JPS6053754B2 - コバルト系金属膜のエツチング方法 - Google Patents

コバルト系金属膜のエツチング方法

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JPS6053754B2
JPS6053754B2 JP10798878A JP10798878A JPS6053754B2 JP S6053754 B2 JPS6053754 B2 JP S6053754B2 JP 10798878 A JP10798878 A JP 10798878A JP 10798878 A JP10798878 A JP 10798878A JP S6053754 B2 JPS6053754 B2 JP S6053754B2
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JP
Japan
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etching
cobalt
film
metal film
nitric acid
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JP10798878A
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JPS5534673A (en
Inventor
勝太郎 村田
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Sharp Corp
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Sharp Corp
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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10Etching compositions
    • C23F1/14Aqueous compositions
    • C23F1/16Acidic compositions
    • C23F1/28Acidic compositions for etching iron group metals

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は純コバルト薄膜あるいはコバルト・リン等のコ
バルト合金薄膜を化学エッチング法で微細加工する際に
必要なエッチング液及び該エッチング液を用いたコバル
ト系薄膜のエッチング方法に関するものである。
従来、純コバルト金属のエッチング液としては、硝酸と
メチルアルコールの混合液あるいは塩酸、硝酸、酢酸及
び水からなる混合液が一般的に用いられていた。
また、コバルトを構成元素として含有するコバルト系合
金のエッチング液としては、塩酸あるいは硝酸をベース
とし、合金元素に応じてこれに硫酸、乳酸、酢酸、塩化
鉄、塩化銅、メチルアルコール、過酸化水素等を1及至
数種類選択して適量混合し、必要に応じて水て希釈した
混合液が採用されている。しカルながら、これらの混合
液からなるエッチング液は、主として金属組織の顕微鏡
観察用試料を得るために金属組織に一定のコントラスト
を与えることを目的として、コバルト系金属に適用され
るものであり、薄膜に対する微細加工用エッチング液と
しては不適当である。即ち純コバルト薄膜あるいはコバ
ルト合金薄膜の微細加工に上記エッチング液を用いた場
合、これらのコバルト系薄膜はレジストとの密着性が良
好であるにもかかわらずサイドエッチ量が過大になり、
理想パターンに対して膜端の凹凸が激しい、膜端断面は
階段状の切れを示さず、緩慢な傾斜をもつた残渣が生ず
る、場合によつてはレジスト自身が侵される、等の現象
が現われる。エッチングを硝酸のみで行なつた場合には
膜端の凹凸は少なく滑らかとなり、またレジストの侵蝕
も認められないが、反面エッチング速度が過大となり、
サイドエッチ量を増大させないための露液時間調整が困
難となる。また膜端断面が傾斜をもつ等の問題点が発生
する。硝酸を水または酢酸で希釈した場合には、エッチ
ング速度は遅くなるものの残渣を生じ易くなり、この残
渣をなくすために露液時間をよく長くすると結局サイド
エッチ量が増大して膜端断面が傾斜をもち、硝酸を希釈
し・ないでエッチングする場合と同様の結果を招来せし
めることになる。本発明は上記問題点に鑑み、技術的手
段を駆使することにより、コバルト系金属薄膜の微細加
工を可能とするエッチング液及び該エッチング液を門用
いたエッチング方法を提供することを目的とする。
本発明のエッチング液は硝酸に粘度の高いリン酸を混合
することによつてコバルト系金属薄膜とレジストとの間
隙へのエッチング液の侵入を抑制し、かつエッチング速
度を適当に低減せしめることにより、サイドエッチ量を
小さくし、鋭い階段状を呈する膜端断面を得るとともに
膜消が滑らかでかつパターン部以外に残渣を生成せず、
レジストを侵蝕しない等の条件を満足するものであり、
コバルト系金属薄膜に対して精度の高い微細加工を可能
ならしめるものである。
前述した説明より明らかな如く、硝酸濃度が高すぎると
露液時間の調整が難しく、逆に低すぎる場合にはエッチ
ング速度が低下して加工所要時間が長時間となるため、
短時間にしかも再現性良く微細加工を施す必要上、本発
明のエッチング液に於ける硝酸濃度は5〜70%の範囲
に設定する。
以下、本発明を実施例に従つて更に詳細に説明する。〔
実施例1〕 体積比で硝酸1に対し、リン酸9の割合で混合液を作製
し、液温25℃にて基板上に形成された膜厚1200A
のコバルト●リン●スパッタ膜を浸漬法を用いてエッチ
ングする。
この結果、サイドエッチ量0.5μm以下、膜端の凹凸
0.1μm以下になるデータ値が得られ、また膜端断面
は鋭い階段状を呈し、パターン部以下の箇所には残渣の
形成は皆無となつた。この時のエッチング速度は80A
/秒冫であつた。〔実施例2〕 体積比で硝酸1に対し、リン酸9の割合で混合液を作製
し、液温40℃にて基板上に形成された膜厚1200A
のコバルト●リン●スパッタ膜を浸漬法を用いてエッチ
ングする。
この結果、サイドエッチ量1μm以下、膜端の凹凸0.
1μm以下なるデータ値が得られ、膜端断面は鋭い階段
状を呈し、パターン部以外の箇所には残渣の形成は皆無
となつた。この時のエッチング速度は200人/秒であ
つた。j〔実施例3〕 体積比で硝酸1に対し、リン酸1の割合で混合液を作成
し、液温40℃にて基板上に形成された膜厚1100A
のコバルト●リン●スパッタ膜を浸漬法を用いてエッチ
ングする。
この結果、サイドエッチ量1.5μm以下、膜端の凹凸
0.1μm以下なるデータ値が得られ、膜端断面は鋭い
階段状を呈し、パターン部以外の箇所には残渣の形成は
皆無となつた。この時のエッチング速度は350A/秒
であつた。以上、詳細した如く、本発明は、コバルト系
金属膜、特にその薄膜に対する制御性の良好な微細加工
を可能とするものであり、エッチング速度が適当な値を
有し、エッチング後の膜端が滑らかであり、かつ膜端断
面形状が鋭い階段状を呈するとともにパターン部以外に
上記薄膜の残渣を全く形成することがない等非常に優れ
た効果を奏するエッチング技術である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 コバルト系金属膜をエッチング液と接触させ、微細
    加工するコバルト系金属膜のエッチング方法に於いて、
    前記コバルト系金属膜を、硝酸とリン酸の混合液から成
    り、硝酸の体積が5%〜70%の範囲に設定されたエッ
    チング液と接触せしめ、微細加工することを特徴とする
    コバルト系金属膜のエッチング方法。
JP10798878A 1978-08-31 1978-08-31 コバルト系金属膜のエツチング方法 Expired JPS6053754B2 (ja)

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JPS5534673A JPS5534673A (en) 1980-03-11
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US4239017A (en) * 1979-07-16 1980-12-16 Xerox Corporation Development system
US4677092A (en) * 1983-01-17 1987-06-30 International Fuel Cells Corporation Ordered ternary fuel cell catalysts containing platinum and cobalt and method for making the catalysts

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