JPS6055672A - 圧力電気変換器の構造 - Google Patents
圧力電気変換器の構造Info
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- JPS6055672A JPS6055672A JP16397483A JP16397483A JPS6055672A JP S6055672 A JPS6055672 A JP S6055672A JP 16397483 A JP16397483 A JP 16397483A JP 16397483 A JP16397483 A JP 16397483A JP S6055672 A JPS6055672 A JP S6055672A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体拡散抵抗のピエゾ抵抗効果を利用して
圧力を電気信号に変換する圧力電気変換器の構造に関す
るものである。
圧力を電気信号に変換する圧力電気変換器の構造に関す
るものである。
近年、IC製造技術の発達とあいまって、単結晶シリコ
ンチップの表面に半導体拡散抵抗を形成し、該半導体拡
散抵抗をひずみゲージとして利用する圧力電気変換器が
作られる様になった。
ンチップの表面に半導体拡散抵抗を形成し、該半導体拡
散抵抗をひずみゲージとして利用する圧力電気変換器が
作られる様になった。
前記圧力電気変換器は、導体又は半導体に加えられた外
力の応力によって電気抵抗が変化するというピエゾ抵抗
効果を利用したもので、前記ひずみゲージをブリッジ型
回路に構成することにより。
力の応力によって電気抵抗が変化するというピエゾ抵抗
効果を利用したもので、前記ひずみゲージをブリッジ型
回路に構成することにより。
圧力変化を電気抵抗変化に変換し、さらにこれをブリッ
ジ型回路の電圧変化としてとらえようとするもので、そ
の性能が従来の圧力計あるいは圧力電気変換器に比べ、
非常にすぐれているために、主に工業計測用として、開
発、製造され、利用されてきた。
ジ型回路の電圧変化としてとらえようとするもので、そ
の性能が従来の圧力計あるいは圧力電気変換器に比べ、
非常にすぐれているために、主に工業計測用として、開
発、製造され、利用されてきた。
最近では、IC製造技術を駆使することにより量産が可
能なことから、自動車用をはじめとし。
能なことから、自動車用をはじめとし。
民生用としても需要が増えてきている。
第1図は1以上の様な需要から開発された従来のピエゾ
抵抗型圧力電気変換器の構造を示す断面図である。
抵抗型圧力電気変換器の構造を示す断面図である。
1は半導体拡散抵抗のピエゾ抵抗効果を利用して圧力を
電気信号に変換するダイヤフラム型半導体圧力センサチ
ップ、2は台座であり、例えば#7740ホウ硅酸塩ガ
ラスで、圧力センサチップ1と台座2は気密に固着され
ている。4は気密端子体、5は前記圧力センサチップ1
の電源端子および出力端子となるステムで、ステム5は
封止ガラス6を使って気密端子体4に気密に固着されて
いる。
電気信号に変換するダイヤフラム型半導体圧力センサチ
ップ、2は台座であり、例えば#7740ホウ硅酸塩ガ
ラスで、圧力センサチップ1と台座2は気密に固着され
ている。4は気密端子体、5は前記圧力センサチップ1
の電源端子および出力端子となるステムで、ステム5は
封止ガラス6を使って気密端子体4に気密に固着されて
いる。
以上の様なステム5が固着された気密端子体4と、圧力
センサチップ1が固着された台座2は気密に固着され、
さらに圧力センサチップ1とステム5間はワイヤボンド
により電気的に接続されている。
センサチップ1が固着された台座2は気密に固着され、
さらに圧力センサチップ1とステム5間はワイヤボンド
により電気的に接続されている。
6は圧力導入孔つきのキャップで、圧力センサチップ1
とステム5間がワイヤボンドにより電気的に接続された
後、気密端子体4に対して気密に固着され、こうして相
対圧(差圧)型の圧力電気変換器10が構成される。
とステム5間がワイヤボンドにより電気的に接続された
後、気密端子体4に対して気密に固着され、こうして相
対圧(差圧)型の圧力電気変換器10が構成される。
以上の様に構成される圧力電気変換器10の製造工程に
おいて、一番重要な工程は圧力センサチップ1と台座2
の固着であり、次に重要な工程は台座2と気密端子体4
との固着である。
おいて、一番重要な工程は圧力センサチップ1と台座2
の固着であり、次に重要な工程は台座2と気密端子体4
との固着である。
すなわち、圧力センサチップ1は、シリコン。
ゲルマニムなどのダイヤモンドキー−ビック構造の単結
晶の各結晶軸方向に対するピエゾ抵抗効果の異方性を利
用してゲージ率の非常に大きな値(金属ひずみゲージが
2であるのに対し100以上)を持つひずみゲージをそ
のチップ表面に形成したものであるから、ひずみに対し
て非常に敏感となっており、圧力変位以外の応力の影響
1例えば、圧力センサチップ1を固着する時の機械的ひ
ずみ、あるいは圧力センサチップ1と台座2の熱膨張係
数の差に起因する熱歪等−を排除してやらなければなら
ない。
晶の各結晶軸方向に対するピエゾ抵抗効果の異方性を利
用してゲージ率の非常に大きな値(金属ひずみゲージが
2であるのに対し100以上)を持つひずみゲージをそ
のチップ表面に形成したものであるから、ひずみに対し
て非常に敏感となっており、圧力変位以外の応力の影響
1例えば、圧力センサチップ1を固着する時の機械的ひ
ずみ、あるいは圧力センサチップ1と台座2の熱膨張係
数の差に起因する熱歪等−を排除してやらなければなら
ない。
このため、台座2の材料としては前述のごとく圧力セン
サチップ1の熱膨張係数と比較して差の小さい:#77
40ホウ硅酸塩ガラスや、圧力センサチップ1と同じ材
質であるシリコン単結晶等が選択されているのである。
サチップ1の熱膨張係数と比較して差の小さい:#77
40ホウ硅酸塩ガラスや、圧力センサチップ1と同じ材
質であるシリコン単結晶等が選択されているのである。
又、圧力センサチップ1が台座2を介して気密端子体4
に固着されるのは、気密端子体4からの熱ひずみ、ある
いは圧力電気変換器10の取付けや、外力等に起因する
気密端子体4そのもののひずみの影響を取り除くためで
、最近では電子計算機を駆使し、有限要素法等を用いて
その必要最低限の厚さがめられている。
に固着されるのは、気密端子体4からの熱ひずみ、ある
いは圧力電気変換器10の取付けや、外力等に起因する
気密端子体4そのもののひずみの影響を取り除くためで
、最近では電子計算機を駆使し、有限要素法等を用いて
その必要最低限の厚さがめられている。
以上の様な台座2の材料や厚さをうまく選んでやること
によりかなり余分なひずみの要素を取り除くことが可能
となるが、圧力センサチップ1と台座2.あるいは台座
2と気密端子体4との固着方法が悪いと、どんなに良い
台座2を使ってもすべてがむだになってしまう。このた
め、いろいろな固着方法が検討され、要求される精度や
コストに見合った固着方法が採用されている。固着方法
を数例あげると。
によりかなり余分なひずみの要素を取り除くことが可能
となるが、圧力センサチップ1と台座2.あるいは台座
2と気密端子体4との固着方法が悪いと、どんなに良い
台座2を使ってもすべてがむだになってしまう。このた
め、いろいろな固着方法が検討され、要求される精度や
コストに見合った固着方法が採用されている。固着方法
を数例あげると。
■ 静電気力で固着する方法・・・・・・金属とガラス
を気密封止する時に利用できる方法で、金属とガラスを
温め、直流電圧を金属−ガラス間に印加すると金属とガ
ラスの界面に静電気力が発生し、その静電気力で金属と
ガラスが気密封止される。
を気密封止する時に利用できる方法で、金属とガラスを
温め、直流電圧を金属−ガラス間に印加すると金属とガ
ラスの界面に静電気力が発生し、その静電気力で金属と
ガラスが気密封止される。
■ 低融点ガラスで固着する方法
■ 有機接着剤で固着する方法
等がある。
■の静電、気力で気密封止する方法は、金属とガラス間
に接着材等の介在物が何も存在しないため。
に接着材等の介在物が何も存在しないため。
理想的な固着方法であるが、固着技術そのものがまだ一
般的なものでなく、理論面と合わせて完全に掌握されて
いないため、非常にむずかしい技術である。
般的なものでなく、理論面と合わせて完全に掌握されて
いないため、非常にむずかしい技術である。
■の低融点ガラスで固着する方法は、第1図の様な圧力
電気変換器10では良く使われる方法であるが、低融点
ガラスと言ってもその作業温度を400℃前後に押さえ
るとなると圧力センサチップ1との熱膨張係数の差はぬ
ぐいきれず、どうしても熱ひずみの問題が残ってしまう
。又、低融点ガラスは、印刷するために使用した溶液(
バインダー)を、仮焼結という工程を設けて分解しなけ
ればならず、固着するのに非常に時間がかかってしまう
面をもっている。
電気変換器10では良く使われる方法であるが、低融点
ガラスと言ってもその作業温度を400℃前後に押さえ
るとなると圧力センサチップ1との熱膨張係数の差はぬ
ぐいきれず、どうしても熱ひずみの問題が残ってしまう
。又、低融点ガラスは、印刷するために使用した溶液(
バインダー)を、仮焼結という工程を設けて分解しなけ
ればならず、固着するのに非常に時間がかかってしまう
面をもっている。
■の有機接着剤で固着する方法は、手軽に、短時間に固
着できるが、有機接着剤の剛性が小さいために安定した
特性が得られず、接着剤そのものの経時変化、気密性等
信頼性の問題が残っている。
着できるが、有機接着剤の剛性が小さいために安定した
特性が得られず、接着剤そのものの経時変化、気密性等
信頼性の問題が残っている。
その他半田で気密封止する方法等、いろいろな方法で圧
力センサチップ1と台座2.あるいは台座2と気密端子
体4との固着が行なわれているが。
力センサチップ1と台座2.あるいは台座2と気密端子
体4との固着が行なわれているが。
それぞれ一長一短があり、圧力電気変換器の製造メーカ
ー各社の長期にわたる自主研究開発によるノウハウの蓄
積により製品化されているのが現状である。
ー各社の長期にわたる自主研究開発によるノウハウの蓄
積により製品化されているのが現状である。
台座2の加工に関して言えば、相対圧型の圧力電気変換
器を構成する場合は、台座2に穴あけ加工をする必要が
あり1台座2の厚さが前述の如くある程度の厚さが必要
となるとその加工に時間がかかり1部品単価を引き上げ
る結果となっている。
器を構成する場合は、台座2に穴あけ加工をする必要が
あり1台座2の厚さが前述の如くある程度の厚さが必要
となるとその加工に時間がかかり1部品単価を引き上げ
る結果となっている。
以上の様に、圧力センサチップ1の熱膨張係数と比較し
て差の小さいホウ硅酸塩ガラスやシリコン単結晶等の台
座2を用いて構成される従来の圧力電気変換器10では
、圧力センサチップ1と台座2、あるいは台座2と気密
端子体4との固着に関して十分な技術ノウノ・つの蓄積
が必要であるため、その製造がむすかしく・ばかりでな
く、製造メーカも限定されてしまうため、これが台座2
の加工コストがらみで製品単価を引き上げる原因となっ
ていた。
て差の小さいホウ硅酸塩ガラスやシリコン単結晶等の台
座2を用いて構成される従来の圧力電気変換器10では
、圧力センサチップ1と台座2、あるいは台座2と気密
端子体4との固着に関して十分な技術ノウノ・つの蓄積
が必要であるため、その製造がむすかしく・ばかりでな
く、製造メーカも限定されてしまうため、これが台座2
の加工コストがらみで製品単価を引き上げる原因となっ
ていた。
本発明は1以上の様な欠点を除去するために。
あらかじめシリコーンゴムを硬化させて形成した台座を
用意し、前記台座の上にさらにシリコーンゴムを塗布す
ることにより、前記台座と圧力センサチップとを気密に
封止しようとしたもので、その目的は圧力センサチップ
の実装の簡素化にあり。
用意し、前記台座の上にさらにシリコーンゴムを塗布す
ることにより、前記台座と圧力センサチップとを気密に
封止しようとしたもので、その目的は圧力センサチップ
の実装の簡素化にあり。
以下図面に基づいて詳細に説明する。
第2図は、本発明の一実施例を示す圧力電気変換器の断
面図、第3図は1本発明の他の実施例を示す圧力電気変
換器の断面図であって、第2図は相対圧(差圧)型の圧
力電気変換器、第3図は絶対圧型の圧力電気変換器を示
している。第4図は第2図の圧力電気変換器の製造方法
を説明するために示した圧力電気変換器の要部の斜視図
であり。
面図、第3図は1本発明の他の実施例を示す圧力電気変
換器の断面図であって、第2図は相対圧(差圧)型の圧
力電気変換器、第3図は絶対圧型の圧力電気変換器を示
している。第4図は第2図の圧力電気変換器の製造方法
を説明するために示した圧力電気変換器の要部の斜視図
であり。
第1図と同番号は同じ部材を示す。
8は第4図(A)の例で示した様に、一定の厚さを確保
するために成形型等を使ってシリコーンゴムを硬化させ
て形成した台座で、該台座8はシリコーンゴム、有機接
着剤等により気密端子体4に気密に固着される。この状
態が第4図(B)であるが、もちろん気密端子体4の上
で直接シリコーンゴムを成形、硬化させ台座8を形成し
ても良い。第4図CB)に於いて16はシリコーンゴム
が注入さねているカー) IJッジ、9は台座8の上に
均一に塗布されるシリコーンゴムで、第4図(B)では
、工程を示す意味でシリコーンゴム9がカートリッジ1
6から絞り出されている状態を示しておいた。
するために成形型等を使ってシリコーンゴムを硬化させ
て形成した台座で、該台座8はシリコーンゴム、有機接
着剤等により気密端子体4に気密に固着される。この状
態が第4図(B)であるが、もちろん気密端子体4の上
で直接シリコーンゴムを成形、硬化させ台座8を形成し
ても良い。第4図CB)に於いて16はシリコーンゴム
が注入さねているカー) IJッジ、9は台座8の上に
均一に塗布されるシリコーンゴムで、第4図(B)では
、工程を示す意味でシリコーンゴム9がカートリッジ1
6から絞り出されている状態を示しておいた。
こうしてシリコーンゴム9が台座8の上に均一に塗布さ
れた後、シリコーンゴム9が硬化する前に1次の工程で
圧力センサチップ1がシリコーンゴム9の上にのせられ
る。その結果、圧力センサチップ1と台座8はシリコー
ンゴム9により気密に固着され、封止される様になって
いる。
れた後、シリコーンゴム9が硬化する前に1次の工程で
圧力センサチップ1がシリコーンゴム9の上にのせられ
る。その結果、圧力センサチップ1と台座8はシリコー
ンゴム9により気密に固着され、封止される様になって
いる。
又第3図に於いて7は気密端子体14にロウ付。
接着剤による接着等の手段を使って気密に固着される圧
力導入パイプ、16は封止管、15はステムである。
力導入パイプ、16は封止管、15はステムである。
以上の様な工程を経て構成されたものが、第2図の相対
圧型の圧力電気変換器11であり、又第3図の絶対圧型
の圧力電気変換器12である。第3図の絶対圧型の圧力
電気変換器12は、真空中において封止管13を気密端
子体14にハンダ付は等により気密に固着することによ
り、封止管16と気密端子体14および圧力センサチッ
プ1で囲まれた空間を真空にし、基準となる圧力を絶対
圧としたものである。
圧型の圧力電気変換器11であり、又第3図の絶対圧型
の圧力電気変換器12である。第3図の絶対圧型の圧力
電気変換器12は、真空中において封止管13を気密端
子体14にハンダ付は等により気密に固着することによ
り、封止管16と気密端子体14および圧力センサチッ
プ1で囲まれた空間を真空にし、基準となる圧力を絶対
圧としたものである。
第5図は、本発明のさらに他の実施例を示す圧力電気変
換器の断面図とその要部の斜視図である。
換器の断面図とその要部の斜視図である。
24はジルコン(ZrO2・5in2)系セラミックス
よりなる気密端子体で、その線膨張係数は40〜400
℃で3.7 X 10−’ /’C以下に押さえられて
おり、その表面には印刷技術により電極25が形成され
ている。28は気密端子体24の上に印刷技術等により
シリコーンゴムを一定の厚さになる様に直接塗布し、あ
らかじめ硬化させて形成した台座で、この状態で台座2
8は気密端子体24に気密に固着される。
よりなる気密端子体で、その線膨張係数は40〜400
℃で3.7 X 10−’ /’C以下に押さえられて
おり、その表面には印刷技術により電極25が形成され
ている。28は気密端子体24の上に印刷技術等により
シリコーンゴムを一定の厚さになる様に直接塗布し、あ
らかじめ硬化させて形成した台座で、この状態で台座2
8は気密端子体24に気密に固着される。
21はダイヤフラム型半導体圧力センサチップであり、
第4図(B)と同様にシリコーンゴム9が台座28の上
に均一に塗布された後、シリコーンゴム9が硬化する前
に前記圧力センサチップ21はシリコーンゴム9の上に
のせられる。
第4図(B)と同様にシリコーンゴム9が台座28の上
に均一に塗布された後、シリコーンゴム9が硬化する前
に前記圧力センサチップ21はシリコーンゴム9の上に
のせられる。
その結果、圧力センサチップ21と台座28とはシリコ
ーンゴム9により気密に固着され、封止される。そして
この後、ワイヤボンドにより圧力センサチップ21と電
極25は電気的に接続される。
ーンゴム9により気密に固着され、封止される。そして
この後、ワイヤボンドにより圧力センサチップ21と電
極25は電気的に接続される。
27は圧力導入パイプ、23はキャップであり。
圧力導入パイプ27はロウ付、接着剤による接着等によ
りキャップ23に気密に固着されており。
りキャップ23に気密に固着されており。
ワイヤボンドの完了した気密端子体24とキャンプ26
はこの状態で低融点ガラス、有機接着剤等で気密に固着
され、圧力電気変換器2oが構成されている。
はこの状態で低融点ガラス、有機接着剤等で気密に固着
され、圧力電気変換器2oが構成されている。
さて1本発明で使用するシリコーンゴムというのは1例
えば、−50〜+250℃といった広範囲な温度範囲に
わたってゴム弾性を維持する耐熱性・耐寒性にすぐれた
材料で、適度な伸びを有し。
えば、−50〜+250℃といった広範囲な温度範囲に
わたってゴム弾性を維持する耐熱性・耐寒性にすぐれた
材料で、適度な伸びを有し。
かつ歪復元性にすぐわており、振動や衝撃を吸収してし
まう性質がある。
まう性質がある。
従って、本発明の実施例で示した様に、シリコーンゴム
を適度な厚さを持つ台座として使用すれば、気密端子体
からの熱ひずみ、あるいは圧力電気変換器の取付けや、
外力等に起因する気密端子体そのものの機械的なひずみ
といった様な圧力セ/サチノブ1あるいは21に対する
圧力変位以外の応力を、シリコーンゴムからなる台座で
吸収することが可能となる。
を適度な厚さを持つ台座として使用すれば、気密端子体
からの熱ひずみ、あるいは圧力電気変換器の取付けや、
外力等に起因する気密端子体そのものの機械的なひずみ
といった様な圧力セ/サチノブ1あるいは21に対する
圧力変位以外の応力を、シリコーンゴムからなる台座で
吸収することが可能となる。
もちろん気密端子体として、第5図の実施例の様に線膨
張係数が3.7 X 10−’ /’c以下のジルコン
系セラミックス等、圧力センサチップ1あるいは210
線膨張係数との差の小さい材料を選択すれば、より余分
な熱ひずみを除去することは明らかである。
張係数が3.7 X 10−’ /’c以下のジルコン
系セラミックス等、圧力センサチップ1あるいは210
線膨張係数との差の小さい材料を選択すれば、より余分
な熱ひずみを除去することは明らかである。
同様にして1台座と圧力センサチップとを固着するため
に台座に塗布されるシリコーンゴム9も。
に台座に塗布されるシリコーンゴム9も。
当然上記の通りの性質を有しているため、圧力センサチ
ップとシリコーンゴムの線膨張係数の差に起因する熱ひ
ずみの影響は除去されることになる。
ップとシリコーンゴムの線膨張係数の差に起因する熱ひ
ずみの影響は除去されることになる。
さらに、シリコーンゴムは、従来からの印刷技術を利用
して印刷が可能のため、簡単に、かつ大量に同じ品質の
台座を印刷により形成することができる。
して印刷が可能のため、簡単に、かつ大量に同じ品質の
台座を印刷により形成することができる。
又、#7740ホウ硅酸塩ガラス、シリコン単結晶等か
らなる台座を使用しないですむため1台座の材料費や加
工費が不要となり、実質的なコストダウンが図れるとと
もに、薄型化を図ることができる。
らなる台座を使用しないですむため1台座の材料費や加
工費が不要となり、実質的なコストダウンが図れるとと
もに、薄型化を図ることができる。
以上の様に1本発明の圧力電気変換器の構造によれば、
圧力センサチップと台座、あるいは台座と気密端子体と
の固着に関する十分な技術ノウハウの蓄積がなくても、
簡単に、かつ大量に生産できるため、製造メーカも限定
されず、製造単価の安い圧力電気変換器を供給すること
ができるという効果をもっている。
圧力センサチップと台座、あるいは台座と気密端子体と
の固着に関する十分な技術ノウハウの蓄積がなくても、
簡単に、かつ大量に生産できるため、製造メーカも限定
されず、製造単価の安い圧力電気変換器を供給すること
ができるという効果をもっている。
第1図は従来の圧力電気変換器の構造を示す断面図、第
2図は本発明の一実施例を示す圧力電気変換器の断面図
、第3図は本発明の他の実施例を示す圧力電気変換器の
断面図、第4図は第2図の圧力電気変換器の要部の斜視
図、第5図は本発明のさらに他の実施例を示す圧力電気
変換器の断面図とその要部斜視図である。 1.21・・・・・・ダイヤフラム型半導体圧力センサ
チップ。 8.28・・・・・・台座。 9・・・・・・シリコーンゴム。 11.12.20・・・・・・圧力電気変換器。 第1図 第2図 第3図 第4図 (A) 第5図 (A) ソ (B)
2図は本発明の一実施例を示す圧力電気変換器の断面図
、第3図は本発明の他の実施例を示す圧力電気変換器の
断面図、第4図は第2図の圧力電気変換器の要部の斜視
図、第5図は本発明のさらに他の実施例を示す圧力電気
変換器の断面図とその要部斜視図である。 1.21・・・・・・ダイヤフラム型半導体圧力センサ
チップ。 8.28・・・・・・台座。 9・・・・・・シリコーンゴム。 11.12.20・・・・・・圧力電気変換器。 第1図 第2図 第3図 第4図 (A) 第5図 (A) ソ (B)
Claims (1)
- 半導体拡散抵抗のピエゾ抵抗効果を利用して圧力を電気
信号に変換するダイヤフラム型半導体圧力センサチップ
と、該圧力センサチップを圧力変位以外の歪から保護す
るための台座を有する圧力電気変換器において、シリコ
ーンゴムを硬化させて形成した台座を設け、前記圧力セ
ンサチップと台座とをシリコーンゴム接着剤にて気密封
止したことを特徴とする圧力電気変換器の構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16397483A JPS6055672A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | 圧力電気変換器の構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16397483A JPS6055672A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | 圧力電気変換器の構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6055672A true JPS6055672A (ja) | 1985-03-30 |
Family
ID=15784351
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16397483A Pending JPS6055672A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | 圧力電気変換器の構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6055672A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5422634A (en) * | 1991-12-27 | 1995-06-06 | Zexel Corporation | Locking system using a key including an IC memory |
US5436491A (en) * | 1992-10-19 | 1995-07-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Pressure sensor for high temperature vibration intense environment |
JP2012027022A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Robert Bosch Gmbh | 圧力センサならびに圧力センサの作製方法 |
CN113091996A (zh) * | 2021-04-22 | 2021-07-09 | 广东电网有限责任公司 | 一种压力传感器及其制备方法和应用 |
-
1983
- 1983-09-06 JP JP16397483A patent/JPS6055672A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5422634A (en) * | 1991-12-27 | 1995-06-06 | Zexel Corporation | Locking system using a key including an IC memory |
US5436491A (en) * | 1992-10-19 | 1995-07-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Pressure sensor for high temperature vibration intense environment |
JP2012027022A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Robert Bosch Gmbh | 圧力センサならびに圧力センサの作製方法 |
CN113091996A (zh) * | 2021-04-22 | 2021-07-09 | 广东电网有限责任公司 | 一种压力传感器及其制备方法和应用 |
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