JPS6043076A - 直流電源 - Google Patents

直流電源

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JPS6043076A
JPS6043076A JP58245596A JP24559683A JPS6043076A JP S6043076 A JPS6043076 A JP S6043076A JP 58245596 A JP58245596 A JP 58245596A JP 24559683 A JP24559683 A JP 24559683A JP S6043076 A JPS6043076 A JP S6043076A
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JP
Japan
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resistor
circuit
current
power supply
transistor
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JP58245596A
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フイリツプ エー・ホフマン
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SORITSUDO SUTEITO CHIYAAJIYAAZ
SORITSUDO SUTEITO CHIYAAJIYAAZU Inc
Original Assignee
SORITSUDO SUTEITO CHIYAAJIYAAZ
SORITSUDO SUTEITO CHIYAAJIYAAZU Inc
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/22Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02JCIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J5/00Circuit arrangements for transfer of electric power between ac networks and dc networks
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02JCIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J7/00Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
    • H02J7/02Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries for charging batteries from ac mains by converters
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S320/00Electricity: battery or capacitor charging or discharging
    • Y10S320/22Line impedance, e.g. resistor
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S320/00Electricity: battery or capacitor charging or discharging
    • Y10S320/27Transformerless

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  • Control Of Eletrric Generators (AREA)
  • Steering Control In Accordance With Driving Conditions (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、集積回路の製造に対して特に適合可能か電流
調整回路を含む電源、特に、整流手段と、比較的小さな
固体コンポーネントとして製作され且つ平滑回路に作用
的に連動されていて、蓄積コンデンサ並びに出力回路装
僅をも含む電流調整回路とを持つ電源にか\わる。 これに限定されるものではないが、本発明は、論理回路
、マイクロプロセッサ−チップおよび他の小さな直流作
動装置のような小さな負荷に給電するのに特に有用外簡
単で、低価格の電源回路に直接的応用がある。 比較的高張り且つ重い電圧逓降変圧器に対する必要性k
G(L、手工具な。どにおける)ζツテリの再充電に際
しては、従来の117 V’、 60H2の家庭用コン
セントおよび再充電されるべきバッテリ・セルに対して
単KW続するだけで済むバッテリ充電回路は、1976
年3月9日付でフイリツソ′A・ホフマンに付与された
5゛/々/々ツテリ充電と云う名称の米国特許第3’、
943゜423号において開示されている。電源として
は、他の電圧レベルおよび/又は周波数の使用も可能で
ある。前述のホフマン特許の充電回路ばN PNI¥合
トランジスタおよび帰還回路に作用的に連動されている
ダーリントン接続された他のトランジスタの形態におい
て実現されるのが好ましいEiJ変抵抗抵抗スイッチん
でいる。 更に、変圧器全使用せず、コード無し手工具などの1部
を形成する電動様のインダクタンスを介して再充電され
るべきjつ又はそれ以上の/:!ツデリへと供給される
電流ノξルスを作シ出すべく作用的に配列されている・
ζツテリ充電回路は、1976年7月20日付でライリ
ップA、ホフマンに付与されたパバッテリ充電回路″と
云う名称の米国特許第3.97 (’)、912号から
周知である。 整流器と、トランジスター回路を介して出力端子に連結
されている蓄積コンデンサとを含む電源は、1962年
8月14日付でウィル/ζ−B。 ドウ/:!ルに付与されたパ補助電源″と云う名称の米
国特許第3,049,623号から周知である。 ツェナ・ダイオードが広く用いられている電圧調整器回
路は次に示す米国特許において見られる。 3.530,367 ローz−トh、ガーデンギー 1
969年 3月7日本発明は、整流回路と、直列に接続
されている電流調整回路および平滑回路と、その平滑回
路からの出力接続部と全含み、その整流回路はろ波され
ていない整流出力金力え、電流調整回路は整流回路から
のP波されていない整流出力の瞬間的撮幅に応動して、
そのp波されていない整流出力が平滑回路を横切った電
圧にて規定される第1のレベルと一層高い第2のレベル
との間にある期、5間中では平滑回路に電流金泥すが、
そのP波されていない整流出力がその第2のレベルよシ
も大きい期間中では平滑回路への電流全阻止すること全
特徴とする直流電源である。 そ久)平滑回路は電流調整回路と直列に接続されている
蓄積コンデンサを含んでいる。 詳細な構成における電流調整回路は制御段と、その制御
)段からの出力に接続されている制御入力を持つネル制
御段と全含み、その制御段には負帰還が与えられている
。 負帰還はその制御段の内部デー帰還により少々くとも部
分的に与えられる、 負帰還は被制御段から制御段への外部負帰還によシ少な
くとも部分的に与えられても良い。 又、その負帰還は、その制御段の内部負帰還およびその
被制御段から制御段への外部負帰還によって与えられて
も良い。 電流調整回路は、平滑回路への電流の少なくとも大部分
がそ仁會通じて流れ、温度上外と共に値において増加し
て平滑回路への電流の流れを制限する正の渦庁係数の抵
抗を含むの゛が望ましい。 電流調整回路は、平滑回路への電流の少なくとも大部分
がそこを通して流れ且つその回路の7x−ル・セーフ動
作に対してヒューズトシて作用する抵抗を含んでも良い
。 ヒユーズとして作用し且つ平滑回路への電流の少なくと
も大部分が流れる抵抗は、温度上昇と共に値において増
加して平滑回路への電流の流れ全制限する正の温度係数
の抵抗であるのが望ましい。 平滑回路への電、流の少にくとも大部分が流れる抵抗は
、年債回路のfM造又は製作中での金に化によって形成
される。 可能な実施例における電流調整回路には、命名された順
序において直列に接続される第1の抵抗、第2の抵抗お
よび第3の」
【(抗を含むことができる。制御段は、第
4の抵抗と第3の抵抗との直列接続に直列に接続される
コレクターエミツタ路と、第1の抵抗に並列に接続され
るペース−エミツタ路と全」狛つトランジスタを含み、
第2の抵抗は前述のトランジスタのペースと、第3およ
び第4の抵抗間における接続にて規定される回路点との
間に接続される。 直ぐ前の節での電源における第1の抵抗R1+第2の抵
抗R2、第3の抵抗8.3および第4の抵抗1.4の相
対的太きさは: Rs = 0.05±0.03 、R2= 8.82±
(1,44゜およびに、3= 4.n O±0.20と
して;R1にに、N、。 n、2=1ぐ211.+ R,3= R3R14 ど規定される。 rii+ @に記述されている直流源は、次の如き、す
外わち: に4 = (1,65±0.(106、Kt−8,82
±11.088゜およびに3= 4.(10±0.04
0の定数を持つのが好ましい。 可能力実施例における電流調整回路は、命名された順序
において直列に接続される第1の抵抗、第2の抵抗およ
び第3の抵抗を含み、制御段は第4の抵抗と第3の抵抗
との直列接続に直列に瘍続されるコレクターエミツタ路
と、第5および第1の抵抗の直列に並列に接続されるペ
ース−エミツタ路とを持つトランジスタ金倉み、第2の
抵抗は前述のトランジスタのペースと、第3および第4
の抵抗間における回路点との間に接続される。 前節に記載の電源における第1の抵抗11./、 、第
2の抵抗口、′2、第3の抵抗11.3’ および箪4
の抵抗R1′4 の相対的太きさは: に、、= (1,Fi 7 ± (+、3 、 R2=
 7.6 9 十(3,38。 およびに、3 = 4.(l O±0.20として;1
(、、=Iぐ1【(4 0・2 :に204 R3=1<3n。 と規定されるのが望寸しい、 直ぐ前の節(でおいて記述されている直流電源は次の如
く、すなわち: Kl = rl、57±0.(1(16、R2−7,6
9±0.076およびT’−s = 4.0 (1±0
.04として規定される定数金持つのが好ましい。 幾つかの可能な実施例において、その電流調整回路は命
名さf’した順序において直列に接続される、所定の抵
抗と別な所定の抵抗とでもって構成される第1の抵抗と
、第2の抵抗と、第3の抵抗とを含むことができ、その
制(財)段は第4および第3の抵1A二の直列接続にi
へ列に接蘇されるコレクターエミツタ路と、その所定の
抵抗に並列に且つ別な所定の抵抗および竿5の抵抗の1
α列接続に並列に接続されるペース−エミツタ路とを持
つトランジスタを含み、その第2の抵抗はそのトランジ
スタのペースとそしてその第3および第4の抵抗間にお
ける回路点との間に接続されろう flit Nj テノT’JT、 ’i:tiX VC
オはル?X1 ノ:li、!Jj11...2W 2 
ノ抵抗R12、第3の抵抗R,3および第4の抵抗口1
4の相対的大きさは: KI−(1,65±0.03 、 R2”= 8.82
十〇、/l 4 。 およびに3= 4.00±0.20として■、、= K
、、[14 ■・2 ”” R2it、。 1”13 = K3B。 と規定される。 直ぐ前の節による直流電源は: に1 = 0.65±0.006 、K2 =、8.8
2±0.088 。 およびに3 = 4.(10±0.040として規定さ
れる定数金持つのが好ましい。 被制御段は、 M C)S F ETとしての電界効果
トランジスタ全含むことができる。 被制御段tdダーリントン配列において接続される複数
のトランジスタを含んでも良い。 平滑回路には直流出力電圧検知回路が設けられていて、
そこでのレベルに応動して、電流パルスを作シ出しそし
て直流出力レベルを作り出す回路手段全制御it ”j
るのに使用される制御信号を発生゛するようになってい
る。 以下添(71図面に従って本発明の実施例に旬き説明す
る。 第1Aおよび第1B図において例示されている如く、本
発明に従って構成された電源の例示としての箪1の実施
例並びにその変形例は、参照数字19にて総称的に指定
されている電流調整回路を含み、従来のI L7V 、
 ’60H2電圧源22を横切って接続された例示とし
て示されている1対の端子20 、21 k含んで5る
。第1Aおよび第1B図には、端子21に対して接続さ
れている電極を持つ電解コンデンサとして実現される1
00.(1μ■2の蓄積コンデンサ24を含む平滑回路
23が設けられている。蓄債コンデンザ24を横切って
は直列に56Ωの抵抗器26と少なくとも1つのツェナ
ダイオード27とが接続され、電源の出力端子28,2
9Uツエナダイオード27を横切ってか或は直列に接続
される複数の各ダイオードを横切って接続されている、 ツェナダイオードは、例えば、EOG5018Aとして
指定されている9、1vダイオードとして実現できる。 参照数字19により総称的に指定されている電流調整回
路は平滑回路23と端子20との間に接・絖され、コン
デンサ24は、電流調整回路19からの電流パルス全労
けるように回路内に設けられている。電流調整回路19
はコンデンサ24を充電するように動作する。 第1Aおよび第1B図に例示されている回路は、か力り
異なる大きさおよび電圧レベルのコンデンサを異なる電
圧レベルおよび/又は周波数の電源でもって充電するの
にも利用でき、前述の117V、234Vレベルおよび
60 Hz は単なる例である。電流調整回路19は、
第1の抵抗器33(抵抗R,1)、第2の抵抗器34(
抵抗口、2)、第3の抵抗器35(抵抗R13)および
整流用ダイオード36(第1A図)、又は端子21には
接続されていない方のコンデンサ24の1つの極板とそ
の充電回路の端子20との間に接続される整流用ダイオ
ード36′ (第1B図)を含んでいる。例示されてい
る如く、整流用ダイオード36(第1A図)は端子20
に接続されているアノードと、抵抗器35の1端に接続
されているカソードとを持っている。第1B図に示され
ているように、整流用ダイオード36′はコンデンサ2
4の極板の1つに接続されていルカソーFffi持ち、
そのアノードは抵抗器33の自由端に接続されている。 第4の抵抗器37(抵抗R,4)は第2および第3の抵
抗器34.35の接続点と、NPN)ランジスタ38の
コレクタとの間に接続されていて、トランジスタ38は
第1の抵抗器33の1端に接続されているエミッタを持
っている。第1の抵抗器33の他端はトランジスタ38
のペース並びに第2の抵抗器34の1端に接続されてい
る。トランジスタ38、抵抗器33,34.35および
37は電流調整回路19の制御段を構成している。又、
トランジスタ38のコレクタは、ダーリントン接続され
た一連のNPN接合トランジスタ39〜42全含む電流
増幅器にも接続されている。 ダーリントン接続されたトランジスタは、例えば、約2
00,000の比較的大きな電流利得(β2)全与える
ように遷ばれており、他方、トランジスタ38を含む制
御段は例えば約100の電流利得(β1)ケ持つように
選ばれる。トランジスタ39」42の各々のコレクタは
整流ダイオード36のカソード(第1A図)か、又は電
源22の端子20(第1B図〕に接続されている。トラ
ンジスタ:39〜42のうちの第1のものすなわちトラ
ンジスタ390ペースはスイッチングトランジスタ38
のコレクタに接続されている。ダーリントン接続された
トランジスタ39〜42の最稜のものすなわちトランジ
スタ42のエミッタは、電流制限用の第5の抵抗器43
(RIりを介して、コンデンサ24の1つの極板および
トランジスタ38のエミッタに接続されている。1「流
制限用としての第5の抵抗器43は、それがヒユーズと
しても機能するように選ばれた羽村からの全組化によっ
て形成される正の温度係数(P T O)の抵抗であっ
て、再充電中にある一々ツテリに変化を与えることなし
に回路を切り、周囲における危険状態全回避させている
。第1Aおよび第1I3図に例示されている電流調整回
路19の場合、ダーリ/トン回路構成のトランジスタ3
9〜。42によって構成される電流増幅器の出力とスイ
ッチング・トランジスタ38との間には外部帰還が与え
られていないが、内部帰還は第2および第1の抵抗34
゜33會介したトランジスタ38のベースへの第3の抵
抗35の連結によって与えられている。 回路19が振動する可能性は、小さなコンデンサ44を
トランジスタ38のコレクタとトランジスタ42のエミ
ッタとの間に接続しセして/又は小さなコンデンサ45
および抵抗器46のrM 列接続全トランジスタ38の
ペースとトランジスタ42のエミッタとの間に接続する
ことで回避できる。 例として、第1Aおよび第1B図に例示されていて且つ
集積回路において使用できる/ぐツテリ充電回路の回路
パラメータに対する典型的な値を次に示す。 B、1= 8.946Ω 1a=0.12A(平均〕R
2= 1.20.543Ω i p=5.0A (ピー
ク〕R3= 54,668Ω β1=100(電流利得
、制御段)R・4= ]、3.667Ω β2 =20
0,000 (電流利得。 Rs= 0.385Ω 電流増幅器) 実際問題として、抵抗R,,−R,に対する個々の値は
約±20%と云うようにかなシ変動し、抵抗R11〜B
、4に対する正確な値はそれらの間における割合はど重
要ではない。実際の場合における11.1 : R4、
1112: R4およびR,3:B、4の比率は実質的
に±5%の範囲内にあるのが望ましく、実質的に±1%
にあるのが好ましい。こうした判定基阜は、第1Aおよ
び第1B図の充電回路を拡散技術を用いて集積回路とし
て実現させること金白]能′にする。実際の場合におけ
る集積回路は、好寸しく(d:円筒状にあって、約’1
6吋の長さと約%6吋の直径とを持つ小さか・・ウジン
グ内に含寸れても良い。各々が約1吋の2つの同心状ワ
イヤ・リードがハウジングから延在して与えられる。蓄
債コンデンザ24全除いた場合での平滑回路は集積回路
の1部として構成さil、るのが好ましい。 従って、如上の比率全定数に+ 、 R2およびに3と
してそitそれ表わすと、次の如くなる。すなわち: B・4B・4 およびi<3= 4.00±0.20 =二■(,4 又は、一層好ましくは: f(+=0.65±0.006 、R2””8.82±
0.088および■ぐ3=4.00±0.04 第5の抵抗R95は他の抵抗に関して特定の比率にある
必要がないので、金属化によって容易に形成でき且つ回
路点に対する又はその間における金蔵接点にて構成でき
る。抵抗口5は、温度上昇と共に値において増大し7そ
れによシミ流を制限する正の温度係数(1) ’]’ 
O) ’4−持つ抵抗であるのが望オしい。械抗R11
〜B、4の大きさに対する抵抗n、5の大きさは非常に
小さい。抵抗R95は、実際の場合には適当な熱マウン
トがチップに与えられ、充電中では約125℃の温度に
おいて動作することになる電流調整回路全安定化させる
作用をする。充電電流は、摂氏1度当り約(1,4,5
%の割合で周囲温度における上昇と共に減少する。 運転に際して、第1人および第1B図に示されている回
路配列は、電流調整回路19の入力端子20,21IV
lに接続されるものとして示されている電圧源22に対
して電流調整回路19金接続することによって動作状態
に置かれる。充電すれるべきコンデンサ24は端子21
と電流調整回路31との間に接続されている(その電圧
は、■qbとして第少Aおよび第一5B図において例示
されている)、、第5A図は従来の117■(rms 
)、601−Jz家庭用コン七ントにおける入力源電圧
220時間の関数としての電圧波形e1に示している。 第5B図は整流用ダイオード36(第1A図)又は整流
用ダイオード36′(第1.B図)の出力における整流
電圧の波形e2を示している。第5Aおよび第5B図に
示されている′電圧波形は、60H2入力の1−サイク
ルに対して例示されている。第5C図は、約125℃の
安定な動作湯度が到達された彼での、第1Aおよびil
B図での矢印47にて示されている第5の抵抗器43を
通してコンデンサ24へと流れる充電電流icの対応波
形である。第5C図において見られる如く、交流入力の
各サイクルに対しては2つの電流スノぐイク48,49
があり、ピーク充電電流ipは約5゜OAである。こう
した電流スパイク48.4’9は、図からも見られる如
く、例えばn、o OO4秒と云う比較的短かい期間で
あり、約0.]2Aの平均充電電流iaとなる。 第1Aおよび第1B図を再び参照するk、ダイオード3
6(第1A図)又はダイオード36′(第1T3図)は
、トランジスタ39〜42によって規定されるダーリン
トン構成の電流増幅器に対して入力軍、流源を与え、制
御段のスイッチングパトランジスタ38に対して動作電
圧を与える。初めに、比較的太き外電流スノξイクが発
生されて、PTO抵抗器43をその加熱により値におい
て増大させ・、その後、その電流スパイークの振幅はそ
れらが5.OAレベルに到るにつれて小さくなり、チッ
プは約125℃の安定した動作淵度を達成する。故に、
電源22の交流電圧CIが正であってしかも例えば、充
電されるべきコンデンサ24の電圧1(bK関して2.
6v以内で僅かばかり大きい場合、トランジスタ38お
よび39〜42は導通しない。その電圧差が2.6vに
到ると、コンデンサ充電電流は、第50図での電流スノ
ξイク48の前縁として例示されているように、トラン
ジスタ39〜42全通して流れ始める。トランジスタ3
9のペースへの電流は、トランジスタ39〜42にて増
幅されそして初めは第5の抵抗器43全通してコンデン
サ24へと比較的低いレベルにおいて流れ、それにより
、電流スパイク48の前縁が5.OAレベルに向けて進
むようにコンデンサ24を充電し始める。電流スノξイ
ク48として例示されているこの電流は、整流用ダイオ
ード36.、(第1A図)又は整流用ダイオード361
 (第1B図)を介してコレクタへと供給される電圧が
1層プラスになるにつれて増大し、そのライン電圧e1
がコンデンサ電圧Ebよシも約lov大きいときに、約
5.OAのピークに到る。増加する電流は、ダーリント
ン接続されたトランジスタ39〜42へと供給されるの
みならず又、前にも述べた如く、ダイオード36とコン
デンサ24′の1つの極板との間(第1A図)又はダイ
オード36′と電源22の端子2oとの間(第1B図)
で直列に接続されている第1の抵抗器33、第2の抵抗
器34および第3の抵抗器35がら成る分圧器を介して
トランジスタ38のペースにも供給される。トランジス
タ38のペースへの電流が十分な状態でそのライン電f
f1e4がコンデンサ24の電圧Eb よりも約10v
程度大きイレベルに到ると、このトランジスタ全ターン
オンさせ、かなりの電流をそのエミッターコレクタ路全
通して流れさせてその電圧を減少させる。その結果、ト
ランジスタ39のペースへと供給される電流はダーリン
トン構成にあるトランジスタ3.9゛〜42から成る電
流増幅器に流れる電流を第5C図での電流スパイクの後
縁によって例示されているように減少させそして約0.
0004秒の期間金持つ総合的電流スパイク48奮迅速
にターンオフさせる。トランジスタ39〜42は、ライ
ン電圧eIが蓄積コンデンサの電圧Ebに対して約27
.6Vの差に到るときにターン・オフされる。この時間
期間中、第2の抵抗器34と第3の抵抗器35との間で
の接続点における電圧の低下として与えられる内部帰還
のために、トランジスタ38の実効抵抗は増加する。ト
ランジスタ39〜42は、トランジスタ38が導通して
いて、そのライン電圧間の差が蓄積コンデンサの電圧E
bに対して約27.6V以下になるときに再びターンオ
ンされ、その結果、第5C図の電流スノクイク49の前
縁が作り出され、この電流スノξイクは、ライン電圧e
1とコンデンサ電圧Eb との間における電圧差が再び
約10’ Vに到るとき、約5.OAのピークへと到達
する。トランジスタ39〜42は、ライン電圧eIとコ
ンデンサ電圧Ebとの間における差が再び約2.6vに
到る迄、導通し続ける。かくして、約5.OAで0.0
004秒期間の電流スパイク49が作り出される。こう
した作用は入力電圧e1の半サイクルおきに生ずるので
、1つはそれらの部分におけるように、2つの電流スパ
イク48.49が発生される。かくして、充電用として
の電流スパイクは、整流用ダイオード36(第1A図)
又はダイオード36′(第1B図)からの整流半波電圧
出力e2の初勘部分において、例えば約0.0004秒
と云う短かい時間期間にわたって作り出され、他の電流
スノぐイクは、前と同様にして、約(1,0004秒と
云う短かい時間期間にわたり、その終端部分(lζおい
て作り出され2)。こうした作用は次々と行われて、雷
、流スノξイークの形態における電荷をコンデンサ24
に与え、これはコンデンサ24が完・全に充電されるま
で継続する。この時間中、コンデンサは出力端子28.
29(z介して負荷へと放電され、ゼナーダイオード2
7は調整された出方電IE金与える。 117V 、、60r1z電源に代って234 V 、
 60 Hz電源が使用される場−8−(回路内におけ
る湯度変化の影響は無視して)、電流スパイク48,4
9の尖頭振幅は変らない(第5C図)が、それら電流ス
ノクイクおよび平均電流の時間期間は半分に力る。しか
しながら、笑際の場合、電源電圧が高い場合での回路の
動作湿度は低い電圧(L17V)の場合よりも低いので
、PTO抵抗器43の値全低下させて電流スパイク4’
8.49の尖頭振幅を大きくさせることになる。更に、
低い回路温度はトランジスタ38(第1Aおよび第1B
図)のゲート−エミッタ間でのスレッショルド電圧を大
きくさせるので、電流スパイクの期間および尖頭振幅を
共に増大させる傾向にある。装着が高い電源電圧で作動
されるときでの低い回路湿度の結果として、平均電流に
おける減少は、その回路温度が一定に糾:持されるとし
た場合に比較してかなシ大きい。 第2図に例示さ−れている如く、本発明に従って構成さ
れた電源回路の例示としての282の笑施例が参照数字
50により総称的に指定され、従来の117V 、 6
0Hz電圧源22を横切って接続された例示のための1
対の端子20.21ffi含み、第1Aおよび第1Bに
示されているのと類似の回路コンポーネントに対しては
類似の参照数が付与されている。第2図に示されている
平滑回路23は電解コンデンサである1000μF’l
) 蓄積:’ンデンサ24を含んでいる。コンデンサ2
4は端子21とトランジスタ38のエミッタとの間に接
続されている。蓄積コンデンサ24を横切って直列に5
60の抵抗器2.6と少なくとも1つのツェナダイオー
ド27とが接続されておシ、電混の出力端子28 、2
’9はツェナダイオード27を横切って接続され、ツェ
ナダイメート27は、例えば1うCo5o18Aとして
の9.1vダイオードとして実現できる。参照数字5.
0によって総称的に指定されている電流調整回路は端子
2 (1、21を横切ってコンデンサ24と直列に接続
されている。 第2図に例示されている基本回路5oは、117V 、
60Hz電源および234V 、60H2?[源でもっ
てコンデン?’を充電するのにも使用できる。 しかしながら、第2図に例示さiLでいる充電回路は、
かなり異なる電圧レベルおよび/又は周波数の電源でも
ってコンデンサ全充電するのべも利用でき、如上の電圧
レベルおよび周波′数は単なる例として述べられている
こと全銘記されたい。電流調整回路5011″!第1の
抵抗器51(抵抗H,/、)および第2の抵抗器52(
抵抗R’2)全含み、も(7も内部帰還が所望ならば、
第3の抵抗器53(抵抗H,/3)が、電流制限用の抵
抗f!:子54 (抵抗口、’5)k介”してコンデン
サ24とその回路の端子20との間に接続さ第1ている
整流用ダイオ−IS36に1σ列に含捷ハる。例示され
ている如く、整流用ダイオード36は端子20に接続さ
れているアノードと第3の抵抗器53の1端に接続され
ているカソードとを持っている。第1B図に例示さf’
している場合での如く、第2図の回路の変形はダイメー
ト36を、抵抗器54およびトランジスタ38のエミッ
タの接耘点とコンデンサ2・401つの極板との間に接
続される整流用ダイオードでもって置き換えることによ
って可能である。第4の抵抗器55(抵抗口・′4)は
第2および第3の抵抗器52および53の接続点とNP
Nトランジスタ38のコレクタとの間[41続されてい
る。N )’ N )ランジスタ38は、コンデンサ2
4と且つ、第1の抵抗器54を介して、第1の抵抗器5
1の1端とに接続さオしているエミッタ2持ち、第1の
抵抗器51の他端はトランジスタ38のペース並びに第
2の抵抗器52の1 ”;IRXに接続されている。 l・ランジスク38および抵抗器51〜55は電流調整
回路50の制御段を構成する。第3の抵抗器53がない
場合、抵抗R,′3は零であり、トランジスタロ38の
電極に接続されない抵抗器55の端部と抵抗器52の端
部とは、ダイオード36のカソードに直に接続されるこ
とになる。この場合には、外部帰還のみが与えられるこ
とになる。トランジスタ38のコレクタはダーリントン
構成された一連のNPN接合トランジスタ39〜42に
接続される。ダーリントン構成のトランジスタ39〜4
2は、例えば、約200,000の比較的大きい電流利
得(β29を与えるように選ばれ、他方、制御段のトラ
ンジスタ38は、例えば、約100の電流利得(β1)
全回路に持たせるように選ばれる。トランジスタ39〜
42の各々のコレクタは整流用ダイオード36のカソー
ドに接続されている。トランジスタ39〜42の初めの
ものすなわちトランジスタ39のペースはトランジスタ
゛38のコレクタに接続されている。ダーリントン接続
された電流増幅用トランジスタ39〜42の最後のもの
すなわちトランジスタ42のエミッタは第5の411:
抗器54を介して制御トランジスタ38のエミッタに接
続されている。第2図に例示されている電流調整回路5
0の場合には、外部帰還が、トランジスタ38のベース
に接続されていない方の第1の抵抗器51の端部に接続
されたコンデンサ24に接続されていない端部金持つ第
5の抵抗器54を介して、ダーリントン回路構成のトラ
ンジスタ39〜42にて構成される増幅器の出力とスイ
ッチング・トランジスタ38との間に与えられてい、る
、イ」加的内部帰還は、第1Aおよび第1B図に例示さ
れている実施例における如く、トランジスタ38のベー
スへの第3の抵抗器53(抵抗器35、第1Aおよび第
1.B図)の連結によって与えられる。 9jlとして、こ\では、第2図において例示され且つ
集f、Iif回路において使用できる充電回路の回路ノ
ξラメータに刻する典型的な値を示す、。 11、1’ = 7.64+1Ω ia = Q、12
 A (平均)[L’2= ](12,74(lΩ i
p = 5.(’l A (ピーク)■・’3= 53
,440Ω β+=1.(10(電流利イひ、制御段)
11、’4== l 3,360Ω β2 = 200
,000 (電流利得。 [l’s = (1,1100電流増幅器)第】Aおよ
び第1B図に例示されている実施例における如く、実際
問題として、抵抗R,/、〜I1.’ 、に対する個々
の値は約±20%と云う範囲で変動ず・・るが、抵抗R
・′1〜p t 4に対する正確なfriはそれらの間
における比率はど重機ではない。 実際の場合において、B%、 : R,/4. H,’
/2:n、I4およびH,/3: R,の比率は実質的
に±5%の範囲内にあるのが望ましく、実質的に±1%
にあるのが好貫しい。こうした判定基準は第2図の電流
jj!!II整回路50全回路技術を使用して集積回路
として丈現するのを可能にし、箇IAおよび2nJB図
に例示さ−れでいる実施例に関連して述べられた大きさ
くτついての11!2長はこの実施例にも等しく適用す
る。従って、如上の比重全定数に、’l + K′2お
よびに′3 としてナノ1.それ表現すると次の如くな
る。すなわち: 又は、一層好ましくは: に、=0.57±0.006. K2 = 7.69゜
±0.(17’6および■ぐ3=4.OO±0.04 抵抗R15は他の抵抗に関して特定の比率にある必要が
ないので、金属化によって容易に形成でき且つ回路点に
対する又はその間における全屈接点により構成できる。 第1Aおよび第1Bの場合における如く、抵抗B15は
、潟度士昇ど共に値において増加して電流全制限しそし
て実際の集積回路では、適当な熱マウントがチップに与
えら)t、て、・々ツテリ充電中では約125℃のテッ
プ温度において動作することになる回路を安定化させる
正の流度係数(P T C)を持つ抵抗であるのが望ま
しい。PTO抵抗器54 (R′5)は、それがヒユー
ズとしても機能するように選ばれた材料でもっての金属
化によって形成されル(7) カ好−j: L (、充
1E中におけるコンデン”4−24、平滑回路23の他
のコンポーネントおよび伶子28.29に接続されてい
る装置全破損することなく回路を切1t’l L 、周
囲における危険状態全回避させている。充電電流は、華
氏1回当シ約1//係の割合において周囲調度における
上昇につれて減少することになる。 回路5,0が1辰動する可能性は、小さな静電容量44
全トランジスタ38のコレクタとトランジスタ42のエ
ミッタとの間に接続しそして/又は小さなコンデンサ4
5と抵抗器46との直列接綺ヲトランジスタ38のペー
スとトランジスタ42のエミッタとの間に接続すること
によって回避ができる、 運転に際して、第2図に示されている回路配列は第1A
図の回路と同様にして動作状1態に置かれ、第5 A−
第50図において示されている波形幻、21′¥2図の
回路にも同様に適用する。 第2図に例示されている回路において、電流スノξイク
48.49は、i50図に9p示されている如く、動作
流風が達成さiまた後姓、約O8]2への平均光′Mc
’ m、流葡与えるように一約5.OA句近の大きさに
到達することKな勺、そこにおいて、その電流スパイク
48 、4.9はそれぞれ約n、0004秒の期間を有
している。第1A図の回路と第2図の回路との間におけ
る動作上での主な差異は次の点、すなわち、第2図の回
路には、抵抗器53による内部帰還と抵抗器54による
トランジスタ38への外部帰還とが共に与えられている
ことである。 運転に際して、第5の抵抗器54によって与えられる外
部帰還と第3の抵抗器53によって与えられる内部帰還
とは、制御段の抵抗全会え、そしてトランジスタ38に
作用して、比較的低い電圧がある期間に対してはトラン
ジスタ39〜42における電流全制限しそして高い電圧
がある時間中ではl・ランジヌタ39〜42をターン・
オフさせる。 第3図に例示されている如く1本発明に従って構成さノ
1.る第3の実施例としての電源は、参照数字57によ
って総称的に指定さり、ている電流調整回路と、従来+
7) 117V 、 60T−1,、電圧源22企横切
って接続されている例示としての1対の;lli!子2
0,21とを含んでいる。第3図において、平滑回路2
3は、端子21とトランジスタ38のエミッタとの間に
接続された電1解コンデンサとしての1000μF蓄積
コンデンサ24を含んでいる。蓄積コンデンサ24を横
切って直列(’i’−560の抵抗器26と少なくとも
1つのゼナーダイオード27とが接続されておシ、電源
の出力端子28.29はツェナダイオード27を横切っ
て接続されている。ツェナダイオード27は、例えばE
OG5Q18A として指定される9、1Vダイオード
として実現できる。参照数字57によって総称的に指定
されてい電流調整回路は端子2 (1、21を゛横切っ
て蓄積コンデンサ24と直列に接続されているので、コ
ンデンサ24は電流調整回路57からの電流パルスを受
けることができる。 第3図に例示されている回路(d、かなり異なる大キさ
および電圧レベルのコンデンサを異なる電圧レベルお工
ひ/又は周波斂の電源でもって充電するのにも利用でき
、従来σ)117Vおよび234V 、6014zの電
源は単なる例である。電流調整回路57(i、並列に接
続される抵抗器33aおよび33bによって規定され、
以下では6′′第1の抵抗″(抵抗B5+)と呼ばれる
mlの抵抗性インピーダンス、第2の抵抗器34(抵抗
R52)、第3の抵抗器35(抵抗B、3)およびコン
デンサ24の1つの極板とその充電回路の端子20との
間に接続されている整流用ダイオード36を含んでいる
。例示されている如く、整流用ダイオード36は端子2
0に接続されているアノードと、抵抗器35の1端に接
続されているカソードと4:持っているうしかしながら
、第3図に示されているダイオード36は、第1B図に
示されている如く、コンデンサ24の1つの極板に接続
されているカソードとそして抵抗器33aの自由端に接
続さf’しているアノードとを持つ整流用ダイオード3
6′によって置き換えることができるものと理解された
い。第4の抵抗器37(抵抗R14)は第2および第3
の抵抗器34および35の接続点と、NPNトランジヌ
タ38のコレクタとの間に接続され、そのトランジスタ
38のエミッタはコンデンサ24と抵抗器33bの1端
とに接続されている。抵抗器33bの他端ハトランジス
タ38のベース並びに第2の抵抗器34の1端に接続さ
れている。トランジスタ38と、抵抗器33a、33b
、34 、’35および37とは雷、流調整回路57の
制御段を構成する。トランジスタ38のコレクタは、ダ
ーリントン接続された一連のNPN接合トランジスタ3
9〜42を含む電流増幅器に接続されている。 ダーリントン接続され7tトジンジスタは、5例えば約
200.fl Oflの比較的太きa電流利得(β2)
全与えるように選ばれ、他方、l−ランジスタ38を含
む制御段は例えば約100の電流利得(fl)を持たぜ
るように選ばれている。トランジスタ39〜42の各々
のコレクタは整流用ダイオード36のカソードに(又は
b m I B図に示されている如く”、回路がダ・f
オード36ケダイオード36′でもって置き変えること
によって修正された場合には電源22の端子20に)接
続されている。トランジスタ39〜42の第1のものす
なわちトランジスタ39のベースはスイッチング・トラ
ン、ジスク38のコレクタVc接続されている。ダーリ
ントン接続されたトランジスタ39〜42の4t 4&
のも(/、)すなわちトランジスタ42のエミッタは、
電流制限用の第5の抵抗器43 (as ) ”;l:
介して、コンデンサ24およびトランジスタ38のエミ
ッタII(接続されている。 電流制限用の第5の抵抗器45は、それがヒユーズとし
ても全能するように選ばれた材料からの全屈化にて形成
される正の温度係数(PTO)金持つ抵抗であるのが望
ましく、それにより、充電中におけるコンデンサに変化
金与えることなしに回路を切り后1「シて周囲におりる
危険状憩孕回避させている。第3図に例示されている電
流調整回路57の楊企(℃は、外部帰還が、抵抗:’+
N 43と11(抗病33【)との曲における接続によ
って、スイッチング・トランジスタ38とぞしてダーリ
ントン回路構成のトランジスタ39〜42によって構成
される電流増幅器の出力との間に力えられている。内部
ン“・i)還は、抵抗器34お工び33a(5介してト
ランジスタ38のベースへの抵抗器35の連結によって
与えられている。抵抗R12〜R,4および抵抗R91
(これは並列に接続される抵抗器33aおよび33bL
7)笑効抵抗としてtj’l”ji’さit1抵抗器4
3は非常に小さいンの値並びにその比率および範囲を選
ぶには、第1A図の回路に関連せる判定基準および計算
が以下詳I11に示される如く適用される。 第1A、第1Bおよび第2図に例示された実施例におけ
る如く、その回路が如伺なる状況の下でも振動し力いこ
とを保証するには、第1A。 jfflBおよび第2図に例示されているのと同様な態
様において、小さなコンデンサ44および/又は小さ々
コンデンサ45と抵抗器45の直列接Rk?3図で示さ
れているように接続することが必要である。 例として、第4図に例示され且つ具体的集積回路におい
て使用できる調整回路の回路ノラメータに対する典型的
□な値?次に示す。 n、、= 8.946Ω 1a=0.12A(平均)R
2=120,543Ω 1p=5.OA(ビーク)夏1
.a= 54,668Ω β+=1(10(電流利得、
制御段)B<= 13.667Ω β2=200,00
0 (電流利得。 R,s= 0.38.50 電流増幅器)実際問題とし
て、抵抗R1〜11.4に対する個々の値は釣上゛20
%のようにかなシ大きく変動するが、抵抗口、l ””
 R,4に対する正確な値はそれらの間における比率t
など重畳ではない。実際の場合において、J : fl
、4 、 R2: n4 オZ U R3: R,<の
比率は実質的に±5係の範囲内にあるのが望寸しく、実
質的に±1%にあるのが好ましい。 こうした判定基準は、第3図の充電回路57を拡散技術
を用いて集積回路として実現すること発可簡にする。実
用に際して、この集積回路は、好ましくは円筒状にあっ
て、約著。吋の長さとそして約%6吋の直径とを持つ小
さ々ハウジング内に収容することができる。各々が約1
吋の2つの同心状ワイヤリードがそのハウジングから突
き出して与えられる。平滑回路に関しては、蓄積コンチ
ンサ24全除いて、その集積回路の1部分とするのが好
ましい。 従って、如上の比率を定数に、 、 K2およびI(3
としてそれぞれ表わすと、次の如くなるうおよびに3F
 4.00±0.20=−R・4 又は、一層好ましくは: に1=0.65 ±0.006. K2=8.82±0
088およびに3 = 4.0 (1±004第5の抵
抗R15は他の抵抗に関して特定の比率にある必要がな
いので、金属化によって容易に形成でき且つ回路に対す
る又はその間における金属接点にて構成できる。抵抗口
、5は、温度上昇と共に値において増加して電流の流れ
全制限する正の温度係数(Pi’O)’f<持つ抵抗で
あるのが望ましい。抵抗1(,1〜B、4の大きさに対
する抵抗R15の太きさけ非常に小さい。実際の場合に
おいて、抵抗R,5は、適当な熱マウントがテップに与
えられて、バッテリ充電中では約125℃の温度で動作
することになる電流調整回路を安定化させるようにイ/
ケ用する。充電電流は摂氏1度当り約0.45%の割合
で周囲温度の上昇につれて減少する。 第3図に示されている回路は、その動作に関する限シ、
第1A、第1Bおよび第2図に例示されている回路と同
様に動作し、第5A−第5C図の電圧および電流波形が
適用されるので、こ\では説明の反復を省略する。 第4図に例示されている如く、本発明に従って構成され
る電源の例示としての第4の実施例は、j17V 、6
0Hz電圧源22を横切って接続された例示としての1
対の端子20 、、、21 ’51”持つ電流調整回路
全台み、第1A、第1B、第2および第3爾に示されて
いる回路コンポーネントと類似のコンポーネントに対し
ては類似の参照数字が付与されている。第4図に示され
ているように、平滑回f823は、そのエミツター/ぐ
イアス抵抗器を介してトランジスタ38のエミッタと端
子21との間に接続されf?:、電解コンデンサである
1000μF蓄積コンデンザ24を含んでいる。56Ω
の抵抗器26と少なくとも1つのツェナダイオード27
とがコンデンサ24全横切って直列に接続され、その電
源の出力焔子28゜29は、例えばBOO5018Aと
して指定される9、iVダイオードとして実現できるツ
ェナダイオード27を横切って接続されている。参照数
字69によって総称的に指定されている電流調整回路は
、端子20.21を介し−で、交流源22を横切ってコ
ンデンサ24と直列に接続されている。 第4図に例示されている電流調整回路69は、117V
 、 6(lHz電源および234V 、60H2電源
からコンデンサ24を充電1するのに使用できる。しか
しながら、第4図に例示されている電流調整回路はかな
り異なる電圧レベルのコンデンサを異なる電圧レベルお
よび/又は周波数の電源でもって充電するのにも利用で
き、如上の電圧レベルおよび周波数は単なる例であると
理解されたい。電流調整回路58は、第1の抵抗器58
(抵抗R’+)、第2の抵抗器59(抵抗[”2)、内
部帰還が望まれるときに設けられる第3の抵抗器60(
抵抗L”3)、および交流源22に接続されている端子
20と抵抗器60の1端との間に接続される整流用ダイ
オ−1’36(代替として、この整流用ダイオードは第
1B図での整流用ダイオード36′によって例示されて
いるように接続されても良い)に直列にあ第6の抵抗器
62(抵抗R’6)はトランジスタ38のエミッタと、
コンデンサ2401つの極板或は、もしも第4図の回路
が第iB図に示されているように整流用ダイオードを置
き換えることにより修正されているならば、整流用ダイ
オード36′のアノードとの間に接続される。 例示されている如く、整流用ダイメートは端子20に接
続されているアノードと、第3の抵抗器60のl屑i、
i I/C接続されているカン−Fとを持っている。m
4の抵抗器63(抵抗R9’4)は第2および第3の抵
抗器59および60の接続点とNPN)ランジスタ38
のコレクタとの間に接続され、NPN)ランジスタ38
のエミッタは、一方では抵抗器621−介してコンデン
サ24に接続され、他方では抵抗器62および第5の抵
抗器61ケ介して第1の抵抗器58の1端に接続され、
抵抗器58の他端はトランジスタ38のベース並ひに第
2の抵抗器59の1端に接続 。 されている。トランジスタ38および抵抗器58〜63
は電流調整回路69の制御段を構成している。第3の抵
抗器60がない場合、抵抗R,3け零であるので、抵抗
器59の端部とトランジスタ3Bの′@極に接続されて
いない方の抵抗器63の端部とはダイオード36のカソ
ードにiM VC%或はそのダイオードが第133図に
示されているようにダイオード36′として位置されて
いる場合には端子20に接続されることになる。抵抗口
、′3の値が零である場合には、外部帰還のみが力えら
れることになる。トランジスタ38のコレクタは、好ま
しくは金坊酸化物シリコン電界効沫トランジスタ(八4
0SFET) である電界効果トランジスタ(T=’ 
E’l’ )のゲート電極+01に接続されている。λ
408 FIDT 64は約28の比較的高い相互コン
タクタンス(Gl ’に一%えるように選ばれ、他方、
制御段のトランジスタ38は例えば約100と云う比較
的太き外電光利得(βを回路内に持つように選ばれる。 MO8FE’!’64のンーヌ電極+81は整流用ダイ
オード36のカソードに(或は、もしもそのダイオード
が第1B図に示されている如く位置されているならば端
子20に)接続されている。MOS FE’r64のケ
ートはトランジスタ38のコレクタに接続されている。 MOS FET 6’4のドレイン・ゲー) (Dlは
、第5の抵抗器61に介して、コンデンサ24の1つの
極板に(或は、もしもダイオードが第1B図に示されて
いるように位置されているならば、整流用ダイオード3
6のアノードに)接佇されていると同時に、制御トラン
ジスタ38のエミッタに接続されている。λ40SFB
’l’64のサブストレートはそのドレイン電極(■)
)に導電的に接続されている。第4図に例示されている
電流調整回路58の場合には、外部帰還が、l・ランジ
スタ38のベースに接続されていない方の第1の抵抗器
58の端部に接続されているコンデンサ24(又は、第
113図の可変例が使用されるならば、ダイオード36
′のアノード)に接続されていない端部金持つ第5の抵
抗器61を介して、MOSFET 64 によって構成
されている増幅器の出力とヌイツテング・トランジスタ
38との間に与えられている。<=h加的方内部帰還は
、第2図に例示されている実施例でのように、トランジ
スタ38のペースに対する第30m 抗層60の連結に
よって与えられている。 その回路の]辰動は、例えば1200.Fの小さなコン
デンサ65を抵抗器58と並列に接続することにより回
避させることができる。 例として、第4図において例示され且つ実際の集積回路
として使用できる電流調整回路の回路パラメータに対す
る典型的な値を次に示す。 n、’r= 3,900Ω 1a=0.12A(平均)
R’ x = 10 (1,00(lΩ i p= 5
.OA (ピーク)B10−18,000Ω β=10
0 (電流利得、制斜段)■、’< = 36.00 
(lΩ 0=2.0tJR1’5= 0.07Ω (M
 OS F li ’l’増幅器の相n、’6= 27
0Ω 互コンダクタイス)第4図に例示されている実施
例において、抵抗口、′1〜B、 4’ に対する個々
の値は、実際問題として、他の実施例における如く、約
±20%と云う範囲でかなり変るが、抵抗It、’1〜
R1′4に対する正確な値はそれらの間における比率は
ど重畳ではない。実際の場合におけるR、/l: ((
、Z。 11、’2 : R,’4およびR,/3: R,/、
の比率は実質的に±5%の範囲内にあるのが望ましく、
実質的に±1係にあるのが好ましい。こうした判定基準
は第4図の回路の電流調整回路部分全拡散技術音用いて
集積回路として実現するの全可能にしており、他の実施
例に関連して述べもれた寸法での特長はこの実施例にも
等しく適用する。従って、如上の比率全定数に’1 、
 K’2およびK / 。 としてそれぞれ表現すると次の如くなる。すなわち: 又は、一層好ましくは: に’+=0.57±0.06’6. K’2=7.69
±0.076 。 および、に3= 4.00±004 抵抗R1′5は他の抵抗に関して特定の比率にある必要
が寿いので、金属化によって容易に形成でき且つ回路点
に対する又はその間における金、@接点によって構成で
きる。他の実施例の場合での如く、抵抗R1′5は、流
度上昇につれて値において増加して電流の流れを制限し
、実際の集積回路でfd、適当な熱マウントがチップに
与えられ、〕々ツテリ充電中では約125下のチップ湿
度において動作することになる回路を安定化させるよう
に作用する市の温度係数(PTO)全持つ抵抗であるこ
とが望ましい。P ’l’ O抵抗器61(R,’5)
は、それがヒユーズとしても機能するように選はね、た
49料からの金属化により形成されるのが打首しく、充
電中にあるコンデンサ、その連動された回路コンポーネ
ントおよび/又は出力端子28.29に接続されるごと
になる装@を破損することなしに回路を切りPIFすよ
うにしている。充電電流は華氏1度当シ約1/4%の割
合において周囲温度の上昇につれて減少する。 トランジスタ38に対して戸々イアス抵抗とじて作用す
る抵抗器62は、抵抗R,1〜R,4に対して特定の比
率関係にある必要がない。 第4図にイタ11示されている電力回路は第2図に例1
示されている回路とはソ同様な態4まζ・において7g
作し、第2図でのダーリントン構成のトランジスタ39
〜42に7代る八40S1・’E’l’64(第4図)
はトランジスタ38を含んでいる利便1段によってター
ン・オンおよびメツされる。E’C: 5 A −5’
450図に示さノ1.ている波形は第2図の回路と実T
j的に同じ態様にある第4図の回路によっても作り出さ
れるので、■h作についての詳細な隔諸は必Tf2カい
ものと思われる。 第4図の回路は、第5A−第5C図に例示されている波
形にb゛、1する限り、第2図の回路と本質的に同じに
動作するので、動作シーケンスについての詳述を省略す
る。 運転において、第5の抵抗器61によって与えられる外
部帰還と、第3の抵抗器6()によって力えられる内部
帰還とは、制の段の抵抗を変え、その能動素子すなわち
トランジスタに作用して、比較的低い電圧がある期間に
対してはMO8FET64に流れる電流全制限し、高い
電圧がある時間期間中ではMO8FET 64 ”cタ
ーンメツさぜるように作用する。 こ\での実施例において、電界効果トランジスタはダー
リントン構成のトランジスタ39〜420代シとして使
用できることを銘記されたい。 第6図を参照するに、そこには叫声υの平滑回路23′
が例示されている。こ(v (LiJ路は、第1A。 第1B、第2.εB3および第4図に示されている実施
例および変形例に関連して記述された平滑回路に代って
使用できる。第6図の回路は、平滑回路23の回路素子
に加えて、ツェナダイオード27に111列に接続され
ているコレクターエミッタ電極路を持つEOG198と
してのNPNトランジスタ66を含み、こめ回路でツェ
ナダイオード27は主0G5127Aとして入手できる
12Vのダイオードが用いられる。ツェナダイオード2
7のカソードとそして、Iら0G5018Aとして入手
できる(1.1vダイオードであるツェナダイオード6
8のカソードとの間を抵抗導電接続しているのは330
Ωの抵抗器67である。 抵抗器26は33Ωとして実現でき、蓄積コンデンサ2
4け1(1007zFとして案現できる。トランジスタ
66のコレクタは抵抗器67とツェナダイオード27と
の間における回路点に導電的に接続されている。第6図
に例示されている平滑回1Ni323 ’並びに他の図
面において示されている平滑回路23”°は約0.1.
2Aの最大出力電流を与え、その出力範囲における出力
脈動雷、圧は1+nvビーク−ピーク以下である。 第7図を参照するに、そこには、平滑回路23および2
3′に代用できる受動性の平滑回路23″が示されてお
シ、そこに含tt7ているフライバック・ダイオード6
9id、そのアノードにおいて交流源の1方の端子2’
 I K接続され、そのカソードにおいて誘導子70の
1端に接続されている。誘導子70の他瑞は蓄積コンデ
ンサ71の1方の極板に接続され、その他方の極板はフ
ライバック・ダイオード69のアノードおよび端子21
に接続されている。ツェナダイオード72は、フライ−
々ツ)・ダイオード69と同じ極性において、コンデン
サ71を横切って接続さノ1.ている。1対の出力端子
28 、29はコンデンサ71を横切って接続されてい
る。 第7図に例示されている回路コンポーネントは、コンデ
ンサ71および誘導子70を除き、集積回路として、他
の回路コンポーネントと同じナツツ上に形成することが
できる。多くの場合において、商業上の理由からして、
すなわち、回路23”全形成するのに回路板々ど他の従
来技術全使用できるようにするために、回路23〃のコ
ン71?−ネントをチップの1部として形成しないこと
が9″!しい。 f■8図に例示されている如く、本発明に従って構す父
され且つ巾IB図に例示されている実施例に類似した電
源の例示としての第5の実施例は、参照数字19によっ
て総称的に指定されている電流調整回路と、従来の11
7V 、 60)Jz電圧源22全横切って接続されて
いる例示としての1対の端子20 、21と金含んでい
る。第8図において、平滑回路73は、端子21に接続
された電極を持つ電解コンデンサとして実現される10
00μFの蓄積コンデンサ74全含んでいる。 鉄心入り誘導子75とフライ戸々ツク・ダイオード76
とは蓄積コンデンサ74食横切って互いに直列に接続さ
れ゛、電源の出力端子28.29は蓄積コンデンサ74
を横切って接続されている。フライバック・ダイオード
76は交流源の端子21に接続されているアノード金持
チ、そのカン−Fは誘導子75の1端に且つ整流用ダイ
オード36′のカソードに接続されている。 整流用ダイオード36′を含みそして参照数字19によ
って総称的に指定されている電流調整回路は平滑回路7
3と端子20との間に接続されており、蓄積コンデンサ
74とそして誘導子75とは、誘導子75によって平滑
された電流調整回路19からの電流パルスがコンデンサ
74を充電するように、その回路内に置力、1れている
。 第一8図に例示されている電流調整回路工9は、第1の
抵抗器33(抵抗R+ )と、第2の抵抗器34(抵抗
R12)と、第3の抵抗器35(抵抗11.3)と、誘
導子75を介して、端子21VC接続されてい々い方の
コンデンサ74の極板とその充電回路の端子20との間
に接続されている整流用ダイオード36′とを含んでい
る。整流用ダイオード36′はコンデンサ74には接続
されていない方の誘導子75の1端とそしてフライ/”
ツク・ダイオード76のカソードとに接続されているカ
ソード金持ち、ダイオード36′のアノードは抵抗器3
3の自由端に接U・されている。 第4の抵抗器37(抵抗34〕は第2および第3の抵抗
器34および35の接続点とNPNトランジスタ38の
スレフタとの間に接続され、トランジスタ38のエミッ
タは第1の抵抗器33の1備に接続されている。第1の
トランジスタ33の他端はトランジスタ38のベース並
びに第2の抵抗器34の1端に接続されている。トラン
ジスタ38と抵抗器33.’34.35および37とは
電流調整回路19の制(財)段を構成する。トランジス
タ38のコレクタはダーリントン接続された一連のNP
N接合トランジスタ39〜42を含む電流増幅器に接続
されている。 ダーリントン接続されたトランジスタは、例えば約20
+1.OG Oの比較的大きな電流利得(β2)全力え
るようQτ選ばれ、他方、トランジスタ38百−含む制
御段は例えば約100のπ1.流形1イJl(β1)全
持つように週ばれている。トランジスタ39〜42の各
々のコレクタは電源22の端子20(C接続されている
。トランジスタ39〜42の初めのものすなわちトラン
ジスタ39のベースはスイッチング・トランジスタ38
のコレクタに接続されている。ダーリントン接続された
トランジスタ39〜42のB、後のものすなわちトラン
ジスタ42のエミッタは、電流制限用の第5の抵抗器4
3 (Rs) ’f”介して、整流用ダイオード36′
のアノードとトランジスタ38のエミッタとに接続され
ている。電流制限用の第5の抵抗器43は、それがヒユ
ーズとしても機能するように選ばれた材料からの金属化
顛よって形成される正のm度係数(PTC)i持つ哲抗
で45って、平滑回路や又は負荷を破損させることなく
回路を切り離して周囲における危険状態を回避させてい
る。第8図に例示されている電流調整回路19の場合、
ダーリントン回路構成のトランジスタ39〜42によっ
て4“14成された電 ・流増幅器の出力とスイッチン
グ・トランジスタ38との曲における外部帰還は与えら
れていないが、内部扉1.3は第2および第1の抵抗器
34および33を介したトランジスタ38のベースに対
する第3の抵抗器35の連結によって与えら5れでいる
。 回路19が振mυする可?+1=注は、小さな静電容9
44をトランジスタ38のコレクタとトランジスタ42
のエミッタとの間に接続しそして/又ハ小すなコンデン
サ45および抵抗器46の直列接続をトランジスタ38
のベースとトランジスタ42のエミッタとの間に接続す
ることによって回避できる。 例えば、第8図に例示されている電流調整回路19の回
路ノ々ラメータに対する典型的な値は、対応する参IH
(数字を持っている第1Aおよび第1B図のものに対応
する。 実際問題として、第8図の回路の抵抗R,1〜【?14
に対する個々の値は、第1Aおよび@lB図の回路の場
合と同様にして、約±20係と云うようにか斤り変5の
するが、抵抗1171〜B4に対する正確な値はそれら
の間における比率はど重要でない。実際の場合における
n、、 : n、4 、 R,2: 11.4および1
1.3: n、、の比率は大賀的に±1%の範囲内にを
)るのが望ましく、第1Aおよび第1 [1図に門述し
て前に述べたものに対応する。 第8図でσ〕電源には、出力y1)4子28.29を怖
切って現わオLる直流出力電圧に応動する直流出力電圧
検知回路77が設けられている。この検知回路は、例示
されている如く、シュミット・トリガー回路として実現
されでいる。シュミット・トリが一回路77は演算増幅
器78を含み、そ°の反転入力端子は、コンデンサ74
を横切ってすなわち出力端子28.29’に値見切って
直列に接続されて(八る抵抗器81とツェナ・ダイオー
ド82との間の接続点に接続されている。演算J1;9
幅?=”A 78 (1)出力端子は抵抗器83を介し
てその非反転入力胞子に接続されている。演算増幅器7
8に対する動作/々イアスvCCは、出力端子28に対
づ−る1方の接続点と、接地基準である出力端子29に
対し−C与えられている他の接続点全弁して与えられる
。 シュミット・トリが一回路の出力である杼f算増+1’
iiT器78の出力端子は、光学結合回路84の1部で
あって且つ抵抗器35と′fバ抗外器37の間での回路
点に接続されているコレクタを持つN 、1) Nホト
・トランジスタ86のベースに対向して物理的に位置さ
れている光放出ダイオード(]、F;I))85を介し
て接地基準に接続されている。ホト・トランジスタ86
のエミッタは抵抗器34と抵抗器33との間における接
続点に接続されている。ホト・トランジスタ86が導通
すると、抵抗器34が実質的に短絡されて、制御トラン
ジスタ38を導通させ、その結果、ダーリントン情成の
トランジスタ39〜42はターン・オフされ、ホト・ト
ランジスタ86がターン・オフさノ′しるまでその丑\
V(維持される。 ホト・トランジスタ86のターン・オフ小カイ乍は、そ
のシュミット・トリガーが初期のオフ状態からオン状p
、11へと変る電、圧レベルよりも僅かばかり低い第2
の所定のレベル以下へとコンデンサ74な゛(10切っ
た′賀EEが降下して、そのシュミット・)・リガーが
その初Jυ1の状態へと戻るときに生ずZ)。これは、
コンデンサ74が高温き゛る電圧に充電されるのを防t
l−L、その直流出力電圧ケ2つの予め決めらi′1.
た値開にイ(f持することになる。 運転に際L7で、第8図に示されている回路配列は、電
流調整回路19の入力端子241 ’、 21間にI¥
続されるものとして示さitでいる電圧・源22に対し
て電流F周整回路19を1ヲ1けることで動作状態に僅
かれ、fJ!1人および筑lB図の回路と同じ態様にお
いて動作するので、第5C図に示されでいる電流スパイ
ク48..49が誘導子73を介してコンデンサ74を
充電することになる。第5 A +、 W、 50図に
例示されている波形は第8図の市、流調整回路19にも
適用するので、その動作については論語するまでもかい
と考える。従って、こ\では、電圧検知回路77および
光学連結回路840機能についてのみ記述する。)ξル
ス48.49(ffr50図)の充電作用。 は間欠的に笑施され、コンデンサ74が第1の所定のレ
ベルへと十分に充電さノするまで継続する。この期間中
、コンデンサは出力Ejii子28゜29全介して放電
しても良い。コンデンサ74を横切ってのP1’、:圧
が簗1の所定のレベルに到ると、1寅算」曽ψ吊器78
(dその茜い出力状i目へと変って、T、1ED85を
ターン・オンさせる。これはホト・トランジスタ86を
ターン・オンさせ、抵抗器34を分路してその値を低下
させて、トランジスタ38のペースに高い電圧を印加す
る。 この時点で、トランジスタ38がターン・オくして、大
きな電流全抵抗器35および37に流し、結果的に、ダ
ーリントン構成のトランジスタ39〜42?r実質的に
ターン・オフさせる。 こ\で、高い電流スパイク48.49によるコンデンサ
74の充電は停止する。コンデンサ74ケ放電させる負
荷電流のために、そC)コンデンサ74を横切った電圧
がその第1の所定のレベルよりも僅かばかり低い第2の
所定のレベルまで降下すると、演算増幅器78はその初
期の低い状態へと戻り、T、EDダイオード85がター
ン・オフされ、ホト・トランジスタ86がその非導通状
態へと戻ることになる。 こ\で、電流調整回路]9は、その平滑回路73に対し
て電、流パルスを再び供給し始め、コンデンサ74tT
;tmlの所定のレベルに向って再ひ充1げ、される。 如上の説明から明らかたように、端子28および29か
ら負荷へと供給される直流出力電圧は、その第1および
第2の所定のレベル間に維持される。 第8図での電圧検知回路77および光学結合回路84は
、もしもこうした回路の直流出力電圧について電圧調整
全力えたいならば、第1A。 第1Bおよび第2〜第4図に例示されている電源でのツ
エナパダイオード27に代って使用できるものと理解さ
れたい。
【図面の簡単な説明】
第1Aおよび第1B図は本発明にょる電源の第1の実施
例の回路図およびその変形例の回路図、第2図は本η゛
7明による電伽の第2の実施例の回路図、第3図は本発
明による電1源の第3の実施例であって、第1および第
2の実施例のせ長金組込んでいる回路図、第4図は本発
明による’In、 □jの第4の実施例であって、特に
電界効果トランジスタを含む回路図、第5A−第5C図
は、本分1111.lの動作全理解する上で有用な、絽
IA、ilB、第2.第3および第4図に例示さ力、て
いる回路での種々な場所における重圧および11Σ流波
形図、第6図は、第1A、第1B、第2、第3および第
4図に例示されている電源の実施例で使用されている受
ルカ()平滑回路に対して代替として使用できる能fh
))コンポーネントによる平滑回路の回路1ン1、第7
図は、第1A、第る電源の;I′!施例に使用されてい
る平滑回路に対して代替できる受’dji+の平滑回路
の回路図並びに第8図は、第11−1図の回路に相当す
る本発明による電源の21)5の丈廁夕11で、電工出
力制両回路ケそごに組込むことによって修正された回路
図である。 19 : 5 (); 57 : 69・・・調整回路
23;23’ ;23″ ;73・・・平滑回路36 
; 36 ’・・・整流回路 特許出願人 ンリツF ステイト テヤージャーズ インコーボレーテツド 代 理 人 北 利 欣 − 他2名 第1 図A 第2図 莢4図 算5諺A 第5図B 第5図C

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 整流回路と、直列に接続された電流調整回路およ
    び平滑回路と、その平滑回路からの出力接続部とを含む
    直流電源において、前記整流回路(3fM36”)は炉
    液されていない整流出力を与え、前記調整回路(19;
    50゜57:69)は、前記整流回路からの炉液されて
    いない整流出力の瞬間的撮幅に応動して、そのろ波され
    てい々い整流出力が前記平滑回路(23;23’;23
    ” ’; 73)を横切ったN5圧にて規定される第1
    のレベルと一層高い第2のレベルとの・間にある期間中
    では前記平滑回路へと電流金泥し、その炉液されfいな
    い整流出力がその第2のレベルよりも大きい期間中では
    前記平滑回路への電流全阻止することを特徴とする直流
    電源。 2 前記平滑回路(23;23′ ;23″;73)は
    、前記電流調整回路(19;50;57;69)と直列
    に接続された蓄積コンデンサ(24;71;74)を含
    んでいることを特徴とする%¥f請求の範囲第1項に記
    載の直流電源。 3、 前記電流調整回路(19;50;57;69)は
    制御段(38)と、該制御段からの出力に接続される制
    御入力を持つ被制御段(39〜42;69)とを含み、
    前記制御段には負帰還が与えられていることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項又は第2項のいづれかに記載の
    直流電源。 4、 負帰還が前記制御段(,38)の内部負帰還によ
    シ少なくとも部分的に与えられること全特徴とする特許
    請求の範囲第3項に記載の直流電源。 5、負帰還が前記被制御段(39〜42 ;69)から
    前記制御段(38)への外部帰還により少なくとも部分
    的に与えられることを特徴とする特許請求の範囲第3項
    に記載の直流電源。 6、負帰還が前記制御段(38)の内部負帰還と、前記
    被制御段(39〜42”、69)から前記制御段(38
    )への外部負帰還とによって与えられること全特徴とす
    る特許請求の範囲第3項に記載の直流電源。 7 前記電流調整回路(19;50;57;69)は、
    前記平滑回路(23;23’;23″;73)への電流
    の少女くとも大部分がそこを通して流れ、温度上昇と共
    に値において増加して前記平滑回路への電流全制限する
    正の温度係数の抵抗(43;54;61)を含んでいる
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項又は第2房のい
    づれかに記載の直流電源。 8、 前記電流調整回路(19,”50;57;69)
    は、前記平滑回・路C23;23’;23”;73)へ
    の電流の少なくとも大部分がそこを通して流れ且つその
    回路のフェール・セーフ動作に対してヒユーズとして機
    能する抵抗(43;54;61)を含んでいることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項のいづれかに
    記載の直流電源。 9、 前記平滑回路(23: 23”; 23” )へ
    の電流の少々くとも大部分が流れるtYJ記抵抗抵抗3
    :54;61)は、温度上昇と共に値において増加して
    前記平滑回路への電流を制限する正の湿度係数の抵抗で
    あることを特徴とする11″!i許請求の範囲第8項に
    記載の直流電源。 10 前記平滑回路(23;23’ 、’23”;73
    )への電流の少なくとも大部分が流れる前記抵抗(43
    ;54 ;61)は、集積回路の製造又は製作中におけ
    る金6化にて形成されることを特徴とする特許請求の範
    囲第8項又は第9項のいづれかに記載の直流電源。 ・11. 前記電流調整回路(19)は、命名された順
    序において直列に接続される第1の抵抗(33)、第2
    の抵抗(34)および第3の抵抗(35)k含み、前記
    制御段は、第4の抵抗(37)と前記第3の抵抗との直
    列接続に直列に接続されるコレクターエミツタ路と、前
    記第1の抵抗に並列に接続されるベース−エミツタ路と
    全持つトランジスタ(38’)’(r含み、そして前記
    第2の抵抗は前記トランジスタ(38)のペースト、前
    記第3および第4の抵抗間における接続点にて規定され
    る回路点との間に接続されていることを特徴とする特許
    請求の範囲第1項又は第2項のいづれかに記載の直流電
    源。 12、前記第1の抵抗R1己33)、第2の抵抗R12
    (34)、第3の抵抗R:+ (35)および第4の抵
    抗口・4(37)の相対的太きさは、 Kl = (1,65」= (LO3、K2 = 8.
    82±0.44およびに3 = 4.00±0.20と
    して、Il、、 = K、、 R,。 11、.2 = r<2II4 03 °に3R,4 と規定されることを特徴とする特許請求の範囲第11項
    に記載の直流電源っ 13、前記Kl + K2およびに3は:に1−0.6
    5±0.006 。 K2 = n、82±(1,088、およびに3 = 
    t、flo±0.040 であること全特徴とする特許請求の範囲第12項tic
    記載の直流電源。 」4 前記電流調整回路(5n;69)Fi、命名され
    たlFJ序において直列に接続される第1の抵抗(51
    + 58 )、第2の抵抗(52;59)および第3の
    抵抗(53;6(1)を含み、前に(シ制御段は、第4
    の抵抗(55,’63)と前記第3の抵抗との直列接続
    に直列に接U)−されるコレクターエミツタ路と、i5
    の抵抗(54;61)と前記第1の抵抗との直列接続に
    並列に接続されるペーヌーエミツタ路とを持つトランジ
    スタ(38)’e含み、前記第2の抵抗は、前記トラン
    ジスタのベースと、前記第3および第4の抵抗間におけ
    る回路点との間に接続されていること全特徴とする特許
    請求の範囲第1項又は第2項に記載の直流電源。 15 前記第1の抵抗R・’+(51;Fi 8 )、
    第2の抵抗R′2(52、’ 59.)、第3の抵抗日
    、′3(53、’ G O)および第4の抵抗It’4
    (55;63)の相対的太きさけ: f(’1 ’ = 0.57±Q、(13、K”2 =
     7.69±0.38゜およびに’ 3 = 4i10
    ±0.20として、11′l ゴに’、+1、′4 El、’2=に、’、2[1’4 It、’3= K’3n、’4 と規定されること全特徴とする特許請求の範囲第14項
    に記載の直流電、源。 16 前記に’、、に’2およびに′3は:に、−’I
     −()、57 ± 0.0(16,Iぐ’2 = 7
    .fi Q 十 0.0 7 6およびK ’ 3 =
     4JI O±0.04であることを特徴とする特許請
    求の範囲第15項に記載の直流電源。 17 前記電流調整回路(57)は、命名された順序に
    おいて直列に接続される、並列に接続されて第1の抵抗
    ?構成する所定の抵抗(33a)および別な所定の抵抗
    (33b)、第2の抵抗制御段は1第4の抵抗(37)
    と前記第3の抵抗との直列接続に直列に接続されるコレ
    クタ、−エミツタ路と、前記所定の抵抗(33a)に並
    列に接続され且つ前記別な所定の抵抗(33b)と第5
    の抵抗(43)との直列接続に並列に陸続されるペース
    −エミツタ路とを持つトランジスタ(38)’を含み、
    前記第2の抵抗しt、トランジスタ(38)のペースと
    、前記第3および第4の抵抗間における回路点との間に
    接続されていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
    又は第2項に記載の直流電源。 18 前記第1の抵抗口、+ (3’3a 、 33b
     )、第2の抵抗IL2(34)、第3の抵抗1’h(
    35)および第4の抵抗R4(3−7)の相対的大きさ
    は、Kl = 0.6 5 ± 0.0 3 、K2 
    = 8.8 2 ±0.4 4 。 およびに3 = 4.00±0.20としてR・、=に
    、R・4 1’1.2=Iぐ2 R14 R・3=に3R・4 と規定されることを特徴とする特許請求の範囲第17項
    に記載の直流電源。 19 前記に、 、 K2およびに3は:に+ = 0
    .65±0.006 、 K2 = 8.82±0.0
    88 。 およびに3 = 4.00±0.040であることを特
    徴とする特許請求のp間第18項に記載の直流電源。 20 前記被制御段(69)は電界効果トランジスタか
    ら成っていることを特徴とする特許請求の範囲第3功に
    記載の直流電源。 21 前記電界効果トラン・クスタはMOSFETであ
    ることを特徴とする特許請求の帥囲第20項に記載の直
    流電源。 22二′前記被制御段(39〜42)はダーリントン配
    列において接続される複数のトランジスタから成ってい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第3項に記載の直流
    電源。 238 前記平滑回路(73)には、その直流出力電圧
    が所望のレベルに到るか又はそれを越える場会に制御信
    号を発生する直流出力電圧検知回路(77)が連結され
    ていて、前記電流調整回路(19)は、その直流出力電
    圧が所定のレベルを越えないことを保証するべく前記鼾
    知回路によって制御されることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項乃至第4項および第7項乃至第13項のいづ
    れか1項に記載の直流電源。 24、前記直流出力電圧検知回路(77)と前記電流調
    整回路(19)との間には光学連結回路(84)が設け
    られていることを特徴とする特N′′[請求の範囲第2
    3項に記載の直流雷、源。 25、前m2電圧検知回路(77、第8図)はシュミッ
    ト・トリガー(78〜83)であって、該シュミット・
    トリガーは、その直流出力電圧がその所望のレベルを越
    えるときに1つの状態へと変化し、その直流出力電圧が
    前述の所定のレベルよりも低め異なるし゛ベル以下にな
    るまではそのま\の状態に止どまるようになっているこ
    と全特徴とする特許請求の範囲第24項に記載の直流電
    源。
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