JPS60555A - 汎用記憶装置 - Google Patents

汎用記憶装置

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JPS60555A
JPS60555A JP58214932A JP21493283A JPS60555A JP S60555 A JPS60555 A JP S60555A JP 58214932 A JP58214932 A JP 58214932A JP 21493283 A JP21493283 A JP 21493283A JP S60555 A JPS60555 A JP S60555A
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JP
Japan
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signal
memory
address
module
data
Prior art date
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Application number
JP58214932A
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English (en)
Inventor
マイケル・ジ−グラ−
ピ−タ−・ジ−・マ−シヤル
デ−ビツド・エル・ホイツプル
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EMC Corp
Original Assignee
Data General Corp
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Publication date
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    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/06Addressing a physical block of locations, e.g. base addressing, module addressing, memory dedication
    • G06F12/0607Interleaved addressing
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、コンピュータ・メモリーに関し、特にメモリ
ーを修正することな(異なるタイミング要件を有する異
なるコンピュータ・システムと共に作動するようにある
メモリーを構成することができ、またコンピュータから
異なるメモリー・モジュールに対するタイミング信号の
修正を必要とすることな(、異なるタイミング特性要件
のメモリーチップを処理するいくつかのメモリm−モジ
ュールが同じコンピュータと共に使用することができる
形式のコンピュータ・メモリーに関する。
はとんどの大手のコンピュータ製造企業は、種々の容量
および演算速度を有するい(つかの異なる形式のコンピ
ュータを製造している。一般に、異なる各コンピュータ
形式に対するメモリー・システムは、メモリーが使用さ
れるべき特定のコノピユータ用として構成されている。
このようなコンピュータ・システムの設計においては、
選定された特定のメモリーの要件は、情報の読出しおよ
び書込みに必要なタイミング信号をメモリー・モジュー
ルに提供するように、コンピュータ・メモリーのインタ
ーフェースまたはメモリー−コントローラを設計するこ
とによって満たされている。
一般に、このようなメモリーはこの1つのコンピュータ
に対して使用することができるが、異なるタイミング特
性を有する他のコノピユータにおける使用に供すること
はできない。
多くの従来技術のメモリー・システムにおいては、もし
2つのワードがある特定のメモリー・モジュールにおけ
る異なるアドレス場所から11@次読出される場合に、
2番目のワードのアドレス指定のためには最初の読出し
に必要とされた時間と同じ遅延時間をとることが必要で
あった。
本発明の目的は、斬新な改善されたコンピューターメモ
リー素子の提供にある。
本発明の別の目的は、各メモリーeモジュールがどのコ
ンピュータと接続されるかとは無関係に、その最適演算
速度において演算する形式の斬新な改善されたコンピュ
ータ・メモリー素子の提供にある。
本発明の更に別の目的は、異なる演算速度を有するメモ
リー・モジュールが異なるモジュールに対jるコンピュ
ータの信号のタイミングを調整することな(同じコンピ
ュータと関連して使用することができるコンピュータ・
メモリー素子の提供にある。
本発明によるコンピューターメモリーは、1つのメモリ
ー・アドレス・バス、1つのデータ・ノくス、および下
記の信号を含む9つの制御信号回線を営むものである。
即ち、 ANY R(JW ADRESS 5TRC)HERE
FRESH LOAD DATA IN EVEN LOAD DATA IN 0DD DATA OUT 5TROBE DRffE DATA 01JT EVENDRIVE
 DATA 0IJT 0DDPRECf−IARGE ADDRESS 5TROBE 更に、メモリー・コントローラからのメモリー〇クロッ
ク信号はメモリー素子における全てのメモリー・モジュ
ールをクロックするため使用される。このメモリー−コ
ントローラは、コンピュータの中央演算処理装置と連絡
し、あるいはまた1つのシステム・データ・バス、1つ
のシステム會アドレス・バス、およびメモリー〇モジュ
ールの制御のため使用される信号を最終的に生成する6
つの制御信号により他のメモリー・サービスの要求側と
連絡する。信号ADDRESS STROBg の受取
りと同時に、メモリー・モジュールにおける遅延回線が
選択されたメモリー・モジュールの全てのメモリー素子
に対する信号ADDRESSID多重化を制御する。史
に、信号ADDRESS 5TRIJBE は、同時に
システムにおける全てのアドレス・ラッチを可能状態K
jる。信号LOAD DATA IN 、EVEN ハ
メモリー・データ・バス上のどんな信号でも偶数データ
・レジスタに対してクロックし、更に別の遅延回線を経
て選択されたメモリー・モジュールのメモリー要素に対
して与えられる書込み可能偶数信号を生成する。
信号LOAD DATA IN ODDは、奇数データ
・レジスタを制御し、選択されたメモリー・モジュール
のメモリー要素に対する書込み可能奇数信号を生成する
信号DATA OUT 5TRIJBEは、メモリー〇
システムの全てのメモリーのモジュールにおける奇数と
偶数の両方の出力データ・ラッチを可能状態にする。選
択されたメモリー・モジュールの出力データ・ラッチは
、他のメモリー・モジュールにおける他のこのような全
てのラッチより長いラッチ条件に保持される。
信号DRIVE DATA 01JT EVEN+!、
選択されタメモリー・モジュールの偶数出力データ・ラ
ッチからの情報をメモリー・データ・バス上に置(。
同様に、信号DRIVE DATA OUT ODDは
、選択されたメモリー〇モジュールの奇数出力データ・
ラッチからの信号をメモリー・データ・バス上に置(。
信号P用℃出真死は、選択されたメモリー・モジュール
のメモリー要素の回復のためのある特性時間が満了して
行が11@次2回アドレス指定されるまで、ある選択さ
れたモジュールの同じ行が再び始動することを阻止する
信号REFRESHは、メモリー素子の全ての要素に対
する信号ROW ADDRESS 5TROBE (R
AS)を生じる。
信号ANY R(眉ADD部SSS封迫HEは選択され
たメモリー・モジュールにより生成されてこれが始動し
たことを表示する。このように、あるアドレスのストロ
ーブが生成された後、メモリー・コントローラは、信号
ANY RIJW ADD肚SS ST扱用Eが前記コ
ントローラにより受取られるまでメモリー・モジュール
に対する如何なる順次制御信号も生じない。
本発明の斬新な特徴については頭書の特許請求の範囲に
おいて特に記述したが、本発明については、その構成お
よび内容の双方に関して、図面との関連において以下の
詳細な記述を照合すれば他の主題および特徴と共に更に
よく理解されよう。
図面においては同じ照合番号が類似の部分を表示する。
第1図に示される如きコンピュータ・システムは、多く
のメモリー・モジュールと相互に連結された中央演算処
理装置(CPU)およびメモリー・コノトローラを含む
い(つかのコンピューptt有−’rる。この場合はメ
モリーの要求側であるCPUは、メモリー・コントロー
ラに対して、情報を与えかつメモリー、・コントローラ
から情報を受取るためのシステム・データ・バス経路と
、メモリー・コントローラに対してアドレスを指定する
ためのシステム・アドレスeバスと、6つの制御信号M
(I)MdおよびMC2からなる信号グループを与える
メモリー−コントローラ23は、メモリー・データ・バ
ス18とアドレス・バス19に沿ってメモリー・モジュ
ールと連絡する。メモリー−データバス18は69ビツ
トの両方向データ・バスであるが、アドレス・バス19
は62ピツトの両方向アドレス・バスである。メモリー
・コントローラは、メモリー・モジュールに対して送出
される8つの信号およびメモリー・モジュールから受取
った1つの信号の使用によりメモリー・モジュールに関
する制御を行なう。この8つの信号とは下記の如くであ
る。即ち、厄F肛SI(、LO,知DATA INEV
EN 、加AD DATA IN ODD 、 DAT
A 0tJT 5TROBE−DRIVE DATA 
OUT EVEN%DB、IVE DATA 0tJT
 ODD、PREC凧冊Eおよび、卸り肚SS 5TR
OBEである。メモリー・モジュールからメモリー・コ
ントローラに対して送出される信号はANY [)W 
ADDRESSSTRIJBEである。
信号M)DRgSS 5TRIJBEは、メモリー・モ
ジュールを始動し、アドレス・パス上のアドレス指定て
のメモリー・モジュールに対してラッチする。メモリー
・アドレス・バス上のアドレス・ビットの6つにより表
示される選択されたメモリー・モジュ /’は(7信号
AJJDRESS STROBg を用いて選択された
モジュールにおける各メモリー要素に対する行アドレス
・ストローブ信号を生じ、また遅延回線を経て信号CO
LUMN ADDRESS 5TRIJBE (CAS
)を生じる。ある遅延時間の後、信号ADDMSSST
ROBEもまた選択されたメモリー・モジュールにおい
て信号ANYR調ADDR[弼S 5TROBEを生じ
る。信号P川ECHARGEは、このモジュールに世る
メモリー要素の同じ行が連続して2回アドレス指定され
た場合にのみ、メモリー・モジュールの作動を遅延させ
る。この遅れは、メモリー要素が再び作用状態となるに
充分なだけでよい。信号DB、I VEDATA OU
T ODDおよびDRIVE DATA OUT EV
ENはどの組の出力データ・ラッチがメモリー・バス1
8に対して接続されるかを選択する。信号DATAOT
JT 5TROBEは、メモリーΦシステムの全てのメ
モリー・モジュールにおける全ての出力データーラッチ
の出力をラッチする。信号LOADDATA lN0D
DおよびLOAD IN EVENハ、入カデータ・ラ
ッチのどの2組がメモリー・バス18に対して接続され
るかを選択する。信号REF:RESE(+L メモI
J −システムにおける全てのメモリー・モジュールの
全てのメモリー要素において行アドレス−ストローブな
生じる。唯1つのメモリー〇コントローラから示される
任意の別の信号は、メモリー−モジュールの作動を禁止
する信号INI−(IBIT SEI、釦Tであり、も
し他の周辺素子の操作の間メモリーにおける情報が不適
正にアドレス指定されることを保護するために他の周辺
素子がアドレス指定される場合に一般に使用されること
になる。
第2図はあるメモリー要素のブロック図を示している。
アドレス・バス19の7つのビットがモジュール選択ハ
ス(MSLバス)21に浦ってモジュール選択ロジック
1と接続されている。信号INHIBIT 5ELEC
T (INH8EL) もまた、使用禁止信号として全
てのメモリー・モジュールの全てのモジュール選択ロジ
ック要素に対して接続されている。メモリーの7つのビ
ットがモジュール選択ロジック1におけるプリセット情
報と対応する場合ニハ、信号MODULE 5EL(、
”r (MJDSEI、) が生成される。この信号P
JKJDsELは信号PRIIEC,田上GE(PRE
CHG)と共にメモリープリチャージΦロジック24に
対し接続されている。もし前のメモリーサイクルにおい
て選択されたものと異なるメモリーの行が選択されつつ
あるならば、信号SET川W ADDRESS 5TR
OBE (SETRAS) がメモリープリチャージ・
ロジックによって生成される。さもなければ、信号PR
ECHARGEがこれを解除するまで信号5ETRAS
が遅延させられる。メモリー・アドレス・バス1902
つのビットは面選択ロジック・バス(PSI、バス)2
2を経て面選択ロジック20に接続される。この面選択
ロジックの出方は、アレー・ドライバ13.14に対し
て接続される。面選択ロジックからの信号は、どのメモ
リー面が読出し操作の間選択されてアレー・ドライバ1
4から信号RIJW ADDRESS 5TRIJBE
 (RAS)オよび信号COLUMN ADDRESS
 5TROBE <C#幻を受取り、どの面がアレー・
ドライバ16から書込み可能信号を受取るかを判定する
。信号RASは、信号ADDRESS 5TROBEの
結果として選択されたメモリー・モジュールの制御レジ
スタ10において常に生成される。遅延回線11は信号
RASを遅らせて信号COLtJMN ADDRESS
 5TROBE At)DRESS(CAS ADR)
および信号COLIJMN ADDRESS 5TRO
BE(CAS )を生じる。信号ADD用ESS LA
TCH(ADRffCH)は、制御レジスタ10におけ
る他の信号ADDRES3S’r7RC)BEの結果と
して生成される。信号ADRLTCHは、メモリー−シ
ステムにおける全てのメモリーモジュールのアドレス・
ラッチ6をラッチする。
行および列アドレスは同時にラッチされる。遅延回線1
1により生じる遅延に続いて、信号CASADRは、最
初にアレー・ドライバ15を介してメモリー・7L/−
16,17に対して接続される行アドレスに列アドレス
が続(ように、アドレス・マルチプレクサ4の切換えを
行なう。
メモリー要素は、一連の奇数行即ち面と一連の偶数行即
ち面に分割される。メモリーの偶数の半部16および奇
数半部17は、書込み操作の間型々にアクセスすること
ができる。しかし、読出し操作の間、メモリー出力の奇
数および偶数の両方の半部は、データ出力ラッチ7と8
に対して39ビツト・ワードを出力する。ラッチ7と8
は、信号データeアウト・ストローブ(IXJUTST
B ) に応答して制御レジスタ10に生じた信号デー
タeアウト・ラッチ(DOTJTLTCH)に応答して
作動する。メモリーにおける所要のワードの場所に従っ
て、信号DRIVVE DATA OUT EVEN(
DDOI )まタハDRIVE DATA OUT O
DD (DDOl )がメモリー・コントローラ26に
よりアクセスされることになる。
次の信号メモリー〇クロック(矧彊αK)と同時に、偶
数データ出力ラッチ7および右奇数データ出力ラッチ8
の一方が信号DD1またはその反転バージョンによりそ
の出力を可能状態にする。クロックされた信号DDO1
またはDDO2のいずれか一方が信号DRI■XJUT
を生じて選択されたラッチからデータ・バスに対し又付
勢する。メモリー読出しサイクルの間、もし62の情報
ビットおよび7つのエラー補正ビットを含む2つの順次
の69ビツト・ワードを生じることが要求されると、信
号ADDRESS 5TROBE オよび信号DOUT
STB および信号DRVDOUT Oまタハ信号DR
Vf)UIJT 1と共に、アドレスがメモリー・モジ
ュールに対して与えられる。データ出力ラッチの一方の
出力がメモリーデータ・バス18上に使用可能状態とな
ると直ちに、信号DRVDOtJT が反転されて他の
ラッチからの他の出力ワードをメモリーアレーに対して
+J勢する。その間、出力ラッチがあるラッチされた状
態にあるため、別のアドレスおよびアドレス−ストロー
ブ信号が同じモジュールに対して送出することかでき、
前の2つのワードの最後のもののメモリー・データ・バ
スに対する設定に続いて、前記メモリー〇アレー〇両半
部をしてデータ出力ラッチに対しラッチされる別のデー
タ・ワードを出力させる。データ出力ラッチからの2番
目の2ワードの内容は、即時メモリー−データーバス1
8上に順次設定するため使用可能である。このよ5に、
4つの69ビツト争ワードは、メモリー・バス上の最初
のワードの設定と干渉し得る2番目の行および列のアド
レス・ストローブの強制に先立って最初に要求されたワ
ードの全ての内容を読出させるため、他のメそり−にお
ける慣例的なワード間に通常遅延を生じることな(、メ
モリーから順次読出すことができる。更に、最後の出方
ワードは、メモリー−コントローラ26がコンピュータ
ニヨリ命令すれて信号DOUTSTB オヨびDRVD
OUTの強制を除去するまで、最後の出力ワードがメモ
リー・データ嗜バス上に使用可能状態を維持させられる
ことになる。従って、メモリーはその能カ一杯に作動す
ることができるが、早いか遅いいずれかのコンピュータ
によって使用することもできる。
書込みサイクルの間、コントローラは、信号ADD部S
S 5TROBE、データーバス18に読込まれるべき
情報ワード、および信号LOAD DATA lN0D
D(LDDINI ) マタ&[号LOAD DATA
 IN EVEN(LDDIN O)と共に、アドレス
・バス19に沼ってメモリー中アドレスを転送する。行
および列の信号AJ)DRESS 5TRIJBEは読
出しサイクルの間と正確に同じ方法でメモリー・モジュ
ール内に生成され、この記憶場所における2つのワード
はメモリーの両方の半部から読出される。しかし、ワー
ドはデータ出力ラッチに対してラッチされない。これに
続いて、コントローラからの信号LDDIN Oまたは
LDDIN 1はディジタル遅延回線12を介して信号
DATA IN EVEN CLOL’K (DINO
CI、K) またはDATA IN ODD CIjJ
CK (DINICLK) ヲ生成j7;+。
この生成された信号は、入力バッファ2を介してデータ
・イン・レジスタ5またはデータ・イン・レジスタ6に
対してデータ・バスからのデータをするクロックする。
もし、例えば、信号DIN(JCI、Kが信号LDDI
NOの結果として生成されるならば、メモリー・データ
・バス18上のデータ・ワードはレジスタ5におけるデ
ータにロードされ、メモリーアレー16の偶数半部に使
用可能にされる。
遅延回線12もまた、信号LDDINOマタ&@ LD
f、IINIのいずれがコントローラ26により送出さ
れるかに従って信号WRITE器超LB EV器および
■ITE器仙1.E ODDを生じる。信号WRITE
器卸LEはアレー・ドライバ16に対して送られ、ここ
でこれら信号は面選択ロジック20の出力によりゲート
されて選択されたモジュールにおけるメモリー要素の選
択された半部に対する信号WRITE ENABLEを
生成する、 コントローラ26からのタロツク信号(MCLK)はイ
ンバータ68により反転されて信号MEMChKを形#
j、−s−る。信号mCLKおよびその反転された形態
のMEMCI、には、メモリー・モジュール全体にわた
って使用され、多(のメモリー要素ヲクロツクする。第
6図に示されるように、信号MEMCI、にはDフリラ
グフロツブ60をクロックするため使用される。Dフリ
ップフロップ60のD人力ターミナルはインバータ66
から信号ADR8TVを受取り、この信号を信号MEM
CI、にと同期させてアドレス・ラッチ信号AI)RL
TCHを形成する。この信号ADRLTCHは、アドレ
ス・バス19からラッチ46゜44.45および46に
対してアドレス・ラッチ信号PA12乃至PA27をラ
ッチする。ラッチ46と44は行アドレスを含むが、ラ
ッチ45と46はメモリー・モジュールにおける69ピ
ツトのメモリーのワードのある特定の対の列アドレスを
保有する。各メモリー・モジュールにおけるこのような
全てのラッチは、読出しまたは書込みメモリー・サイク
ルの間付勢される。はとんどのメモリー素子における如
く、行および列のアドレスはメモリー要素またはチップ
に内蔵されなければならない。ラッチ43.44.45
および46は、第2図におけるブロック図のアドレス会
ラッチ6と対応している。ランチ4604つの行アドレ
ス出力信号(RADO、RAD 1 、 RAD2およ
び沿山6)はマルチプレクサ47のrAJ入カタカター
ミナル続されるが、ラッチ45かもの4つの列アドレス
信号(CADO、CADl オヨびCAD6)ハコノマ
ルチフレクサのrBJ入カタカターミナルして接続され
ている。ラッチ44からの4つの行アドレス信号(RA
D4 、 RAL)5 、RAI)6およびRAD7 
) kt マ# チプvyす48の「A」入力側と接続
されるが、ラッチ46からの4つの列アドレス信号(C
AD4 、 CAD5 、 CAD6およびCAD7)
はマルチプレクサ48のrBJ入力ターミナルと接続さ
れている。最初に、マルfプ44からの行アドレス信号
と対応する。第4図の遅延回想50からの信号列アドレ
ス・ストローブ・アドレス(CASADR)の受取りと
同時に、マルチプレクサはその出力ターミナル上に列ア
ドレスを置(ためマルチプレクサはそのB入力に切換え
を行なう。マルチプレクサ47.48は第4図のマルチ
プレクサ4と対応する。
アドレス・ビットPA28はインバータ64において反
転されて、信号行選択A (R,5ELA)を形成する
が、アドレス・ビット信号PA29はインバータ65に
おいて反転されて行選択B信号(R8ELB )を形成
する。信号用ESLAおよびRESELBはマルチプレ
クサ66のrBJ人カタカターミナルして接続される。
NORゲート69を介してフリップフロップ60からの
信号ADRI、TCHはマルチプレクサ66の「A」人
力ターミナルをその出力ターミナルに対して接続するよ
うに強制する。信号ADRL1号の受取りに先立って、
マルチプレクサ66の出力ターミナルZOおよびZlは
インバータ34.35の出力ターミナルに対して接続さ
れる。信号ADRLTCHがマルチプレクサ66を切換
えると直ちに、このマルチプレクサのB入力にあった信
号R8ELAおよびR8ELB/l″−この時、出力タ
ーミナルZOおよびZlがマルチプレクサの入力ターミ
ナルADおよびA1に対して再び接続されるという事実
のため出力ターミナルにおいて保持される。マルチプレ
クサ66の出力ターミナルZOおよびZlからの信号R
IJWSEhA およびROWSELBは入力ターミナ
ル・デコーダ41に対して接続される。デコーダ41は
、信号■児SE話およびR(JWSELBのある組合せ
に応答してその出力ターミナルの1つに出力信号を置く
。デコーダ41の出力は反転された入力ORゲート40
により反転されて4つの行選択信号■υ■11皿席26
.R醍45およびRROW67を形成する。これら4つ
の信号は、行アドレス・ストローブ信号を選択されたメ
モリーの行即ち面におけるメモリー要素と選択的に接続
させる。再生ラッチ信号REFLTCHもまた全ての4
つのORゲート400Å力側と接続され、その結果再生
サイクルの間あるメモリー・モジュールの全てのメモリ
ー要素を同時に行アドレス・ストローブ信号に対して接
続することができる。このREFLTCH信号もまた、
コントローラからの再生信号REFに応答して行選択信
号が生成号れると同じ方法でマルチプレクサ66におい
て生成される。
第4図においては、物理的アドレス信号PAO8゜PA
O9,PAlo、PAll、PA12およびPA13が
アドレス・バス19からコンパレータ1に対して接続さ
れる。もし禁止選択信号INI(SELがコントローラ
26により強制されるならば、メモリー・システムにお
けるコンパレータの全てが使用禁止状態にされる。通常
、各メモリーΦモジュールにおけるコンパレータは、も
しアドレスの組合せがコンパレータ1に記憶されたアド
レスと対応するならば、アドレス信号の異なる組合せに
応答してモジュール選択信号MODSELを生成する。
信号MODSELは行選択信号と同じようにマルチプレ
クサ3乙に対して接続され、これによりマルチプレクサ
66からMUD選択ラッチ信号(MODSEI、l、T
Ci() ヲ生成するのである。
コントローラ26からの信号PR[EG−IRQはイノ
バータフ0により反転されて信号PRECHRGとなる
排他的ORゲート25.26およびゲート27、ならび
にOR/A N Dゲート29は、第2図のプリチャー
ジ・ロジック回路24を形成する。この回路の目的は、
もし前のメモリー・サイクルにおいて選択されたように
同じメモリー・モジュールの同じ行がその時のメモリー
−サイクルにおいて選択されるならば、メモリー要素の
行はその時のメモリー−サイクルの間ストローブされる
前に回復するに充分な時間与えられることを保証するこ
とである。もし前のメモリー・サイクルの間同じモジュ
ールの同じ行が選択されたものと仮定すると、排他的O
Rゲー)25.26の入力側におけル信号R3ELAオ
よびR8ELB ハ信号R8ELASVおよびR8EL
BSV の記憶されたバージョンと同じものとなること
になる。信号R8EI、AおよびR8ELVは第6図の
インバータ34.35により与えられるが、信号1(s
ELASVおよびR3EI、BSVはアトL’ スeラ
ッチ信号ADRLTCHに応答してDフリラグフロップ
6フにより与えられる。もし信号R8ELAおよびRs
ELAsvが同じものであり、信号ELSELBおよび
R8ELBSVが同じものであり、またもし同じモジュ
ールがその時の選択の直前に選択されるならば、フリッ
プフロップ67はマルチプレクサ66からの信号MOD
SEI、LTCHIC応答して信号MJDSELSVを
提供することになる。従って、ANDゲート27は、信
号MODSEI、 K応答L−(OR/ANDゲート2
9の最も下位のORゲートに対して使用禁止信号を与え
るように付勢されることになる。この時、信号RASも
またゲート29の第3および第4の最下位のORゲート
に対して使用禁止入力を与えることになる。もし前のサ
イクルからの信号PREcHRGが依然強制されるなら
ば、ゲート29はその出力から信号5ETRASを生じ
ることができない。信号PRECI(RGが終了すると
直ちに、ゲート29の下位の2つのORゲートの両方が
使用0T能状態にされる。この時点で、信号ADH,S
TBおよび■)DSF、11.TCI(がその時のす・
イクルの始めに強制され、その結果信号PREC…℃の
終了がゲート29からの信号SE’1I(ASを開始す
る。信号5ETRASの生成に続く次の信号MEMαX
において、フリップフロップ61が信号RASおよびそ
の反転バージョンRA、Sを生成する。マルチプレクサ
66からの信号MODSELLTCHと共にフリップフ
ロップ61からの信号RASは、ANDゲート67をし
てコントローラ23に対して戻される信号ANYRAS
を生成させる。信号RASもまた、ORゲート・アレー
62を経て送られて、信号BUFRASAおよびBUF
’RASBを形成する。信号BUFRASAおよびBU
F’RASBは論理的□に同じであり、第8図に示され
る如くバッファ・インバータ72゜73を介して実際の
行アドレス・ストローブ信号を生成するため使用される
。信号BUFI(ASAまたはBUFRASB は、バ
ッファ・インバータ72および76ならびに行選択信号
■U■1.[23,[45および[67の場合と同じ他
のバッファ・インバータ(図示せず)を経てゲートされ
る。もし例えば、行01が選択されると、バッファψイ
ンバータ72は下記の信号を生成することになる。
即ち、PO1RASLB 、 PO1彪団、M、 PO
I RASLT 、 POI RASRT。
POIRASRおよびpo I RASRB、第10図
、第11図、第12図および第16図に示されるように
、バッファ・インバータ72からの出力信号は、メモリ
ー−モジュールの面0および1の全てのメモリー要素の
行アドレス・ストローブ(RAS)入力ターミナルに対
して接続されている。同様に、ノ(ツファ拳インバータ
76の出力信号は、メモリーの面2および6における行
アドレス・ストローブ入力ターミナル・メモリー要素の
全てに同じ方法で(図示せず)接続されている。メモリ
ーの行、フリップフロップ61からの行アドレス・スト
ローブ信号はまた、遅延素子50に対する入力でもある
。信号DLRASからの最初の信号。信号DI、RAS
はゲート・アレー62におけるORゲートの全てに対シ
接続され、信号BUFRASAおよびBUFRASB 
17)期間を延長する。これはまた、第6図のNORゲ
ート69に対して接続されて、マルチプレクサ66がそ
の入力「A」モードにある期間を延長する。
遅延素子50からの第2の信号は、アドレスの列アドレ
ス部分に対してマルチプレクサを切換えるためマルチプ
レクサ47および48に対して前述の如く接続される信
号CASADRである。遅延素子50からANDゲート
・バッファ52を経由する第6の信号は信号CASA 
、 CASBおよびCABCを生成するが、その全ては
正確に同時に強制される論理的に同じ信号である。
マルチプレクサ36からの信号MODSELLTCHは
フリップフロップ67に入力されて、信号MODSEL
SVおよびその反転バーショア ML)DSELSVを
形成する。デコーダ41と類似のデコーダ38は、フリ
ップフロップ67から信号R8ELBSVおよびRsF
JJASv を、また同フリッグフロツプ67からモジ
ュールが選択される時のみ生成されるゲート信号MOD
SELSVを受取る。デコーダ68からバッファAND
ゲー)39ft介して出力信号は列選択信号RIM01
 、fl123 、Rffi45および[lW67を形
成する。信号R[01はバッファ・インバータ74゜7
5をゲートするため使用されるが、信号BLM26はバ
ッファ・インバータ76と77をゲートするため用いら
れる。バッファ・インバータ74.75は、信号■届0
1の受取りと同時に、信号POICASLT。
PolCASLB、POICASLM、POICASR
T、POICASRおよびPOI CASRBの形態の
CASAおよびCASC信号を第10図、第11図、第
12図および第13図に示される全てのメモリー要素の
列アドレス・ストローブ・ターミナルに対して接続し、
メモリー要素のアドレス入力に関する列アドレス信号を
メモリー要素に対してストローブする。同様に、信号R
(JtiV23はCASAおよびCASC信号をメモリ
ー・モジュールの面2および6の全てのメモリー要素(
図示せス)の列アドレス・ストローブ・ターミナルに対
して接続する。4つの他の同じバッファ・インバータ(
図示せず)は、CAS信号を全(同じ方法でメモリー・
モジュールの面4と5または6と7に対してゲートする
メモリー要素がある選択された七ジュールにある時かあ
るいは再生サイクルの間、行と列の両方のアドレスに対
するアドレス・ビットをメモリー要素のアドレス入力タ
ーミナルに対して与えるために、第6図のゲートをバッ
ファ・インバータ78.79.80および81と関連し
て用いて行および列アドレスをメモリーの面0および1
におけるメモリー要素に対して与える。ORゲート51
は、最初にコンパレータ1から信号MODSELを受取
る。アドレス・ストローブ信号の強制に続き、マルチプ
レクサ66はORゲートの入力側に対して信号MDDS
ELLTCHを与える。周期的に生じる再生サイクルの
間メモリー・システムにおける全てのモジュールのゲー
ト51は、面0および1に対するアドレス−バッファを
バッファ・インバータ78.79.80および81を介
してゲートすると共に、メモリー−モジュールの全ての
他の面(図示せず)に対するバッファ・インバータ(図
示せず)をゲートするため使用される信号ADRENB
AおよびM爪ハBBを生じる。
このように、行および列のアドレスはメモリーモジュー
ルによって同時に受取られ、順次メモリー要素のアドレ
ス入力ターミナルに対して接続されて、クロック信号と
独立的にあるモジュールのメモリー要素に対して最適と
なるよう計算された時間シーケンスで前記要素に対して
これらの信号を与える遅延回線を用いて要素に対してス
トローブされる。
アドレス信号およびRASおよびCAS信号に応答して
、メモリー要素は2つの69とット・ワードを出力する
。メモリー要素に対して与えられたアドレスおよび行お
よび列アドレス・ストローブ信号(RASおよびOAS
 )に応答して、メモリー要素はそれぞれそのアドレス
指定された場所から第5図に示される関連したラッチに
対して1ビツトを与える。偶数番目の面0.2.4およ
び6におけるメモリー要素の出力は、偶数ラッチ7に対
して接続されるが、奇数の面1.3.5および7におけ
るメモリー要素の出力は第5図の奇数出力ラッチ80入
力に接続される。両方の69ビツトワードはNANDゲ
ート82からの信号DOIJTLTCHによりラッチさ
れる。遅延要素50からの信号CASADRは通常論理
数0であり、これによりゲー、ト86が使用可能信号を
ゲート82に対して与れることを許容する。このように
、コントローラ26からのデータΦアウト・ストローブ
信号(DOtJ’l5TB)がインバータ59を通過し
てDフリップフロップ84に対し入力される時、次の信
号M EMCLKがフリップ70ツ184をして信号D
OUTSTBSVをゲート82の他の入力側に与えさせ
る。この信号はゲート82を通過して信号DOUTLT
CI−1を生じる。
列アドレス・ストローブ信号(CASADR)が強制状
態にある場合、ORゲート86はANDゲート82を使
用禁止状態にし、列アドレス・ストローブが終了するま
で信号DOIJTLTCHの生成を遅らせる、全てのメ
モリー要素からの出力信号のラッチに加えて、ラッチ7
および8もまた信号kl)DSEI、SV ’fラッチ
する。ラッチ8の出力がラッチ7の出力を可・能状態に
する信号の反転によって使用可能状態になるため、これ
らのラッチの1つの出力は常に使用可能状態にされる。
このように、一旦信号DOUTLTCHがラッチ7およ
び8の入力を使用可能状態にすると、ラッチ7および8
0入力における信号鯨)DSELSVがこのラッチの一
方の出力における信号0LDSELを生じる結果となる
。ゲート580入力における信号0LDSELはこのゲ
ートを可能状態にして、出力データがラッチされたこと
を表示する。このように、信号■ノUTSTB の受取
りと同時に、ANDゲート58はNORゲート56によ
って反転される信号を生じて、両方のANDゲート55
と61を使用可能状態にする。もし要求側が偶数のメモ
リー・ワードがラッチ7から読出されることを要求する
ならば、コントローラは信号DRVDOUT をゲート
61に対して送出し、この信号はD7リツプフロツプ5
6に送られることになる。次の信号MEMCLKにおい
て、フリップフロップ53が信号DDO3Vを生じる。
一方、もし奇数ワードが読出されると、コント占−22
6は信号DRvDOUT1ヲANDケート55ニ対シテ
与エル。
フリップ70ツブ54は、ゲート55の出力に応答して
、信号DRVDOUT1の挿入に続いて次の信号MEM
CLKにおいて信号DJJ1Svおよびその反転形態の
信号DDISVを生じる。第5図においては、もし奇数
ラッチ8が読出されるならば、DDI SVフリップフ
ロップ54が出力可能状態信号をラッチ8に対して与え
、ラッチ8の内容をバッファ嘩インバータ9の入力ター
ミナルに置く。バッファ・インバータ9は、信号MEM
O乃至MEM38の形態でメモリー・バスに対してラッ
チの内容を付勢する出力ドライバとして用いられる。も
し偶数信号がバッファ・インバータ9の入力ターミナル
に置かれるならば、フリップフロップ54からの信号D
IJI SVは0信号となり、これによりラッチ7の出
力な可能にする。信号DDISVまたはDDO8Vのい
ずれか一方が、信号DRI■■冗を生じて、バッファ・
インバータ9なしてメモリー・バス上にデータ信号を置
かせる。
メモリーの完全な書込み操作の間、信号DOtJTST
BDRvDO′UTOオよびDRVDOUTl ハコy
トo−523によって強制されない。その代り、信号A
DDRESS5TROBEおよびP邪C出冊北 に加え
て、コントローラ26は信号LOAD DATA IN
 ODDまたはLOADDATA IN EVENを提
供すル。信号LOAD DATAIN ODD (LD
DINl)および信号LOAD DATA INEVE
N (1,DI)INO)が7リツプフロツプ56に接
続される。次の信号MEMαXに応答して、フリップ7
 o ツブ56が信号DATA IN 15AVE (
DINISV)または信号DATA IN EVEN 
(DINO8V) ノイずれか一方を生じる。これらの
信号は遅延素子66および66に対して接続される。信
号DINISVに応答して、遅延素子66は信号W加D
Aおよび苗’IJDBを生じる。これらの両方の信号は
同時に生成され、従って相互の論理的に相当値である。
同様に、遅延素子66における信号DINO3Vが信号
WEEvAおよびWEEVBを生じる。
アドレス信号に加えて、コントローラはまたメモリー・
データ・バス18上にメモリー要素のある特定のモジュ
ールにおける特定の記憶場所の奇数側または偶数側のい
ずれかに書込まれる情報ワードを送出する。メモリ一番
データーバス18からのデータ信号がバッファ2を介し
てレジスタ85および86に対して接続される。レジス
タ85は、第2図のデータ・イン・レジスタ5を形成す
る如き略々同じレジスタ(4つは図示せず)の1つであ
る。レジスタ86は同様に、第2図のデータ・イノ・レ
ジスタ6を形成する5つの(4つは図示せス)レジスタ
の内の1つである。別のレジスタは、無論情報ワードの
残りの60ビットを保有するため必要である。第6図に
示されるように、信号DINO8Vがバッファ2からの
データ・ワードを直接メモリー要素のデータ入力ターミ
ナルに対してクロックする。レジスタ85の出力は偶数
のメモリー面0.2.4および乙に対して接続されるが
、レジスタ86の出力は信号DINI SVに応答して
奇数のメモリー面1.3.5および7に対して接続され
る。読出しサイクルの間の行の選択は、メモリーの書込
みサイクルの間正確に同じ方法で行なわれる。
(コントローラの説明) コントローラ28は、メモリー回路の制御のためにどの
CPUと共に使用されようともこれからの6ピツトの指
令入力を要求する。この6つのメモリー指令ビットMC
O、MCI 、MC2はメモリー・コントローラをして
7つの異なる制御機能を実施させ、また下記の事例に示
される如く空白の状態を生じる。即ち、 0 0 0 N(JOP(空白状態) 0 0 1 READDOUBLEWCJRDo 1 
0 READQIJADIIRDo 11 部ADI順
DIFY盟ITE1 0 0 WRITEQUADWガ
の1 0 1 WRITE DOUBLE WORDl
 1 0 WRITEWORD l 1 1 WRITEBYTE 第14図に示されるように、信号MCO,MCIおよび
MC2はインバータ増巾器c1により反転されて、信号
Men、MCIおよびMC2に変換される、第15図に
おける2回組のマルチプレクサc2は、その人力A1、
A2およびA5上で信号MCO、MCI 。
MC2を受取り、常時その出力ターミナルの3つにこれ
らの信号をとのカウンタの最上位ビットに対してプリセ
ットされる如き入力信号5ETCPA1 。
5ETCPA2および5ETC’PA3として与える。
もしこの装置の全てが適正に作動しつつある場合には、
カウンタC6に対する2つのカウント可能信号の各々が
論理数「1」となり、またカウンタC6はメモリー・コ
ントローラ・クロック(MCLIK)信号毎にその出力
を変更することになる。カウンタC6の出力即ち信号C
PA1〜CPA7およびREFRF、SHは2つのプロ
グラム可能読出し専用メモリー04およびC5に対して
接続される。
信号5ETCPAI、5ETCPA2.5ETCPA3
は信号RUNNING におけるレベル「0.」に応答
して並列にカウンタC6にロードされる。この信号RU
NNINGは、信号MCO、MCI 、 l1dC2の
受取りに先立って論理数「0」となる。加えて、読出し
または書込みサイクル毎にこれに続いてカウンタC6に
より生成される次の数はPRUMC5をして信号SET
ENDを出力させる数である。信号5TEENDは次の
パルスMCLKの受取りと同時に7リツプフロツプC6
によりラッチされて信号ENDを生じる。第15図のN
ANDゲートC7はその入力の1つと同時にメモリー・
サイクル間のハイの信号として信号ENDを受取る。N
ANDゲートC7の他の入力はNORゲー)C8の出力
に対して接続される。
常時論理数「1」の出力を生じる間、NORゲートC8
は信号CPAI、CPA2、CPA3または信号REF
RESHのどれかを受取ると直ちに論理数「0」出力を
生じる。
信号HI ENDは、メモリー読出し、書込みおよび再
生サイクルの開信号RUNNINGをローに維持する。
信号5ETCPAI、5BTCPA2.5ETCPA3
 または5ETIFがカウンタC6VCより受取られる
時ローの並列信号RIJNNINGはこれらの信号をし
てカウンタを選択されたメモリー・サイクルと対応する
カウントにプリセットすることを許容する。
同時に、カウンタ出力信号CPAI、CPA2、CPA
3お工びREFRESf(に応答してゲートC8が論理
数「0」を出力せず、NANDゲートC7を使用可能状
態にする。この時カウンタC6の出力は、もはや信号E
NDと対応せず、その結果PRIJM C5は出力信号
SET励のを論理数「0」に変化させる・次ノハルスM
CLKと同時に、フリップ70ツグC6は信号ENDを
論理数「0」に変更し、その結果NANDゲートC7か
らの信号RIJNNINGにハイのレベルを生じ、これ
によりANDNORゲートC9からのカウント可能人力
5TOPSTATEがハイの状態を維持することを条件
として入力カウンタc6の加算を許容する。
要約すれば、pnix cgからの出力5ETENDが
各メモリー・サイクルの終りに存在し、メモリーが不作
動状態にある期間中フリップフロップC6をして信号E
NDを生じさせる。この状態は更にNANDゲートC7
からの信号RLTNNINGに印」レベル信号を生じて
、メモリー要求が信号MC01MC1オヨヒMC2の1
つ以上においてレベル「0」の形態で受取られる時、マ
ルチブレフサc2からの信号5ETCPAI、5ETC
PA2.5ETC’PA3および5ETREFがカウン
タC6を1リセツトすることを許容する。この時、カウ
ンタC6は出力信号CAP1゜いP2 、 CAP3 
、 CAP4 、 C好5.C廿6.C2什7およびP
ROMC5からの信号5ETENDをして「0」のレベ
ルに変化させるREFRESHを提供する。P机)M 
C6における次のパルスMCLKは信号ENDを「0」
のレベル(変更してNANDゲー)C7を使用可能状態
にする。更に、信号CPAI 、CPA2 、CPA3
 、 BEF川$用の少なくとも1つのがこの時「1」
のレベルにあり、これによりNORゲートC8をして「
0」の信号を出力させる。NANDゲートC7からの信
号RUNNINGは、この時論理数「1」に変化して、
カウンタC6が信号5ETCPAI 、 8BTCPA
2 、5ETCPA3およびSET川η用よりプリセッ
トされた数から順方向にカウントを開始することを許容
する。
メモリー〇サイクルの最初の命令は、PR(JMC4か
らの信号SET M)D肚SS ST韻BE (SET
AS冊)を含んでいろ。フリップフロップC14(第1
4図)は、信号5ETASTRHをラッチシ、DRIV
EADD肚888TR()BE (D既AST即)信号
を生じる。
どんなメモリー要求信号MCO,MC1,MC2でもこ
れを受取ると同時に、AND/NORゲートC12は、
メモリーが再生操作状態にないことを前提として、イン
バータC13により反転されてアドレス・ストローブ信
号(ASTRB)を生じるアドレス・ストローブ反転信
号ASTRBとして論理数「0」レベルを生じる。この
ような操作の間、信号R,EFRE出は論理数r[lJ
となり、これにより信号MCO。
MC1,MC2を受取るAND4NORゲートC12の
各部分が信号ASTRBを生じる′ことを禁止する。フ
リップフロップC11からの信号DRVASTRBはA
NDNORゲートC12の入力側に接続され、信号部1
部SHおよびMCO,MCIおよびMC2の状態とは独
立的に信号ASTRB を生じる。信号ASTRBはド
ライバC14と接続され、これによりメモリー・モジュ
ールのインバ]り66と接続される信号ADDREss
 5TROBE (ADR8TB)を生じる。
A N D / N O,RゲートC12からの信号A
s’貫迅( は、その入力の1つとしてAN D/N ORゲートC
15に対して送られや。このゲートの別の入力側には、
信号ADD肚SS ST沁JBE 5AVfΦ(AS’
l侶■)が接続されている。この信号は、ラッチ011
0入力側におけるゲートC12からの信号ASTRBの
受取りに続いて次の信号MCLKに応答してラッチC1
1の出力側に生成される。最初に、信号ASTRBSV
 ハ論理arOJ−’C−あるが、信号ASTRBは論
理数「1」の状態にある。信号MCJO,MCIおよび
MC2の1つ以上の受取りと同時に、ゲートC12は信
号ASTRB を論理数「0」に変化さするが、この変
更に応答して信号ASTRBSVは次のパルスMCLK
のラッチC11Vcよる受取りに続いて論理数「1」に
変更する。このような変換中、ゲートC15の入力AS
TRBSVおよびAsTRBハ決して同時に論理数「1
」とならない。このように、このゲートの出力は論理数
「1」の状態にセットされた状態を維持する。前述の如
く、信号MCO。
MCI およびMC2はまた、PRIM C4をして信
号5ETASTRHを生じさせ、かつ更にフリップフロ
ップC11をして次のパルスMCLIKの後ニ信号DR
VASTRBを生じさせて、これにより信号MCO。
MCIおよびMC2が終了した後信号ASTRBを生じ
続けるようにゲートC12を強制する。メモリー要求信
号MCO,MC1,MC2により指令されるほとんどの
メモリー・サイクルの間、PRLM C4からの信号5
ETASTRB 、および従ってゲートC11からの信
号ASTRBは論理状態を数回変更させることになる。
信号ASTRBが論理数「0」から論理数「1」に変更
する時、ゲートC15の出力は論理数「0」に変化する
。ゲー)C15の出力に応答して、フリップフロップC
10はメモリー・モジュールに対する信号PREC徂U
をドライバC14を介して信号P用℃■儂の形態で与え
る。
信号PRECHRGはまた、フリップフロラ1C11に
対しても接続される。信号PRECHRGの生成に続(
次の信号Min’I、にと同時に、フリップフロッグC
11は信号PRECHRGSVを論理数「0」として生
成するのである。
信号PRECHRGおよびPRECHRGSV ハ、A
NIJ /NORゲートC15の別の入力ターミナルに
接続されている。最初に、信号PRECHRGSVが論
理数「1」であり、信号2部CHRGは論理数「0」で
ある。11号MCLKと同時に、信号ASTRBおよび
ASTRBSVが論理数「1」の状態に達した後、信号
PRECHRGが生成される。この信号は、信号P川>
cmsvの最初の論理数「1」の状態と組合されて、次
に続く信号MCLKを経てゲート15の論理数「0」出
力を維持するが、これと同時に7リツプフロツ1は信号
P川CCHRGSVを論理数「0」の状態に変化させる
。ゲー)C10は、信号PRBCHRGcvの論理数「
0」への変化に続いて信号MCLKと同時に、信号PR
ECHRGを論理数「0」に変化させ、これにより信号
P用ECHRG+!l−少なくとも2つのMCLK期間
だけ維持することを保証する。
(読出しサイクル) 信号ADR8TBおよびPRECHRGがメモリーに対
して送出された後、信号DOUTSTB、mtrrot
’=tよびDOUTIが下記の如く生成される。カウン
タC6のプリセット出力が与えられる時、PROMC4
の出力は信号5ETDOUTを生じる。信号5ETDO
UTがフリップフロップC6の入力側に接続され、次の
パルスMCLIKと同時に、このフリップフロップは信
号面面を生じる。フリップフロップC6からの信号面面
およびインバータC13からの信号ASTRBは、第1
6図に示されるようにANDゲートC21に対して接続
される。フリップフロップC22はANDゲートC21
の出力を受取り、次に続くパルスMCLKの後、信号D
RVMEMを出力してメモリー・バス・ドライバC23
を使用禁止状態にする。
ドライバC14はPROMC11からの信号DRVAS
TRBを反転して、メモリーに対して信号DOtJTS
TBを与える。
フリップフロップC6からの信号DOUTはまたゲート
信号として反転された入力ANDゲートC17とC18
に対して送られる。ANDゲート018は排他的ORゲ
ート19からアドレス・ピッ) PA30SVの1つの
ラッチされたバージョンを受取るが、ゲートC17は排
他的ORゲートC20を介して前記アドレスψビットD
A30SVの反転バージョンを受取る。このように、信
号DUUTOおよヒDO1JT1は一般にアドレス・ビ
ットPA60によつて選択される。信号DOUTOおよ
びDOIJTlの選択と同時にアドレス・ピッ) PA
IDの作用が反転される場合、信号INV30が用いら
れる。第14図に示されるように、INV30はORゲ
ートC19およびC20に対して共に接続される。信号
INV30は信号5ETINV30 ノPROM C4
からの受取りに続く次の信号MCLKに応答してフリッ
プフロップc6によって生成される。
信号DOUTOおよびD[JUT 1はドライバ/イン
バータC14により大きさが増輻されかつ反転されて信
号DRVDOUTOおよびDRVIXJIJTl (D
RIVE DATAOUT EVENおよびODD )
を形成する。これらの信号は、39ビツト・ワードが読
出しサイクルの間メモリーから読出される面を選択する
メモリー〇モジュールから読出された情報はインバータ
・ドライバC41に対するデータ・バス18上のコント
ローラに対して送られるが、このドライバの出力は62
の信号MEMO乃至MEM31を形成する。これらの信
号は、信号LTCHMEM に応答してラッチC40に
よってラッチされる。
アドレス・ビットPA30は、62ビツト・ワードがメ
モリーからアクセスされて2つの62ビツト・ワードの
どちらが最初に読出されるかを判定する読出し操作の間
に使用される。16ビツト・ワードが読出される時、信
号PA31は読出されるべき16ビツト・ワード部分の
シーケンスの制御に使用される。信号PA30 SV 
、 PA30 SVおよびSA31S■はフリップフロ
ッグCI6によって与えられる。7リツプフロツグC1
6はまた、バイト読出し操作中に信号BYTESELS
V (バイト選択保管)を提供すル。信号PA30 S
V 、PA、50 SVは、フリップフロッグC16の
入力側の信号P、80に応答して生成される。ゲートさ
れたバッファC24は、第1図のコンピュータ・システ
ムのアドレス・バスからの信号5A30を7リツプ70
ツブCI6に対してメモリー・アドレス信号PA30と
して送る。
バッファC24は、メモリーの再生モードの間、信号P
A30を送ることを禁止されるに過ぎない。
信号5A31はコンピュータ・システムのアドレスバス
から直接フリップフロッグC16に対して接続される。
フリップフロップCI6はフリップフロップ011から
の信号ASTRBSV によりクロックされる。
バイトの選択は、第18図に示されるように1対4デ:
7−ダC25およびC26、NANDゲートC27およ
びC28、およびNORゲートC29、C30、C31
、C52によって行なわれる。デコーダC25は、対を
な丁バイト選択信号を生成することによりメモリーに書
込まれるべきバイトを一時に2つずつ選択することを可
能にする、もしCPA3がその「0」のレベルにありグ
ー)C28が使用可能状態にあるならば、デコーダC2
5の入力側における信号SA31 SVの状態が、信号
BYTEAおよびBYTgBがゲートc29およびc3
oにより生成されるか、あるいは信号BYTECおよび
BηIDがゲートC31およびC52により生成される
かを判定する。一方、もし信号CPA3が論理数「1」
であれば、対をなすバイトの選択は行なわれない。
単一のバイト選択は、信号5A31SVオヨびBYT′
EsEli3vの組合せを用いてゲートC29、C30
,C61およびC32の1つを使用可能状態にするデコ
ーダC26によって行なわれる。REF’RESHモー
ドにおいては、ゲートc27とC28の双方が信号RE
FRESHによって使用禁止状態にさせられて、バイト
の選択は行なわれない。更に、1つのバイト選択を行な
すためには、信号CPAI およびCPA2が存在して
「ワードの書込み」または「バイトの書込み」サイクル
を表示しなければならない。メモリーへの情報の書込み
の間、信号REFRESHは通常論理数「1」となり、
これにより両方のゲートC27およびC28を使用可能
状態にする。もし所要の情報アクセスφモードがバイト
書込みではなくワード書込みである場合、信号CPA2
およびCPAIの一方もしくは両方が論理数rOJとな
る。この場合、グー)C28は論理数「1」を出力し、
ゲートC27は全てのゲートc29、C30、C31お
よびC31を包括してそれらの各々の出力BYTEA 
%BYTEB 、 BYTECオj、 ヒBYTED 
?:提供する。
このように、メモリーが始動され、適当な時点において
、適当な信号DRVEIXJUTが生成されてメモリー
をして選択されたデータをデータ・バス18に対して出
力させる。このデータは、第20図のインバータ/バッ
ファC41を介してコントローラ28に入り、信号が有
効であれば、信号LATCH■彌ORY DATA B
US (LTα閏先)に応答してラッチC40によって
ラッチされる。
有効信号が存在するものとすれば、メモリー・データ・
パス1MFMO乃至置版31 からのラッチされた信号
がラッチC409により排他的ORゲート082に対し
て与えられる。このORゲートC82は、メモリーから
受取った信号証面 乃至MEM31におけるエラーを補
正する目的のためにある、このようなエラーが存在しな
いという前提にあるため、排他的ORゲートは単に信号
rnm。
乃至IMEM31を反転させて信号CMOO乃至CM3
1(補正メモリー〇〇乃至補正メモリー61)を形成す
る。
信号CMOD乃至Gd31はこの時第19図の非反転6
状態ドライバC43によって付勢されて信号SDOO乃
至5D31 (システム・データ00乃至システム・デ
ータ61)を形成し、システム・データ・バス上を情報
を要求するコンピュータに対して送られる。
(ハリティ生成およびエラーの検査) 書込みサイクルの間、コンピュータのCPUの如き要求
側からの情報信号はシステム・データ信号SDOO〜5
D31 としてシステムのデータ・バスにおけるラッチ
C65の入力側に入る。ラッチC65からは、出力信号
LSDOトLSD31がマルチプレクサC34、C35
、C66およびC37の入力側に送られる。完全ワード
の書込みの間、信号BYTEA、 BYTEB、BYT
ECおよびBYTEDは全て論理数「1」であり、マル
チプレクサC34,C35、C66およびC37は出力
信号■JXOO〜■JX31の形態の信号LSDOO〜
LSD51’&システム・データ嗜バス・ドライバC2
3に対して送る。ドライバ・メモリー信号DRVMEM
 vC応答して、ドライバC23は32ピット鍵ワード
を信号MEMo o〜MEM51 の形態でメモリー・
バスに対して送る。
62ビツト争ワードもまた、バッファ・インバータC4
1’&介してパリティ・ゼネレータC82に対して送ら
れて、ドライバ・メモリー信号(DRVMEM)に応答
してドライバC38を経て信号バスに対して送られる。
書込みモードにおいてはシステムが診断モードになくま
たNANDゲートC39に対する他の入力における信号
DIAGVJDEが論理数「1」であるため、この時信
号DRV1aは常時NANDゲートC59を通過する。
補正信号CBITO1−CBITO6(補正ビット)の
形態のドライバ038からの出力信号はメモリー ++
データ・バス18のパリティ・ロジック部分を経てメモ
リーへ送られ、ここで対応するメモリー〇ワードと共に
格納される。
情報が通過する要求側により要求されかつコントローラ
28によって補正される「読出し」サイクルの間、ラッ
チC22からの信号DR■別は、メモリーが62情報ピ
ツトおよび7バリテイeビツトからなるその格納された
69ビツト・ワードをコントローラに対して送出しつつ
ある期間中は存在しない。パリティ・ビットCBITO
乃至CB工T6はNORゲートC82の入力ターミナル
において受取られる。インバータC41の入力側の信号
DRVMEMはこの時論理数「0」であり、その結果N
ANDゲー)グー2は信号CBITO−CBIT6 ’
v通過させ反転させて信号CO〜C6を形成する。パリ
ティ・ゼネレータC82は62ビツト情報ワ一ドMEM
原ト■■31および7ビツト・パリティ信号CO〜C6
を受取り、補正ビットSO〜S6を生成する。NORゲ
ートC42は信号SO〜S6を受取り、エラー信号El
を生じる。
NANDゲートC42からの信号ERRは、以下に述べ
るシステムによる読出しサイクルにおける適当な時期に
生成される信号TESTDATAと共に、AND/NO
RゲートC44の入力側に接続される。信号TESTD
ATAおよびERRが同時に生じると、AND/NOR
ゲートC44が設定補正可能信号5ETCORRFI4
Bを生じさせられる。
ラッチC45信号5ETCO)LRENBを受取り、次
のパルスMCIXの受取りと同時に、補正可能1g号C
O川用NBおよびC0RRENBを生じる。ラッチ45
からの信号COMLEFIB は、AND/NORゲー
トC44の入力に接続され、通常論理数11」レベルに
ある信号FNDCORRECT2 (ENDCORR2
)と共に、信号ElおよびTESTDATAが終了した
後、第20図のAND/NORゲートC44をして信号
5ETCORRハBを生じ続けさせる。ラッチC45か
らの信号C0RR,ENBはラッチC45の第2の入力
に接続され、信号C0RRENBの発生に続いて次のパ
ルスMCLKにおいて信号ENIXコ0RR1およびE
NDCOllを生じる。NANDゲートC46はラッチ
C45からの信号ENDCO)1.R1およびαJ′R
RBNBを受取り、ラッチC6の入力側に信号5ETE
C2’&生じる。信号5ETEC2に続く次のパルスM
CLKの受取りと同時に、ラッチC6はゲートC44か
らの信号5ETCORRE2’i4Hの状態を反転する
信号ENDCORR2を生じる。信号SETCC)l(
REMBが状態のラッチC45を反転した後の1つのパ
ルスMC”LKは信号C0RRE■を終了させる。この
ため信号CORMMBは6つのパルスMCLIKの間維
持するのである。
一般に、信号LTCHMEMは読出しメモリー・サイク
ルの終りもしくはその付近にフリップ70ツブC82に
より生成され、第17図のラッチC47をして信号80
−86から信号sos■郷6SVを生じさセル。PRO
MC48ハ信号5O8v−86SVヲ受取り、これを補
正:’ −)” CC0−CC4および信号MUI、T
EI(多重エラー)および5DERI((単一の検出エ
ラー)に変換する。PR(JM048からの信号5DE
RI(およびラッチC45からの信号C0BJ化NB 
はNANDゲート49において信号C0RRECTに組
合わされろ。
デコーダC50はゲート信号として信号CORRgCT
および情報信号として信号CCO〜CC4’&受取り、
その出力信号CROO乃至CR31の一方をその通常論
理数「1」から検出されたエラーと対応する調理数「0
」に変換する。
排他的ORゲートC82は信号CRO0−CR31Y受
取り、ラッチされたメモリー信号LMFM00〜LME
M31を補正して補正されたメモリー・ワードCMOO
−0M51を形成する。排他的ORゲート Cとしてド
ライバC43′?:経てシステム・データ・バスに至り
、要求側に送られる。
(信号nVAI TJの生成(第16図))信号WAI
Tは、全ての読出しサイクルおよびカッド・ワード読出
しサイクルの間フリップフロップC56により生成され
て、要求側に対してシステム・データ・バスが信号WA
ITを強制するコントローラに対して留保されることを
表示する。
AND/NORゲートC51は信号MC01MClおよ
びMC2を受取り、読出しサイクルまたはカッドワード
書込みサイクルを表示する゛ものを除いて要求側のMC
01MClおよびMC2コードの全ての組合せの受取り
と同時にNANDゲートグー2に対する禁止信号を生成
する。NANDゲートグー2はまたNORゲートC56
からインバータC’54を介して信号ANYMCを受取
る。信号、品■Cは、コントローラにより受取られる要
求側のコードMCCl、MCIおよびMC2のどれかに
応答してNORゲートC53によって生成される。これ
もまたNANDゲートにより受取られる信号RUNNI
NGは通常論理数「1」のレベルにあり、従ってゲート
C52はその信号をORゲートC55を経てJ−にフリ
ップフロップC56に送り、これによりフリップフロッ
プを次の信号MEMCLKにセットする。前述の如く、
信号RUNNINGI工信号MCO乃至MC2のいずれ
かが要求側からのコントローラにより受取られた後、N
ORゲートC8およびNANDゲートC57によって1
つのMCLKパルスずつ生成される。
従ッテ、信号ANYMCの生成に続(1つのパルスMC
LK毎に、信号RIJNNINGが論理数「0」に変化
し、NANDゲートC52を使用禁止状態にする。
信号MEMC’LKはJ−にフリップフロップC56を
トリガーして、信号RIJNNINGがNANDゲート
C52を使用禁止状態にして7リツプフロツプC56の
J入力側から論理数「1」レベルを取出す前に信号WA
ITを生じるが、これは7リツプフロツプC56が要求
側から直接信号■彊αKを受取り、信号MEMCI、K
に続(伝播遅延の後しか信号RUNNIN[有]−生成
されず、また信号RIJNNINGが生じるNORゲー
トC8およびNANDゲートC57における吏なる遅延
の後でしか信号CPAI〜CPA3が生成されないため
である。NORゲートC55に対−fる第2の入力信号
、即ちSET DRIVE SYSTEMDATA (
SETDRVSD)を、用いて検査サイクルの開信号W
AITを生成する。□ フリップ70ツブC56は4つの異なる条件のいずれか
の下でリセットされる。最も一般的な条件は、検査サイ
クルの間エラーが検出されないことである。この条件下
においては、第14図の7リツプフロツブC10からの
論理数「0」信号η五斤およびNORゲートC42から
の信号ERRは反転されてNORゲートC59とC60
に送られ、これによりANDゲートC61が論理数「1
」信号をフリップフロップC56のに入力側に対して与
えることを可能にする。もしエラーが検出されて補正さ
れつつある場合、NANDゲートC46からの第15図
の信号5ETEC2はNORゲートC62、C59、お
よびC60およびANDゲートC61を経由して、次の
パルスMEMcLKと同時にフリップフロップC56を
リセットする、カッド−ワード書込み操作の間、フリッ
プフロップC45からの信号1.DDIN もまた、こ
のような操作においてメモリーにセットされ1こ2つの
ワードの伝達間にNANDゲートC62、C59および
C60、およびANDゲートC61を経てJ−にフリッ
プ70ツブC56をリセットする。
最後に、コントローラが存在しないメモリー・モジュー
ルをアドレス指定した故にもし読出しサイクルまたは再
生サイクルの間に検査が無効となる場合には、ラッチC
10からの信号TESTおよびNANDゲートC68か
らの信号VALIDTESTがNANDゲートC63、
C’61およびNORゲートC59、C60およびC6
2を通過してフリップ70ツブC56をリセットする。
(書込みサイク/I/) 書込みサイクルは、MCコードが10進数4.5.6.
7の相等2進数と対応する書込み指令で開始する。書込
みが介在するある別のサイクルは数3の相等MCコード
で表示されるサイクルであり、「読出し、修正、書込み
」と呼ばれる。
同時に、システム−アドレス・バスは、第19図のドラ
イバC24に対して26ビツトのシステム・アドレスS
A8〜5A30を送出する。もしコントローラが「再生
」モード以外のモードにある場合、ドライバC24はO
Rゲグー−C654およびインバータ84からの信号D
RVSA K応答して物理的アドレス信号PAO8乃至
PA30の形態におけるアドレスを通過させる。
カウンタC6からの信号REFBF、8B およびフリ
ップフロップC85からの信号REFADRが存在しな
い状態に応答してORゲートC56により信号DRVS
Aが生成される。信号REFADRは、インバータ87
からの信号MCLKを使用する単なる信号REFRES
Hのタロツク・バージョンに過キナい。
コードM:0乃至MC’2がコントローラにより受取ら
れた直後に、AND/NORゲートCI2はドライバC
14により信号ADR8TBに変換される信号ASTR
Bを生じる。信号ADR8TBはメモリーにより送出さ
れ、信号ADRLTCH’に生成時にラッチ30により
使用されるようインバータ66によって受取られる。メ
モリーのNOR/ANDゲート29は、信号ADR8T
Bを信号5ETRAS K変換丁ル。メモリーのラッチ
61は、信号5ETRASを信号部・Sに変換する。も
しメモリー・モジュールの識別属性が物理的アドレス信
号PA8〜PS14と対応するならば、モジュール選択
ロジック1がマルチプレクサ66に対して信号線JDS
ELを提供し、これが更にマルチプレクサからの信号M
ODSELLTCI(’&生じることになる。
マルチプレクサ36からの信号M(JDSELLTCH
およびロジック61からの信号RASは、NAt’lD
ゲート67からの信号ANYRAS ′?:生じる。
NANDゲートC66はAND/NORゲートC12か
ら信号ASTRB、およびラッチC11から信号AST
RBSV を受取る。NANDゲートC22の出力に応
答して、J−にフリップ70ツブC67は、次のパルス
MCLKの受取りと同時に信号NoMEMを生じ、これ
によりNANDゲートC68を使用禁止状態にする。J
−に71JツブフロツプC67はリセットされ、NAN
DゲートC62に対する使用禁止入力はインバータC6
9を経てJ−にフリップフロップC7により受取られた
信号NQYRi協に応答して取出される。
(信号rBUSY1jの生成) 信号MCの受取りと同時に、NANDゲートC56は、
N(JRゲグーC70により反転されJKフリップフロ
ップC71に対して与えられる信号ANYMCを生成す
る。JK7リツプ70ツブC71は、信号ANYMC’
の受取りの後次の信号MEMCLKに応答して信号BU
SYFを生成する。信号MEMCLKに続く次の信号M
CLKは、カウンタC6をして信号CPAI、CPA2
、CPA3 ft生じ、これら信号ハNORゲートC8
およびNANDゲートグー57を介して信号RIJNN
INGを生じ、これによりANDゲーグー72を使用禁
止状態にしてフリップフロップC71が信号BUSYF
を遮断することを阻止する。信号BUSYF はインバ
ータC75により信号BUSY1に変換されて、CPU
の如き要求側に対してメモリー・モジュールがコントロ
ーラにより活動状態に係合されたことな表示する。
(データのメモリーへの格納) 信号MCおよびシステム・アドレスの送出に続く短い遅
れの後、要求側が格納すべきワードを信号DSOO乃至
DS31の形態でシステム嗜データ・バスのコントロー
ラに対して送出する。
信号MCが要求側からコントローラによって受取られた
1つのパルスMCLKの後、第14図のラッチC11か
らノ信号ASTRABSVが第21図のNANDゲート
グー4を通過し、ラッチC74に次のパルスMEMCL
Kにおいて信号1.TCH8Dを生じる準備をさせる。
各サイクルのこの早い部分において、信号HOLDは論
理数「1」となり、これによりNANDゲートグー4を
使用可能状態にする。
信号HOLDは、QUADWoRDvl/R■TEサイ
クルまたはREAD/鯨ノDIF’l/■ITEサイク
ルの中間においてへANDゲーグー74を使用可能状態
にするのみである。
ラッチC75からの信号LTC’H8DはラッチC55
から入力可能信号を取出し、これによりシステムのデー
タ・バスにおける信号がこのラッチの出力信号LSDO
O乃至LSI)31 Kこれ以上形#を与えないように
する。
第18図0) マ/l/チプVクサc 34、C35、
C36、C37はそのrBJ入力ターミナルにおいてラ
ッチされたシステム・データ(LSDOO乃至LSD3
1)信号を受取る。これらのマルチプレクサに対するf
BJ人力選択信号はB頁動り、 BYTEB。
BYTEC,BYTEDである。もしコントローラがそ
の再生サイクルになく、書込みワードまたは書込みバイ
ト・ノードのいずれでもない場合、NANDゲートC2
8からの論理数「1」信号は通過し、可能状態のNAN
DゲートC27により反転させられ、これにより4つの
全てのNORゲートC29、C30、(11およびC3
2をして信号BYTEA、HYTEB、BYTEC,B
YTBDを生成させる。これら4つの信号に応答して、
全てのマルチプレクサC64、C55、C36およびC
37はそのfBJ入力に切換わり、ラッチされたシステ
ム・データ信号LSDOO乃至1,5D301にマルチ
プレクサ信号MUXOOおよび■JX31として第16
図のメモリーバス−ドライバC23に対して送る。AN
LINORゲートC29ッチC6から信号DOUT (
ドライブ・アウト)を受取り、インバータC13がらの
信号ASTRB はANDNOゲートC29てラッチC
22が信号DRVMEMを生じるようにセットさせる。
信号DRVMEM ハ、信号MUXOO乃至■JX31
 ’a?メモリー・バス18上に信号鼎00乃至MF、
Mろ1として通過させる。
この「書込み」モードにおいては、NAへDゲ−4c2
7を使用禁止状態にでる間デコーダC25およびC26
を使用可能状態[fる論理数「0」の出力’!−NAN
DゲートC28が生じる。
このモードにおいては、信号CPA3が論理数「0」で
あり、ラッチC16からの信号SA31 SVの論理状
鯛が、対をな丁信号BYTEスとBYTEBまたはBY
TECとBYTEDのどれがNORゲートC29とC3
0またはC31とC32により与えられるかを判定する
「バイト書込み」モードにおいては信号CPA3が論理
数「1」となり、その結果、デコーダC25がその遮断
されたターミナル2.31Cのみ出力信号を生じること
ができるが、NORゲートC29、C30、C31およ
びC32の出力に影響な及ぼ丁ことはできない。このモ
ードにおいては、ラッチC16からの信号5A313V
および信号B買ESELSVの異なる各々の組合せが、
デコーダC26’&して前記出力信号の異なる1つを選
択させ、これによりNORゲートC29、C30、C3
1およびC62の異なる1つをして信号BYTEA、 
BYTEB、BYTECオよびBYTgDの1つを生成
させて、ラッチされたシステム・データ・バスLSDO
O〜LSI)3108ビツトのどの組がマルチプレクサ
C34、C65、C36およびC37およびドライバC
23を介してメモリー・バスに対して信号MEMOO〜
MBM31として送られるかを選択する。
書込みサイクルおよび読出しサイクルの双方において情
報がアドレス指定されたメモリー−モジュールからメモ
リー・データ書バス18に対して読出されるため、1つ
の記憶場所における62ビツトの情報ワードは完全に二
重ワード書込みサイクルにおいて置換されるか、あるい
は部分的にあるワード書込みサイクルまたはあるバイト
書込みサイクルにおいて置換される。部分ワード書込み
サイクルは、フリップ70ツブC83からの信号1、T
CHMEMに応答する選択されたメモリー・モジュール
に記憶され1こ情報のラッチC40に対する読込みを含
んでいる。メモリー・データ・バス18からのこの62
ビツトのメモリー・ワードMEMOO〜MEM31はイ
ンバータC41により反転され、・信号MEMOO〜胤
犯1の形態でラッチC40に対して与えられる。ラッチ
C40のラッチ動作はどの読出しサイクルの間でも生じ
る。信号仏眼(社)0〜仏aε0は、これがデコーダC
50の出力CROO〜Q巳1により補正される排他的O
RゲートC82に送られ、また補正されたメモリー信号
CMOO−CM51としてマルチプレクサC64、C3
5,036およびC37に対して送られる。信号BYT
EA 。
BYTEB、 BYTECおよびBYTEIJ (1)
 状態に従って、これらマルチプレクサの出力■JXO
O〜MUX51の出力は、元のワードにおけるビットに
対してItI!にされたシステム・データ・バスからの
8以上のビットと共にメモリー・モジュールから最初に
読出されたワードとなる。次にマルチプレクサの内容は
、インバータ/ドライバC23を経てメモリー・データ
・バス18に対して送られる。
第20図のフリップフロツノ028は、第1図の7リツ
プフロツプC10からANDゲートC88を介して信号
TEs′lICよりセットされ、第15図の04からの
信号5ETLIJDIN、第20図のAND/NORゲ
ートC44からの信号5ETCO皿ムBおよび第14図
のフリップフロップC10の全てがもはや強制されない
時、ORグー)C89からの零出力によってリセットさ
れる。
信号TESTは、実際には読出し/修正/書込みサイク
ルである部分書込みサイクルを含む各読出しサイクルの
6番目のクロック・パルスと同時に強制される第15図
(7) Pl’L)MC5カらの信号5ETTESTN
I応答5ITEフリツプフロツグC10により生成され
る。
どれかの書込みサイクルの間、信号MCl0は論理数「
1」となる。信号MCOはJ−’にフリップフロッグ0
76をセットして信号M、 CDに続(次の信号MCL
Kにおいて信号WRTENBを生じる、どれかの読出し
メモリ−0モードにおいて、信号MCOが論理数「0」
となり、これにまりへANDゲーグー77を可能状態に
してその2番目の入力における信号ANYMC&フリッ
プフロップC76のrKJ入力に対して送り、フリップ
フロップをリセットする。この状態が信号WRTENB
を終了させる。
8号5ETLDDIN (ロード・データ・インのセッ
ト)がFROMC4によって生成され、第15図のN’
A N DゲートC78の入力に対して接続される。
NANDゲートグー8は、NANDゲートグーの2番目
の入力に対する出カケ与え、その入力として信号WRT
ENBおよび5TOPSTATEを有する゛。信号5T
OPSTATEは通常論理数「1」レベルであり、その
結果信号W’RTENB ハN A N DゲートC7
8とC79を経てラッチC45をして信号LDIJIN
(データ・インのロード)を生じさせる。
第14図のN A、N DゲートC80、C81の入力
は共に信号]、DDINK接続される。排他的(JRゲ
グーC19はNANDゲートC81に対して2番目の入
力を提供し、その入力として物理的アドレスPA30お
よびINV30 のラッチされたバージョンである信号
PA30 SVを有する。排他的ORゲート20は、N
ANDゲート80に対して2番目の入力を提供し、その
入力として信号INV30およびPA30 SVを有す
る。通常、信号INV30は論理数「0」であり、その
結果、もし信号PA30SYが論理数「0」であれば信
号PA30SVは論理数「1」となり、これによりNA
NDグー)C80’&して信号LDDINOを生じさせ
る。
同様に、もし信号PA50SVが@理数「1」であれば
、信号PA30 SVは論理数「0」となり、これによ
りNANDゲート81をして信号LDDINIを生じさ
せる。
もし信号INV50が論理数「1」であれば、NAND
ゲート80および81における信号PS30SVの作用
は反転される。信号INV30は2番目のワードの曹込
み中カッド・ワードの書込みサイクルの間に使用される
次に、PRCkMC5は信号SETハDをラッチC6に
対して出力する。信号ENDは、次のMCLIKパルス
に続(信号5ETENDに応答してラッチにより生成さ
れる。
NANDゲートグーは信号ENI)を受取り、この信号
に応答して信号RIJNへINGを終了させ、これによ
りカラ/りC6を停止させる。
再生サイクルの間、ORゲートC5Bは信号MENiC
I、Kを反転して、それ自体インバータ87により反転
されて信号MCLKを生じる信号MCLKY生成する。
信号MCLKはフリップ70ツブC85をクロックして
信号REF’RES)lを信号REFAI)Rに変換し
、これは信号REFRESHと共にNORゲート90に
対して与えられて、再生アドレス・カウンタC89をO
Nにする再生アドレス付勢信号DRVREFAン生じる
。カウンタC89は通常2進数カウノタであり、これは
信号DRVREFAおよびパルスMCLJ(に応答して
メモリー〇アドレス・バス19に対して全ての可能な6
2ビツトeアドレスを生成するのである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるメモリーモジュールの使用が可能
なコンピュータ、メモリm−コントローラおよびシステ
ムのメモリー・モジュールの間の信号の流れを示すブロ
ック図、第2図はあるメモリ−モジュールな示すブロッ
ク図、第6図は第2図のメモリ下・モジュールの一部を
示す概略図、第4図は第2図のメモリー・モジュールの
一部な示す概略図、第5図は第2図のメモリー−モジュ
ールの一部を示す概略図、第6図は第2−のメモリー・
モジュールの一部を示す概略図、第7因は第2図のメモ
リー−モジュールの一部を示す概略図、第8図は第2図
のメモリー・モジュールの一部を示す概略図、第9図は
第2図のメモリーモジュールの一部を示す概略図、第1
0図は第2図のメモリm−モジュールの一部を示す概略
図、第11図は第2図のメモリー−モジュールの一部を
示す概略図、第12図は第2図のメモリm−モジュール
の一部を示す概略図、第16図は第2図のメモリー・モ
ジュールの一部を示す概略南、第14図はメモリー・コ
ントローラの一部を示j概略図、第15図はメモリー・
コントローラの一部を示す概略図、第16図はメモリー
・コントローラの一部ケ示す概略図、第17図はメモリ
ー・コントローラの一部な示す概略図、第18図はメモ
リー・コントローラの一部を示す概略図、第19図はメ
モリーコントローラの一部を示j概略図、第20図はメ
モリー・コントローラの一部を示す概略図、および第2
1図はメモリー・コントローラの一部を示す概略図。 1・・・コノパレータ、2・・・入力バッファ、3−・
・アドレス・ラッチ、4・・・アドレス・マルチプレク
サ、5.6・・・データ・インルジスタ、7.8・・・
データ出力ラッチ、9・・・バッファ・インバータ、1
0−・・制御レジスタ、11・・・遅延回線、12・・
・遅延回線、16〜15・・・アレー・ドライバ、16
.17・・・メモリー・アレー、18・・・メモリー・
データ・バス、19・・・アドレス・バス、20・・・
面選択ロジツク、21・・・MSLバス、22・・・P
SLバス、26・・・メモリー・コントローラ、24・
・・メモリープリチャージ・ロジック、25〜27・・
・排他的ORゲート、28・・・コントローラ、29・
・・OR/ANDゲート、60・・・Dフリップ70ツ
ブ、61・・・フリップフロップ、62・・・ORゲー
ト・アレー、66〜65・・・(7バータ、36・・・
マルチプレクサ、67・・・Dフリップフロップ、68
・・・デコーダ、69・・・バッファANDゲート、4
0・・・ORゲート、41・・・デコーダ、46〜46
・・・ラッチ、47.48・・・マルチプレクサ、50
・・・遅延回線、51・・・ゲート、52・・・AND
ゲート・バッファ、56・・・D7リツプフロツプ、5
4・・・フリップフロップ、55゜58、<So、61
・ ANDゲート、56−f”;jORゲート、57・
・・ゲート、63.66・・・遅延素子、67・・・A
NDゲート、68・・・インバータ、69・・・NOR
ゲート、70・・・インバータ、72〜82・・・バッ
ファ・インバータ、82・・・NANL)ゲート、86
・・・ゲート、84・・・Dフリップフロラフ”、85
゜86・・・レジスタ。 手続補正書(方式) 1.事件の表示 昭和ろ°と年q々ン韮願第2/lI−り3ユ号ワ11v
1七?−/1溪究長づt ろ、補正をする者 事件との関係 出 願 人 住所 % =r蓋 ブ゛−7−7−i゛7+−ウ1しへ つ−
ヂレーシコ/4、代理人

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、システム・データ・バスと、システム・アドレス−
    バスと、 前記システム・データ・バスおよびシステム・アドレス
    ・バスのコントローラ装置に対して接続され、 アドレス指定されるべき記憶場所を表示する信号MEM
    ORY ADDI’(ESSと、前記メモリー素子の書
    込み操作の間の信号MEMORY DATAと、 信号ADDRESS、5TROBEと、前記書込み操作
    の間の信号LOAD DATA INEVENと、 前記書込み操作の間の信号L(JAD DA’l’A 
    lN0DDと、 前記メモリー素子の読出し操作の間の信号DATAOU
    T 5TR(JHEと− 前記読出し操作の間の信号DTA OUT’ EVEN
    と、前記読出し操作の間の信号DATA 0TJT O
    DDと、信号PB、ECルVGE の如き各信号を生じるため前記システム・データ自バス
    およびシステム・アドレス・バスに対して接続された中
    央演算処理装置とを設け、前記メモリー素子は、この素
    子を前記コントローラに対して接続するメモリー・アド
    レス・バスと、前記メモリー素子を前記コントローラに
    接続するメモリー・データ・バスと、前記メモリー素子
    における少なくとも1つのメモリー・モジュールとが設
    けられ、行および列の奇数および偶数番目の半部で名目
    的に配置されたメモリー素子のアレーと、前記信号MF
    MCJRY 、卸り部SSをラッチするため前記信号A
    DDRESS 5TROBEに応答する前記メモリー・
    モジュールにおける装置と、前記信号AI)DRESS
     5TROBE の発生および前記コントローラ装置に
    対する信号、υIY [tit/ ADD北88 ST
    冊BEを生成しかつ信号[ADDRESS 5TROB
    Eを生成するため前記信号M矧URY AlルRESS
    のモジュール識別部分に応答する前記メモリー・モジュ
    ールにおける装置と、前記メモリー素子に対して前記信
    号aRY ADDRESS の行アドレス部分を連続的
    に提供しかつ前記メモリー素子の選択された行のグルー
    プに対して信号DEhAYED ′IUJ、lD部5S
    STROBEを提供し、次に前記メモリー素子に対して
    前記信号#RY ADDRESSの列アドレス部分を提
    供し、以て前記メモリー素子の奇数と偶数番目がアドレ
    ス指定され、前記メモリー素子の偶数番目のメモリー素
    子に対して前記メモリー・データ・バスにおけるデータ
    信号を与えるため前記信号11)AD DATA IN
     EVEN K応答する前記メモリー素子における装置
    と、前記メモリー素子の前記の偶数番目のメモリー素子
    に対して信号DELAYED鼎ITE ENABLEを
    再びるため前記信号LOAD DTAIN EVENに
    応答することにより前記偶数番目のメモリー素子が前記
    メモリー吻データφバスにおける信号DATAを記憶す
    ることを可能にする各メモリー−モジュールにおける2
    番目の遅延装置と、前記メモリー素子の奇数番目のメモ
    リー素子に対して前記メモリー・データ・バスにおける
    信号DATAを与えるため前記信号LOAD DATA
     IN ODDに応答する前記メモリー素子における装
    置と、前記メモリー素子の前記の奇数番目のメモリー素
    子に対して信号DELAYED WRITE ENAB
    LEを与えるため前記信号LOAD DATA IN 
    ODDに応答することにより前記奇数素子番目のメモリ
    了累子が前記メモリー・データ・バスからの信号J)A
    TAを記憶する各メモリー書モジュールにおける6番目
    の遅延装置と、前記信号J)RIVE OUT 5TR
    OBBの少な(とも持続期間中メモリー素子における全
    てのメモリー素子の出力をラッチすpため前記信号DR
    IVE 0LJTSTFIOBEに応答する前記メモリ
    ー素子における装置と、選択されたメモリー・モジュー
    ルの偶数番目のメモリー素子の出力をメモリー〇データ
    ・バスに置くことを可能にするため前記信号DRI V
    EDATA OUT EVENに応答する前記メモリー
    における装置と、選択されたメモリー・モジュールの奇
    数番目のメモリー素子の出力が前記メモリー・データ・
    バスに置かれることを可能にするため前記信号DRIV
    E DATA 0IJT ODDに応答する前記メモリ
    ー素子における装置と、前記モジュールの特定の行が信
    号ADDRESS 5TRIJBEの直前にアクセスさ
    れたかどうかを判定する前記モジュールの各々における
    比較装置と、前記信号PRECルIGEの終了まで信号
    法W2ゆf)RESS ST肪BEを遅延させるため前
    記比較装置に応答する装置と、メモリー素子に対するこ
    れ以上の信号の送出を遅らせるため信号M聞ルSS S
    T賄BEおよびP用℃凧照Eの存在と同時に信号ANY
    簡ADD此88 ST韻BEの存在しないことに応答す
    る前記コントローラ装置における装置とを有することを
    特徴とするコンピュータ・システムのためのメモリー−
    モジュール。 2、ディジタル信号ソースから符号化されたモジュール
    −アドレス信号を受取る装置と、前記モジュール・アド
    レスを記憶された情報と比較しかつ前記の記憶された情
    報とモジュール・アドレス間の一致に応答して行アドレ
    ス・ストローブ信号ヲ提供する比較装置と、識別信号を
    前記ディジタル信号ソースに提供するため前記行アドレ
    ス・ストローブ信号に応答する装置と、プリセット遅延
    期間の後列アドレス・ストローブを提供するため前記行
    アドレス・ストローブ信号に対して応答する第1の遅延
    装置と、ある順序の組をなすメモリー素子の一致性に対
    応する行および列選択信号を提供するため前記モジュー
    ル選択アドレスの部分に応答する装置と、列アドレス・
    ストローブ信号および行ア1ルス・ストローブ信号に対
    し、また第1と第2の複数の組をなすメモリー素子にお
    ける選択された組のメモリー素子に対して前記行アドレ
    ス・ストローブ信号および列アドレス・ストローブ信号
    を与えるため行および列の選択信号に対して応答するマ
    ルチプレクサ装置とを設け、前記の選択された組のメモ
    リー素子は前記素子に記憶された情報ワードを提供する
    ため前記の行アドレスおよび列アドレス−ストローブ信
    号に応答し、両方の組のメモリー素子から情報ワードを
    同時に記憶するためのラッチ装置を設け、該ラッチ装置
    は前記情報ワードの一方または両方のワードを順次ディ
    ジタル信号ソースに選択的に提供するため前記ディジタ
    ル信号ソースからのワード選択信号に応答し、前記ディ
    ジタル信号ソースからの書込4選択信号を受取るための
    装置と、前記信号ソースからデータ・ワードを受取るた
    めの装置と、前記第1と第2の複数の組をなすメモリー
    素子の1つに対して書込み可能信号を選択的に提供する
    ため前記書込み選択信号に応答する第2の遅延装置とを
    設け、前記メモリー素子は、情報ワードとしての前記の
    符号化モジュール・アドレス信号により表示されるメモ
    リー素子のアドレス場所においてデータ・ワードを記憶
    するため前記行アドレス・ストローブ、列アドレス−ス
    トローブおよび書込み可能信号に応答することを特徴と
    するディジタル情報を記憶するためのメモリー・モジュ
    ール。 6、 前記情報ワードの1つまたは両方のワードを順次
    前記ディジタル信号ソースに選択的に提供するための前
    記ラッチ装置が、ディジタル・データ・ソースに対して
    同時に選択された情報ワードを提供し、かつワード選択
    信号が終了した後にのみ前記ワードの提供を終了するた
    めの装置を史に含むことを特徴とする特許請求の範囲第
    2項記載のメモリー・モジュール。 4、前記ラッチ装置が更に、前記メモリー素子の出力に
    おけるこれ以上の変化とは独立的に前記メモリー素子か
    ら読出された第1のワードを維持するための隔ps装置
    に含み、以て前記ラッチ装置における情報ワードの格納
    に続いて、新たなモジュール・アドレスが前記モジュー
    ルに対して与えられ、前記ラッチ装置におけるワードが
    新たなアドレスにより選択されたメモリー素子をアドレ
    ス指定するため前記第1の遅延装置に必要な時間読出す
    ことができ、その結果4つの連続するワードがワード間
    の通常のアドレス指定における遅れを生じることなくメ
    モリー〇モジュールから読出すことができることを特徴
    とする特許請求の範囲第2項記載のメモリー・モジュー
    ル。 5、前記ラッチ装置が更に、前記メモリー素子の出力に
    おけるこれ以上の変化とは独立的に前記メモリー素子か
    ら読出された第1のワードを維持するための隔離装置な
    言み、以て前記ラッチ装置における情報ワードの格納に
    続いて、新たなモジュール・アドレスが前記モジュール
    に対して与えられ、前記ラッチ装置におけるワードが新
    たなアドレスにより選択されたメモリー素子をアドレス
    指定するため前記第1の遅延装置に必要な時間読出−「
    ことができ、その結果4つの連続するワードがワード間
    の通常のアドレス指定における遅れを生じることなくメ
    モリー・モジュールから読出すことができることを特徴
    とする特許請求の範囲第6項記載のメモリー・モジュー
    ル。 6、符号化されたモジュール・アドレス信号を受取るた
    めの装置が、前記アドレス・ストローブ信号が強制され
    る限り、モジュール・アドレス信号を格納するためディ
    ジタル信号ソースからのアドレス・ストローブ信号に応
    答するアドレス・ラッチ装置を含むことを特徴とする特
    許請求の範囲第2項記載のメモリー〇モジュール。 Z 符号化されたモジュール・アドレス信号を受取るた
    めの装置が、前記アドレス・ストローブ信号が強制され
    る限り、モジュール拳アドレス信号を格納するためディ
    ジタル信号ソースからのアドレス・ストローブ信号に応
    答するアドレス・ラッチ装置を含むことを特徴とする特
    許請求の範囲第6項記載のメモリー−モジュール、 8、符号化されたモジュール・アドレス信号を受取ルた
    めの装置が、前記アドレス・ス)ローフ信号が強制され
    る限り、モジュール・アドレス信号を格納するためディ
    ジタル信号ソースからのアドレス・ストローブ信号に応
    答するアドレス・ラッチ装置を含むことを特徴とする特
    許請求の範囲第4項記載のメモリー・モジュール。 9 符号化されたモジュール・アドレス信号を受取るた
    めの装置が、前記アドレス・ストローブ信号が強制され
    る限り、モジュール・アドレス信号を格納するためディ
    ジタル信号ソースからのアドレス・ストローブ信号に応
    答するアドレス−ラッチ装置を含むことを4IM−徴と
    する特許請求の範囲第5項記載のメモリm−モジュール
    、 10、前記第1の遅延装置が史に前記列アドレス信号を
    提供する前に遅延された行アドレス・ストロ−ブ信号を
    提供するための装置を含み、前記マルチプレクサ装置が
    更に、前記モジュール・アドレスの行アドレス部分およ
    び行アドレスのストローブ信号の付与の後、および列ア
    ドレス・ストローブ信号の付与の前に、前記モジュール
    ・アドレスの列アドレス部分に対して前記メモリー素子
    を接続するため前記の遅延された行アドレス・ストロー
    ブ信号に応答する装置を含むことを特徴とする特許請求
    の範囲第2項記載のメモリー・モジュール。
JP58214932A 1982-11-15 1983-11-15 汎用記憶装置 Pending JPS60555A (ja)

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DE (1) DE3380322D1 (ja)
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EP0109298B1 (en) 1989-08-02
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AU565184B2 (en) 1987-09-10
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