JPS6049616A - イオン注入バブルデバイスの作製法 - Google Patents
イオン注入バブルデバイスの作製法Info
- Publication number
- JPS6049616A JPS6049616A JP58157068A JP15706883A JPS6049616A JP S6049616 A JPS6049616 A JP S6049616A JP 58157068 A JP58157068 A JP 58157068A JP 15706883 A JP15706883 A JP 15706883A JP S6049616 A JPS6049616 A JP S6049616A
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- JP
- Japan
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- bubble
- ion
- implanted
- ion implantation
- crystal
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明はイオン注入バブルデバイスの作製法に関するも
のである。
のである。
技術の背景
磁気バブルを利用して情報の蓄積、論理演算等を行なう
磁気バブル利用装置は、不揮発性、高記憶密度、低消費
電力等種々の特徴をもち、さらには機械的要素を全く含
まない固体素子であることから非常に高い信頼性を有し
ている。このような磁気バブルメモリ装置においては最
近の情報量の増加、装置の小型化要求などにより記憶密
度の増加がめられている。とのため最近はバブル転送路
をイオン注入法により形成し、記憶密度を高度化する方
法が用いられている。このイオン注入法によるイオン注
入バブルデバイスは第1図aの平面図及び第1図すの断
面図に示す如く、ガドリニウム・ガリウム・ガーネット
(GGG)基板1の上に液相エピタキシャル成長させた
磁性ガーネットのバブル用結晶2に対しバブル転送用・
ぐターンBLJ外の領域4に水素、ネオン、ヘリウム等
のイオンを注入するのである。このようにパターン3を
形成した素子は、イオンが注入された領域4の磁化容易
軸方向が矢印Aの如く面内方向と一致し、パターン3の
非イオン注入領域の磁化容易軸方向は矢印Bの如くもと
のit面内方向と垂直である。
磁気バブル利用装置は、不揮発性、高記憶密度、低消費
電力等種々の特徴をもち、さらには機械的要素を全く含
まない固体素子であることから非常に高い信頼性を有し
ている。このような磁気バブルメモリ装置においては最
近の情報量の増加、装置の小型化要求などにより記憶密
度の増加がめられている。とのため最近はバブル転送路
をイオン注入法により形成し、記憶密度を高度化する方
法が用いられている。このイオン注入法によるイオン注
入バブルデバイスは第1図aの平面図及び第1図すの断
面図に示す如く、ガドリニウム・ガリウム・ガーネット
(GGG)基板1の上に液相エピタキシャル成長させた
磁性ガーネットのバブル用結晶2に対しバブル転送用・
ぐターンBLJ外の領域4に水素、ネオン、ヘリウム等
のイオンを注入するのである。このようにパターン3を
形成した素子は、イオンが注入された領域4の磁化容易
軸方向が矢印Aの如く面内方向と一致し、パターン3の
非イオン注入領域の磁化容易軸方向は矢印Bの如くもと
のit面内方向と垂直である。
従ってバブル5は回転磁界によってパターン3の周縁に
沿って転送される。そしてこのノ?ターン3は円形や四
角形をその一部が重なるようにして列状に配列した形状
であるため、ギャップを必要とした従来のノ等−マロイ
/4’ターンに比し寸法精度が緩くとも良く、従ってパ
ターンが小さくでき高密度化が実現される。
沿って転送される。そしてこのノ?ターン3は円形や四
角形をその一部が重なるようにして列状に配列した形状
であるため、ギャップを必要とした従来のノ等−マロイ
/4’ターンに比し寸法精度が緩くとも良く、従ってパ
ターンが小さくでき高密度化が実現される。
従来技術と問題点
従来このようなイオン注入バブルデバイスにおいて、そ
のイオン注入層に・々プルの転送に十分な誘起異方性磁
界を得るためには、水素イオン注入量を多くする方法と
、5102スペーサを高基板温度でス・ヤッタする方法
とが知られている。しかし前者はイオン注入に長時間を
要するという欠点があシ、後者は基板に5io2膜の形
成を伴なうため、結晶表面がプラズマにさらされなくな
るという欠点があった。
のイオン注入層に・々プルの転送に十分な誘起異方性磁
界を得るためには、水素イオン注入量を多くする方法と
、5102スペーサを高基板温度でス・ヤッタする方法
とが知られている。しかし前者はイオン注入に長時間を
要するという欠点があシ、後者は基板に5io2膜の形
成を伴なうため、結晶表面がプラズマにさらされなくな
るという欠点があった。
発明の目的
(3)
本発明は上記従来の欠点に鑑み、誘起異方性磁界の大き
なイオン注入パブルデ/Jイスを短[1で作製できるイ
オン注入・ぐブルデ・々イスの作製法を提供することを
目的とするものである。
なイオン注入パブルデ/Jイスを短[1で作製できるイ
オン注入・ぐブルデ・々イスの作製法を提供することを
目的とするものである。
発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、・ぐプル用結晶にイ
オン注入によってバブルの転送路を形成するイオン注入
バブルデバイスの作製法において、イオン注入後のバブ
ル用結晶を希ガスのプラズマにさらし、誘起異方性磁界
ΔHkを増大させ、しかるのちに結晶表面に層間絶縁膜
を形成するか、またはイオン注入後のバブル用結晶に低
エネルギー分子流を照射することを特徴とするイオン注
入・ぐプルデバイスの作製法を提供することによって達
成される。
オン注入によってバブルの転送路を形成するイオン注入
バブルデバイスの作製法において、イオン注入後のバブ
ル用結晶を希ガスのプラズマにさらし、誘起異方性磁界
ΔHkを増大させ、しかるのちに結晶表面に層間絶縁膜
を形成するか、またはイオン注入後のバブル用結晶に低
エネルギー分子流を照射することを特徴とするイオン注
入・ぐプルデバイスの作製法を提供することによって達
成される。
発明の実施例
り下、本発明実施例を図面によって詳述する。
第2図は第1の実がp例を説明するだめの図である。
本実施例は平行平板型プラズマエツチング装置を用いて
ウェハへ(バブル用結晶)をプラズマ処理(4) する方法であり、第2図において、10は真空容器、1
1はウェハー、12はウェハーを載置する電極、13は
対向電極、14はガス導入口、15は排気口、16は高
周波電源をそれぞれ示している。
ウェハへ(バブル用結晶)をプラズマ処理(4) する方法であり、第2図において、10は真空容器、1
1はウェハー、12はウェハーを載置する電極、13は
対向電極、14はガス導入口、15は排気口、16は高
周波電源をそれぞれ示している。
本実施例は、イオン注入したウェハー11を、そのイオ
ン注入層を上にして電極12上に置き、容器10の内部
を排気したのち、希ガスをガス導入口14から導入し、
電極12と対向電極13との間に高周波電力を供給して
該電極間にプラズマを発生させ、そのプラズマによシウ
ェハ−11のイオン注入層の誘起異方性磁界ΔHkを増
大させるのである。第1表はこの処理を行なう前後での
誘起異方性磁界ΔHkの値である。試料のウェハーのイ
オン注入条件は2 X 10 Ne /cm2.200
KeVであシ、プラズマ処理条件は希ガスとしてArガ
スを用い、圧力0. I Torrs ウェハ一温度2
80℃処理時間20分とした。なお比較のためAr ガ
スのかわりにCF4及び02を用いた場合も示した。
ン注入層を上にして電極12上に置き、容器10の内部
を排気したのち、希ガスをガス導入口14から導入し、
電極12と対向電極13との間に高周波電力を供給して
該電極間にプラズマを発生させ、そのプラズマによシウ
ェハ−11のイオン注入層の誘起異方性磁界ΔHkを増
大させるのである。第1表はこの処理を行なう前後での
誘起異方性磁界ΔHkの値である。試料のウェハーのイ
オン注入条件は2 X 10 Ne /cm2.200
KeVであシ、プラズマ処理条件は希ガスとしてArガ
スを用い、圧力0. I Torrs ウェハ一温度2
80℃処理時間20分とした。なお比較のためAr ガ
スのかわりにCF4及び02を用いた場合も示した。
第1表
第1表の如く通常エツチングに用いるCF4,02カど
のプラズマではΔHkは減少するがArガスでは250
00.e程度増大し、48000.eのΔHkが得られ
た。
のプラズマではΔHkは減少するがArガスでは250
00.e程度増大し、48000.eのΔHkが得られ
た。
第3図は第2の実施例を説明するための図であり、同図
において、20は真空容器、21はウェハー、22はガ
ス導入口、23は排気口、24はコイル、25は高周波
電源をそれぞれ示している。
において、20は真空容器、21はウェハー、22はガ
ス導入口、23は排気口、24はコイル、25は高周波
電源をそれぞれ示している。
本実施例は円筒型プラズマエツチング装置を用いる方法
であ)、真空容器20の中にイオン注入したウェハー2
1を挿入したのち、内部を排気するとともに希ガスを導
入し、コイル24に高周波電力を供給し、プラズマを発
生させイオン注入層の誘起異方性磁界ΔHkを増大させ
るものである。
であ)、真空容器20の中にイオン注入したウェハー2
1を挿入したのち、内部を排気するとともに希ガスを導
入し、コイル24に高周波電力を供給し、プラズマを発
生させイオン注入層の誘起異方性磁界ΔHkを増大させ
るものである。
この場合の効果は前実施例と同様であシ、さらにイオン
によるスノ千ツタ効果が小さいのでウェハー表面の損傷
が小さいという利点がある。
によるスノ千ツタ効果が小さいのでウェハー表面の損傷
が小さいという利点がある。
第4図は第3の実施例を説明するための図である。本実
施例は第1.第2の実施例と異なシ、プラズマのかわシ
に分子流を用いる方法である。第4図において30は分
子流発生装置、31は真空容器、32はガス導入口、3
3はカソード、34はイオン生成室、35はコイル、3
6はしゃへい電極、37は引出し電極、38は加速電源
、39は中和用フィラメント、40はウェハー、41は
中性粒子をそれぞれ示している。
施例は第1.第2の実施例と異なシ、プラズマのかわシ
に分子流を用いる方法である。第4図において30は分
子流発生装置、31は真空容器、32はガス導入口、3
3はカソード、34はイオン生成室、35はコイル、3
6はしゃへい電極、37は引出し電極、38は加速電源
、39は中和用フィラメント、40はウェハー、41は
中性粒子をそれぞれ示している。
本実施例は、イオン生成室34で発生されたプラズマの
うち、正イオンを引出し電極37で一定のエネルギーに
加速し、このイオン流を中和用フィラメント39から電
子を供給して中性粒子41となし、この中性粒子からな
る中性分子流をウェハー40に照射し、そのイオン注入
層の誘起異方性磁界ΔHkを増加せしめるのである。第
2表は本実施例の処理方法により処理された試料の処理
前後における誘起異方性磁界ΔI(□の変化を示したも
のである。なお処理条件としては加速エネルギー200
eV、処理時間20分、ウェハ一温度200℃、使用分
子はアルゴンを用いた。
うち、正イオンを引出し電極37で一定のエネルギーに
加速し、このイオン流を中和用フィラメント39から電
子を供給して中性粒子41となし、この中性粒子からな
る中性分子流をウェハー40に照射し、そのイオン注入
層の誘起異方性磁界ΔHkを増加せしめるのである。第
2表は本実施例の処理方法により処理された試料の処理
前後における誘起異方性磁界ΔI(□の変化を示したも
のである。なお処理条件としては加速エネルギー200
eV、処理時間20分、ウェハ一温度200℃、使用分
子はアルゴンを用いた。
第2表
本実施例の場合第2表の如くΔHkの増加が得られ、ま
た照射エネルギーの制御が容易であるという利点がある
。
た照射エネルギーの制御が容易であるという利点がある
。
発明の効果
以上、詳細に説明したように本発明のイオン注入バブル
デバイスの作製法は、注入に時間のががる水素イオン注
入を用いるととなく十分大きな誘起異方性磁界が得られ
、かつ作製時間の短縮が得られるといった効果大なるも
のである。
デバイスの作製法は、注入に時間のががる水素イオン注
入を用いるととなく十分大きな誘起異方性磁界が得られ
、かつ作製時間の短縮が得られるといった効果大なるも
のである。
第1図は従来のイオン注入バブルデバイスヲ説明するた
めの図、第2図は本発明によるイオン注入/Sゾルデバ
イスの作製法の第1の実施例を説明するための図、第3
図は第2の実施例を説明するための図、第4図は第3の
実施例を説明するだめの図である。 図面において、10,20.31は真空容器、12.1
3は電極、11,21.40はウェハー24はコイル、
16.25は高周波電源、41は中性粒子をそれぞれ示
す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士内田幸男 弁理士 山 口 昭 之 第1図 (a) (b) 第2図
めの図、第2図は本発明によるイオン注入/Sゾルデバ
イスの作製法の第1の実施例を説明するための図、第3
図は第2の実施例を説明するための図、第4図は第3の
実施例を説明するだめの図である。 図面において、10,20.31は真空容器、12.1
3は電極、11,21.40はウェハー24はコイル、
16.25は高周波電源、41は中性粒子をそれぞれ示
す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士内田幸男 弁理士 山 口 昭 之 第1図 (a) (b) 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、バブル用結晶にイオン注入によってバブルの転送路
を形成するイオン注入バブルデバイスの作製法において
、イオン注入後のバブル用結晶を希ガスのプラズマにさ
らし、誘起異方性磁界ΔHkを増大させ、しかるのちに
結晶表面に層間絶縁膜を形成することを特徴とするイオ
ン注入バブルデバイスの作製法。 2、バブル用結晶にイオン注入によって・ぐプルの転送
路を形成するイオン注入パブルデ・ぐイスの作製法にお
いて、イオン注入後のバブル用結晶に低エネルギー分子
流を照射することを特徴とするイオン注入バブルデバイ
スの作製法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58157068A JPS6049616A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | イオン注入バブルデバイスの作製法 |
CA000461786A CA1231629A (en) | 1983-08-30 | 1984-08-24 | Process for producing ion implanted bubble device |
US06/644,963 US4568561A (en) | 1983-08-30 | 1984-08-28 | Process for producing ion implanted bubble device |
EP84401728A EP0139556B1 (en) | 1983-08-30 | 1984-08-29 | Process for producing ion implanted bubble device |
DE8484401728T DE3478531D1 (en) | 1983-08-30 | 1984-08-29 | Process for producing ion implanted bubble device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58157068A JPS6049616A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | イオン注入バブルデバイスの作製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6049616A true JPS6049616A (ja) | 1985-03-18 |
JPH035641B2 JPH035641B2 (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=15641522
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58157068A Granted JPS6049616A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | イオン注入バブルデバイスの作製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6049616A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60182091A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-17 | Fujitsu Ltd | イオン注入バブルデバイスの作製方法 |
JPS60182090A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-17 | Fujitsu Ltd | イオン注入バブルデバイスの作製方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105202908A (zh) * | 2015-11-03 | 2015-12-30 | 苏州市金翔钛设备有限公司 | 真空自耗电弧炉 |
-
1983
- 1983-08-30 JP JP58157068A patent/JPS6049616A/ja active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60182091A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-17 | Fujitsu Ltd | イオン注入バブルデバイスの作製方法 |
JPS60182090A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-17 | Fujitsu Ltd | イオン注入バブルデバイスの作製方法 |
JPS6360475B2 (ja) * | 1984-02-29 | 1988-11-24 | ||
JPS6360476B2 (ja) * | 1984-02-29 | 1988-11-24 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH035641B2 (ja) | 1991-01-28 |
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