JPS6058794B2 - プラズマ加工装置 - Google Patents

プラズマ加工装置

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JPS6058794B2
JPS6058794B2 JP8911981A JP8911981A JPS6058794B2 JP S6058794 B2 JPS6058794 B2 JP S6058794B2 JP 8911981 A JP8911981 A JP 8911981A JP 8911981 A JP8911981 A JP 8911981A JP S6058794 B2 JPS6058794 B2 JP S6058794B2
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JP
Japan
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container
electrodes
plasma processing
wall surface
plasma
Prior art date
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Expired
Application number
JP8911981A
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English (en)
Other versions
JPS57203781A (en
Inventor
和之 土岐
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Jeol Ltd
Original Assignee
Nihon Denshi KK
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Publication date
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  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は加工品質と加工速度を向上させたプラズマ加
工装置に関する。
プラズマ加工装置とは、第1図に示す様に、排気手段
1とガス導入手段2とを備えた容器3の内部に、1対の
平板状電極4、5を互いに平行に配置し、前記排気手段
1とガス導入手段2とにより容器3内を所定真空度に調
節し、次に例えば高周波電源6により前記電極4に高周
波電力を印加して前記両電極間にプラズマを発生させ、
電極4或は電極5上に置かれた試料7をエッチングする
スパッタエッチング装置或はプラズマエッチング装置や
、該スパッタリングにより飛び散つた粒子と他方の電極
5に設けられた基板8に付着させるスパッタデポジショ
ン装置を指す。
所で、斯くの如きプラズマ加工装置において、容器3
内で発生したプラズマ中の電子とイオンが容器壁面に衝
突し、壁面で再結合して消滅する為、前記両電極間のプ
ラズマ密度が低下してしまい、エッチング又はスパッタ
リング速度が低下する。
又、電子とイオンが容器壁面に衝突することにより該壁
面から不純物が脱離してくる。これらの結果、試料の汚
染や膜の劣化が生じる。 そこで第1図で破線にて示す
様に、単一の磁石9を前記両電極間を囲う様に配置する
方法が考えられるが、この方法では該磁石の強弱にかか
わらず、該磁石の磁界の影響(第1図中て磁束線B参照
)により電子とイオンが容器3の軸近傍に集中し、第2
図に示す様にプラズマ密度の分布が軸近傍が高くなる。
この結果試料7の中心部以外の部分又は電極4の中心部
分以外に配置された試料のエッチング速度が極めて遅く
なり、場所による加工の不均一及び容器内の残留ガスの
影響を受ける時間が長びく二とから加工品質も低下する
。 本発明は斯くの如き点に鑑みてなされたもので、容
器の壁面に多極磁界発生手段を設けるようにした新規な
プラズマ加工装置を提供するものである。 第3図は本
発明の一実施例を示したプラズマエッチング装置の略図
で、図中第1図にて用いた番号と同一番号を付したもの
は同一構成要素を示す。
本実施例では容器3は円筒形状をなしている。
該容器の側面(側壁)周囲には、第4図に示す様に、例
えば4段のポールピースIOA、IOB、IOC、IO
Dが配置されており、各々のポールピースには円筒状の
永久磁石11A、IIB、1IC、IIDが嵌込まれて
いる。 さて、斯くの如き磁石による磁界は壁面付近の
みに存在し(HA、HB、HC、l−[D参照)、中心
に向かうに従つて急激に減少する。従つて容器3内の両
電極4,5間で発生したプラズマ中の電子とイオンの内
、容器壁面方向に拡散していくものは、壁面に設けられ
た各磁石11A,11B,11C,11Dの夫々の磁界
HA,HB,HC,HDにより反発される。従つて、壁
面に衝突する電子やイオンは著しく少なくなり、再結合
するものが著しく少なくなるので、壁近傍以外の前記両
電極間のプラズマ密度が第5図に示す様に均一且つ磁石
が無い場合に比べ著しく増加する。又、容器壁面に衝突
する電子とイオンが著しく少なくなるので、壁面からの
不純物の脱離が著しく少なくなる。従つて、これらの結
果、すべての試料7,7″,7″・・・・・・に対し均
一にエッチング速度が高くなり、生産性及び加工品質が
著しく高くなる。尚、多極磁界発生手段として永久磁石
の代わりに電磁石を用いてもよいし、円筒状のものに代
わり棒状のものを用いてもよい。又、これらを容器の側
面だけではなく、上面や下面にも配置すれば、より効果
が高くなる。又、高周波電源の代わりに直流電源を配置
して電極4,5間に直流電力を印加してもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のプラズマ加工装置の略図、第2図は磁束
分布図、第3図は本発明の一実施例を示したプラズマエ
ッチング装置の略図、第4図はぞの一部構成図、第5図
は磁束分布図である。 1:排気手段、2:ガス導入手段、3:容器、4,5:
平板状電極、7:試料、10A,10B,10C,10
D:ポールピース、11A,11B,11C,11D:
永久磁石。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 排気手段とガス導入手段とを備えた容器の内部に、
    一対の平板状電極を互いに平行に配置し、該電極間に直
    流又は高周波電力を印加し、該両電極の何れか一方に置
    かれた試料をエッチングするようにした装置において、
    前記容器の壁面に、該壁面近傍にのみ磁界を発生する多
    極磁界発生手段を設けたことを特徴とするプラズマ加工
    装置。
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