JPS6055941B2 - マグネトロン陰極構体 - Google Patents

マグネトロン陰極構体

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JPS6055941B2
JPS6055941B2 JP747976A JP747976A JPS6055941B2 JP S6055941 B2 JPS6055941 B2 JP S6055941B2 JP 747976 A JP747976 A JP 747976A JP 747976 A JP747976 A JP 747976A JP S6055941 B2 JPS6055941 B2 JP S6055941B2
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magnetron cathode
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友勝 小黒
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Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はマグネトロン陰極構体に関するものである。
マグネトロンは第1図に示すように陰極円筒1の両開
口端にろう付けされた2個の磁極片2、3と、陽極円筒
1の内面に形成された複数のベーンからなる空胴共振器
群4と、上記陽極円筒1の中心部に配置された陰極5と
、この陰極5を陽極1から絶縁して保持するためのセラ
ミックなどの絶縁体11と、陰極5を上記絶縁体11に
固着するための封着金属12と、上記絶縁体11を陽極
に気密に固着するためのカップ状金属10などから形成
された入力部および空胴共振器群4に発生したマイクロ
波エネルギーを管球の外部に伝播させるために、空胴共
振器群の一部に接続されて上方へ延在する銅板から形成
されたアンテナ導線9と、セラミックなどからなる円筒
状の絶縁物7の一端に固着され、他端が磁極片2に固着
されたカップ状金属6と、上記絶縁物7の他端にろう付
され、内部にはアンテナ導線9が圧接された排気管8な
どからなる出力部を有している。第2図に上記陰極構体
5の詳細を示す。
同図において、50はトリウム入りタングステン線を螺
旋状に成形したフィラメントであり、通電され発熱して
電子放射を行う。上記フィラメント50の軸方向両端に
はモリブデンからなるエンドシールド51,52が配置
されている。エンドシールド51,52は電子放射の範
囲を規制するもので、PtあるいはRu−MO合金など
の高融点金属からなるろう材54によつて上記フィラメ
ント50と接続され、また、エンドシールド51,52
はMO棒からなりかつ上記フィラメント50が非接触状
態て貫通するサポート55にろう付けされている。しか
しながら、以上の構成のマグネトロン陰極構体によると
以下の欠点が生ずる。
(1)フィラメント50がマグネトロン自体に加わる外
部的衝撃に耐えるようにする必要上フィラメント50の
線径を小さくできない。
また、高温動作のために自重によつて変形し易く、この
ことからもその線径を小さくできない。、フィラメント
50の線径が大きい場合、螺旋状に成形する際に、折れ
たり表面剥れが生じたりあるいは割れなどが生じ、著し
く信頼性が低下する。(2)周知のとおり、陰極の断続
動作により、フィラメント表面に形成された炭化層の内
部応力でこの層が破壊されて電子放射能が低下するが、
上記炭化層の内部応力はフィラメント線径が大きい程大
きく、このために従来のものは寿命が短くなる。
このことから、従来の陰極構体では電子レンジの出力制
御を断続方式で行なう場合、断続周期を長くとる必要が
ある。(3)フィラメント50を固定するに際し高価な
ろう材を必要とするのでコストが高くなる。
(4)フィラメント50の線径が大きいことから端冷却
効果によりフィラメント50の温度分布が悪くなる。
(5)フィラメント50の熱容量が大きいためにウォー
ムアップ時間が長い。
したがつて、上記欠点を除去するために近時メッシュタ
イプの陰極から形成することにより線径の小さいフィラ
メントを使用する構造のもの(特許第227147号)
が提案されているが、この構造によると製作方法が複雑
でしかも高価となる欠点を有している。
したがつて、本発明の目的は上記(1)〜(5)に挙げ
た欠点を除去するとともに、製作方法が簡単で、しかも
安価となるマグネトロン陰極構体を提供するものである
本発明はこのような欠点を除去するために、ほぼ平行に
配置された複数本の支柱(以下サポートという)に、細
線フィラメントを螺旋状に巻回して陰極構体を構成する
ことを要旨とするものてあり、以下実施例を用いて詳細
に説明する。
第3図aは本発明によるマグネトロン陰極構体の一実施
例を示す簡略構成図、第3図bはそのA一A断面図であ
り、同図において、55a,55bはモリブデンから形
成されたサポートであり、これらは相互に平行配置され
て図示しないステムに固定されている。
56,57はモリブデン板からなるエンドシールドであ
り、各エンドシールド56,57の小孔58bには一方
のサポート55bの両端部が圧接状態て貫通し、その大
孔58aにはサポート55aの両端部が非接触状態て貫
通している。
59は上記両サポート55a,55bに螺旋状に巻回さ
れたフィラメントであり、径が従来のものに比較してき
わめて小さく、たとえば0.1φ〜0.05φ程度であ
り、第4図a−cに示す方法でサポート55a,55b
に固定される。
すなわち、第4図aに示すようにサポート55a,55
bにカッターで一定ピッチの溝60を形成し、同図bで
示すように上記溝60にフィラメント59を螺旋状に巻
回して挿入し、同図cに示すようにハンマー61で各溝
60に対応する部分を挿圧して変形させ、これによりフ
ィラメント59を埋め込むものとする。上記フィラメン
ト59をサポート55a,55bに固定する方法として
は、他に、第5図に示すようにサポート55a,55b
にフィラメント59を巻回した後、フィラメント59と
サポート55a,55bとの接触部分にMOの微粉末6
2をバインダーとともに塗布し焼結して固定する方法、
あるいは第6図に示すようにサポート55a,55bに
フィラメント59を巻回した後に、溶接電極により抵抗
溶接を行なつて固定する方法などがある。これら、第4
図、第5図で示す方法によるとサポート55a,55b
に機械的応力があまり加わらず、サポートが変形しにく
いという効果がある。つぎに、上記サポート55a,5
5bの断面形状であるが、これは第7図aに示すような
真円形状としてもよいが、第7図bないしdで示すよう
に鍵穴形状、三角形状、四角形状としてもよい。
このようにすると、その頂点部分をフィラメント59に
接触させた場合において、第4〜6図の固定状態にバラ
ツキがあつても、あるいは外部的応力が加わつてもこの
接触状態を一定に保つことができる。第8図はサポート
55a,55bの支持構造を示し、同図において、63
はエンドシールド56のフィラメント59側に配置され
たセラミック等の絶縁物からなるスペーサ、64はエン
ドシールド57のフィラメント59とは反対側に配置さ
れたスペーサであり、これらは円板状で、かつサポート
55a,55bが貫通する2個の貫通孔63a,64a
を有しており、このスペーサ63,64により両サポー
ト55a,55bを平行状態に保持固定できる。
このような構成によると、フィラメント59はスペーサ
63,64で支持固定されて一体となつた2本のサポー
ト55a,55bに装着されるので、全体として外部か
らの衝撃力や振動に対し十分に対抗し得るきわめて大き
な強度を持つことが可能となる。なお、第8図において
、スペーサ63,64のうちいずれか一方を省略しても
よいことはもちろんである。ただし、スペーサ63をつ
ける方が耐衝撃強度に大きく動く。第9図はエンドシー
ルド56,57とスペーサ63,64との一体化を図つ
た本発明によるマグネトロン陰極構体であり、同図にお
いて、63,64は絶縁物からなるスペーサであり、2
個のサポート55a,55bをフィラメント59の上下
端部で固定している。
65,66はストッパー、67,68は上記スペーサ6
3,64の表面にメタライズして得られるメタライズ層
であり、エンドシールドとしての機能を果すことができ
る。
メタライズ層67,68はつぎのようにして形成される
。すなわち、第10図A,bに示すように円板状のスペ
ーサ63,64の貫通孔A,bの周辺を突出させ、この
凸部x以外の表面、裏面にMO微粉末を塗布、焼結する
か、あるいは同図cに示すように貫通孔A,bの周辺を
凹ませて、この凹部y以外の表面にMO微粉末を塗布、
焼結して形成される。また、第11図A,bに示すよう
にスペーサ63,64に中央部を横切る溝mを形成して
貫通孔xとyとを分断するとともに、溝m以外の表面に
MO微粉末を塗布、焼結することによつても形成される
。なお、上記MOの被着方法としては転写法、印刷法い
ずれを用いてもよい。そして、第10図A,bの場合は
MO層を一面に被着した後、凸部xの表面のMO層のみ
を削り落すようにして形成してもよい。以上の構成によ
ると、メタライズ層67,68でサポート55aと55
bとを電気的に短絡させることなく、メタライズ層67
,68にエンドシールドとしての機能をもたせることが
でき、しかも製造が比較的容易となる。第12図は本発
明によるマグネトロン陰極構体の他の実施例を示す。
同図において56,57はフィラメント59の上下端部
に設けられたエンドシールドであり、各エンドシールド
56,57の小孔58bには一方のサポート55bの両
端部が圧接状態で貫通し、その大孔58aにはサポート
55aの両端部が非接触状態で貫通している。69はフ
ランジ69aを有する筒状のストッパーであり、セラミ
ックなどの絶縁物から形成されている。
そして、ストッパー69の外径側は大孔58aに圧接状
態で挿入され、内径側にはサポート55aが圧接状態で
貫通している。なお、両ストッパー69の方向はフラン
ジ69aが相対向する方向である。このような構成によ
ると、両サポート55a,55bを絶縁状態に保持でき
るとともに、全体の機械的強度をきわめて向上てきる。
また、サポート55a,55bあるいはメタライズ層6
7,68はMOより形成することに限定されず、他の金
属より形成してもよい。また、サポート55a,55b
は2本で構成することに限定されず、3本でもよい。
以上説明したように本発明によるマグネトロン陰極構体
によると、導電材からなり、ほぼ平行配置された複数の
サポートと、これらサポートを一・体的に巻回した細線
フィラメントを主構成としたので、フィラメントの11
2ターン以下となり、また細線フィラメント自体に高温
時の変形や外部振動、衝撃力による破断等が生ずること
がなく、また陰極の上端と下端における温度分布が均一
となる。
また、フィラメントが細線であることから激しい断続加
熱を行なつても炭化層の破損による電子放射劣化が少な
くなり長寿命となる。さらに、陰極の上端まで2本のサ
ポートが延在しており、このために、これをスペーサで
一体にできるので、外部衝撃、振動に対してきわめて強
くなる。また、フィラメントは少なくとも2本のサポー
トに連続巻、固定が可能となるので、量産的に優れ、高
価な白金やRu−MO合金などを使う必要がなく容易に
製作できるので安価となり、従来の欠点を一挙に解消で
きる多大なる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のマグネトロンの一例を示す断面図、第2
図は従来のマグネトロン陰極構体の一例を示す断面図、
第3図A,bl第4図A,b,Cl第5図、第6図、第
7図A,b,c,dl第8図、第9図、第10図A,b
,cl第11図、第12図は本発明によるマグネトロン
陰極構体の実施例を示す簡略構成図である。 55a,55b・・・・・・サポート、56,57・・
・・・・エンドシールド、58a,58b・・・・・・
孔、59・・・・・・フィラメント、60・・・・・・
溝、61・・・・・・ハンマー、62・・・・・・微粉
末、63,64・・・・・・スペーサ、65,66,6
9・・・・・・ストッパー、67,68・・・・・・メ
タライズ層。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 ほぼ平行に配置されかつ導電性を有する少なくとも
    2本の支柱と、これら支柱を渡る周囲を円形に巻回する
    細線のフィラメントと、このフィラメントの両端に位置
    し、かつ上記支柱に対して直交する方向に延在し、電子
    放射を規制するエンドシールドとを具備し、上記フィラ
    メントは上記2本の支柱との接点において該支柱に固着
    される構成とし、上記支柱間に電流を供給することによ
    り、上記フィラメントを発熱して該フィラメント自体か
    ら電子放射を行なわせることを特徴とするマグネトロン
    陰極構体。 2 上記特許請求の範囲第1項記載のマグネトロン陰極
    構体において、上記支柱に上記フィラメントを埋め込み
    、溶接もしくは焼結などにより固着したことを特徴とす
    るマグネトロン陰極構体。 3 上記特許請求の範囲第1項記載のマグネトロン陰極
    構体において、上記フィラメントの両端に位置しかつ上
    記支柱に対して直交する方向に延在する金属板を上記支
    柱のいずれか一方に固定するようにし、他方の支柱を金
    属板と非接触で貫通する孔周辺、もしくは金属板に平行
    して絶縁物からなるスペーサを設けたことを特徴とする
    マグネトロン陰極構体。 4 上記特許請求の範囲第1項記載のマグネトロン陰極
    構体において、支柱の断面形状を、フィラメントに当接
    する部分が突出する形状とし、この突出部分に上記フィ
    ラメントを固着するようにしたことを特徴とするマグネ
    トロン陰極構体。 5 上記特許請求の範囲第3項記載のマグネトロン陰極
    構体において、上記スペーサの少なくともフィラメント
    側表面にメタライズ層を設けたことを特徴とするマグネ
    トロン陰極構体。
JP747976A 1976-01-28 1976-01-28 マグネトロン陰極構体 Expired JPS6055941B2 (ja)

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JPS5291355A JPS5291355A (en) 1977-08-01
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57163942A (en) * 1981-04-01 1982-10-08 Hitachi Ltd Cathode supporting structure for electron tube
JPS60163330A (ja) * 1984-02-01 1985-08-26 Hitachi Ltd 電子管陰極構体

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JPS5291355A (en) 1977-08-01

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