JPS6049690A - 半導体レ−ザダイオ−ドのスクリ−ニング方法 - Google Patents
半導体レ−ザダイオ−ドのスクリ−ニング方法Info
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- JPS6049690A JPS6049690A JP15640083A JP15640083A JPS6049690A JP S6049690 A JPS6049690 A JP S6049690A JP 15640083 A JP15640083 A JP 15640083A JP 15640083 A JP15640083 A JP 15640083A JP S6049690 A JPS6049690 A JP S6049690A
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- JP
- Japan
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- temperature
- semiconductor laser
- histogram
- value
- laser diode
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、長時間にわたって安定に動作する半導体レー
ザを簡便に、高精度に選別するための方法に関するもの
である。
ザを簡便に、高精度に選別するための方法に関するもの
である。
（従来技術）
半導体レーザにおいて、長時間にわたって安定に動作す
る素子を選別するためには、従来から、レーザ発振閾電
流値（■ｔｂ）又は一定光出力動作時の通電電流値（Ｉ
ｄ）に着目し、本格使用に先がけて、予備試験を実施し
、予備試験時の経時的増加量（△Ｉｄ）から、本格使用
時の経時変化２予測する方法がとられていた。
る素子を選別するためには、従来から、レーザ発振閾電
流値（■ｔｂ）又は一定光出力動作時の通電電流値（Ｉ
ｄ）に着目し、本格使用に先がけて、予備試験を実施し
、予備試験時の経時的増加量（△Ｉｄ）から、本格使用
時の経時変化２予測する方法がとられていた。
これらの電流値の経時的増加量△Ｉｔｈ、△Ｉｄけ、試
験条件、即ち、温度、試験電流等に強く依存し、加速条
件による試験が可能である反面、加速係数の算定は、半
導体レーザダイオードの劣化過程が複雑であり、特性パ
ラメータが評価温度に敏感で、定量化が困難なこともあ
って現在まで確立されていない。このため、安定に動作
する素子を高精度に選別するためには、出来るだけ本格
使用に近い動作条件で、長時間にわたって予備通電電性
なう必要があった。さらに数百時間の予備通電で経時変
化が観測さｎ、た素子に対する本格使用にむけての良品
、不良品の判定は、電流値Ｉｔｈ、Ｉｄが素子構造によ
って犬きく異なり、判定基準値が一義的に決定できてい
ないこともあり、あいまいであった。また、ここでの判
定結果とその後の本格使用での経時変化との相関は必ず
しも良いとは言えない川、状であった。
験条件、即ち、温度、試験電流等に強く依存し、加速条
件による試験が可能である反面、加速係数の算定は、半
導体レーザダイオードの劣化過程が複雑であり、特性パ
ラメータが評価温度に敏感で、定量化が困難なこともあ
って現在まで確立されていない。このため、安定に動作
する素子を高精度に選別するためには、出来るだけ本格
使用に近い動作条件で、長時間にわたって予備通電電性
なう必要があった。さらに数百時間の予備通電で経時変
化が観測さｎ、た素子に対する本格使用にむけての良品
、不良品の判定は、電流値Ｉｔｈ、Ｉｄが素子構造によ
って犬きく異なり、判定基準値が一義的に決定できてい
ないこともあり、あいまいであった。また、ここでの判
定結果とその後の本格使用での経時変化との相関は必ず
しも良いとは言えない川、状であった。
（発明の目的）
不発明は、こｎらの欠点を解決するために提案されたも
ので、半導体レーザダイオードの雰囲気温度τパラメー
タとした一定光出力駆動電流の温度特性に着目し、初期
特性および経時特性τ測定し、効率良く高精度に、長寿
命半導体レーザケ選別する方法ケ提供すること勿目的と
する。
ので、半導体レーザダイオードの雰囲気温度τパラメー
タとした一定光出力駆動電流の温度特性に着目し、初期
特性および経時特性τ測定し、効率良く高精度に、長寿
命半導体レーザケ選別する方法ケ提供すること勿目的と
する。
（発明の構成）
上記の目的を達成するため、本発明は半導体レーザダイ
オードの初期特性として、雰囲気温度？パラメータとし
て、一定出力駆！ＩＪＩ］電流値の温度特性’ｒａ ｋ
６（１１定しこのＴａＭのヒストグラム侘作成し、該ヒ
ストグラムの平均値及び標準偏差でめ、このヒストグラ
ムの平均値より所望の標準偏差の分布内に入る素子を選
別すること葡特徴とする半導体レーザダイオードのスク
リーニング方法會発明の要旨とするものである。
オードの初期特性として、雰囲気温度？パラメータとし
て、一定出力駆！ＩＪＩ］電流値の温度特性’ｒａ ｋ
６（１１定しこのＴａＭのヒストグラム侘作成し、該ヒ
ストグラムの平均値及び標準偏差でめ、このヒストグラ
ムの平均値より所望の標準偏差の分布内に入る素子を選
別すること葡特徴とする半導体レーザダイオードのスク
リーニング方法會発明の要旨とするものである。
さらに本発萌は半導体レーザダイオードよりなる複数の
母集団がある場合、夫々の母集団よりサンプリングにエ
リ試料勿抽出し、夫々の試料について通常の試験に、Ｃ
る一定の出力駆動値の温度特性エリ臨界温度及び強制加
速試験による臨界温度とを測定し、両方の臨界温度より
実効温度上昇ΔＴｅｆｆ１求め、加速試験時間で、前記
の実効温度上昇率割って実効温度上昇率をめ、この実効
温度上昇重金（雰囲気温度限界値一本格使用時の雰囲気
の温度）で割った比をめ、この比の値により、前記の母
集団の良否を定め、良と判定された母集団から個々のレ
ーザダイオードについて、半導体レーザダイオードの初
期特性として、雰囲気温度をパラメータとして、一定出
力駆動電流値の温度特性Ｔａ を測定し、このＴａＭの
ヒストグラムを作成し、該ヒストグラムの平均値及び標
準偏差をめ、このヒストグラムの平均値Ｊニジ所望の標
準偏差の分布内に入る素子を選別することを特徴とする
半導体レーザダイオードのスクリーニング力法を発明の
要旨とするものである。
母集団がある場合、夫々の母集団よりサンプリングにエ
リ試料勿抽出し、夫々の試料について通常の試験に、Ｃ
る一定の出力駆動値の温度特性エリ臨界温度及び強制加
速試験による臨界温度とを測定し、両方の臨界温度より
実効温度上昇ΔＴｅｆｆ１求め、加速試験時間で、前記
の実効温度上昇率割って実効温度上昇率をめ、この実効
温度上昇重金（雰囲気温度限界値一本格使用時の雰囲気
の温度）で割った比をめ、この比の値により、前記の母
集団の良否を定め、良と判定された母集団から個々のレ
ーザダイオードについて、半導体レーザダイオードの初
期特性として、雰囲気温度をパラメータとして、一定出
力駆動電流値の温度特性Ｔａ を測定し、このＴａＭの
ヒストグラムを作成し、該ヒストグラムの平均値及び標
準偏差をめ、このヒストグラムの平均値Ｊニジ所望の標
準偏差の分布内に入る素子を選別することを特徴とする
半導体レーザダイオードのスクリーニング力法を発明の
要旨とするものである。
次に本発明の実施例を添付図面についてｉ；乙明する。
なお実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱
しない範囲で、種々の変更あるいは改良を行いうろこと
は言うまでもない。
しない範囲で、種々の変更あるいは改良を行いうろこと
は言うまでもない。
第１図はＩｎＧａＡｓＰ ／ ＩｎＰ系埋め込み型（Ｂ
Ｈ）レーザを用いた雰囲気温度Ｔａに対する温度特性例
である。図における曲線１，２．３は夫々片端面当り３
ｍＷ光出力動作電流（０３ｍＷ））。
Ｈ）レーザを用いた雰囲気温度Ｔａに対する温度特性例
である。図における曲線１，２．３は夫々片端面当り３
ｍＷ光出力動作電流（０３ｍＷ））。
５ｍＷ光出力動作電流（Ｉ（５ｍＷ））、８ ｍＷ光出
力動作電流（Ｉ（８ｍＷ月について示している。半導体
レーザの光出力全一定に保ちつつ、雰囲気温度（Ｔａ）
’＆上昇させていくと、第１図で破線で示したように、
動作電流が急激に増加する臨界温度（ＴａＭ）が存在し
、こｎらは各光出力動作での動作限界を与える。活性層
温度としての限界値（ＴｊＭ）は、半導体レーザの構造
で一義的に決まる。しかし、動作状態での活性層温度Ｔ
ｊは、（雰囲気温度Ｔａ）＋（通電による温度上昇分△
Ｔ）であるため、通電による発熱が大きい素子はど、雰
囲気温度における限界値（Ｔａ）が小さくなることがわ
かる。例えばチップのマウントに不良が生じている素子
は熱抵抗が犬きくなるため、通電による発熱量△Ｔが大
きくなる。又、成長結晶の質に関して、活性層中および
その近傍に欠陥が局在し、非発光再結合過程が支配的で
あるレーザナツプでは、発熱量へＴは当然大さくなる。
力動作電流（Ｉ（８ｍＷ月について示している。半導体
レーザの光出力全一定に保ちつつ、雰囲気温度（Ｔａ）
’＆上昇させていくと、第１図で破線で示したように、
動作電流が急激に増加する臨界温度（ＴａＭ）が存在し
、こｎらは各光出力動作での動作限界を与える。活性層
温度としての限界値（ＴｊＭ）は、半導体レーザの構造
で一義的に決まる。しかし、動作状態での活性層温度Ｔ
ｊは、（雰囲気温度Ｔａ）＋（通電による温度上昇分△
Ｔ）であるため、通電による発熱が大きい素子はど、雰
囲気温度における限界値（Ｔａ）が小さくなることがわ
かる。例えばチップのマウントに不良が生じている素子
は熱抵抗が犬きくなるため、通電による発熱量△Ｔが大
きくなる。又、成長結晶の質に関して、活性層中および
その近傍に欠陥が局在し、非発光再結合過程が支配的で
あるレーザナツプでは、発熱量へＴは当然大さくなる。
△Ｔが大声いことは、同一雰囲気温度ではＴｊが大きく
なることであり、△Ｔの大きい素子は劣化が速い。
なることであり、△Ｔの大きい素子は劣化が速い。
このため、構造が同じ半導体レーザ全対象に、初期特性
として一定光出力駆動電流の雰囲気温度依存性を測定し
、ＴａＭのヒストグラムを作成し、平均値および標準偏
差を算出し、平均値より、一定値以上、例えばσあるい
は２σだけノ・ズして分布するＴａＭの低い素子を除外
することで、不良素子の選別、即ち個別スクリーニング
が可能である。
として一定光出力駆動電流の雰囲気温度依存性を測定し
、ＴａＭのヒストグラムを作成し、平均値および標準偏
差を算出し、平均値より、一定値以上、例えばσあるい
は２σだけノ・ズして分布するＴａＭの低い素子を除外
することで、不良素子の選別、即ち個別スクリーニング
が可能である。
ただし、Ｔａ の平均値は構造の異なる場合はもとＪ：
す、μｍオーダのエツチング工程を必要とする埋め込み
型レーザでは、ウェハ間でも多少の差は存在する。
す、μｍオーダのエツチング工程を必要とする埋め込み
型レーザでは、ウェハ間でも多少の差は存在する。
このような母集団の異なる素子間の選別について、次に
述べる方法を併用すればよい。
述べる方法を併用すればよい。
第２図は、ここでの温度特性の経時変化例を示している
。曲線ｌは３ｍＷ光出力動作電流、曲線２は５ｍＷ光出
力動作電而、曲線３は８ｍＷ光出力動作電流についての
温度特性を示す。
。曲線ｌは３ｍＷ光出力動作電流、曲線２は５ｍＷ光出
力動作電而、曲線３は８ｍＷ光出力動作電流についての
温度特性を示す。
ＩｎＧａＡｓＰ ／ ＩｎＰ叩め込み型レーザ約２００
０時間の強制加速（１００℃、２５０ｍＡ）による通電
試験の結果である。この試験［，１ｍつて、半導体レー
ザは７０℃で測定した閾値電流’ｔｂ （７０℃）は４
５ｍｋから６０ｍＡに増加している。第２図から明らか
なように、強制加速通電試験の前後の温度特性は同一線
上にプロットできる。すなわち曲線１上において三角の
自作が２つあるが、これは通常の温度における特性全示
し、三角の魚卵は ゛強制加速試験における特性である
。従って両特性は同一の曲線上にプロットすることがで
きる。
０時間の強制加速（１００℃、２５０ｍＡ）による通電
試験の結果である。この試験［，１ｍつて、半導体レー
ザは７０℃で測定した閾値電流’ｔｂ （７０℃）は４
５ｍｋから６０ｍＡに増加している。第２図から明らか
なように、強制加速通電試験の前後の温度特性は同一線
上にプロットできる。すなわち曲線１上において三角の
自作が２つあるが、これは通常の温度における特性全示
し、三角の魚卵は ゛強制加速試験における特性である
。従って両特性は同一の曲線上にプロットすることがで
きる。
曲線２及び３についても同様である。この結果から魚卵
で示す通電後の特性は、雰囲気温度を初期の値に比べて
１２℃だけ高温側にシフトしであることが判る（実際の
雰囲気温度は第２図の上辺に示している）。
で示す通電後の特性は、雰囲気温度を初期の値に比べて
１２℃だけ高温側にシフトしであることが判る（実際の
雰囲気温度は第２図の上辺に示している）。
このように、半導体レーザの劣化は、一定光出力駆動電
流の温度特性において、通電前後の特性を比較してまる
雰囲気温度のシフト量で劣化を定量的に評価することが
できる。
流の温度特性において、通電前後の特性を比較してまる
雰囲気温度のシフト量で劣化を定量的に評価することが
できる。
半導体レーザの寿命試験として、最も一般的な一定光出
力駆動（Ｐ、）における試験では、半導体レーザの寿命
は雰囲気温度のシフト量（実効温度上昇△Ｔｅｆｆ）が
雰囲気温度限界値ＴａＭ（ｐ、 ）に達する時間として
定義できる。したがって、複数の母集団から構成される
半導体レーザに関して、各母集団から無作為に数ケずつ
の試料を選び出し、一定条件で通電試験を行ない、各母
集団ごとに実効温度上昇率（△’ｌ’ｅｆｆ／試験時間
）をめ、（限界値Ｔａ一本格使用時の雰囲気温度’ｌ’
ａ ）すなわち余裕温度で割算し請求めた寿命の大きざ
および分布を比較すれば、良質母集団の選別が可能であ
る。ここでの試料は、本格使用に用いる素子とは別であ
るため、強制加速試験が可能であり、試験時間が短縮で
きるばかりでなく、雰囲気温度限界値Ｔａ は評価温度
に無関係な特性パラメータであり、寿命と試験粂件との
関係も定量的に把握できるため、加速係数を考慮して、
本格使用の経時変化を精度よく推測できる。
力駆動（Ｐ、）における試験では、半導体レーザの寿命
は雰囲気温度のシフト量（実効温度上昇△Ｔｅｆｆ）が
雰囲気温度限界値ＴａＭ（ｐ、 ）に達する時間として
定義できる。したがって、複数の母集団から構成される
半導体レーザに関して、各母集団から無作為に数ケずつ
の試料を選び出し、一定条件で通電試験を行ない、各母
集団ごとに実効温度上昇率（△’ｌ’ｅｆｆ／試験時間
）をめ、（限界値Ｔａ一本格使用時の雰囲気温度’ｌ’
ａ ）すなわち余裕温度で割算し請求めた寿命の大きざ
および分布を比較すれば、良質母集団の選別が可能であ
る。ここでの試料は、本格使用に用いる素子とは別であ
るため、強制加速試験が可能であり、試験時間が短縮で
きるばかりでなく、雰囲気温度限界値Ｔａ は評価温度
に無関係な特性パラメータであり、寿命と試験粂件との
関係も定量的に把握できるため、加速係数を考慮して、
本格使用の経時変化を精度よく推測できる。
まに２素子のバーインとしてしばしば行なわれる本格使
用に先がけての予備通電においても、ＴａＭを用いるな
らば経時変化の定量的評価が可能となるため、その後の
本使用に２ける寿命予測を精度良く行′Ｐｒ、９ことが
できることは言う才でもない。
用に先がけての予備通電においても、ＴａＭを用いるな
らば経時変化の定量的評価が可能となるため、その後の
本使用に２ける寿命予測を精度良く行′Ｐｒ、９ことが
できることは言う才でもない。
なお上述の工うに良い品質の母集団を選出した後、この
母集団に含まれる個々の素子については、上述の個別ス
クリーニングを行うことによって、良質のレーザダイオ
ードをスクリー二ングすることができる。
母集団に含まれる個々の素子については、上述の個別ス
クリーニングを行うことによって、良質のレーザダイオ
ードをスクリー二ングすることができる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば半導体レーザの一
定光出力駆動電流の雰囲気温度依存性に注目することに
より、長時間安定に動作する素子を簡便に、精度よく選
別できる利点があり、実用上の効果は極めて犬である。
定光出力駆動電流の雰囲気温度依存性に注目することに
より、長時間安定に動作する素子を簡便に、精度よく選
別できる利点があり、実用上の効果は極めて犬である。
な２、以上の説明では、ＩｎＧａＡｓＰ ／ ＩｎＰ
ＢＨレーザについて述べたが、他の構造およびＧａＡｓ
系レーザについても適用できることは言うまでもない。
ＢＨレーザについて述べたが、他の構造およびＧａＡｓ
系レーザについても適用できることは言うまでもない。
第１図は初期特性としての温度特性例を示した説明図、
第２図は温度特性における経時変化の一例を示す説明図
である。 １・・・・・・片端面白！１１３ｒｎＷ光出力動作電流
の初期特性２・・・・・・ ５ｍＷ ３・・・・・・ ８ｍＷ １′・・・・・・片端首当ｐ３ｍＷ光出力動作電流の通
電後特性２′・・・・・・ １ ５ｍＷ ３′・・・・・・片端面当り８ｍＷ光出光出力型流の通
電後特性特許出願人 日本電信電話公社 （Ｖ”）’＄３ （ＶｕＩ）’１７ぐ廣 手続補正書（自発） １．事件の表示 昭オ［１５８年特許願第１５６４００号２、発明の名称 半導体レーザダイオードのスクリーニグ方法３、補正孕
する者 事件との関係 特許出願人 名 称 （４２２）日本電信電話公社 ４、代 理 人 〒１６０ 住 Ｉヅｒ 東京都新宿区西〃７−宿７丁目５＃１０号
第２ミゾタビルデイング７階 ５、補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」の欄 ６、補正の内容 別紙のとおり 特許請求の範囲ケ次のように訂正する。 口１）半導体レーザダイオードの初期特性として、雰囲
気温度をパラメータとして、一定出力駆動電流値の臨界
温度の値’ｌ’ａ ｆ測定層このＴａＭのヒストグラム
を作成し、該ヒストグラムの平均値及び標準偏差をめ、
このヒストグラムの平均値より所望の標準偏差の分布内
に入る素子全選別することｆｆ：特徴とする半導体レー
ザダイオードのスクリーニング方法。 （２）半導体レーザダイオードよりなる複数の母集団が
ある場合、夫々の母集団Ｊ：リザンプリングにより試料
全抽出し、夫々の試料について通常の試験による−だの
出力駆動値の温度特性よジ臨界温度の値及び強制加速試
験による臨界温度の値と孕測定し、両方の臨界温度値よ
り実効温度上昇△’］”ｅｆｆｉ求め、加速試験時間で
、前記の実効温度上昇を割って実効温度上昇率をめ、こ
の実効温度上昇率會（雰囲気温度限界値一本格使用時の
雰囲気の温度）で割った比をめ・この比の値により、前
記の母集団の良否を定め、（１）
第２図は温度特性における経時変化の一例を示す説明図
である。 １・・・・・・片端面白！１１３ｒｎＷ光出力動作電流
の初期特性２・・・・・・ ５ｍＷ ３・・・・・・ ８ｍＷ １′・・・・・・片端首当ｐ３ｍＷ光出力動作電流の通
電後特性２′・・・・・・ １ ５ｍＷ ３′・・・・・・片端面当り８ｍＷ光出光出力型流の通
電後特性特許出願人 日本電信電話公社 （Ｖ”）’＄３ （ＶｕＩ）’１７ぐ廣 手続補正書（自発） １．事件の表示 昭オ［１５８年特許願第１５６４００号２、発明の名称 半導体レーザダイオードのスクリーニグ方法３、補正孕
する者 事件との関係 特許出願人 名 称 （４２２）日本電信電話公社 ４、代 理 人 〒１６０ 住 Ｉヅｒ 東京都新宿区西〃７−宿７丁目５＃１０号
第２ミゾタビルデイング７階 ５、補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」の欄 ６、補正の内容 別紙のとおり 特許請求の範囲ケ次のように訂正する。 口１）半導体レーザダイオードの初期特性として、雰囲
気温度をパラメータとして、一定出力駆動電流値の臨界
温度の値’ｌ’ａ ｆ測定層このＴａＭのヒストグラム
を作成し、該ヒストグラムの平均値及び標準偏差をめ、
このヒストグラムの平均値より所望の標準偏差の分布内
に入る素子全選別することｆｆ：特徴とする半導体レー
ザダイオードのスクリーニング方法。 （２）半導体レーザダイオードよりなる複数の母集団が
ある場合、夫々の母集団Ｊ：リザンプリングにより試料
全抽出し、夫々の試料について通常の試験による−だの
出力駆動値の温度特性よジ臨界温度の値及び強制加速試
験による臨界温度の値と孕測定し、両方の臨界温度値よ
り実効温度上昇△’］”ｅｆｆｉ求め、加速試験時間で
、前記の実効温度上昇を割って実効温度上昇率をめ、こ
の実効温度上昇率會（雰囲気温度限界値一本格使用時の
雰囲気の温度）で割った比をめ・この比の値により、前
記の母集団の良否を定め、（１）
Claims (2)
- （１）半導体レーザダイオードの初期特性として、雰囲
気温度ケパラメータとして、一定出力駆動電流値の温度
特性ＴａＭケ測定し、このＴａＭのヒストグラムを作成
し、該ヒストグラムの平均値及び標準偏差をめ、このヒ
ストグラムの平均値より所望の標準偏差の分布内に入る
素子を選別することｔ特徴とする半導体レーザダイオー
ドのスクリーニング方法。 - （２）半導体レーザダイオードよりなる複数の母集団が
ある場合、夫々の母集団よりサンプリングにエリ試料を
抽出し、夫々の試料について通常の試験による一定の出
力駆動値の温度特性工り臨界温度及び強制加速試験によ
る臨界温度とｒ測定し、両方の臨界温度工り実効温度上
昇ＡＴｅｆｆｔ求め、加速試験時間で、前記の実効温度
上昇を割って実効温度上昇率會求め、この実効温度上昇
率ケ（雰囲気温度限界値一本格使用時の雰囲気の温度）
で割った比會求め、この比の値により、前記の母集団の
良否を定め、良と判定された母集団から個々のレーザダ
イオードについて、半導体レーザダイオードの初期特性
として雰囲気温度ｔパラメータとして、一定出力駆動電
流値の温度特性ＴａＭｋ測定し、このＴａ のヒストグ
ラムを作成し、該ヒストグラムの平均値及び標準偏差を
め、このヒストグラムの平均値エリ所望の標準偏差の分
布内に入る素子會選別することｔ特徴とする半導体レー
ザダイオードのスクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15640083A JPS6049690A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 半導体レ−ザダイオ−ドのスクリ−ニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15640083A JPS6049690A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 半導体レ−ザダイオ−ドのスクリ−ニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6049690A true JPS6049690A (ja) | 1985-03-18 |
Family
ID=15626906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15640083A Pending JPS6049690A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 半導体レ−ザダイオ−ドのスクリ−ニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6049690A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5334826A (en) * | 1991-05-10 | 1994-08-02 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for extending and confirming the service life of semiconductor laser of bar code reader by detecting current increase corresponding to temperature of semiconductor laser |
| JP2001133510A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-05-18 | Stmicroelectronics Srl | 集積回路の検査方法及び集積回路 |
-
1983
- 1983-08-29 JP JP15640083A patent/JPS6049690A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5334826A (en) * | 1991-05-10 | 1994-08-02 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for extending and confirming the service life of semiconductor laser of bar code reader by detecting current increase corresponding to temperature of semiconductor laser |
| JP2001133510A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-05-18 | Stmicroelectronics Srl | 集積回路の検査方法及び集積回路 |
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