
好ましい構造体では、基体11の裏側の表面は、例えば
金インキを塗布又は印刷し、続いて空気中で850℃で
約10分間焼成して生成させた金の層でコーティングづ
−る。この1酌では、二元−列(DIL)回路包装置7
のような、適切な保持体の表面に基体をハンダ付けする
ことができる。次に、装置の電極12,13、及び14
を、超音波接着させた接触電線19を経て、それぞれの
出力ごン18に連結ターることができる。
金インキを塗布又は印刷し、続いて空気中で850℃で
約10分間焼成して生成させた金の層でコーティングづ
−る。この1酌では、二元−列(DIL)回路包装置7
のような、適切な保持体の表面に基体をハンダ付けする
ことができる。次に、装置の電極12,13、及び14
を、超音波接着させた接触電線19を経て、それぞれの
出力ごン18に連結ターることができる。
半導体薄膜16の表面を活性金属の薄い、代表的には2
0人の、薄膜17でコーディングJ゛る。
0人の、薄膜17でコーディングJ゛る。
これは薄膜16の電気的特性を調整し、口つ(又は)半
導体表面とガス種との反応で触媒作用をづる金属である
。このためには蒸発白金の使用が代表的であるが、他の
活性金属も勿論使用することができる。金属薄膜17は
厚さを10八から100人までにすることができる。第
2図では、明確にするために金属薄膜17の厚さを非常
に誇張した。
導体表面とガス種との反応で触媒作用をづる金属である
。このためには蒸発白金の使用が代表的であるが、他の
活性金属も勿論使用することができる。金属薄膜17は
厚さを10八から100人までにすることができる。第
2図では、明確にするために金属薄膜17の厚さを非常
に誇張した。
金属薄膜17は酸化物薄膜16の上部表面に施すのが好
ましいりれども、これは必須なことではない。すなわち
、薄膜17は酸化物層16の下又は中に配置してもよい
。
ましいりれども、これは必須なことではない。すなわち
、薄膜17は酸化物層16の下又は中に配置してもよい
。
代表的なセンサー構造体では、金電極の間に、200℃
で811定した抵抗が1Mオームの、アルミニウムをド
ープした酸化スズの500人の薄膜を使用する。この抵
抗は、20人の白金表面層を沈 1積さUれば、増大し
て100Mオームよりも高くなる。乾燥空気中では、0
.1容量%の一酸化炭素の存在で、抵抗が低下して2’
5にオームになり、−酸化炭素の濃度が減じて0.05
容量%よりも低くなれば回復する。代表的な応答特性を
図面の第4図に示す。
で811定した抵抗が1Mオームの、アルミニウムをド
ープした酸化スズの500人の薄膜を使用する。この抵
抗は、20人の白金表面層を沈 1積さUれば、増大し
て100Mオームよりも高くなる。乾燥空気中では、0
.1容量%の一酸化炭素の存在で、抵抗が低下して2’
5にオームになり、−酸化炭素の濃度が減じて0.05
容量%よりも低くなれば回復する。代表的な応答特性を
図面の第4図に示す。
使用に際しては、装置、従って金属酸化物薄膜16、を
高温に維持するように、電極12及び14を経、抵抗器
通路を通って、定電流電源31(第3図)から定常電流
を流す。装置は、280℃では応答時間が短く、且つ硫
化水素ガスに対する選択性の亭いことが見い出されたの
で、この温度に装置を維持するように電流を制御するの
が代表的である。長い電極13と抵抗器通路との間の金
属酸化物薄膜の抵抗を、出力/表示装置33に連結した
増幅器32を介して監視する。検出器をガス、例えば硫
化水素又は−酸化炭素、に%1出1れば、金属酸化物a
膜の抵抗の低下をもたらし、この抵抗の低下はガス濃度
の関数である。
高温に維持するように、電極12及び14を経、抵抗器
通路を通って、定電流電源31(第3図)から定常電流
を流す。装置は、280℃では応答時間が短く、且つ硫
化水素ガスに対する選択性の亭いことが見い出されたの
で、この温度に装置を維持するように電流を制御するの
が代表的である。長い電極13と抵抗器通路との間の金
属酸化物薄膜の抵抗を、出力/表示装置33に連結した
増幅器32を介して監視する。検出器をガス、例えば硫
化水素又は−酸化炭素、に%1出1れば、金属酸化物a
膜の抵抗の低下をもたらし、この抵抗の低下はガス濃度
の関数である。
第1図は半導体ガス センサーの透視図であり、第2図
は第1図のセン1ノーの横断面図であり、第3図は第1
図及び第2図のセンサーを組み込んだ、ガス測定回路の
説明略図であり、且つ第4図は第1図及び第2図のセン
リーーの還元性ガスに対する代表的な応答のグラフであ
り、且つ記号 11は基体、12.13.14は電極、15はU字形抵
抗器通路、16はa9膜、17は二元−列回路包装、1
8は出口ビン、19は接触電線、31は定電流電源、 32は増幅器、33は出力/表示装置、である。 代理人 浅 4・」 皓 図面の浄吉(内′dに1更なし) Fig、7 手続補正書(方式) %式% 1、事件の表示 昭和1+年特許願第Zノ22ρ/号 2、発明の名称 力ス 杉ン用′− 3、補正をする者 事件との関係 特iF出願人 4、代理人 5、補正命令の日付 昭和47年 り月ノ女。 6、補正により増加する発明の数 7、補正の対象 8、補正の内容 別紙のとおり 図面の浄口 (内容に変更なし)
は第1図のセン1ノーの横断面図であり、第3図は第1
図及び第2図のセンサーを組み込んだ、ガス測定回路の
説明略図であり、且つ第4図は第1図及び第2図のセン
リーーの還元性ガスに対する代表的な応答のグラフであ
り、且つ記号 11は基体、12.13.14は電極、15はU字形抵
抗器通路、16はa9膜、17は二元−列回路包装、1
8は出口ビン、19は接触電線、31は定電流電源、 32は増幅器、33は出力/表示装置、である。 代理人 浅 4・」 皓 図面の浄吉(内′dに1更なし) Fig、7 手続補正書(方式) %式% 1、事件の表示 昭和1+年特許願第Zノ22ρ/号 2、発明の名称 力ス 杉ン用′− 3、補正をする者 事件との関係 特iF出願人 4、代理人 5、補正命令の日付 昭和47年 り月ノ女。 6、補正により増加する発明の数 7、補正の対象 8、補正の内容 別紙のとおり 図面の浄口 (内容に変更なし)
Claims (11)
- (1)(a)絶縁基体、 (b)基体に担持された、固有抵抗が濃度に対応する半
導体金属酸化物薄膜、及び(C)ガス又は蒸気に対する
該薄膜の電気的応答を増進するための、該薄膜と直接接
触している活性金属、 から成ることを特徴とする、ガス又は蒸気を検出し、且
つその濃度を測定するセンサー。 - (2) 半導体薄膜が主どして、酸化スズ、酸化亜鉛及
び酸化第二鉄から成る群から選定する物質から成ること
を特徴とする、上記第(1)項に記載のセン丈−0 - (3) 半導体薄膜がアルミナでドープした酸化スズか
ら成ることを特徴とする、前記第(1)項に記載のセン
サー。 - (4) 活性金属が白金であることを特徴とする、前記
第(1)項に記載のセンサー。 - (5) 活性金属が白金であることを特徴とづる、前記
第(2)項に記載のセンサー。 - (6) 活性金属が白金であることを特徴とする、前記
第(3′)項に記載のセンサー。 - (7) 活性金属が酸化物’AI Bkの露出している
表面に沈積させた薄膜から成ることを!:j徴とする、
前記第(1)項、第(2)項又は第(3)10に記載の
センサー。 - (8) 金1凰iJ I脱の厚さが10人から100人
までであることを特徴とづる、上記第(7) ]r口こ
記載のセンサー。 - (9) 半導体薄膜はイオンプレーディングで施ずこと
を特徴とづる、前記第(1)項、第(2)項又は第(3
)項に記載のレノ1ノー。 - (10) I休がアルミナであることを14徴とりる、
前記第(1)項、第(2)項又は第(3)項に記載のセ
ンυ−0 - (11) 活性金属が酸化物薄膜の下に沈積さけた薄膜
から成ることを特徴とりる、前記第(1)項、第(2)
項又は第(3)項に記載のセンサー(12) 活性金属
が酸化物薄膜の中に包有されていることを特徴とする、
前記第(1)項、第(2)項又は第(3)項に記載のセ
ンサー。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8317173 | 1983-06-24 | ||
GB08317173A GB2142147A (en) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | Gas sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6069544A true JPS6069544A (ja) | 1985-04-20 |
Family
ID=10544720
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12770184A Pending JPS6069544A (ja) | 1983-06-24 | 1984-06-22 | ガス センサ− |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6069544A (ja) |
DE (1) | DE3422823A1 (ja) |
GB (1) | GB2142147A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63279151A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-16 | Nibetsukusu Kk | 一酸化炭素センサ |
JPH0660133U (ja) * | 1993-01-21 | 1994-08-19 | 岡谷電機産業株式会社 | ケース外装型電子部品 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6283641A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-17 | Sharp Corp | 電界効果型半導体センサ |
DE3626277A1 (de) * | 1986-08-02 | 1988-02-04 | Heinz Hoelter | Verfahren zur beaufschlagung von schadstoffempfindlichen gassensoren fuer kraftfahrzeuge und arbeitsschutzkabinen |
GB2234074A (en) * | 1989-07-22 | 1991-01-23 | Atomic Energy Authority Uk | Gas sensor |
DE4038140A1 (de) * | 1990-11-30 | 1992-06-04 | Danfoss As | Verfahren zum herstellen eines gassensors |
DE59107125D1 (de) * | 1991-02-15 | 1996-02-01 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines schnellen Sauerstoffsensors |
DE4331520C1 (de) * | 1993-09-16 | 1995-01-26 | Siemens Ag | Auswerteeinheit zur Bestimmung des Widerstands eines halbleitenden Metalloxidsensors und deren Verwendung |
GB2293015B (en) * | 1994-09-10 | 1998-09-02 | Atomic Energy Authority Uk | Formaldehyde vapour detector |
GB9418292D0 (en) * | 1994-09-10 | 1994-10-26 | Atomic Energy Authority Uk | Formaldehyde vapour detector |
DE19549146A1 (de) * | 1995-12-29 | 1997-07-03 | Siemens Ag | Gassensor |
US8602717B2 (en) | 2010-10-28 | 2013-12-10 | United Technologies Corporation | Compression system for turbomachine heat exchanger |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5421397A (en) * | 1977-07-18 | 1979-02-17 | Fuji Electric Co Ltd | Carbon monoxide detector |
JPS54159297A (en) * | 1978-06-07 | 1979-12-15 | Nitto Electric Ind Co | Method of making gas detector |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3479257A (en) * | 1966-11-25 | 1969-11-18 | Gen Electric | Methods and apparatus for measuring the content of hydrogen or reducing gases in an atmosphere |
JPS5514380B2 (ja) * | 1973-06-12 | 1980-04-16 | ||
FR2273276B1 (ja) * | 1974-05-27 | 1978-08-04 | Radiotechnique Compelec | |
US4224280A (en) * | 1977-07-18 | 1980-09-23 | Fuji Electric Co., Ltd. | Carbon monoxide detecting device |
DE2737385A1 (de) * | 1977-08-19 | 1979-03-22 | Licentia Gmbh | Gasspuerelement zum nachweis von fetten und geruchsstoffen in duensten |
CA1088626A (en) * | 1977-09-12 | 1980-10-28 | Donald J. Romine | Resistance-type ceramic sensor element and sensor for combustion gas sensing device |
US4313338A (en) * | 1978-08-18 | 1982-02-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Gas sensing device |
DE2942516C2 (de) * | 1979-10-20 | 1982-11-11 | Drägerwerk AG, 2400 Lübeck | Gasspürelement zum Nachweis von Schwefelwasserstoff |
GB2085168B (en) * | 1980-10-07 | 1985-01-30 | Itt Ind Ltd | Semiconductor gas sensor |
-
1983
- 1983-06-24 GB GB08317173A patent/GB2142147A/en not_active Withdrawn
-
1984
- 1984-06-20 DE DE19843422823 patent/DE3422823A1/de not_active Withdrawn
- 1984-06-22 JP JP12770184A patent/JPS6069544A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5421397A (en) * | 1977-07-18 | 1979-02-17 | Fuji Electric Co Ltd | Carbon monoxide detector |
JPS54159297A (en) * | 1978-06-07 | 1979-12-15 | Nitto Electric Ind Co | Method of making gas detector |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63279151A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-16 | Nibetsukusu Kk | 一酸化炭素センサ |
JPH0660133U (ja) * | 1993-01-21 | 1994-08-19 | 岡谷電機産業株式会社 | ケース外装型電子部品 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB8317173D0 (en) | 1983-07-27 |
GB2142147A (en) | 1985-01-09 |
DE3422823A1 (de) | 1985-01-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4399424A (en) | Gas sensor | |
US4324761A (en) | Hydrogen detector | |
US4030340A (en) | Hydrogen gas detector | |
EP0488503B1 (en) | Gas sensor | |
US4387165A (en) | H2 S Detector having semiconductor and noncontinuous inert film deposited thereon | |
US4822465A (en) | Hydrogen sulphide sensor | |
US4358951A (en) | Zinc oxide thin film sensor having improved reducing gas sensitivity | |
JPS6069544A (ja) | ガス センサ− | |
US4072467A (en) | Combustible gas detectors | |
US4521290A (en) | Thin layer electrochemical cell for rapid detection of toxic chemicals | |
US4515653A (en) | Method for production of a moisture sensor | |
US3540278A (en) | Moisture sensor | |
US4138881A (en) | Resistor-type solid electrolyte oxygen sensor | |
EP0658761B1 (en) | Method of determing a gas concentration | |
US4455378A (en) | Method of determining the content of an anesthetic gas in a selected location | |
US3658479A (en) | Device for measuring the pressure of a gas | |
GB2085168A (en) | Semiconductor gas sensor | |
US4198850A (en) | Gas sensors | |
US3703697A (en) | Relative humidity sensor | |
EP0038078B1 (en) | Gas sensor | |
EP0400063B1 (en) | Thin film moisture sensing elements and process for the manufacture thereof | |
JPH0423212B2 (ja) | ||
JPS6312252B2 (ja) | ||
JP3026523B2 (ja) | ガスセンサ | |
RU2098806C1 (ru) | Газочувствительный толстопленочный датчик |