JPS6042823A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPS6042823A JPS6042823A JP58150978A JP15097883A JPS6042823A JP S6042823 A JPS6042823 A JP S6042823A JP 58150978 A JP58150978 A JP 58150978A JP 15097883 A JP15097883 A JP 15097883A JP S6042823 A JPS6042823 A JP S6042823A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- reactor
- thin film
- wall
- boat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 26
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 15
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
- C03C17/3607—Coatings of the type glass/inorganic compound/metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
- C03C17/3636—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer one layer at least containing silicon, hydrogenated silicon or a silicide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
- C03C17/3649—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer made of metals other than silver
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明・は、気相成長方法によって良質の金属薄膜若し
くは金属化合物薄膜を精度よく形成する薄膜形成方法に
関する。
くは金属化合物薄膜を精度よく形成する薄膜形成方法に
関する。
従来、反応管の長手方向に基板を垂直に配列して気相成
長を行なう拡散炉タイプの減圧気相成長装置の反応管と
して、石英製のものが広く用いられている。この石英製
反応管は、材料の純度が高いこと、洗浄が容易であるこ
と等の利点があシ、多結晶シリコン膜や窒化シリコン膜
等の形成に極めて有効である。しかし、金属膜や金属化
合物等の薄膜を形成する場合、石英製反応管では次の様
な問題があった。
長を行なう拡散炉タイプの減圧気相成長装置の反応管と
して、石英製のものが広く用いられている。この石英製
反応管は、材料の純度が高いこと、洗浄が容易であるこ
と等の利点があシ、多結晶シリコン膜や窒化シリコン膜
等の形成に極めて有効である。しかし、金属膜や金属化
合物等の薄膜を形成する場合、石英製反応管では次の様
な問題があった。
例えば、六弗化タングステン（ｗＦ６）ト水素（Ｈ２）
との混合ガスにょシタングステン（Ｗ）膜を形成する場
合、石英とＷとの密着性が悪い欠陥が発生する。また、
■゛６の解離速度が石英に到達するＷ６濃度が変化し、
所望のＷ膜厚を再現性よく基板表面に形成することが困
難であった。
との混合ガスにょシタングステン（Ｗ）膜を形成する場
合、石英とＷとの密着性が悪い欠陥が発生する。また、
■゛６の解離速度が石英に到達するＷ６濃度が変化し、
所望のＷ膜厚を再現性よく基板表面に形成することが困
難であった。
本発明の目的は、粒子状の欠陥のない良質の金属膜若し
くは金属化合物膜を再現性よく形成することのできる薄
膜形成方法を提供することにある。
くは金属化合物膜を再現性よく形成することのできる薄
膜形成方法を提供することにある。
本発明の骨子は、反応管の内壁と成長形成すべき金属膜
若しくけ金属化合物膜との密着性の向上をはかることに
ある。
若しくけ金属化合物膜との密着性の向上をはかることに
ある。
すなわち本発明は、気相成長法によりて金属膜若しくは
金属化合物膜を成長形成する薄膜形成方法において、先
づ石英製反応管の内壁にシリコン薄膜を被着しておき、
次にこのシリコン薄膜の表面に金属膜若しくは金属化合
物膜を被着し、しかるのち被処理基板上に金属膜若しく
は金属化合物膜の気相成長を行なうようにした方法であ
る。
金属化合物膜を成長形成する薄膜形成方法において、先
づ石英製反応管の内壁にシリコン薄膜を被着しておき、
次にこのシリコン薄膜の表面に金属膜若しくは金属化合
物膜を被着し、しかるのち被処理基板上に金属膜若しく
は金属化合物膜の気相成長を行なうようにした方法であ
る。
本発明によれば、石英製反応管とシリコン膜、及びシリ
コン膜と金属膜若しくは金属化合物膜との密着性が良い
ので、金属膜や金属化合物膜等の石英製反応管に対する
密着性を間接的に向上させることができる。このため金
属膜や金属化合物膜等の基板上への成長を繰シ返し行な
っても反応管の内壁に被着した金属膜若しくは金属化合
物膜が剥れることがなく、基板上の粒子状欠陥発生を未
然に防止することができる。しかも、基板上への膜形成
の前に反応管内壁にシリコン膜を介して金属膜若しくは
金属化合物を被着しているので、薄膜形成過程において
基板周囲の状態が変わることなく、これによシ所定の膜
厚を再現性よく形成することができる。
コン膜と金属膜若しくは金属化合物膜との密着性が良い
ので、金属膜や金属化合物膜等の石英製反応管に対する
密着性を間接的に向上させることができる。このため金
属膜や金属化合物膜等の基板上への成長を繰シ返し行な
っても反応管の内壁に被着した金属膜若しくは金属化合
物膜が剥れることがなく、基板上の粒子状欠陥発生を未
然に防止することができる。しかも、基板上への膜形成
の前に反応管内壁にシリコン膜を介して金属膜若しくは
金属化合物を被着しているので、薄膜形成過程において
基板周囲の状態が変わることなく、これによシ所定の膜
厚を再現性よく形成することができる。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図は、本発明の一実施例方法に空ポンプ７によシ排
気される。そして、薄膜形成に供される被処理基板８は
石英製のテート９に複数枚支持されて、反応管１内に配
置されるものとなっている。なお、図中１１．１２゜１
３．１４はそれぞれパルプを示している。上記構成の装
置によシＷ６ガスを用いてＷ膜の気相成長を行なった場
合について以下に述べる。
気される。そして、薄膜形成に供される被処理基板８は
石英製のテート９に複数枚支持されて、反応管１内に配
置されるものとなっている。なお、図中１１．１２゜１
３．１４はそれぞれパルプを示している。上記構成の装
置によシＷ６ガスを用いてＷ膜の気相成長を行なった場
合について以下に述べる。
先づ、洗浄した石英製反応管１及び基板８を支持するだ
めの石英製ポート９を炉内に設置した後、炉内を５５０
〜７００ （１：）に加熱する。。続いて、反応管１内
を排気して減圧法したのち、反応管１内にＳ Ｉ Ｈ４
ガスを導入し、反応管１の内壁及び、ｔ？） ９０表面
に第２図（−）に示す如くシリコン層を例えば０５〜２
〔μｍ〕の厚さ被着する。
めの石英製ポート９を炉内に設置した後、炉内を５５０
〜７００ （１：）に加熱する。。続いて、反応管１内
を排気して減圧法したのち、反応管１内にＳ Ｉ Ｈ４
ガスを導入し、反応管１の内壁及び、ｔ？） ９０表面
に第２図（−）に示す如くシリコン層を例えば０５〜２
〔μｍ〕の厚さ被着する。
このとき、反応管１の両端の領域を除いて反応管１の内
壁９略全面にシリコン層が被着される。
壁９略全面にシリコン層が被着される。
次に、炉内温度を３００〜５００ ［：Ｃ）にし、反応
管内を減圧に保ってｗＦ′６ガスとＨ２ガスとを導入し
、反応管１の内壁及び？−ト９表面のシリコン層２１上
に第２図（ｂ）に示す如くＷ膜２２を例えば０１〜１〔
μｍ〕の厚さ被着する。このとき、Ｗ膜２′２は２００
〔℃〕近傍の低温になつ゛ている。
管内を減圧に保ってｗＦ′６ガスとＨ２ガスとを導入し
、反応管１の内壁及び？−ト９表面のシリコン層２１上
に第２図（ｂ）に示す如くＷ膜２２を例えば０１〜１〔
μｍ〕の厚さ被着する。このとき、Ｗ膜２′２は２００
〔℃〕近傍の低温になつ゛ている。
シリコン層２１上にも成長するため反応管１の内壁及び
が−ト９表面に被゛着したシリコン層２１の全面に被着
できる。
が−ト９表面に被゛着したシリコン層２１の全面に被着
できる。
次に、所定の基板８をが一ト９にセットし、第２図（Ｃ
）に示す如く基板８を反応管１Ｈに配置し、前記基板８
上にＷ膜を気相成長させる。このようにしてＷ膜を基板
８上に形成することにより成長膜表面に発生する粒子状
の欠陥密度を大巾に低減することができた。例えば、厚
さ０．３〔μｍ〕のＷの成長を１０回くり返し行なった
場合の成長膜表面Ｑ粒子状欠陥密度は従来法の場合約２
０〔り／ｃｔｎ２〕であったが本発明を適用した場合に
は０．２〔妙ｉ〕であった。また、従来法では、成長を
くシ返す回数の増加とともに粒子状欠陥密度が増大する
が、本発明によれば殆んど変化はみられず、例えば成長
を５０回くり返しても欠陥密度は０，３〔ケム〕程度で
あった。
）に示す如く基板８を反応管１Ｈに配置し、前記基板８
上にＷ膜を気相成長させる。このようにしてＷ膜を基板
８上に形成することにより成長膜表面に発生する粒子状
の欠陥密度を大巾に低減することができた。例えば、厚
さ０．３〔μｍ〕のＷの成長を１０回くり返し行なった
場合の成長膜表面Ｑ粒子状欠陥密度は従来法の場合約２
０〔り／ｃｔｎ２〕であったが本発明を適用した場合に
は０．２〔妙ｉ〕であった。また、従来法では、成長を
くシ返す回数の増加とともに粒子状欠陥密度が増大する
が、本発明によれば殆んど変化はみられず、例えば成長
を５０回くり返しても欠陥密度は０，３〔ケム〕程度で
あった。
また、Ｗ膜の成長をくり返し行につだ場合の膜厚の再現
性は±５〔チ〕の範囲であった。第３図にその１例とし
て繰返し成長を行なった場合のＷ膜の成長速度の変化を
従来法と比較して示す。
性は±５〔チ〕の範囲であった。第３図にその１例とし
て繰返し成長を行なった場合のＷ膜の成長速度の変化を
従来法と比較して示す。
この図から、本実施例方法によれば成長開始の初期時か
ら一定の成長速度が得られるのが判る。
ら一定の成長速度が得られるのが判る。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。実施し０では、Ｗ膜を気相成長する場合を示しだが
、Ｍｏ’ 、 Ｔａ及びこれらの硅化物やＡｔｅ）の気
相成長においても先の実施例と同様の効果が得られた。
い。実施し０では、Ｗ膜を気相成長する場合を示しだが
、Ｍｏ’ 、 Ｔａ及びこれらの硅化物やＡｔｅ）の気
相成長においても先の実施例と同様の効果が得られた。
また、気相成長装置の構造は実施例に何ら限定されるも
のではなく適宜変更可能である。さらに、気相成長前に
反応管内壁に形成する／リコン膜や金属膜等の膜厚は適
宜定めれけよい。七の他、本発明の要旨を逸脱しない範
囲で、種々変形して実施することができる。
のではなく適宜変更可能である。さらに、気相成長前に
反応管内壁に形成する／リコン膜や金属膜等の膜厚は適
宜定めれけよい。七の他、本発明の要旨を逸脱しない範
囲で、種々変形して実施することができる。
第１図は本発明の一実施例方法に使用した気相成長装置
の概略構成を示す模式図、第２図（、）〜（ｃ）は上記
装置を用いたＷ膜形成工程を示す模式図、第３図は上記
実施例方法によりＷ膜を生成したときのバッチ間の成長
速度の変化を従来法と比較して示す特性図である。 １・・・石英製反応管、２・・ヒータ、３．〜，６・・
・ガスがンペ、７・・・真空ポンプ、８・・・被処理基
板、９・・・石英ＭｙＪ＝”−ト、７１、〜，１４・・
・バルブ、２１・・・シリコン層、２２・・・Ｗ膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ■ 第２図 １１３図 ０ ５ １０ １５２０ 人畏囲数−
の概略構成を示す模式図、第２図（、）〜（ｃ）は上記
装置を用いたＷ膜形成工程を示す模式図、第３図は上記
実施例方法によりＷ膜を生成したときのバッチ間の成長
速度の変化を従来法と比較して示す特性図である。 １・・・石英製反応管、２・・ヒータ、３．〜，６・・
・ガスがンペ、７・・・真空ポンプ、８・・・被処理基
板、９・・・石英ＭｙＪ＝”−ト、７１、〜，１４・・
・バルブ、２１・・・シリコン層、２２・・・Ｗ膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ■ 第２図 １１３図 ０ ５ １０ １５２０ 人畏囲数−
Claims (1)
- 石英製の反応管内に被処理基板を配置し、気相成長法に
よシ基板表面に釜属膜若しくは金属化合物膜を成長形成
する薄膜形成方法において、予め前記反応管の内壁にシ
リコン薄膜を被着し、このシリコン薄膜の表面に金属膜
若しくは金属化合物膜を被着しておくことを特徴とする
薄膜形成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58150978A JPS6042823A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 薄膜形成方法 |
| DE8484304479T DE3461302D1 (en) | 1983-08-19 | 1984-06-29 | Method of forming thin film |
| EP84304479A EP0134645B1 (en) | 1983-08-19 | 1984-06-29 | Method of forming thin film |
| US06/780,242 US4650698A (en) | 1983-08-19 | 1985-09-26 | Method of forming a thin film of a metal or metal compound on a substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58150978A JPS6042823A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6042823A true JPS6042823A (ja) | 1985-03-07 |
| JPH0211012B2 JPH0211012B2 (ja) | 1990-03-12 |
Family
ID=15508605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58150978A Granted JPS6042823A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 薄膜形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4650698A (ja) |
| EP (1) | EP0134645B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6042823A (ja) |
| DE (1) | DE3461302D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008509071A (ja) * | 2004-08-10 | 2008-03-27 | ジョイント ソーラー シリコン ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー | ガス分解用反応装置の生産方法 |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4741928A (en) * | 1985-12-27 | 1988-05-03 | General Electric Company | Method for selective deposition of tungsten by chemical vapor deposition onto metal and semiconductor surfaces |
| DE3709066A1 (de) * | 1986-03-31 | 1987-10-01 | Toshiba Kawasaki Kk | Verfahren zum erzeugen eines duennen metallfilms durch chemisches aufdampfen |
| US4732801A (en) * | 1986-04-30 | 1988-03-22 | International Business Machines Corporation | Graded oxide/nitride via structure and method of fabrication therefor |
| DE3751756T2 (de) * | 1986-06-30 | 1996-08-01 | Ulvac Corp | Verfahren zum Abscheiden aus der Gasphase |
| US4994301A (en) * | 1986-06-30 | 1991-02-19 | Nihon Sinku Gijutsu Kabusiki Kaisha | ACVD (chemical vapor deposition) method for selectively depositing metal on a substrate |
| US4800105A (en) * | 1986-07-22 | 1989-01-24 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Method of forming a thin film by chemical vapor deposition |
| GB2195663B (en) * | 1986-08-15 | 1990-08-22 | Nippon Telegraph & Telephone | Chemical vapour deposition method and apparatus therefor |
| US5169680A (en) * | 1987-05-07 | 1992-12-08 | Intel Corporation | Electroless deposition for IC fabrication |
| US4749597A (en) * | 1987-10-19 | 1988-06-07 | Spectrum Cvd, Inc. | Process for CVD of tungsten |
| JPH03126820U (ja) * | 1990-04-02 | 1991-12-20 | ||
| JPH047410U (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-23 | ||
| JPH04109085U (ja) * | 1990-09-04 | 1992-09-21 | 株式会社池口工業 | 物品包装容器 |
| US5342652A (en) * | 1992-06-15 | 1994-08-30 | Materials Research Corporation | Method of nucleating tungsten on titanium nitride by CVD without silane |
| EP0595054A1 (en) * | 1992-10-30 | 1994-05-04 | Applied Materials, Inc. | Method for processing semiconductor wafers at temperatures exceeding 400 degrees C. |
| JPH07176484A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-07-14 | Applied Materials Inc | 窒化アルミニューム面を有するサセプタをサセプタの浄化後珪化タングステンで処理することによって半導体ウエハ上に珪化タングステンを一様に堆積する方法 |
| US6090706A (en) * | 1993-06-28 | 2000-07-18 | Applied Materials, Inc. | Preconditioning process for treating deposition chamber prior to deposition of tungsten silicide coating on active substrates therein |
| US5482749A (en) * | 1993-06-28 | 1996-01-09 | Applied Materials, Inc. | Pretreatment process for treating aluminum-bearing surfaces of deposition chamber prior to deposition of tungsten silicide coating on substrate therein |
| JPH07172809A (ja) * | 1993-10-14 | 1995-07-11 | Applied Materials Inc | 基板上への珪化タングステンコーティングの堆積操作の事前に堆積チャンバのアルミニウムを有する表面を処理する予備処理プロセス |
| JP3744554B2 (ja) * | 1994-09-09 | 2006-02-15 | キヤノンアネルバ株式会社 | 薄膜形成方法 |
| JP3070660B2 (ja) * | 1996-06-03 | 2000-07-31 | 日本電気株式会社 | 気体不純物の捕獲方法及び半導体製造装置 |
| US5824365A (en) * | 1996-06-24 | 1998-10-20 | Micron Technology, Inc. | Method of inhibiting deposition of material on an internal wall of a chemical vapor deposition reactor |
| US6022587A (en) * | 1997-05-13 | 2000-02-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for improving film deposition uniformity on a substrate |
| US5795824A (en) * | 1997-08-28 | 1998-08-18 | Novellus Systems, Inc. | Method for nucleation of CVD tungsten films |
| US6071573A (en) * | 1997-12-30 | 2000-06-06 | Lam Research Corporation | Process for precoating plasma CVD reactors |
| US6019839A (en) * | 1998-04-17 | 2000-02-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming an epitaxial titanium silicide film by low pressure chemical vapor deposition |
| US6638819B1 (en) * | 2000-11-17 | 2003-10-28 | Newport Fab, Llc | Method for fabricating interfacial oxide in a transistor and related structure |
| US7282183B2 (en) * | 2001-12-24 | 2007-10-16 | Agilent Technologies, Inc. | Atmospheric control in reaction chambers |
| GB0512253D0 (en) * | 2005-06-16 | 2005-07-27 | Pilkington Plc | Coated glass pane |
| DE102012106518A1 (de) * | 2012-07-18 | 2014-01-23 | H2 Solar Gmbh | Beschichtung von Substraten mit Siliciden und deren Oxide |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2884894A (en) * | 1956-11-02 | 1959-05-05 | Metallgesellschaft Ag | Apparatus for producing hard coatings on workpieces |
| DE1086510B (de) * | 1957-05-11 | 1960-08-04 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung von Metallueberzuegen durch Vakuumbedampfen |
| US3115957A (en) * | 1959-02-18 | 1963-12-31 | Eitel Mccullough Inc | Art of sealing quartz to metal |
| US4100330A (en) * | 1977-03-28 | 1978-07-11 | Ppg Industries, Inc. | Method for coating glass with silicon and a metal oxide and resulting product |
| JPS53141318A (en) * | 1977-05-17 | 1978-12-09 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Heat radiation reflecive glass |
| US4180596A (en) * | 1977-06-30 | 1979-12-25 | International Business Machines Corporation | Method for providing a metal silicide layer on a substrate |
| US4391846A (en) * | 1979-04-05 | 1983-07-05 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method of preparing high-temperature-stable thin-film resistors |
| JPS56155589A (en) * | 1980-05-06 | 1981-12-01 | Nippon Electric Co | Metallizing method |
| JPS5776833A (en) * | 1980-09-04 | 1982-05-14 | Applied Materials Inc | Heat resistant metal depositing method and product thereof |
| US4359490A (en) * | 1981-07-13 | 1982-11-16 | Fairchild Camera & Instrument Corp. | Method for LPCVD co-deposition of metal and silicon to form metal silicide |
| DE3141567C2 (de) * | 1981-10-20 | 1986-02-06 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum Herstellen von aus Tantal, Wolfram oder Molybdän bestehenden Schichten bei niedrigen Temperaturen und Verwendung dieser Schichten |
-
1983
- 1983-08-19 JP JP58150978A patent/JPS6042823A/ja active Granted
-
1984
- 1984-06-29 DE DE8484304479T patent/DE3461302D1/de not_active Expired
- 1984-06-29 EP EP84304479A patent/EP0134645B1/en not_active Expired
-
1985
- 1985-09-26 US US06/780,242 patent/US4650698A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008509071A (ja) * | 2004-08-10 | 2008-03-27 | ジョイント ソーラー シリコン ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー | ガス分解用反応装置の生産方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0134645A1 (en) | 1985-03-20 |
| DE3461302D1 (en) | 1987-01-02 |
| EP0134645B1 (en) | 1986-11-12 |
| US4650698A (en) | 1987-03-17 |
| JPH0211012B2 (ja) | 1990-03-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6042823A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP3265042B2 (ja) | 成膜方法 | |
| JPH06302528A (ja) | 窒化ケイ素薄膜の蒸着 | |
| JPS6364993A (ja) | 元素半導体単結晶薄膜の成長方法 | |
| JP2004504496A (ja) | 基質上へのフィルムの蒸着法 | |
| JPH051380A (ja) | 炭化ケイ素の成膜方法 | |
| US5390626A (en) | Process for formation of silicon carbide film | |
| JPS61117841A (ja) | シリコン窒化膜の形成方法 | |
| JP2668687B2 (ja) | Ｃ ｖ ｄ 装 置 | |
| US5409540A (en) | Chemical vapor phase growth method and chemical vapor phase growth apparatus | |
| JPS6010108B2 (ja) | 窒化珪素を基体上に熱分解堆積する方法 | |
| JPS6212697A (ja) | 炭化珪素単結晶膜の製造方法 | |
| JPS62239526A (ja) | 金属被膜のエピタキシヤル成長方法 | |
| JPS607378B2 (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JPH07243044A (ja) | ダイヤモンドの気相合成法 | |
| JPH03236221A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP3057716B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS6365076A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPH06302516A (ja) | 気相成長法 | |
| JPH0319324A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0727868B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS5825224A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS60116136A (ja) | 薄膜の製造方法 | |
| JPS60215766A (ja) | グロ−放電分解装置 | |
| JPS61251119A (ja) | 化学気相成長方法 |