JPS6051188B2 - Driving method of magnetic bubble memory - Google Patents
Driving method of magnetic bubble memoryInfo
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- JPS6051188B2 JPS6051188B2 JP17195179A JP17195179A JPS6051188B2 JP S6051188 B2 JPS6051188 B2 JP S6051188B2 JP 17195179 A JP17195179 A JP 17195179A JP 17195179 A JP17195179 A JP 17195179A JP S6051188 B2 JPS6051188 B2 JP S6051188B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、シリアルループ型の磁気バブルメモリのアク
セスタイムを短縮する駆動法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a driving method for shortening the access time of a serial loop type magnetic bubble memory.
書換え可能な大容量不揮発性メモリとして磁気バブルメ
モリは甚だ有用であるが、このメモリは例えば第１図の
ように用いられる。同図において、ＭＥＭは磁気バブル
メモリで、中央処理装置（マイクロプロセッサ）ＭＰＵ
とバスＢにより接続され、またこのバスには小容量のラ
ンダムアクセスメモリＲＡＭが接続される。磁気バブル
メモリＭＥＭにはメジャー、マイナーループ型とシリア
ルループ型とあるが、シリアルループ型は第２図のよう
に、蛇行しながらも１つのループを構成するパーマロイ
パターンなどからなる転送路ＳＲを用いて磁気バブルの
転送、保持を行なうもので、信号は直列形式になる。Ｒ
ＡＭが用いられるのはこのためで、ＭＰＵは４ビット、
８ビットなどの複数ビット並列転送を行なうので、シリ
アルバブルメモリとの間で直並列変換を行なう。このシ
リアルバブルメモリは、構造は簡単ぜあるがアクセスタ
イムが長いという欠点がある。なお第２図において、Ｒ
ＥＰはレプリケータ、ＤＥＴ、〜ＤＥＴ、はディテクタ
、ＡＮＨはアナイレータ、ＧＥＮはジェネレータ、Ｌｘ
は駆動磁界発生用のＸコイル、Ｌｙは同Ｙコイルである
。この磁気バブルメモリＭＥＭは７２に詳しくは７４０
３２ビットの例であり、ジェネレータＧＥＮの位置を（
Ｏ）ビット目として各々の位置に相当するビットを（７
３９０４）、（７３９０７）等の数字で示してある。総
ビット数が； ７４０３２であるから（Ｏ）ビット目と
（７４０３２）ビット目は同じビットであり、この位置
でバブル発生、検出、消去が行なわれる。このバブルメ
モリでは全ビットを１４４バイトずつに区切つて各々を
１頁とし、各頁には数バイトフずつの開始および終了コ
ントロールデータと１２８バイトのデータ領域を設ける
。A magnetic bubble memory is extremely useful as a rewritable large-capacity nonvolatile memory, and this memory is used, for example, as shown in FIG. In the figure, MEM is a magnetic bubble memory, and the central processing unit (microprocessor) MPU
and a bus B, and a small capacity random access memory RAM is connected to this bus. There are two types of magnetic bubble memory MEM: major and minor loop types and serial loop types.The serial loop type uses a transfer path SR consisting of a permalloy pattern that meanderes but forms one loop, as shown in Figure 2. This device transfers and holds magnetic bubbles, and the signal is in serial format. R
This is why AM is used, and MPU is 4 bits,
Since multiple bits such as 8 bits are transferred in parallel, serial-to-parallel conversion is performed with the serial bubble memory. Although this serial bubble memory has a simple structure, it has the disadvantage of long access time. In addition, in Fig. 2, R
EP is a replicator, DET, ~DET, is a detector, ANH is an anilator, GEN is a generator, Lx
is an X coil for generating a driving magnetic field, and Ly is a Y coil. This magnetic bubble memory MEM is 72 and 740 for details.
This is a 32-bit example, and the location of the generator GEN is (
O) Bits corresponding to each position are set as (7 bits)
3904), (73907), etc. Since the total number of bits is 74032, the (0)th bit and the (74032nd)th bit are the same bit, and bubble generation, detection, and erasure are performed at this position. In this bubble memory, all bits are divided into 144 bytes, each of which is one page, and each page is provided with several bytes of start and end control data and a 128 byte data area.
このような磁気バブルメモリＭＥＭの第ｎ頁に新たにデ
ータＤｎ’を書込む場合には第３図に示すように、１先
ず第ｎ頁に既に格納されているデータＤｎをランダムア
５クセスメモリＲＡＭに続出し、２該ＲＡＭに追加デー
タＤｎ’を書込んだ後、３磁気バブルメモリｒｖ１ＥＭ
のバブルが一巡されて再び第ｎ頁が戻つてきたときＲＡ
Ｍの全データを該ｎ頁に書込むという方法をとるのが普
通である。書込むべきデータがＤｎ″＋１，Ｄｎ″＋２
・・・ ・・とある場合には各頁ｎ＋１，ｎ＋２・・・
・・・・について同様のことを行なうので、データ書込
みに必要な時間は相当に大となる。現在の磁気バブルメ
モリは、大量のデータを扱うことができればスピードは
遅くとも良いということで使用されるのが一般的である
が、勿論アクセスタイム小が望ましいことは言う迄もな
い。特に数１０バイト以下の小容量単位でデータ書込み
、読出しを頻繁と行なう使用法ではそのアクセスタイム
大が実用上無視できないものとなつている。本発明はこ
の点を改善しようとするもので、シリアルループを備え
た磁気バブルメモ１八中央処理装置、およびランダムア
クセスメモリを有する磁気バブルメモリの駆動法におい
て、該磁気バブルメモリの第ｎ頁目にデータを書込む際
は、該第ｎ頁目に既に格納されているデータを一旦該ラ
ンダムアクセスメモリへ読出し、そして該ランダムアク
セスメモリに前記データを書込んだ後、該ランダムアク
セスメモリの全データを該磁気バブルメモリの第（ｎ＋
１）頁目に書込むことを特徴とするものであるが、以下
図示の実施例を参照しながらこれを詳細に説明する。When writing new data Dn' to the n-th page of such a magnetic bubble memory MEM, as shown in FIG. 2 After writing additional data Dn' to the RAM, 3 magnetic bubble memory rv1EM
When the nth page comes back after the bubble has gone around
It is common practice to write all the data of M to the n pages. The data to be written is Dn″+1, Dn″+2
・・・In cases where it says, each page n+1, n+2...
Since the same thing is done for . . . , the time required for data writing becomes considerably long. Current magnetic bubble memories are generally used because they do not require a slow speed as long as they can handle a large amount of data, but it goes without saying that a short access time is desirable. Particularly in applications where data is frequently written and read in small capacity units of several tens of bytes or less, the access time is practically negligible. The present invention aims to improve this point, and provides a method for driving a magnetic bubble memory having a central processing unit having a serial loop and a random access memory. When writing data, first read the data already stored in the n-th page to the random access memory, then write the data to the random access memory, and then write all data in the random access memory. The (n+)th magnetic bubble memory
1) This is characterized by writing on the page, and this will be explained in detail below with reference to the illustrated embodiment.
第４図は本発明の一実施例であり、前出した各部と同一
部分には同一符号が付してある。FIG. 4 shows an embodiment of the present invention, and the same parts as those described above are given the same reference numerals.
本発明では１回の転送容量が１頁（１２８／くイト）以
下の場合は常に１頁ずつを対象としてデータ転送を行な
う。そしてアクセスタイムを改善するために、壬データ
Ｄｎ″，Ｄｎ″＋２，・（各データは１２８／曹■＊卜
以内）を磁気バブルメモリＭＥＭに書込む楊合には１磁
気バブルメモリＭＥＭの第ｎ頁目に既に格納されている
データＤｎをＲＡＭに読出し、２該ＲＡＭへ新たに追加
データＤｎ″を書込む。そして、３ＲＡＭの全データ（
Ｄｎ＋Ｄｎ″）を次の第（ｎ＋１）頁目に書込む。同様
にして次のデータＤｎ″＋２を書込む場合には、４第（
ｎ＋２）頁目のデータＤｎ＋２をＲＡＭに読出し、５該
ＲＡＭに新たにデータＤ″ｎ＋２を書込む。そして６Ｒ
ＡＭの全データ７（Ｄｎ＋２＋Ｄ″ｎ＋２）を次の第（
ｎ＋３）頁目に書込む。この際ｎ＋１，ｎ＋３，・・・
・頁にあつたデータは、不要ならＲＡＭからデータ（Ｄ
ｎ＋Ｄ″ｎ）、（Ｄｎ＋２＋Ｄ″ｎ＋２）を該頁へ書込
む前に消去する。また必要データならＲＡＭデータはＮ
．＋１，ｎ＋３，・・・・頁に、その頁にあつたデータ
の後に続けて書込む。この処理は終了コントロールデー
タを利用して簡単にできる。これらのデータとそれが書
込まれた頁との対応関係は必要なら■用側で管理し、ま
たは各データに識別コードを付しておいて読出すときは
バブルメモリの全バイトを走査して所要データを検索す
るようにする。この本発明方式ではＲＡＭからのバブル
メモリへの書込み４，６・ ・を、データＤｎ，Ｄ
ｎ＋２，・・・・を読出した頁Ｎ，ｎ＋２，・・の次の
頁ｎ＋１，ｎ＋３，・・・・に対して行なうので、ルー
プの一巡時間を待つ必要はなく、従つて第３図の駆動法
よりはるかにアクセスタイムが短緒される。In the present invention, when the transfer capacity at one time is less than one page (128/item), data is always transferred one page at a time. In order to improve the access time, when writing data Dn'', Dn''+2, . The data Dn already stored on the nth page is read to the RAM, and new additional data Dn'' is written to the RAM.Then, all the data in the 3RAM (
Dn+Dn'') on the next (n+1) page. Similarly, when writing the next data Dn''+2, write the 4th page (
Read data Dn+2 of page n+2) to the RAM, and write new data D″n+2 to the RAM. Then, 6R
All AM data 7 (Dn+2+D″n+2) is converted to the next (
Write on page n+3). At this time, n+1, n+3,...
・If the data on the page is not needed, it can be transferred from RAM (D
n+D″n), (Dn+2+D″n+2) is erased before writing to the page. Also, if the data is necessary, the RAM data is N
．． +1, n+3, . . . pages, write data following the data on that page. This process can be easily done using termination control data. If necessary, the correspondence between these data and the page in which they are written can be managed by the user, or an identification code can be attached to each data, and when reading it, all bytes of the bubble memory can be scanned. Search for the required data. In this method of the present invention, writing 4, 6, etc. from RAM to bubble memory is performed as data Dn, D
n+2,... is executed for the next page n+1, n+3,... after the read page N, n+2,..., so there is no need to wait for one cycle of the loop. The access time is much shorter than the drive method.
例えば転送速度が１００Ｋビット／秒である場合に、１
頁分のアクセスタイムはとなり、第３図の方式（３２Ｋ
バイトで平均アクセスタイムは３７０ｒＴ１ＳｅＣ）に
比し約３０倍の高速アクセ３スが可能となる。For example, if the transfer rate is 100 Kbit/s, 1
The access time for a page is as shown in Figure 3 (32K
The average access time per byte is 370rT1SeC), which enables about 30 times faster access.
このためキーボードから連続して出力されるデータを不
揮発性メモリに即刻格納することが、シリアルループ型
の磁気バブルメモリでも充分可能となる。Therefore, even a serial loop type magnetic bubble memory can sufficiently store data continuously output from the keyboard in a nonvolatile memory.
４（第１図は磁気バブルメモリを用いたシステムの一例
を示すブロック図、第２図はシリアルループ型の磁気バ
ブルメモリの一例を示す構成図、第３図は従来の磁気バ
ブルメモリ駆動法の説明図、第４図は本発明の一実施例
を示す説明図である。4 (Figure 1 is a block diagram showing an example of a system using a magnetic bubble memory, Figure 2 is a block diagram showing an example of a serial loop type magnetic bubble memory, and Figure 3 is a block diagram showing an example of a system using a magnetic bubble memory). Explanatory diagram, FIG. 4 is an explanatory diagram showing one embodiment of the present invention.
Claims (1)
理装置、およびランダムアクセスメモリを有する磁気バ
ブルメモリの駆動法において、該磁気バブルメモリの第
ｎ頁目にデータを書込む際は、該第ｎ頁目に既に格納さ
れているデータを一旦該ランダムアクセスメモリへ読出
し、そして該ランダムアクセスメモリに前記データを書
込んだ後、該ランダムアクセスメモリの全データを該磁
気バブルメモリの第（ｎ＋１）頁目に書込むことを特徴
とする、シリアルループ型磁気バブルメモリの駆動法。1. In a method for driving a magnetic bubble memory having a serial loop, a central processing unit, and a random access memory, when writing data to the n-th page of the magnetic bubble memory, the n-th page After reading data already stored in the random access memory into the random access memory and writing the data into the random access memory, all data in the random access memory is transferred to the (n+1)th page of the magnetic bubble memory. A method for driving a serial loop type magnetic bubble memory characterized by writing.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17195179A JPS6051188B2 (en) | 1979-12-28 | 1979-12-28 | Driving method of magnetic bubble memory |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17195179A JPS6051188B2 (en) | 1979-12-28 | 1979-12-28 | Driving method of magnetic bubble memory |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5694572A JPS5694572A (en) | 1981-07-31 |
| JPS6051188B2 true JPS6051188B2 (en) | 1985-11-12 |
Family
ID=15932806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17195179A Expired JPS6051188B2 (en) | 1979-12-28 | 1979-12-28 | Driving method of magnetic bubble memory |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6051188B2 (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019171234A1 (en) | 2018-03-09 | 2019-09-12 | Pi Industries Ltd. | Heterocyclic compounds as fungicides |
| WO2020070610A1 (en) | 2018-10-01 | 2020-04-09 | Pi Industries Ltd. | Novel oxadiazoles |
| WO2020070611A1 (en) | 2018-10-01 | 2020-04-09 | Pi Industries Ltd | Oxadiazoles as fungicides |
| WO2020208511A1 (en) | 2019-04-08 | 2020-10-15 | Pi Industries Limited | Novel oxadiazole compounds for controlling or preventing phytopathogenic fungi |
| WO2020208510A1 (en) | 2019-04-08 | 2020-10-15 | Pi Industries Limited | Novel oxadiazole compounds for controlling or preventing phytopathogenic fungi |
| WO2020208509A1 (en) | 2019-04-08 | 2020-10-15 | Pi Industries Limited | Novel oxadiazole compounds for controlling or preventing phytopathogenic fungi |
-
1979
- 1979-12-28 JP JP17195179A patent/JPS6051188B2/en not_active Expired
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019171234A1 (en) | 2018-03-09 | 2019-09-12 | Pi Industries Ltd. | Heterocyclic compounds as fungicides |
| WO2020070610A1 (en) | 2018-10-01 | 2020-04-09 | Pi Industries Ltd. | Novel oxadiazoles |
| WO2020070611A1 (en) | 2018-10-01 | 2020-04-09 | Pi Industries Ltd | Oxadiazoles as fungicides |
| WO2020208511A1 (en) | 2019-04-08 | 2020-10-15 | Pi Industries Limited | Novel oxadiazole compounds for controlling or preventing phytopathogenic fungi |
| WO2020208510A1 (en) | 2019-04-08 | 2020-10-15 | Pi Industries Limited | Novel oxadiazole compounds for controlling or preventing phytopathogenic fungi |
| WO2020208509A1 (en) | 2019-04-08 | 2020-10-15 | Pi Industries Limited | Novel oxadiazole compounds for controlling or preventing phytopathogenic fungi |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5694572A (en) | 1981-07-31 |
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