JPS6067661A - Thin film forming apparatus - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To facilitate work while forming a thin film with good accuracy, in depositing particles comprising a thin film constituting substance onto an opposedly arranged substrate by flying the same, by allowing the particles to be incident to the substrate while controlling the same by a particle stream control means. CONSTITUTION:A conductive screen substrate 11 and, for example, an Al-evaporation source 20 are arranged in an evacuated bell jar and an Al-vapor deposition film is formed onto the substrate 11. In this case, a blocking plate 24 with a slit 23 is provided to the region between the substrate 11 and the evaporation source 20 in close vicinity to the substrate 11. Therefore, among Al particles from the evaporation source 20, components in an oblique direction shown by the one-dot chain line 21' are blocked by the blocking plate 24 and only components 21 in a direction vertical to the substrate 11 are successively deposited on an insulating layer 13. The width of the slit 23 is set to about 5mm..

Description

【発明の詳細な説明】 １、産業上の利用分野 本発明は薄膜形成装置に関するものである。[Detailed description of the invention] 1. Industrial application field The present invention relates to a thin film forming apparatus.

２、従来技術 従来、多数の開口（特に、微細なメック５．状開口）を
有する感光性スクリーンに静電荷像を形成し、この静電
荷像によりイオン流（例えば正イオン粒子）の通過を制
御して、帯電可能な層（例えば感光体ドラムの感光層）
に所定の静電荷像な形成する多色電子写真複写方式が知
られている。2. Prior Art Conventionally, an electrostatic charge image is formed on a photosensitive screen having a large number of apertures (in particular, fine mech-like apertures), and the passage of ion currents (for example, positive ion particles) is controlled by this electrostatic charge image. and a chargeable layer (e.g. photosensitive layer of a photosensitive drum)
A multicolor electrophotographic copying system is known in which a predetermined electrostatic charge image is formed.

第１図には１例えば白地に黒色画像部と赤色画像部とか
らなる２色原稿から画像を再現するための２色刷り用複
写機が示されている。　この装置本体の上部には往復動
する原稿台４１が設けられており、この原稿台４１上に
載置された原稿２５は照明ランプ４２により照明される
。　４１４４はミラー、４５は固定ンンズ、４６は光路
中に出入れし得るように構成された可動の赤色フィルタ
ー、４７は赤色光を反射させ、赤色と補色関係にあるシ
アン色は通過させる可動式のダイクｐイククフィルター
であり、光路中に出入れし得るように構成されている。FIG. 1 shows a two-color copying machine for reproducing an image from a two-color original, for example, a black image area and a red image area on a white background. A reciprocating document table 41 is provided at the top of the main body of the apparatus, and the document 25 placed on the document table 41 is illuminated by an illumination lamp 42 . 4144 is a mirror, 45 is a fixed lens, 46 is a movable red filter configured to be able to enter and exit the optical path, and 47 is a movable filter that reflects red light and passes cyan, which is complementary to red. It is a Dike p-Ikuku filter and is configured so that it can be inserted into and removed from the optical path.

　第５図では赤色フィルター４６は光路からはずれ、ダ
イクｐイックフィルター４７は光路中に配置されている
状態を示して（・・る。　ドラム状をなした感光体５３
の表面に感光層１Ｂが設けられ、感光体５３が時計方向
に回転すると感光層１Ｂがフーナ帯電器２４によって均
一に帯電される。　感光層１Ｂは七／ンあるしＸは有機
半導体などにより作られる。In FIG. 5, the red filter 46 is removed from the optical path, and the Dyck filter 47 is placed in the optical path (...) A drum-shaped photoreceptor 53
A photosensitive layer 1B is provided on the surface of the photosensitive layer 1B, and when the photosensitive body 53 rotates clockwise, the photosensitive layer 1B is uniformly charged by the Hooner charger 24. The photosensitive layer 1B is made of 7/N, and X is made of an organic semiconductor or the like.

感光体５３の周辺には、感光層１８を均一に帯電する帯
電器５４と、正に帯電された黒色トナーを有する黒色現
像器４８と、正に帯電された赤色トナーを有する赤色現
像器４９と、感光層１Ｂ上に残留するトナーおよび電荷
を除去するクリーニング装置３０とが配置されている。Around the photoreceptor 53, there are a charger 54 that uniformly charges the photosensitive layer 18, a black developer 48 containing positively charged black toner, and a red developer 49 containing positively charged red toner. , and a cleaning device 30 for removing toner and charges remaining on the photosensitive layer 1B.

、　３１は感光体５３と同径で、感光層１Ｂと接触して
従動するか又は反時計方向に回転する転写ドラムである
。, 31 is a transfer drum which has the same diameter as the photoreceptor 53 and is driven or rotated counterclockwise in contact with the photosensitive layer 1B.

６３はコｐす放電器からなる転写電極、３２は複写紙給
紙皿、３３は複写紙給紙皿３２に収納された複写紙・５
２を一枚ずつ給紙する給紙ｐ−ラ、３４は複写紙を転写
ドラム３１に搬送する第１搬送ローラ、３５は転写後に
複写紙をドラム３１から分離し易くするための除電な行
なう静電分離器、３６は複写紙をドラム３１から強制的
に分離する分離爪である。　また、３７はヒーター内蔵
の定着装置である。　但、実際には複写紙５２を案内す
るガイド板を設けるが、この図示は省略されている。Reference numeral 63 indicates a transfer electrode consisting of a copier discharge device, 32 indicates a copy paper feed tray, and 33 indicates a copy paper 5 stored in the copy paper feed tray 32.
34 is a first conveyance roller that conveys the copy paper to the transfer drum 31; 35 is a static roller that removes static electricity to make it easier to separate the copy paper from the drum 31 after transfer; The electric separator 36 is a separating claw that forcibly separates the copy paper from the drum 31. Further, 37 is a fixing device with a built-in heater. However, although a guide plate is actually provided to guide the copy paper 52, this illustration is omitted.

一方、感光層１８の外側には、光導電層が面するように
円筒状をなした感光性スクリーンドラム１７が配され、
このドラム１７は原稿台４１および感光層１８と同期し
て反時計方向に回転し得るように配置されている。　−
また、このドラム１７の外側周送洗は、スクリーン帯電
器２８と、感光スクリーンドラム１７上九残留する電荷
を除去するＫＬ（エレクト−ルミネセンス）板マたはＡ
Ｃコロナ除電器などで作ったスクリーン除電器３９と、
感光性スクリーンドラム１７の内側で感光体５３に対向
する位置に荷電粒子を投射する荷電粒子源（）ｐす放電
器）１９とが設けられている。On the other hand, a cylindrical photosensitive screen drum 17 is disposed outside the photosensitive layer 18 so that the photoconductive layer faces.
This drum 17 is arranged so that it can rotate counterclockwise in synchronization with the document table 41 and the photosensitive layer 18. −
Further, the outer circumferential cleaning of the drum 17 is carried out using a screen charger 28 and a KL (electroluminescence) plate or A for removing charges remaining on the photosensitive screen drum 17.
Screen static eliminator 39 made from C corona static eliminator etc.
A charged particle source (discharger) 19 for projecting charged particles is provided inside the photosensitive screen drum 17 at a position facing the photoreceptor 53.

この感光性スクリーン１７は、第２図に示す如く、多数
の微細開口ｌＯを有しかつ一方の面が露出したドラム状
導電性スクリーン１１と、この導電性スクリーンの少な
くとも他方の面に設けられた（図示の例では開口ｌＯ内
の壁面忙も設けられている）絶縁層１３と、この絶縁層
上に設けられたバイアス用のＡ、！ｉ等の導電膜１４と
、光導電性（感光）層１５と、電荷輸送層１６とによっ
て構成されている。　導電性スクリー７１１はステンレ
ス、ＡＪ等の金属メツシュで、絶縁ｒ＠１３はポリエチ
レン等で、感光層１５及び電荷輸送層重６は有機光半導
体で夫々形成される。As shown in FIG. 2, this photosensitive screen 17 includes a drum-shaped conductive screen 11 having a large number of fine openings 10 and one side exposed, and a drum-shaped conductive screen 11 provided on at least the other side of the conductive screen. (In the illustrated example, a wall surface inside the opening 10 is also provided) an insulating layer 13, and a bias A provided on this insulating layer. It is composed of a conductive film 14 such as i, a photoconductive (photosensitive) layer 15, and a charge transport layer 16. The conductive screen 711 is made of a metal mesh such as stainless steel or AJ, the insulating layer 13 is made of polyethylene, etc., and the photosensitive layer 15 and the charge transport layer 6 are made of an organic optical semiconductor.

この感光性スクリーン１７の製作忙際し、特化上記導電
膜１４は第３図に示す如＜ＡＪ蒸発源２゜の蒸着によっ
て形成される。　ところがこの場合。During the production of the photosensitive screen 17, the conductive film 14 is formed by evaporation using an AJ evaporation source of 2° as shown in FIG. However, in this case.

蒸発源２０からのＡＩ！蒸気２１のうち、スクリーン基
体１１に対し斜め方向に入射する部分２１′は矢印で示
すよう忙開口１ｏを通して基体１１の裏側へ廻り込み易
いか、或いは基体１１の裏面へ直接付着してしまう。　
この結果、第４図のように裏面に付着したＡ１部分によ
って導電膜１４と基体１１とが導通（短絡）してしまい
、その作用を発揮できなくなる。　従って従来は、電流
を流すとと九よって、基体１１上のＡＡ’Ｍ１４の比較
的薄い部分１４ａ（特に基体１１のエツジ部分１１ａに
薄く付着した部分）を焼切って、基体１１に対する短絡
を防いでいる。　しかしながら−そのための作業工程が
必要である上に、上記焼切化よるダメージがＡＩ膜膜種
４残り、その耐圧が低下するという欠点がある。AI from evaporation source 20! A portion 21' of the steam 21 that enters the screen base 11 in an oblique direction tends to go around to the back side of the base 11 through the opening 1o as shown by the arrow, or it directly adheres to the back side of the base 11.
As a result, as shown in FIG. 4, the conductive film 14 and the base 11 are electrically connected (short-circuited) due to the A1 portion attached to the back surface, making it impossible to exert their effect. Therefore, conventionally, when a current is applied, the relatively thin portion 14a of the AA'M 14 on the base 11 (particularly the thinly attached portion to the edge portion 11a of the base 11) is burned off to prevent short circuits to the base 11. I'm here. However, there is a drawback that a work process is required for this purpose, and the damage caused by the above-mentioned burnout remains in the AI film type 4, resulting in a decrease in its breakdown voltage.

３、発明の目的 本発明の目的は１作業容易忙して上記導電機の如き薄膜
を精度良く形成で評る装置を提供することにある。3. OBJECTS OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an apparatus for forming and evaluating thin films, such as the above-mentioned conductive film, with high accuracy in one easy and busy manner.

４、発明の構成及びその作用効果 即ち１本発明は、薄膜構成物質の粒子（例えばＡＩ）を
飛翔させ、対向配置された基体上に堆請させる薄膜形成
装置において、基体近傍に配した粒子流制御手段のスリ
ット状粒子流通過口を介して前記粒子が前記基体上に導
びかれ、かつこの場合の前記粒子流通過口のスリット幅
が小さめに設定されていることを特徴とする薄膜形成装
置に係るものである。4. Structure of the invention and its effects, namely 1. The present invention provides a thin film forming apparatus in which particles of a thin film constituent material (for example, AI) are made to fly and are deposited on a substrate disposed opposite to each other. A thin film forming apparatus characterized in that the particles are guided onto the substrate through a slit-shaped particle flow passage of the control means, and in this case, the slit width of the particle flow passage is set to be small. This is related to.

本発明によれば、薄膜構成物質の粒子を基体に対し粒子
流制御手段で制御しながら入射させるようにしているの
で、粒子が基体の表面上にて順次堆積し、既述した如き
廻り込みや裏面への直接付着を阻止するようにできる。According to the present invention, the particles of the thin film constituent material are made to be incident on the substrate while being controlled by the particle flow control means, so that the particles are sequentially deposited on the surface of the substrate, causing the above-mentioned wraparound and Direct adhesion to the back surface can be prevented.

　従って、得られた薄膜は何らの後処理を加えることな
く、そのまま次の工程（例えば感光層の形成）に供する
ことが可能である。　しかも、この際１粒子流通過口の
スリット幅を小さめ罠していることによって１粒子流制
御手段の粒子流通過口から粒子が横方向へ拡散する幅を
小さくでき、所定の決められた領域九のみ粒子を基体上
に堆積させることができる。Therefore, the obtained thin film can be directly subjected to the next step (for example, formation of a photosensitive layer) without any post-treatment. Moreover, at this time, by trapping the slit width of the particle flow passage port to be small, the width in which the particles diffuse in the lateral direction from the particle flow passage port of the single particle flow control means can be reduced, and the width of the slit in the particle flow passage port of the particle flow control means can be reduced. particles can be deposited onto the substrate.

コノことは１本発明者によりてはじめて見出された新規
で有用な事実であり、後記において詳細に説明する。This is a new and useful fact discovered for the first time by the present inventor, and will be explained in detail later.

５、実施例 以下１本発明を第５図〜第１５図忙示す実施例について
詳細に説明する。5. Examples Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples shown in FIGS. 5 to 15.

第５図には、既述した感光性スクリーンの導電性スクリ
ーン基体ｌｌ（実際にはその表面又は外面上に絶縁層重
３が既に形成されている。）と。FIG. 5 shows the conductive screen base 11 of the photosensitive screen described above (actually, an insulating layer 3 has already been formed on its surface or outer surface).

４−１ ＡＪ蒸発源２０とを１０　−１０　Ｔｏｒｒの真空度に
引かれたペルジャー（図示省略）内に配し９．基体１１
上にＡノ蒸着膜（既述の１４）を形成する真空蒸着方法
又はその装置を示す。　スクリーン基体１１は、マンド
レル２２の周りにセットされ。4-1 AJ evaporation source 20 was placed in a Pel jar (not shown) drawn to a vacuum level of 10 −10 Torr.9. Base body 11
A vacuum evaporation method or apparatus for forming an A-deposited film (already described 14) thereon is shown. The screen base 11 is set around the mandrel 22.

共に例えばｌ　５　ｒｐｍの速度で回転し得るように配
されている。Both are arranged such that they can rotate at a speed of, for example, l 5 rpm.

ここで注目すべきことは、基体１１と蒸発源２゜との間
の領域において、＾体１１の近傍にスリット２３付きの
遮蔽板２４を設けていることである。What should be noted here is that a shielding plate 24 with slits 23 is provided near the body 11 in the region between the base body 11 and the evaporation source 2°.

そしてこの場合、第６図に明示する如く、蒸発源２０か
らのへ！蒸気は、一点鎖線２１’で示す斜め方向の成分
は遮蔽板２４によって完全に遮断され。In this case, as shown in FIG. 6, from the evaporation source 20! A component of the steam in the diagonal direction indicated by a dashed line 21' is completely blocked by the shielding plate 24.

基体１１に対してその垂直方向成分２１のみがスリット
２３を通して導びかれ、絶縁層１３上忙順次堆積するよ
うに構成している。　スリット２３を通過するへ！蒸気
２１の蒸発源からの角度αは例えば０．５炭化設定され
る。　また実際圧は、スリット２３の幅を５ｍとすれば
、このスリット幅内には第６図に示すように基体１１の
メツシュ構成部分が多数個（例えば２０個）分収まるよ
うに構成される。Only the vertical component 21 of the substrate 11 is guided through the slit 23 and is successively deposited on the insulating layer 13. Go through slit 23! The angle α of the steam 21 from the evaporation source is set, for example, to 0.5 carbonization. The actual pressure is such that, if the width of the slit 23 is 5 m, a large number (for example, 20) of the mesh components of the base body 11 can be accommodated within this slit width, as shown in FIG.

このように、スリット２３付きの遮蔽板２４によりて、
ＡＪ蒸気（又は分子）の垂直方向成分２１のみを選択し
て基体１１上に導びいているから。In this way, by the shielding plate 24 with the slit 23,
This is because only the vertical component 21 of the AJ vapor (or molecules) is selected and guided onto the substrate 11.

基体１１の表面又は外面上にのみＡノが堆積し。A deposits only on the surface or outer surface of the substrate 11.

以上と高く保持される）ことが分る。　絶縁層が厚めの
ときは、いずれの場合も良好な結果が得られる。It can be seen that this is maintained at a high level. Good results are obtained in both cases when the insulating layer is thick.

次に、下記の条件を一定にして操作したところ、表−２
釦示す結果が得られた。Next, when the following conditions were kept constant, Table 2
The results shown were obtained.

ＤＢＭ＝５肛 Ｉ）Ｉｌ＋　＝　３００　ｍｍ Ｗ＝　１０　ｍｍ ＲＡ　４１−１　ｇ　／順 絶縁層１３の塗布回数＝４回（層は薄め）表　−２ ※電圧を印加してＡｌ蒸着膜のダメージの有無を観察。DBM=5 anus I) Il+ = 300mm W=10mm RA 41-1 g / order Number of times of application of insulating layer 13 = 4 times (layer is thin) Table -2 *Apply voltage and observe whether there is damage to the Al deposited film.

この結果から、Ａｌ膜厚を目標とするａｏｏＸ程度とし
ても抵抗値は充分に保持できるが、電流のリークが生じ
易くなることが分る。、Ａ、ｌ膜厚（ま薄めの方が、ｋ
ｌＮＡり込みの影響を軽減できる。From this result, it can be seen that although the resistance value can be sufficiently maintained even if the Al film thickness is set to the target value of aooX, current leakage is likely to occur. , A, l film thickness (thinner is k
The influence of lNA intrusion can be reduced.

また、上記臨、（遮・蔽板−基体間の距離）を選択する
こと忙よって、拡散幅ｄを低めに抑え、Ａ１粒子流の平
行度を充分にし得ることを確認して（・る。　即ち、第
８図に示すように（但、　１）Ｉｌ、＝３００鵬、Ｗ＝
５　ｉｎ、　ＲＡｅ＝＝　Ｉ　Ｅｌ　／　Ｍ）　−０８
Ｍを４０ｍｍ以下として基体と遮蔽板の距離を短かくす
ると。In addition, while selecting the above-mentioned distance (distance between the shielding plate and the substrate), it was confirmed that the diffusion width d could be kept low and the parallelism of the A1 particle flow could be made sufficient. That is, as shown in FIG. 8, (1) Il, = 300 Peng, W =
5 in, RAe== I El / M) -08
When M is set to 40 mm or less, the distance between the base and the shielding plate is shortened.

付着拡散幅を２５順以下と小さくシ、目的とするＡＪ蒸
着膜が得易くなる。By making the adhesion diffusion width as small as 25 or less, it becomes easier to obtain the desired AJ vapor deposited film.

上記ＤＩｌｌｌとｄとの間には、第９図に示す関係が得
られ、Ｄｌｌ、を６０ｍ以上の範囲で適切に設定（特に
１００ｍ＋ｎ以上）することが望ましし・（但、第９図
の条件は、ＤＩＩＭ　＝＝　５　ｍｍ−Ｗ＝　５　ｍｍ
−１１，Ｂ　＝’−＝　１１！／ｗｉｎ＞。The relationship shown in Figure 9 is obtained between the above DIll and d, and it is desirable to appropriately set Dll in a range of 60 m or more (particularly 100 m + n or more). The conditions are DIIM==5 mm-W=5 mm
-11, B ='-= 11! /win＞.

スリット幅Ｗについては、第１Ｏ図のように拡散幅ｄを
左右し、Ｗを２０数順以下とすればよいことが分る。　
また、第１１図のように、スリット幅Ｗ−拡散＠ｄは％
　Ｄ、Ｍのとり方によっても変化しＳ　ＤＩＩＭを５伽
と小さくする方が拡散幅を少なくできることが分る（但
−Ｄｌｌｓ　＝３００胴、Ｄｌｌ＆ｌ−５＋ｎｍ又は４
０ｍｍ、ＲＡ、＝ｌ、　２．４〜６１／　／１ｎｉｓ　
）。It can be seen that the slit width W can be determined by controlling the diffusion width d as shown in FIG.
Also, as shown in Fig. 11, the slit width W-diffusion @d is %
It can be seen that it changes depending on how D and M are taken, and it is possible to reduce the diffusion width by making S DIIM as small as 5.
0mm, RA, =l, 2.4~61//1nis
).

ここで本発明者は、上記した如くに遮蔽板２４を用いて
Ａ７！蒸気を蒸着させる釦際し、スリット幅Ｗを小さめ
に設定することが極めて重要であることを見出したので
ある（Ｍｌ　０図、ＩＪＩＩ図参照）。　特に、基体１
１の直径Ｒに対し、スリット幅Ｗを％以下（望ましくは
１７１０以下）とすることがよい、具体的にはＲ＝１２
０＋ｎｍψのときにはＷ＝３０〜１２ｍｍ以下とするの
が望ましい。Here, the inventor uses the shielding plate 24 as described above to obtain A7! It was discovered that it is extremely important to set the slit width W to a small value when the vapor is to be deposited (see Figure Ml0 and Figure IJII). In particular, the substrate 1
It is preferable to set the slit width W to % or less (preferably 1710 or less) with respect to the diameter R of 1. Specifically, R = 12
When 0+nmψ, it is desirable that W=30 to 12 mm or less.

このように１本発明に基いて、上述の遮蔽板の使用によ
っ【粒子流を制御しながら、そのスリット幅を小さめに
設定すれば、拡散幅を小さくシ。As described above, based on the present invention, by using the above-mentioned shielding plate, the diffusion width can be reduced by setting the slit width to be small while controlling the particle flow.

平行粒子流を多くして、基体の表面（外面）上にのみＡ
ＪＩ’蒸着膜を請度良く形成することができるのである
。By increasing the parallel particle flow, A is applied only on the surface (outer surface) of the substrate.
A JI' vapor deposited film can be formed with high reliability.

上述したマンドレル２２について、第１２図を用いてよ
り詳細に説明する。The above-mentioned mandrel 22 will be explained in more detail using FIG. 12.

このマンドレル２２は、基体１１の内周に近接して設け
られているので、基体１１のメツシュを通過した１１粒
子はマンドレル２２で阻止され。Since this mandrel 22 is provided close to the inner periphery of the base 11, the 11 particles that have passed through the mesh of the base 11 are blocked by the mandrel 22.

基体１１の他の内面への付着が効果的に防止される。　
この場合、マンドレル２２は実際には、追加ノスリーブ
２５と接合、一体化され、このスリーブ２５上の両端に
嵌め込まれたりング２６に対し上述した基体１１が固定
される。Adhesion to other inner surfaces of the base body 11 is effectively prevented.
In this case, the mandrel 22 is actually joined and integrated with the additional sleeve 25, and the base body 11 described above is fixed to the rings 26 fitted into both ends of the sleeve 25.

第１３図は、他の蒸着装置を示すが、この場合には、基
体１１にバイアス電圧２７をかけ、蒸発源２０からの粒
子２１を電子銃２８からの電子によって活性化若しくは
イオン化することにより。FIG. 13 shows another evaporation apparatus, in this case by applying a bias voltage 27 to the substrate 11 and activating or ionizing the particles 21 from the evaporation source 20 by electrons from the electron gun 28.

粒子２１０基体ｌｌ上への吸着効率を高めている。The adsorption efficiency onto the particle 210 substrate is increased.

第１４図は、コイル電極２９に高周波３８を加え、公知
のＲＦイオンブレーティングと同様の原理で、Ａｒガス
を導入しながら蒸着を行なう例である。FIG. 14 shows an example in which a high frequency wave 38 is applied to the coil electrode 29 and vapor deposition is performed while introducing Ar gas using the same principle as known RF ion blating.

第１５図は、スパッタ法によりＡＪＩ’膜を形成する例
な示し、Ａツタ−ゲット４０をＡｒガスによるプラズマ
でスパッタし、叩き出されたＡ４粒子又はクラスターを
スリット２３を介して基体１１上忙はぼ垂直に入射させ
、上述したＡＪ導′ｒＩＬ膜１４を形成する。FIG. 15 shows an example of forming an AJI' film by a sputtering method, in which an A4 target 40 is sputtered with Ar gas plasma, and the A4 particles or clusters ejected are passed through a slit 23 onto a substrate 11. The above-mentioned AJ conductor IL film 14 is formed by making the light incident almost perpendicularly.

なお１本発明は、上述の感光性スクリーンに限らず、他
の薄膜１例えば垂直磁気記録ｍｃ例えばＣｏ−Ｃｒ膜）
の形成にも適用可能であり、その用途は広範である。　
また、上述の遮蔽板は複数板組合せてよいし、スリッ）
Ｋ対し粒子流が収束するような電界又は磁界を作用させ
てもよい、　また、基体の断面形状は矩形環、他の形状
であってよい。Note that the present invention is not limited to the above-mentioned photosensitive screen, but also applies to other thin films (e.g., perpendicular magnetic recording mc, e.g., Co--Cr film).
It can also be applied to the formation of , and its uses are wide-ranging.
In addition, the above-mentioned shielding plates may be used in combination of multiple plates.
An electric or magnetic field may be applied to K so that the particle flow converges. Also, the cross-sectional shape of the base may be a rectangular ring or other shape.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図〜第４図は従来例を示すものであって。 第１図は２色刷り用電子写真複写機の概略断面図。 第２図は感光性スクリーンの一部拡大断面図。 第３図は蒸着時の断面図。 第４図は蒸着後の感光性スクリーンの断面図である。 第５図〜第１５図は本発明の実〃−例を示すものであり
て。 第５図は蒸着時の断面図− 第６図は第５図の要部拡大図。 第７図は各部の位置関係を説明するための第６図と同様
の図。 第８図は遮蔽板と基体との距離による粒子拡散幅を示す
グラフ。 第９図は蒸発源と遮蔽板との距離による粒子拡散幅を示
すグラフ、 第１０図は遮蔽板のスリット幅と粒子拡散幅との関係を
示すグラフ。 第１１図は同スリット幅と粒子拡散幅との関係を遮蔽板
−基体間の距離との関連で示すグラフ。 第１２図は基体保持構造を示す断面図。 第１３図、第１４図、第１５図は他の製造装置の各概略
図 である。 なお１図面に示した符号において。 １１−−−−−−−−−−−−−−−−一導電性スクリ
ーン基体１３・−−−−−−−−・−・−・−−ｍ−絶
縁層１４・−・−・−−−−−−−−一−・−−−−−
（ＡＪ）導電膜１５−−−−−−−・・−−−−−一・
−・−・−・感光層１６−−−−−・・・−−−−−−
・−・−電荷輸送層１７−−−−−−＝−−−−−−−
・−感光性スクＩノーン２０−−−−−−一・−−一一
−−−−−−−−−−−−蒸発源２１−−−＝−−−−
−−−−−−ＡＪ蒸気２２　＝−−−−−一・−−−−
−−−−−−・−−−−−−マンドンル２３−−−−−
・−−−−−−・−・−・スリット２４−−−−−一・
・−−−−−−・−遮蔽板である。 代理人　弁理士　逢　坂　宏　（イ也１名）第５図 第６図 第７図 第８図 ＤｓＭ１ｍｍｌ ）哩■ｉ ζｎ 転　転 呂　容　呂　呂　胃 な癖城漆？震 第１１図 スリットや吊１ｍｍ１ 第１２図 第１３図 第１４図 第１５図 ４０ 丁1 to 4 show conventional examples. FIG. 1 is a schematic sectional view of an electrophotographic copying machine for two-color printing. FIG. 2 is a partially enlarged sectional view of the photosensitive screen. FIG. 3 is a cross-sectional view during vapor deposition. FIG. 4 is a cross-sectional view of the photosensitive screen after vapor deposition. 5 to 15 show practical examples of the present invention. FIG. 5 is a sectional view during vapor deposition. FIG. 6 is an enlarged view of the main part of FIG. FIG. 7 is a diagram similar to FIG. 6 for explaining the positional relationship of each part. FIG. 8 is a graph showing the particle diffusion width depending on the distance between the shielding plate and the substrate. FIG. 9 is a graph showing the particle diffusion width depending on the distance between the evaporation source and the shielding plate, and FIG. 10 is a graph showing the relationship between the slit width of the shielding plate and the particle diffusion width. FIG. 11 is a graph showing the relationship between the slit width and the particle diffusion width in relation to the distance between the shielding plate and the substrate. FIG. 12 is a sectional view showing the base holding structure. FIGS. 13, 14, and 15 are schematic diagrams of other manufacturing apparatuses. In addition, in the reference numerals shown in the first drawing. 11--------------- Conductive screen base 13-------------m-Insulating layer 14-- −−−−−−−−・−−−−−
(AJ) Conductive film 15------------1.
−・−・−・Photosensitive layer 16−−−−−・−−−−−−
・−・−Charge transport layer 17−−−−−−=−−−−−−−
・-Photosensitive screen Inon 20---1・---11------Evaporation source 21---=----
--------AJ steam 22 =-------1・----
−−−−−−・−−−−−−Mandonle 23−−−−−
・−−−−−−・−・−・Slit 24−−−−−1・
・---------・-It is a shielding plate. Agent Patent Attorney Hiroshi Aisaka (1 person) Figure 5 Figure 6 Figure 7 Figure 8 Figure 8 Earthquake Figure 11 Slit and hanging 1mm1 Figure 12 Figure 13 Figure 14 Figure 15 Figure 40

Claims (1)

【特許請求の範囲】 ■、薄膜構成物質の粒子を飛翔させ、対向配置された基
体上に堆積させる薄膜形成装置において。 基体近傍に配した粒子流制御手段のスリット状粒子流通
過口を介して前記粒子が前記基体上に導びかれ、かつ前
記粒子流通過口のスリット幅が小さめに設定されている
ことを特徴とする薄膜形成装置。[Scope of Claims] (1) In a thin film forming apparatus in which particles of a thin film constituent material are caused to fly and deposited on substrates disposed opposite to each other. The particles are guided onto the substrate through a slit-shaped particle flow passage of a particle flow control means arranged near the substrate, and the slit width of the particle flow passage is set to be small. Thin film forming equipment.