JPS6063370A - アモルファス水素化シリコン膜製造装置 - Google Patents
アモルファス水素化シリコン膜製造装置Info
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- JPS6063370A JPS6063370A JP58171727A JP17172783A JPS6063370A JP S6063370 A JPS6063370 A JP S6063370A JP 58171727 A JP58171727 A JP 58171727A JP 17172783 A JP17172783 A JP 17172783A JP S6063370 A JPS6063370 A JP S6063370A
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- Japan
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- electrode
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、′電子写真用像形成部材として用いられるア
モルファス水素化シリコン（以後α−ｓル：Ｈと略記す
る。）製造装置に関する。
モルファス水素化シリコン（以後α−ｓル：Ｈと略記す
る。）製造装置に関する。
′喝子写真用像形成部相等における光４・電層全構成す
る光等′亀制科としては、高感度、高抵抗であって視感
度にできる限り近いスペクトル將ｆｉ、 ｆ Ｗするこ
と、未造時や使用時において人体に対して無公害である
ことが被水でれる。
る光等′亀制科としては、高感度、高抵抗であって視感
度にできる限り近いスペクトル將ｆｉ、 ｆ Ｗするこ
と、未造時や使用時において人体に対して無公害である
ことが被水でれる。
これらの要求に対して最近有望視されているものの中に
ａ−Ｅｌ、１．：Ｈがある。
ａ−Ｅｌ、１．：Ｈがある。
α−８Ｑ ： Ｈ膜は、一般的にはグロー放電法やスパ
ッタリング法等の放電現象を利用する堆稙法によシ適当
な支持体上に形成さ、ｆＬることによって得られる。
ッタリング法等の放電現象を利用する堆稙法によシ適当
な支持体上に形成さ、ｆＬることによって得られる。
このような維槓法によってα−８Ｑ ： Ｈ腹を得る場
合、膜堆積時の反応ガス（ＳＬ山、５７２１（６Ｑ’Ｆ
’ ）の流入量（流入速度）と、支持体と１９周波電極
間の圧力（真空度）によって、形成された膜の電子写真
用像形底部相としての特性要素である暗抵抗（暗所での
抵抗）や光感度が変化することは種々の報告書や文献に
示されている１、まプこ、反応ガス流入量と、支持体と
高周波電極間の圧力の値により、ａ−８Ａ ’、 Ｊ換
だけでなくα−ｓｚ：ａ粉末も得られることが１ｉｉｉ
々の報告書や文献に示されている。
合、膜堆積時の反応ガス（ＳＬ山、５７２１（６Ｑ’Ｆ
’ ）の流入量（流入速度）と、支持体と１９周波電極
間の圧力（真空度）によって、形成された膜の電子写真
用像形底部相としての特性要素である暗抵抗（暗所での
抵抗）や光感度が変化することは種々の報告書や文献に
示されている１、まプこ、反応ガス流入量と、支持体と
高周波電極間の圧力の値により、ａ−８Ａ ’、 Ｊ換
だけでなくα−ｓｚ：ａ粉末も得られることが１ｉｉｉ
々の報告書や文献に示されている。
従来、α−８Ｌ ：Ｉ（を作成する方法としては、前述
の如くグロー放電法やスパッタリング法が用いられてい
るが、支持体形状として円ｆ：１〕形がよく使用される
。電子写真用像形成部材の場合、製造方法が容易、安定
な膜が得られる等の理由からグロー放電法が多く用いら
れている。
の如くグロー放電法やスパッタリング法が用いられてい
るが、支持体形状として円ｆ：１〕形がよく使用される
。電子写真用像形成部材の場合、製造方法が容易、安定
な膜が得られる等の理由からグロー放電法が多く用いら
れている。
グロー放電法の場合、電源の種類により直流グロー放電
法と高周波グロー放電法に大別される。
法と高周波グロー放電法に大別される。
さらに高周波グロー放電法は電極をコイル状にした誘導
結合型と平行板状にした容量結合型に分けられる。その
中でも電子写真用像形成部利用としては、大型製造装置
に適するという理由から、容量結合型高周波グロー放電
法がよく用いられている。
結合型と平行板状にした容量結合型に分けられる。その
中でも電子写真用像形成部利用としては、大型製造装置
に適するという理由から、容量結合型高周波グロー放電
法がよく用いられている。
第１図に一般に用いられている容量結合型高周波グロー
放電法を用いた場合の、円筒形状をもった支持体上にα
−Ｂｉ、 二Ｈ膜を得るだめの製造装置の形状を示す。
放電法を用いた場合の、円筒形状をもった支持体上にα
−Ｂｉ、 二Ｈ膜を得るだめの製造装置の形状を示す。
この装置を用いた場合、α−ｓ＝；ｎ膜が形成される過
程は次のようになる。まず、流量制御ノ（ルブ６０によ
多制御された反応ガスが導入管４０を経て吹き出し目印
から高周波電極２０と円筒形支持体３０の間に吹き出さ
れる。吹き出された反応ガスは高周波電極間と接地され
た円筒形支持体３０間でプラズマとなり、遊離基（Ｓル
Ｈ４の場合Ｓν、ＳルＨスＥｉｊＨ２−等）に分解され
支持体３０あるいは電極力上に堆積する。堆積しなかっ
た誘離基はガス排気口印へ流れ、ガス排気管１３０、ガ
ス排気社調整ノ〈ルブ１４０を経て排気される。この堆
積した遊離基がａ −ＢＬ ’、 Ｈを形成していく。
程は次のようになる。まず、流量制御ノ（ルブ６０によ
多制御された反応ガスが導入管４０を経て吹き出し目印
から高周波電極２０と円筒形支持体３０の間に吹き出さ
れる。吹き出された反応ガスは高周波電極間と接地され
た円筒形支持体３０間でプラズマとなり、遊離基（Ｓル
Ｈ４の場合Ｓν、ＳルＨスＥｉｊＨ２−等）に分解され
支持体３０あるいは電極力上に堆積する。堆積しなかっ
た誘離基はガス排気口印へ流れ、ガス排気管１３０、ガ
ス排気社調整ノ〈ルブ１４０を経て排気される。この堆
積した遊離基がａ −ＢＬ ’、 Ｈを形成していく。
最近では、放電状態を円筒形支持体３０の長さ方向に対
して均一にするために１、高周波電極２０の内部に空洞
を設け、そこに反応ガスを流入し、電極２０懺面に設け
られたガス吹き出し口５０から反応ガスを吹き出させた
シ、またはガス排気口８０を同様な形状にする等の工夫
が行われている１゜しかし、′電子写真円像形部７１ｊ
の大面積化に伴い、円筒形支持体側の形状が大きくなる
場合、第１図において反応炉１０、高周波電極かも大型
化する。さらにｃ −Ｓｉ ： Ｈ堆積面積が増大する
ため、反応ガス流入景も増大する 従って、ガス吹き出
し口５０よシ吹き出た反応ガスが、電極２０と支」゛、
１体３０の間だけでなく、その領域以外のα−８ｊ ：
１ｉ膜堆積が不要な領域へ流れる。その結果、膜堆積
か不要な領域へ流れた反応ガスがその領域の雰囲気（第
１図では電極２０と支持体３０の間より低真空、低流量
となる。）によＦ） ａ −ＳＬ： Ｊ、４粉末となる
ことがある。このようにして得られたα−４；：Ｈ粉末
は浮遊してα−ＢＬ ： Ｈ膜に刺着し７こ場合、α−
Ｓノ・：■（膜の特性に悪影特を及ばず。まだ大量生産
時においては、汚れを多くし杵築の手間を増すばかりで
なく、製造装置の寿命を短くする。さらにαＢＬ： Ｈ
Ｊ換とｈるべきものがα−６Ｌ ： Ｈ粉末となったた
め、高周波電力、α−６Ｌ：Ｈ膜生成速度においてｃ
−ｆＥＱ ： ）Ｉ膜の製造効率を悪くする。
して均一にするために１、高周波電極２０の内部に空洞
を設け、そこに反応ガスを流入し、電極２０懺面に設け
られたガス吹き出し口５０から反応ガスを吹き出させた
シ、またはガス排気口８０を同様な形状にする等の工夫
が行われている１゜しかし、′電子写真円像形部７１ｊ
の大面積化に伴い、円筒形支持体側の形状が大きくなる
場合、第１図において反応炉１０、高周波電極かも大型
化する。さらにｃ −Ｓｉ ： Ｈ堆積面積が増大する
ため、反応ガス流入景も増大する 従って、ガス吹き出
し口５０よシ吹き出た反応ガスが、電極２０と支」゛、
１体３０の間だけでなく、その領域以外のα−８ｊ ：
１ｉ膜堆積が不要な領域へ流れる。その結果、膜堆積
か不要な領域へ流れた反応ガスがその領域の雰囲気（第
１図では電極２０と支持体３０の間より低真空、低流量
となる。）によＦ） ａ −ＳＬ： Ｊ、４粉末となる
ことがある。このようにして得られたα−４；：Ｈ粉末
は浮遊してα−ＢＬ ： Ｈ膜に刺着し７こ場合、α−
Ｓノ・：■（膜の特性に悪影特を及ばず。まだ大量生産
時においては、汚れを多くし杵築の手間を増すばかりで
なく、製造装置の寿命を短くする。さらにαＢＬ： Ｈ
Ｊ換とｈるべきものがα−６Ｌ ： Ｈ粉末となったた
め、高周波電力、α−６Ｌ：Ｈ膜生成速度においてｃ
−ｆＥＱ ： ）Ｉ膜の製造効率を悪くする。
本発明の目的は、反応ガスの流れる領域を限定し、α−
８Ｌ： Ｈ膜堆積が不要な領域における反応をなくシ、
α−８９： Ｈ膜の製造効率ｔあげる製造装置を提供す
ることである。
８Ｌ： Ｈ膜堆積が不要な領域における反応をなくシ、
α−８９： Ｈ膜の製造効率ｔあげる製造装置を提供す
ることである。
本発明の特徴は、円筒形支持体３０の周囲に反応ガスの
流れを強制する障壁２３０を設けた点にある。この障壁
２３０により、反応ガスは高周波′Ｃい夕加と円筒形支
持体３０の間にのみυ１ｔ、れるようにな９、ａ −Ｓ
Ｑ ： Ｈ膜が堆積されるべき領域以外に反応ガスが流
れ込むことがなくなシ、α−８７１１： Ｈ膜に悪影＃
を及はすα−８＃ ： Ｈ粉末の発生を抑制することが
できる。
流れを強制する障壁２３０を設けた点にある。この障壁
２３０により、反応ガスは高周波′Ｃい夕加と円筒形支
持体３０の間にのみυ１ｔ、れるようにな９、ａ −Ｓ
Ｑ ： Ｈ膜が堆積されるべき領域以外に反応ガスが流
れ込むことがなくなシ、α−８７１１： Ｈ膜に悪影＃
を及はすα−８＃ ： Ｈ粉末の発生を抑制することが
できる。
以下、本発明の笑施例を図面を用いて説明する第２図に
２いて、α−ＳＡ 二ＨＪ摸を堆積されるべき円筒形支
持体３０の内部には支持体３０を高温に加熱できるよう
にヒーター９０を設置した。円筒形支持体側の円周方向
にα−６Ｌ ：ｉ（換が均一に堆積するように、支持体
３０の下部には回１１ム導入機構１００を設置した。ま
た円筒形支持体３０の上部に反応ガス吹き出し口５０が
位置するように、反応ガス導入管４０を設け、反応ガス
吹き出し口５０と円筒形支持体３０を包むような形状に
円ｊ￥３１形状の＃ｌ Ｊ＝ｆｉ Ｈガラス２３０（岩
城硝子製：パイレツクスガラス）を設置した。さらに／
１４ｍｇガラス２３０の周囲にステンレス製高周波電極
２０をすき間が１ミリツ一トル以内になるように設置し
、反応ガス導入？１第４０の移動用にすき間をあけ、反
応炉叫に固定した。１−だ真空排気系は、反応炉叫の高
兵窒化用及びガス反応時の反応炉叫とＡＬ酸ガラス２３
０間の真空化用として油拡散ポンプ１６０を、その補助
ポンプとして油回転ポンプ１８０を設置し７゛こ。ガス
反応時のＪＩｒｌｆ！Ｗガラス２３０と円筒形支持体３
０間の真空化用として、ルーツブロアポンプ１７０を、
その補助ポンプとして油回転ポンプ１８１を設置した。
２いて、α−ＳＡ 二ＨＪ摸を堆積されるべき円筒形支
持体３０の内部には支持体３０を高温に加熱できるよう
にヒーター９０を設置した。円筒形支持体側の円周方向
にα−６Ｌ ：ｉ（換が均一に堆積するように、支持体
３０の下部には回１１ム導入機構１００を設置した。ま
た円筒形支持体３０の上部に反応ガス吹き出し口５０が
位置するように、反応ガス導入管４０を設け、反応ガス
吹き出し口５０と円筒形支持体３０を包むような形状に
円ｊ￥３１形状の＃ｌ Ｊ＝ｆｉ Ｈガラス２３０（岩
城硝子製：パイレツクスガラス）を設置した。さらに／
１４ｍｇガラス２３０の周囲にステンレス製高周波電極
２０をすき間が１ミリツ一トル以内になるように設置し
、反応ガス導入？１第４０の移動用にすき間をあけ、反
応炉叫に固定した。１−だ真空排気系は、反応炉叫の高
兵窒化用及びガス反応時の反応炉叫とＡＬ酸ガラス２３
０間の真空化用として油拡散ポンプ１６０を、その補助
ポンプとして油回転ポンプ１８０を設置し７゛こ。ガス
反応時のＪＩｒｌｆ！Ｗガラス２３０と円筒形支持体３
０間の真空化用として、ルーツブロアポンプ１７０を、
その補助ポンプとして油回転ポンプ１８１を設置した。
真空Ｊ＝測定用として、バラトロンＡ窒計８１．１５１
と電離真空計８２．１５２をガス排気口１５０、加の近
傍に設置した。
と電離真空計８２．１５２をガス排気口１５０、加の近
傍に設置した。
次に、油拡散ポンプ１６０を用いて、ガス排気管２２０
．１３０により反応炉ＩＯ内部及びＡハ疼敵ガラス２３
０内部をＩ ＸＩＯ’ Ｔｏｒｒ にしたのち反応ガス
（ｓＬａ＜ ： Ｈ２＝１ ： ９ ）を流し込んだ。
．１３０により反応炉ＩＯ内部及びＡハ疼敵ガラス２３
０内部をＩ ＸＩＯ’ Ｔｏｒｒ にしたのち反応ガス
（ｓＬａ＜ ： Ｈ２＝１ ： ９ ）を流し込んだ。
そして各種設定値を硼迂酸ガラス２３０を設置せずα−
６Ｌ ：Ｈ粉末が反応炉ｌＯの内壁及び高周波電極２０
の外壁に発生した値（高周波電極２０と円筒形支持体３
０の間の真空度：０．７１−−ル、高周波消費電カニ３
００ワット、反応ガス流入量：毎分３００ミリリツトル
、円筒形支持体３０の温度−２５０°Ｃ）としだ３、さ
らに反応炉狛と刊１］抵酸ガラス２３０のＩ’、ｉｌは
グロー放電現象が生じないようにガス排気調整・＜／リ
ブ２１０を調ｍＬｉ２Ｘ１０ ）−ルとした。ここでガ
ス排気調整バルブ１９０．２００は閉じられており、真
空の度合はガス排気調整パルプ１４０．、２１０にて制
御される構成となる。
６Ｌ ：Ｈ粉末が反応炉ｌＯの内壁及び高周波電極２０
の外壁に発生した値（高周波電極２０と円筒形支持体３
０の間の真空度：０．７１−−ル、高周波消費電カニ３
００ワット、反応ガス流入量：毎分３００ミリリツトル
、円筒形支持体３０の温度−２５０°Ｃ）としだ３、さ
らに反応炉狛と刊１］抵酸ガラス２３０のＩ’、ｉｌは
グロー放電現象が生じないようにガス排気調整・＜／リ
ブ２１０を調ｍＬｉ２Ｘ１０ ）−ルとした。ここでガ
ス排気調整バルブ１９０．２００は閉じられており、真
空の度合はガス排気調整パルプ１４０．、２１０にて制
御される構成となる。
以上のような方法にて２５時間放電を実施した。
その結果、反応炉１０内壁及び高周波電極２０の周囲に
はａ、 −１９Ｌ ： Ｈ粉末が発生し々かった。
はａ、 −１９Ｌ ： Ｈ粉末が発生し々かった。
さらに、円筒形支持体３０に堆積されたα−８ｂ：Ｈ膜
は、廉苑酸ガラス２３０を設ｆ宣する以前と比較して、
同等な特性を示し、その膜厚は１．１〜１．２倍と増加
した。
は、廉苑酸ガラス２３０を設ｆ宣する以前と比較して、
同等な特性を示し、その膜厚は１．１〜１．２倍と増加
した。
第３図、第４図に示される構造は、円筒形支持体間に堆
ゲ〔されるａ −Ｂｉｒ ： Ｈ膜の支持体３０の長さ
方向への均一性を得るだめの工夫の一例である、。
ゲ〔されるａ −Ｂｉｒ ： Ｈ膜の支持体３０の長さ
方向への均一性を得るだめの工夫の一例である、。
第３図に示されるように反応ガス吹き出し口５０、ガス
排気口（資）を設定し／Ｃ場合、支持体３０の長さ方向
に対して、真空度分布、反応ノｊス流入量分布が一様に
なり、円筒形支持体３０の円周方向ばかシでなく長さ方
向に対しても、ａ’ｂ ： ＨＩ漠の均一性は向上する
。
排気口（資）を設定し／Ｃ場合、支持体３０の長さ方向
に対して、真空度分布、反応ノｊス流入量分布が一様に
なり、円筒形支持体３０の円周方向ばかシでなく長さ方
向に対しても、ａ’ｂ ： ＨＩ漠の均一性は向上する
。
捷た、円筒形支持体３０及びガス吹き出Ｌ Ｌ：］ ５
０を囲むものの材質は、利ｌ１１１ｇガラスとＱ３１、
限らず、耐蝕性、耐熱性を持ち、高周波に対してその電
力を消費することなく透過さぜるものであれＩＪ：Ｉ：
良い７゜１ブξその構造は円１）二）形支持体３０を囲
む構造とは限らず、反応炉１０と尚周取電極２０の空間
をグロー放電現象を生じさせ女い圧力（０，１トール以
下）ニ、高周波電極２０と円筒形支持体艶の空間がグロ
ー放電現象を発生される圧力（０，１−叫トール）にな
る構造であれは良い。
０を囲むものの材質は、利ｌ１１１ｇガラスとＱ３１、
限らず、耐蝕性、耐熱性を持ち、高周波に対してその電
力を消費することなく透過さぜるものであれＩＪ：Ｉ：
良い７゜１ブξその構造は円１）二）形支持体３０を囲
む構造とは限らず、反応炉１０と尚周取電極２０の空間
をグロー放電現象を生じさせ女い圧力（０，１トール以
下）ニ、高周波電極２０と円筒形支持体艶の空間がグロ
ー放電現象を発生される圧力（０，１−叫トール）にな
る構造であれは良い。
まだ、ひとつの反応炉ｌＯの内部に、１組の高周波電極
額１．ｆｌｌｌｉｆ酸ガラス２３０１ 円筒形支持体３
０があるとは限らず、反応炉１０の容量に応じて数組の
ものが設置されていても良い。
額１．ｆｌｌｌｉｆ酸ガラス２３０１ 円筒形支持体３
０があるとは限らず、反応炉１０の容量に応じて数組の
ものが設置されていても良い。
以上のように、本発明によれば、前記障壁を設けゐこと
により、ａ −（３Ｌ ：Ｈ絞堆稙時においてａ−ＢＬ
： ｌｉ粉末の発生を抑制てきるので、α−８ｂ：Ｈ
粉末のｃＬ−Ｓｂ：Ｈ膜への影響をなくすことができる
。さらに製造装置の長寿命化が可能となる。
により、ａ −（３Ｌ ：Ｈ絞堆稙時においてａ−ＢＬ
： ｌｉ粉末の発生を抑制てきるので、α−８ｂ：Ｈ
粉末のｃＬ−Ｓｂ：Ｈ膜への影響をなくすことができる
。さらに製造装置の長寿命化が可能となる。
また、１つの反応炉内に数組の高周波電極、円筒形支持
体を設置することができ、量産性を得ることもできる。
体を設置することができ、量産性を得ることもできる。
第１図は従来から使用されている公知なα−８Ｌ：１■
膜製造装置の縦Ｈ）「１創面図である。第２図、第３図
、第４図は本発明の一実施例を示したもので、第２図は
ａ −ＳＡ ： Ｈ膜製造装置の縦断側面図、第３図は
他の実施例における横断面図、第４図は第３図のＡ−Ａ
線縦断側面図である。 １０００反応炉、２０．、高周波電極、３０゜、支持体
、５０．、ガス吹き出し口、ＳＯ，、ガス排気口、２３
０． 障壁。 特許出ｌ１ｊＪ４人の名称 日立上（幾株式会社才１ｍ 紫３図 才４（２］
膜製造装置の縦Ｈ）「１創面図である。第２図、第３図
、第４図は本発明の一実施例を示したもので、第２図は
ａ −ＳＡ ： Ｈ膜製造装置の縦断側面図、第３図は
他の実施例における横断面図、第４図は第３図のＡ−Ａ
線縦断側面図である。 １０００反応炉、２０．、高周波電極、３０゜、支持体
、５０．、ガス吹き出し口、ＳＯ，、ガス排気口、２３
０． 障壁。 特許出ｌ１ｊＪ４人の名称 日立上（幾株式会社才１ｍ 紫３図 才４（２］
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ／、アモルファス水素化シリコン’＜ ；１１７４ ｉ
ｔｉ’＜ −Ｊ 亡るべき支持体と、この支持体と放電
現像を元生さぜるべきこの支］守捧の周囲に設置した高
周数′電極と、ｍｌ記支持体と前記尚周波電極の間の壁
間に反応ガスを流すために設置したガス吹き出し口と、
前記支持体の中心に対して前記ガス吹き出しＩ」と対称
な位置に設置したガス排気口と、ＦＪＵ記支持体、ｎ１
ｉｂ己ｉ冑周仮’ｋ ｉ血、＋ｊｉＪ記力′スｌ！にき
出しロ、１可ｉ己ガスＪ非気口の周１ｍｌの圧力を減圧
できるようにこれらを密封した反応炉を１ｌｉｉｉえ／
Ｃものにおいて、ｔ」１工記高周波電極と支持体の間に
障壁を設けることを特徴とし／こアモルファス水素化シ
リコンＩＩＫ ｍ Ｍ 装置μ。 コ、 前記の障殊に用いる桐質として訓ｌｌ止ばガラス
及び石英ガラスからなる特許請求の範囲第１項記載のア
モルファス水素化シリコンＪ換製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58171727A JPS6063370A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | アモルファス水素化シリコン膜製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58171727A JPS6063370A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | アモルファス水素化シリコン膜製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6063370A true JPS6063370A (ja) | 1985-04-11 |
Family
ID=15928553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58171727A Pending JPS6063370A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | アモルファス水素化シリコン膜製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6063370A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62103372A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-13 | バルツァース・アクティエンゲゼルシャフト | プラズマを使用した化学蒸気堆積による薄膜形成方法および装置 |
| JPH01119057U (ja) * | 1988-01-30 | 1989-08-11 | ||
| CN106115711A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-11-16 | 南京德邦金属装备工程股份有限公司 | 一种多晶硅还原炉 |
| CN106115709A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-11-16 | 南京德邦金属装备工程股份有限公司 | 一种多晶硅还原方法 |
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1983
- 1983-09-16 JP JP58171727A patent/JPS6063370A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62103372A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-13 | バルツァース・アクティエンゲゼルシャフト | プラズマを使用した化学蒸気堆積による薄膜形成方法および装置 |
| JPH0541705B2 (ja) * | 1985-10-25 | 1993-06-24 | Solems Sa | |
| JPH01119057U (ja) * | 1988-01-30 | 1989-08-11 | ||
| JPH0623567Y2 (ja) * | 1988-01-30 | 1994-06-22 | 京セラ株式会社 | 成膜装置 |
| CN106115711A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-11-16 | 南京德邦金属装备工程股份有限公司 | 一种多晶硅还原炉 |
| CN106115709A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-11-16 | 南京德邦金属装备工程股份有限公司 | 一种多晶硅还原方法 |
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