JPS6045227A - エレクトロクロミツク素子の製造方法 - Google Patents
エレクトロクロミツク素子の製造方法Info
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- JPS6045227A JPS6045227A JP58153422A JP15342283A JPS6045227A JP S6045227 A JPS6045227 A JP S6045227A JP 58153422 A JP58153422 A JP 58153422A JP 15342283 A JP15342283 A JP 15342283A JP S6045227 A JPS6045227 A JP S6045227A
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- Japan
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- electrochromic
- layer
- electrode
- substrate
- glow discharge
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
- G02F1/1524—Transition metal compounds
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電気化学的発消色現象、即ち、エレクトロク
コミック現象を応用した素子を製造する方法に関するも
の・で、特にこのようなエレクトロクロミック素子にお
けるエレクトロクロミック層のパターニングに関するも
のである。
コミック現象を応用した素子を製造する方法に関するも
の・で、特にこのようなエレクトロクロミック素子にお
けるエレクトロクロミック層のパターニングに関するも
のである。
エレクトロクロミック現象を利用した全固体型エレクト
ロクロミック素子の2つの従来例を第1図および第2図
に示す。
ロクロミック素子の2つの従来例を第1図および第2図
に示す。
第1図に示すエレクトロクロミック素子は、透明な基板
lの上に、透明導電体膜よりなる第1電極2、陰極側発
色層であるエレクトロクロミック層3、絶縁層4、導電
体膜より成る第2電極5を順次積層してなるものである
。また、第2図に示すエレクトロクロミック素子は、第
1図に示す構造における絶縁層4と:JS2電極5との
間に、さらに、陽極側発色層である第2のエレクトロク
ロミック層6を積層したものである。
lの上に、透明導電体膜よりなる第1電極2、陰極側発
色層であるエレクトロクロミック層3、絶縁層4、導電
体膜より成る第2電極5を順次積層してなるものである
。また、第2図に示すエレクトロクロミック素子は、第
1図に示す構造における絶縁層4と:JS2電極5との
間に、さらに、陽極側発色層である第2のエレクトロク
ロミック層6を積層したものである。
上記の構造において、基板1は一般的にカラス板によっ
て形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチッ
ク板またはアクリル板等の如く無色透明な板であればよ
く、また、その位置に関しても、第1電極2の下ではな
く第2電極5の」二に設けてもよいし、1:1的に応じ
て(例えば、保護カバーにするなどの目的で)両側に設
けてもよい。電極2および5に関しても、どちらか−力
の′電極が透明であればよいし、両側か透明であれば透
過型の素子ができる。
て形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチッ
ク板またはアクリル板等の如く無色透明な板であればよ
く、また、その位置に関しても、第1電極2の下ではな
く第2電極5の」二に設けてもよいし、1:1的に応じ
て(例えば、保護カバーにするなどの目的で)両側に設
けてもよい。電極2および5に関しても、どちらか−力
の′電極が透明であればよいし、両側か透明であれば透
過型の素子ができる。
」−記の全固体型エレクトロクロミンク素子に一般的に
用いられている11りの材料の代表例を列挙する。第1
電極2を構成する透明導電膜としては、ITO膜(酸化
インジウムIn2O3中に酸化錫5n02をドープした
もの)やネサ1模等が用いられる。
用いられている11りの材料の代表例を列挙する。第1
電極2を構成する透明導電膜としては、ITO膜(酸化
インジウムIn2O3中に酸化錫5n02をドープした
もの)やネサ1模等が用いられる。
陰極側発色層であるエレクトロクロミック層3は、二酸
化タングステン(WO2)、二酸化タングステン(wo
3’)、二酸化モリブテン(M00□)、五酸化モリブ
テン(M2O3)、五酸化バナジウム(V2O3)等を
用いて形成する。
化タングステン(WO2)、二酸化タングステン(wo
3’)、二酸化モリブテン(M00□)、五酸化モリブ
テン(M2O3)、五酸化バナジウム(V2O3)等を
用いて形成する。
絶縁層4には、二酸化ジルコン(Zr02 ) 、酸化
ケイ素(SiO) 、二酸化ケイ素(Si02 ) 、
五酸化タンタル(Ta205 )等に代表される酸化物
、あるいはフッ化リチウム(LiF) 、フ・ン化マグ
ネシウム(MgF2) 4に代表されるフッ化物か用い
られるが、この絶縁層は誘電体のみでなく、固体電解質
等のようなものでよい。
ケイ素(SiO) 、二酸化ケイ素(Si02 ) 、
五酸化タンタル(Ta205 )等に代表される酸化物
、あるいはフッ化リチウム(LiF) 、フ・ン化マグ
ネシウム(MgF2) 4に代表されるフッ化物か用い
られるが、この絶縁層は誘電体のみでなく、固体電解質
等のようなものでよい。
第2電極5には、例えばAuの半透明導電膜が使用され
る。また、第2図に示すものにおいて、陽極側発色層で
ある第2エレクトロクロミック層6は、三酸化クロム(
Cr2’3) 、水酸化イリジウム (Ir(0)1h
) 、水酸化ニッケル(Ni(OHh )等を用いて
形成する。
る。また、第2図に示すものにおいて、陽極側発色層で
ある第2エレクトロクロミック層6は、三酸化クロム(
Cr2’3) 、水酸化イリジウム (Ir(0)1h
) 、水酸化ニッケル(Ni(OHh )等を用いて
形成する。
この様な構造をもつ全固体型エレクトロクロミック素子
は、第1電4fA2と第2電極5の間に電圧を印加する
ことにより電気化学的反応が起き着色、消色をする。こ
の着色機構は、例えば、ifのエレクトロクコミック層
3へのカチオンと′電子のタプルインジェクションによ
るブロンズ形成にあると一般的にJわれでいる。例えば
、そのエレクトロクロミック物質にWO3を用いる場合
には、次の(1)式で表わされる耐化還元反応が起き着
色する。
は、第1電4fA2と第2電極5の間に電圧を印加する
ことにより電気化学的反応が起き着色、消色をする。こ
の着色機構は、例えば、ifのエレクトロクコミック層
3へのカチオンと′電子のタプルインジェクションによ
るブロンズ形成にあると一般的にJわれでいる。例えば
、そのエレクトロクロミック物質にWO3を用いる場合
には、次の(1)式で表わされる耐化還元反応が起き着
色する。
WO3+ xH” + xe−4: H2O2(1)(
])式に従って、タングステンブロンスHxWO3か形
成され着色するが、ここで、印加電圧を逆転すれば消色
状態となる。
])式に従って、タングステンブロンスHxWO3か形
成され着色するが、ここで、印加電圧を逆転すれば消色
状態となる。
(1)式のこの様な反応は、全固体型エレクトロクロミ
ック素子においては、素子内部の絶縁層によって、プロ
トンH+が供給され着色するとされている。
ック素子においては、素子内部の絶縁層によって、プロ
トンH+が供給され着色するとされている。
上記のようなエレクトロクロミック素子におけるエレク
トロクロミック層のパターニングをするには、従来、マ
スク78Mやレジストエツチングによるパターニングが
なされてきた。しかし、このような従来のパターニング
では、下地とエレクトロクロミック層が形成された部分
とに段差が生じ、全固体型エレクトロクロミック素子の
タイプであると、段差の部分が見えてしまったり、液体
′屯解質型エレクトロクロミック素子のタイプであると
、エレクトロクロミンク層のない部分に、新らたに、絶
縁膜を付けるなどの工程が必要となる。
トロクロミック層のパターニングをするには、従来、マ
スク78Mやレジストエツチングによるパターニングが
なされてきた。しかし、このような従来のパターニング
では、下地とエレクトロクロミック層が形成された部分
とに段差が生じ、全固体型エレクトロクロミック素子の
タイプであると、段差の部分が見えてしまったり、液体
′屯解質型エレクトロクロミック素子のタイプであると
、エレクトロクロミンク層のない部分に、新らたに、絶
縁膜を付けるなどの工程が必要となる。
本発明の目的は、上記のような従来のノくターニングに
おける欠点を排除したエレクトロクロミック素子の製造
方法を提供することである。
おける欠点を排除したエレクトロクロミック素子の製造
方法を提供することである。
本発明によるエレクトロクロミ・ンク素子の製造方法は
、導電体膜より成る第1電極と、エレクトロクロミック
層と、絶縁層と、導電体膜より成る第2電極を含むエレ
クトロクロミ・ンク素子を製造するにあたって、第1電
極上にエレクトロクロミック層を積層したのちに、この
層をパターニングする際、エレクトロクロミ・ンク層と
して使用しない部分に、グロー放電によって励起させた
Ar雰囲気をあてることにより、この部分にエレクトロ
クロミ・ンク機能を失なわせしめ、パターニングするこ
とを特徴とするものである。
、導電体膜より成る第1電極と、エレクトロクロミック
層と、絶縁層と、導電体膜より成る第2電極を含むエレ
クトロクロミ・ンク素子を製造するにあたって、第1電
極上にエレクトロクロミック層を積層したのちに、この
層をパターニングする際、エレクトロクロミ・ンク層と
して使用しない部分に、グロー放電によって励起させた
Ar雰囲気をあてることにより、この部分にエレクトロ
クロミ・ンク機能を失なわせしめ、パターニングするこ
とを特徴とするものである。
本発明の方法によれば、エレクトロクロミ・ンク層自体
が、エレクトロクロミ・ンク現象を起こす所と、起こさ
ない所に別れる為に1段差のない、あるいはあっても、
ごくわずかしかな(、X層となる為、見えの点等が改善
されるのである。
が、エレクトロクロミ・ンク現象を起こす所と、起こさ
ない所に別れる為に1段差のない、あるいはあっても、
ごくわずかしかな(、X層となる為、見えの点等が改善
されるのである。
本発明で用いられるエレクトロクロミック材ホJJi々
あるが、好ましくは、酸化タングステンを用い、また、
グロー放電も、イオンブレーティング装置内で処理され
るのが好ましい。
あるが、好ましくは、酸化タングステンを用い、また、
グロー放電も、イオンブレーティング装置内で処理され
るのが好ましい。
このようにAr零四囲内グロー放電を行うと、グロー放
電によって励起されたArイオンが、絶縁層をアク・ア
クしながらこの層を通過し、エレクトロクロミック層を
アク・アクし、エレクトロクロミック層を構成する材料
の構造に変化をもたらし、この部分のエレクトロクロミ
ック機能を失わしめて、所望のパターニングを達成する
。
電によって励起されたArイオンが、絶縁層をアク・ア
クしながらこの層を通過し、エレクトロクロミック層を
アク・アクし、エレクトロクロミック層を構成する材料
の構造に変化をもたらし、この部分のエレクトロクロミ
ック機能を失わしめて、所望のパターニングを達成する
。
本発明によるエレクトロクロミック素子を製造するのに
使用されるイオンブレーティング装置の一例を第3図に
示す。1Δ中、11はイオンブレーティング装置6の本
体、12は電子銃(EB’/j’ン) 、l 3ハ傘<
M板ホ/l/ グー )、14ハDCバイアスを印加す
るDCバイアス源、15は高周波コイル(RF コイル
)、16はAr供給源、17はニードルバルブ、18は
基板(被蒸着体)を示す。
使用されるイオンブレーティング装置の一例を第3図に
示す。1Δ中、11はイオンブレーティング装置6の本
体、12は電子銃(EB’/j’ン) 、l 3ハ傘<
M板ホ/l/ グー )、14ハDCバイアスを印加す
るDCバイアス源、15は高周波コイル(RF コイル
)、16はAr供給源、17はニードルバルブ、18は
基板(被蒸着体)を示す。
第3図に示す装置によってエレクトロクロミック素子を
製造する工程は歌の通りである。
製造する工程は歌の通りである。
先ず、ノ^板lの上に適当な引出し電極部およびリード
部を備えた第1電極2を形成し、これを第3図の装置内
に18で示す如く設置し法発材として例えば酸化タング
ステン(WCh )を用い、電子銃12を用いた真空A
着方法によりWO3のエレクトロクロミンク層を形成し
、さらに、絶縁層4の膜形成する。これらのII!l!
の形成後、この基板にマスクをかけ、Ar供給源16か
ら導入されるAr零囲気内でグロー放電をさせる。
部を備えた第1電極2を形成し、これを第3図の装置内
に18で示す如く設置し法発材として例えば酸化タング
ステン(WCh )を用い、電子銃12を用いた真空A
着方法によりWO3のエレクトロクロミンク層を形成し
、さらに、絶縁層4の膜形成する。これらのII!l!
の形成後、この基板にマスクをかけ、Ar供給源16か
ら導入されるAr零囲気内でグロー放電をさせる。
このグロー放電によって所望のパターニング作用が達成
される。
される。
次に、該絶縁層4の上に第2電極5の膜を形成しく第1
図に示すエレクトロクロミック素子の場合)、或いは該
絶縁層4の上に、陽極側発色層であるニレクロドロクロ
ミック層6を真空 1を 蒸着法で形成した上、第2電極5の119を形成する(
Ei:S 2図に示すエレクトロクロミンク素子の場
合)。
図に示すエレクトロクロミック素子の場合)、或いは該
絶縁層4の上に、陽極側発色層であるニレクロドロクロ
ミック層6を真空 1を 蒸着法で形成した上、第2電極5の119を形成する(
Ei:S 2図に示すエレクトロクロミンク素子の場
合)。
次に本発明によるエレクトロクロミック素子を製造する
方法の実施例について説明する。
方法の実施例について説明する。
実施例1
厚み0.8mmのガラス(Carning 7059)
の板よりなる基板1上に、適当な引き出し部及びリード
部を備えた ITO膜の第171f&i2を形成し、電
子銃12を用いた真空蒸着方法により、上記の第1電極
2上に、エレクトロクロミンク層3として11103膜
、絶縁層4としてTa7C15IIりを形成した。II
!、!厚は、それぞれ、4000A、3000Aであっ
た。
の板よりなる基板1上に、適当な引き出し部及びリード
部を備えた ITO膜の第171f&i2を形成し、電
子銃12を用いた真空蒸着方法により、上記の第1電極
2上に、エレクトロクロミンク層3として11103膜
、絶縁層4としてTa7C15IIりを形成した。II
!、!厚は、それぞれ、4000A、3000Aであっ
た。
、ノー記膜形成後、この基板にマスクをかけA「供給源
より導入されるAr零四気内で、高周波グロー放電をか
けた。このときの条件は。
より導入されるAr零四気内で、高周波グロー放電をか
けた。このときの条件は。
Ar導導接後真空度、5X 10− Torr、グロー
放゛屯時間は、 3.0 min 、 RFパワー25
0 wテあった。
放゛屯時間は、 3.0 min 、 RFパワー25
0 wテあった。
この処理後、上記膜」ニへ、第2電極5としてAu膜を
付けた。膜厚は300Aであった。
付けた。膜厚は300Aであった。
2、Ovで駆動したところ、パターニングの跡が見えな
い、見栄えの良いエレクトロクロミンク素子ができた。
い、見栄えの良いエレクトロクロミンク素子ができた。
実施例2
厚み0 、8mmのガラス(fl:orning 70
59)の板よりなる基板l上に、適当な引き出し部及び
リード部を備えた ITO膜の第1電極2を形成し、電
子銃12を用いた真空蒸着方法により、上記の第1電極
2上に、エレクトロクコミック層3としてWO2膜、絶
縁層4としてTa205膜を形成した。この膜厚は、4
000A、3000Aであった。
59)の板よりなる基板l上に、適当な引き出し部及び
リード部を備えた ITO膜の第1電極2を形成し、電
子銃12を用いた真空蒸着方法により、上記の第1電極
2上に、エレクトロクコミック層3としてWO2膜、絶
縁層4としてTa205膜を形成した。この膜厚は、4
000A、3000Aであった。
上記膜形成後、この基板にマスクをかけAr供給源工6
より導入されるAr零囲気内で、高周波グロー放電をか
けた。このときの条件は、Ar導入後の真空度、5 X
IN’ Torr、グロー放電時間は、4.0 mi
n 、 RFパワー200wであった。
より導入されるAr零囲気内で、高周波グロー放電をか
けた。このときの条件は、Ar導入後の真空度、5 X
IN’ Torr、グロー放電時間は、4.0 mi
n 、 RFパワー200wであった。
この処理後、」二足膜」二へ、第2のエレクトロクロミ
ンク層6としてN1(0)1)2を80OA。
ンク層6としてN1(0)1)2を80OA。
第2電極5としてA u IIMを300A伺けた。2
.OVで駆動したところ、パターニングの跡が見えない
、見栄えの良いエレクトロクロミック素子かできた。
.OVで駆動したところ、パターニングの跡が見えない
、見栄えの良いエレクトロクロミック素子かできた。
ゐ)1図および第2図は、本発明に係る方法によって製
造されるエレクトロクロミック素子の2つの例を示す断
面図、第3図は本発明素子を製造するのに使用されるイ
オンブレーティング装;6を示す概略図である。 1・・・基板 2・・・第1電極 3・・・エレクトロクロミック層 4・・・絶縁層 5・・・第2電極 6・・・エレクトロクロミック層 11・・・イオンブレーティング装置本体12・・・電
子銃(EBガン) 13・・・傘(基板ホルダー) 14・・・DCバイアス源 15・・・高周波コイル(RFコイル)1 6 ・・・
Art共給rA l 7 −・・ニー ド ノl/ 1
<7し ブ18・・・基板(被蒸着体)
造されるエレクトロクロミック素子の2つの例を示す断
面図、第3図は本発明素子を製造するのに使用されるイ
オンブレーティング装;6を示す概略図である。 1・・・基板 2・・・第1電極 3・・・エレクトロクロミック層 4・・・絶縁層 5・・・第2電極 6・・・エレクトロクロミック層 11・・・イオンブレーティング装置本体12・・・電
子銃(EBガン) 13・・・傘(基板ホルダー) 14・・・DCバイアス源 15・・・高周波コイル(RFコイル)1 6 ・・・
Art共給rA l 7 −・・ニー ド ノl/ 1
<7し ブ18・・・基板(被蒸着体)
Claims (1)
- 導電体膜より成る第1電極と、エレクトロクロミック層
と、絶縁層と、導電体膜より成る第2電極を含むエレク
トロクロミック素子を製造するにあたって、第1電極上
にエレクトロクロミンク層を積層したのちに、この層を
パターニングする際、エレクトロクロミック層として使
用しない部分に、グロー放′准によって励起させたAr
雰囲気をあてることにより、この部分にエレクトロクロ
ミック機能を失なわせしめ、パターニングすることを特
徴としたエレクトロクロミック素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58153422A JPS6045227A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58153422A JPS6045227A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6045227A true JPS6045227A (ja) | 1985-03-11 |
Family
ID=15562155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58153422A Pending JPS6045227A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6045227A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0594971U (ja) * | 1992-06-01 | 1993-12-24 | 株式会社シーエーティブイ基盤技術研究所 | 同軸ケーブル用コネクタ |
JPH0621174U (ja) * | 1992-03-27 | 1994-03-18 | 中島通信機工業株式会社 | 同軸ケーブル用コネクター |
-
1983
- 1983-08-23 JP JP58153422A patent/JPS6045227A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0621174U (ja) * | 1992-03-27 | 1994-03-18 | 中島通信機工業株式会社 | 同軸ケーブル用コネクター |
JPH0594971U (ja) * | 1992-06-01 | 1993-12-24 | 株式会社シーエーティブイ基盤技術研究所 | 同軸ケーブル用コネクタ |
JPH084711Y2 (ja) * | 1992-06-01 | 1996-02-07 | 株式会社シーエーティブイ基盤技術研究所 | 同軸ケーブル用コネクタ |
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