JPS6057217B2 - X線露光用マスク - Google Patents
X線露光用マスクInfo
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- JPS6057217B2 JPS6057217B2 JP55162395A JP16239580A JPS6057217B2 JP S6057217 B2 JPS6057217 B2 JP S6057217B2 JP 55162395 A JP55162395 A JP 55162395A JP 16239580 A JP16239580 A JP 16239580A JP S6057217 B2 JPS6057217 B2 JP S6057217B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/167—X-ray
-
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- Y10S430/168—X-ray exposure process
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はX線露光用マスクの構造に関する。
最近、20八程度以下の微細パターンを有するX線マス
クの製造として次の如き方法が提案されている。すなわ
ち、第1図に示す如く、平坦なSiO。材1の表面から
、図形状に形成された溝2に斜め蒸着3によりタングス
テン(W)、モリブデン(Mo)等の金属膜4に蒸着す
る事により、溝の壁面が垂直に形成されている場合には
、壁面のW、Moの膜等のX線吸収能は、第2図に示す
ように、SiO。の表面に形成されたW、Mo膜のX線
吸収能より大となり、20八程度以下の線状図形をもつ
たX線マスクが製作できるということである。なお、図
中5はX線照射方向を示している。しカルながら、この
方法は、ストライプ状の一方向の線図形のみに限られ、
例えばLSI用マスク等複雑な図形を有するマスクには
適用できないという欠点がある。本発明は上記の方法を
改良し、任意の方向のパターン形成の可能なLSI用の
X線マスクを提供することを目的とする。
クの製造として次の如き方法が提案されている。すなわ
ち、第1図に示す如く、平坦なSiO。材1の表面から
、図形状に形成された溝2に斜め蒸着3によりタングス
テン(W)、モリブデン(Mo)等の金属膜4に蒸着す
る事により、溝の壁面が垂直に形成されている場合には
、壁面のW、Moの膜等のX線吸収能は、第2図に示す
ように、SiO。の表面に形成されたW、Mo膜のX線
吸収能より大となり、20八程度以下の線状図形をもつ
たX線マスクが製作できるということである。なお、図
中5はX線照射方向を示している。しカルながら、この
方法は、ストライプ状の一方向の線図形のみに限られ、
例えばLSI用マスク等複雑な図形を有するマスクには
適用できないという欠点がある。本発明は上記の方法を
改良し、任意の方向のパターン形成の可能なLSI用の
X線マスクを提供することを目的とする。
以下、本発明に係るX線露光用マスクを実施例を用いて
説明する。
説明する。
第3図は本発明の一実施例としてのX線マスクの立体図
を示すもので、5100膜に形成された第1層の溝12
aと第2層の蒔12bに対し斜め蒸着13aおよび13
bによりW膜による第1層の図形状態14aと第2層の
図形状膜14bを形成し、該マスク表面に対し垂直に平
行なX線15を照射することにより、第1層のマスクに
よる図形と第2層のマスクによる図形とが交叉したマト
リックス状のX線の図形が形成できる。
を示すもので、5100膜に形成された第1層の溝12
aと第2層の蒔12bに対し斜め蒸着13aおよび13
bによりW膜による第1層の図形状態14aと第2層の
図形状膜14bを形成し、該マスク表面に対し垂直に平
行なX線15を照射することにより、第1層のマスクに
よる図形と第2層のマスクによる図形とが交叉したマト
リックス状のX線の図形が形成できる。
上記実施例のように、マトリクス状のパターン形成など
、ストライフ状の一方向の線図形ではなく、任意の方向
のパターン形成が可能であり、第1層マスクと第2層マ
スクを連続した同一の薄いタップラン膜の基板に形成し
、1つのマスクとすることができ、しかも、1回の露光
て所望のマス’ク形成ができるという格別の効果がある
ことがわかる。
、ストライフ状の一方向の線図形ではなく、任意の方向
のパターン形成が可能であり、第1層マスクと第2層マ
スクを連続した同一の薄いタップラン膜の基板に形成し
、1つのマスクとすることができ、しかも、1回の露光
て所望のマス’ク形成ができるという格別の効果がある
ことがわかる。
また、薄いタップラン膜の基板の両側の面に、それぞれ
異なる方向のパターン形成用のマスクを形成することに
より、同一面に重ねてそれぞれ異なる方向のパターン形
成用のマスクを形成す・ることとくらべて、マトリクス
状のパターンにおける格子点の解像力がきわめて高くな
り、微細でしかも正確なパターン形成を行えるという格
別の効果も有するものてある。この様にして形成された
X線マスクはX線マスクの図形形成の自由度が増大し微
細パターンの形成が可能となるのてLSI用マスクとし
て用いることができる。
異なる方向のパターン形成用のマスクを形成することに
より、同一面に重ねてそれぞれ異なる方向のパターン形
成用のマスクを形成す・ることとくらべて、マトリクス
状のパターンにおける格子点の解像力がきわめて高くな
り、微細でしかも正確なパターン形成を行えるという格
別の効果も有するものてある。この様にして形成された
X線マスクはX線マスクの図形形成の自由度が増大し微
細パターンの形成が可能となるのてLSI用マスクとし
て用いることができる。
等の効果を奏する。
第1図はX線マスクの断面図、第2図は第1図のマスク
のX線吸収能を示す特性図、第3図は本発明に係るX線
マスクの構造を説明するための立体図を示すものてある
。 1,11・・・SiO2メンブラン膜、2,12a,1
2b・・・エッチング溝、3,13a,13b・・・W
斜め蒸着処理、4,14a,14b・・・W蒸着膜、5
,15・・・X線照射。
のX線吸収能を示す特性図、第3図は本発明に係るX線
マスクの構造を説明するための立体図を示すものてある
。 1,11・・・SiO2メンブラン膜、2,12a,1
2b・・・エッチング溝、3,13a,13b・・・W
斜め蒸着処理、4,14a,14b・・・W蒸着膜、5
,15・・・X線照射。
Claims (1)
- 1 薄いメンブラン膜の第1面には第1の溝が形成され
ており、前記第1面の反対側の第2面には前記第1の溝
とは異なる方向となるように、第2の溝が形成されてお
り、前記第1の溝と第2の溝の側壁に沿つてX線吸収能
を有する薄膜が形成されており、前記第1面の第1のパ
ターン形成用マスク及び前記第2面の第2のパターン形
成用マスクが、前記薄いメンブラン膜に一体として形成
されたことを特徴とするX線露光用マスク。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55162395A JPS6057217B2 (ja) | 1980-11-18 | 1980-11-18 | X線露光用マスク |
GB8131106A GB2088085B (en) | 1980-11-18 | 1981-10-15 | X-ray masks |
FR8120315A FR2494461B1 (fr) | 1980-11-18 | 1981-10-29 | Masque pour rayons x |
DE19813145211 DE3145211A1 (de) | 1980-11-18 | 1981-11-13 | Roentgenstrahlenmaske |
US06/321,997 US4401738A (en) | 1980-11-18 | 1981-11-16 | X-Ray lithography mask |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55162395A JPS6057217B2 (ja) | 1980-11-18 | 1980-11-18 | X線露光用マスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5785237A JPS5785237A (en) | 1982-05-27 |
JPS6057217B2 true JPS6057217B2 (ja) | 1985-12-13 |
Family
ID=15753767
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP55162395A Expired JPS6057217B2 (ja) | 1980-11-18 | 1980-11-18 | X線露光用マスク |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4401738A (ja) |
JP (1) | JPS6057217B2 (ja) |
DE (1) | DE3145211A1 (ja) |
FR (1) | FR2494461B1 (ja) |
GB (1) | GB2088085B (ja) |
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---|---|---|---|---|
DE3245868A1 (de) * | 1982-12-11 | 1984-06-14 | EUROSIL electronic GmbH, 8057 Eching | Thermisch unempfindliche bestrahlungsmaske fuer roentgenlithographie und verfahren zur herstellung derartiger masken |
CA1270934A (en) * | 1985-03-20 | 1990-06-26 | Masataka Shirasaki | Spatial phase modulating masks and production processes thereof, and processes for the formation of phase-shifted diffraction gratings |
DE3529966C1 (de) * | 1985-08-22 | 1987-01-15 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verfahren zur Herstellung von Masken fuer die Roentgentiefenlithographie |
CA1313792C (en) * | 1986-02-28 | 1993-02-23 | Junji Hirokane | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
US5020083A (en) * | 1989-04-21 | 1991-05-28 | Lepton Inc. | X-ray masks, their fabrication and use |
DE10219584A1 (de) * | 2002-04-26 | 2003-11-20 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Herstellung von Mikrosieben |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3222173A (en) * | 1961-05-15 | 1965-12-07 | Vitramon Inc | Method of making an electrical unit |
US4018938A (en) * | 1975-06-30 | 1977-04-19 | International Business Machines Corporation | Fabrication of high aspect ratio masks |
GB1557064A (en) * | 1976-09-09 | 1979-12-05 | Mullard Ltd | Masks suitable for use in electron image projectors |
JPS5333568A (en) * | 1976-09-10 | 1978-03-29 | Hitachi Ltd | Pattern formation device for shadow mask |
US4329410A (en) * | 1979-12-26 | 1982-05-11 | The Perkin-Elmer Corporation | Production of X-ray lithograph masks |
-
1980
- 1980-11-18 JP JP55162395A patent/JPS6057217B2/ja not_active Expired
-
1981
- 1981-10-15 GB GB8131106A patent/GB2088085B/en not_active Expired
- 1981-10-29 FR FR8120315A patent/FR2494461B1/fr not_active Expired
- 1981-11-13 DE DE19813145211 patent/DE3145211A1/de not_active Ceased
- 1981-11-16 US US06/321,997 patent/US4401738A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5785237A (en) | 1982-05-27 |
FR2494461B1 (fr) | 1988-06-10 |
US4401738A (en) | 1983-08-30 |
GB2088085B (en) | 1984-07-18 |
FR2494461A1 (fr) | 1982-05-21 |
DE3145211A1 (de) | 1982-07-01 |
GB2088085A (en) | 1982-06-03 |
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