JPS60422B2 - Ｎｂ↓３Ｓｎ複合加工材の製造法 - Google Patents
Ｎｂ↓３Ｓｎ複合加工材の製造法Info
- Publication number
- JPS60422B2 JPS60422B2 JP55128550A JP12855080A JPS60422B2 JP S60422 B2 JPS60422 B2 JP S60422B2 JP 55128550 A JP55128550 A JP 55128550A JP 12855080 A JP12855080 A JP 12855080A JP S60422 B2 JPS60422 B2 JP S60422B2
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- alloy
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- wire
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は珪素あるいは更にガリウムまたはアルミニウム
を添加して特性の改善された強磁界発生用ＮはＳｎ複合
加工材の製造法に関する。
を添加して特性の改善された強磁界発生用ＮはＳｎ複合
加工材の製造法に関する。
超電導線材は電力消費なしに大電流を流せ、また強磁界
までその超電導状態を保つことが可能なので、強磁界発
生用電磁石の巻線材として利用されている。
までその超電導状態を保つことが可能なので、強磁界発
生用電磁石の巻線材として利用されている。
現在もっとも多量に使用されている線村は、Ｎｂ−Ｔｉ
系の合金線材であるが、その合金線材の発生磁界は約８
万５千ガウス（８．５テスラ：８．５Ｔ）が限度であり
、これ以上の強磁界を発生させるためには、上部臨界磁
界（Ｈｃ２）の高い化合物系超電導体を用いる必要があ
る。しかし、化合物特有の可塑性に欠ける点が実用化に
際しての大きな障害となっていた。近年、表面拡散法お
よび複合加工法などの拡散を利用した方法が相次いで開
発され、Ｎｂ３ＳｎとＶ３Ｇａ化合物の線村化が可能と
なり実用に供せられるようになった。表面拡散法とは、
例えばＮｂテーープを溶融錫（Ｓｎ）裕中に連続的に通
過させてテープ表面にＳｎを付着させた後、適当な温度
で熱処理してＮｂとＳｎを拡散反応させテープ表面にＮ
ｂ３Ｓｎ化合物層を生成させる方法である。複合加工法
とは、例えばＮｂと銅（Ｃｕ）−Ｓｎ固溶合金体とを複
合一体化した後加工、熱処理してＣｕ−Ｓｎ合金中のＳ
ｎのみを選択的にＮｂと反応させて、Ｎｂ３Ｓｎ化合物
層を境界面に生成させる方法で、固体拡散法の一種であ
る。ＮｂおよびＣｕ−Ｓｎ固溶合金体はともに十分な可
塑性を有するため、熱処理を施す以前に複合体のまま要
求される線、テープト管等の任意の形状に容易に加工が
可能である。さらに、Ｃｕ−Ｓｎ合金マトリックス中に
多数のＮｂ棒を埋め込んで紬線加工することにより、遠
い磁界変化に対して安定な極細多芯形式の線材とするこ
とができる。このような表面拡散法および複合加工法に
より作製されたＮｂ３ＳｎあるいはＶ３０ａ化合物線材
はすでに物性研究用などの小型強磁界マグネットとして
利用されている。一方近年、核融合炉用、高エネルギー
貯蔵用、超電導発電機用等の大型強磁界マグネットの開
発が進められており、これらに使用される超電導線材と
して１５Ｔ以上の強磁界領域において大きい臨界電流（
ｌｃ）をもち、しかも遠い磁界変化に対して安定な化合
物極細多芯線の実用化が急がれている。
系の合金線材であるが、その合金線材の発生磁界は約８
万５千ガウス（８．５テスラ：８．５Ｔ）が限度であり
、これ以上の強磁界を発生させるためには、上部臨界磁
界（Ｈｃ２）の高い化合物系超電導体を用いる必要があ
る。しかし、化合物特有の可塑性に欠ける点が実用化に
際しての大きな障害となっていた。近年、表面拡散法お
よび複合加工法などの拡散を利用した方法が相次いで開
発され、Ｎｂ３ＳｎとＶ３Ｇａ化合物の線村化が可能と
なり実用に供せられるようになった。表面拡散法とは、
例えばＮｂテーープを溶融錫（Ｓｎ）裕中に連続的に通
過させてテープ表面にＳｎを付着させた後、適当な温度
で熱処理してＮｂとＳｎを拡散反応させテープ表面にＮ
ｂ３Ｓｎ化合物層を生成させる方法である。複合加工法
とは、例えばＮｂと銅（Ｃｕ）−Ｓｎ固溶合金体とを複
合一体化した後加工、熱処理してＣｕ−Ｓｎ合金中のＳ
ｎのみを選択的にＮｂと反応させて、Ｎｂ３Ｓｎ化合物
層を境界面に生成させる方法で、固体拡散法の一種であ
る。ＮｂおよびＣｕ−Ｓｎ固溶合金体はともに十分な可
塑性を有するため、熱処理を施す以前に複合体のまま要
求される線、テープト管等の任意の形状に容易に加工が
可能である。さらに、Ｃｕ−Ｓｎ合金マトリックス中に
多数のＮｂ棒を埋め込んで紬線加工することにより、遠
い磁界変化に対して安定な極細多芯形式の線材とするこ
とができる。このような表面拡散法および複合加工法に
より作製されたＮｂ３ＳｎあるいはＶ３０ａ化合物線材
はすでに物性研究用などの小型強磁界マグネットとして
利用されている。一方近年、核融合炉用、高エネルギー
貯蔵用、超電導発電機用等の大型強磁界マグネットの開
発が進められており、これらに使用される超電導線材と
して１５Ｔ以上の強磁界領域において大きい臨界電流（
ｌｃ）をもち、しかも遠い磁界変化に対して安定な化合
物極細多芯線の実用化が急がれている。
しかし、従来の純ＮｂとＣｕ−Ｓｎ２元合金との複合体
から作製したＮ広Ｓｎ化合物線材の臨界電流（ｌｃ）は
、ｌＯＴ以上の磁界で急速に低下し、この線材によって
は１２ｒ以上の磁界を発生し得る超電導マグネットを作
製することは困難であった。一方、Ｖ３０ａ化合物線材
は強磁界特性がＮ広Ｓｎよりもすぐれているが、材料の
価格がＮＧＳｎよりかなり高価であるため、線材を大量
に使用する大型設備に関しては、強磁界特性を少量の合
金元素添加により改善したＮＱＳｎ線材を使用する方が
得策である。最近、Ｎｂにハフニウム（Ｈｆ）を固溶さ
れた２元合金体と、Ｃｕ−Ｓｎ２元合金あるいはそれに
ＧａまたはＡＩを添加した３元Ｃｕ基合金体とを複合一
体化したのち加工、熱処理して強磁界中の超電導特性が
顕著に改善されたＮｂ３Ｓｎ化合物線材を製造する方法
が開発された（特願昭５３−１１２１９１）。Ｎｂ合金
中のＨｆはＮｂ３Ｓｎ相内に固溶してＮ広Ｓｎ層の拡散
生成速度を著しく増大させてＮｂ３Ｓｎ層の厚さを増加
しｌｃを増大させる。また、Ｃｕ−Ｓｎ合金中に添加さ
れたＧａまたはＡＩもＳｎとともにＮＯ合金体内に拡散
して「生成されるＮ広Ｓｎ相内に固溶しそのＨｃ２を高
める。このようにしてＨｆ、あるいはＨｆおよびＧａＬ
あるいはＨｆおよびＡＩを添加したＮ広Ｓｎ複合加工
線材の強磁界特性は著しく改善され、強磁界まで大きい
ｌｃ値が得られている。しかし「上記発明において使用
されるＨｆは高価なため、Ｖ３０ａ線村に比較して安価
というＮらＳｎ線材の利点が若干損なわれる欠点があっ
た。そのためさらに安価な添加元素で強磁界特性を改善
することが「Ｖ３Ｇａと競合する強磁界用Ｎｂ３Ｓｎ複
合加工線材の実用化条件として要求されていた。本発明
はこのような要求を満たすために、Ｈｆに比べはるかに
安価なＳｉを添加したＮｂ合金体と、Ｃｕ−Ｓｎあるい
はＣｕ触Ｓｎ−ＧａあるいはＣｕ−Ｓｎ−山合金体との
複合体を所定の形状まで加工して熱処理し、複合体境界
面にＳｉ、Ｇａ、山を少量含む強磁界特性の改善された
Ｎ広Ｓｎ層を拡散生成させることを目的とする。
から作製したＮ広Ｓｎ化合物線材の臨界電流（ｌｃ）は
、ｌＯＴ以上の磁界で急速に低下し、この線材によって
は１２ｒ以上の磁界を発生し得る超電導マグネットを作
製することは困難であった。一方、Ｖ３０ａ化合物線材
は強磁界特性がＮ広Ｓｎよりもすぐれているが、材料の
価格がＮＧＳｎよりかなり高価であるため、線材を大量
に使用する大型設備に関しては、強磁界特性を少量の合
金元素添加により改善したＮＱＳｎ線材を使用する方が
得策である。最近、Ｎｂにハフニウム（Ｈｆ）を固溶さ
れた２元合金体と、Ｃｕ−Ｓｎ２元合金あるいはそれに
ＧａまたはＡＩを添加した３元Ｃｕ基合金体とを複合一
体化したのち加工、熱処理して強磁界中の超電導特性が
顕著に改善されたＮｂ３Ｓｎ化合物線材を製造する方法
が開発された（特願昭５３−１１２１９１）。Ｎｂ合金
中のＨｆはＮｂ３Ｓｎ相内に固溶してＮ広Ｓｎ層の拡散
生成速度を著しく増大させてＮｂ３Ｓｎ層の厚さを増加
しｌｃを増大させる。また、Ｃｕ−Ｓｎ合金中に添加さ
れたＧａまたはＡＩもＳｎとともにＮＯ合金体内に拡散
して「生成されるＮ広Ｓｎ相内に固溶しそのＨｃ２を高
める。このようにしてＨｆ、あるいはＨｆおよびＧａＬ
あるいはＨｆおよびＡＩを添加したＮ広Ｓｎ複合加工
線材の強磁界特性は著しく改善され、強磁界まで大きい
ｌｃ値が得られている。しかし「上記発明において使用
されるＨｆは高価なため、Ｖ３０ａ線村に比較して安価
というＮらＳｎ線材の利点が若干損なわれる欠点があっ
た。そのためさらに安価な添加元素で強磁界特性を改善
することが「Ｖ３Ｇａと競合する強磁界用Ｎｂ３Ｓｎ複
合加工線材の実用化条件として要求されていた。本発明
はこのような要求を満たすために、Ｈｆに比べはるかに
安価なＳｉを添加したＮｂ合金体と、Ｃｕ−Ｓｎあるい
はＣｕ触Ｓｎ−ＧａあるいはＣｕ−Ｓｎ−山合金体との
複合体を所定の形状まで加工して熱処理し、複合体境界
面にＳｉ、Ｇａ、山を少量含む強磁界特性の改善された
Ｎ広Ｓｎ層を拡散生成させることを目的とする。
この明細書中の合金の含有率はすべて原子％で表示され
ている。本発明による製造法では、まずＮｂ３Ｓｎ層の
拡散生成を促進させるためにＳｉを固溶させたＮｂ基合
金体を溶製し、また別にＣｕ−Ｓｎ合金体あるいはそれ
にＮ広ＳｎのＨｃ２を高める効果のあるＧａまたはＡＩ
を添加した合金体を溶製し、上記Ｎｂ基合金体をＣｕ基
合金体で被覆した各種形状の複合体を作り、これを線引
き、圧延あるいは管引きなどにより線「テープあるいは
管などに加工する。ここでＮｂに添加されるＳ瞳はすぐ
れた超電導特性を得るために０．１％以上、またＮｂ基
合金体の良好な加工性を保持する上から３％以下の範囲
内にあること、特に０．２〜１％の範囲内にあることが
望ましい。またＣｕ−Ｓｎ−ＧａあるいはＣｕ−Ｓｎ−
ＡＩ合金体中のＧａあるいはＡＩ量もすぐれた超電導特
性を得るためにそれぞれ０．１％以上、またＣｕ基合金
体の良好な加工性を保持する上から１５％あるいは１８
％以下の範囲内になければならない。さらにＣｕ基合金
体中のＳｎ量は十分なＮｂ３Ｓｎ層厚を得るために２％
以上「 また良好な加工性を保持する上から９％以下の
範囲内になければならない。ついで該加工材を熱処理し
、Ｓｎあるいはそれに加えて少量のＧａまたはＡＩをＮ
ｂ基合金体内に拡散させて複合体境界面に少量のＳｉあ
るいはさらにＧａまたはＡＩを含む超電導特性のすぐれ
たＮｂ３Ｓｎ化合物層を生成せしめる。ここで拡散のた
めの熱処理は６００〜９００ｏＣの温度範囲で１分間〜
２０餌時間の時間内おこなう。これより低い温度あるい
は短い時間の熱処理では十分な量のＮ広Ｓｎ層が生成さ
れず、また逆にこれより高温、長時間になるとＮｂ３Ｓ
ｎの結晶粒が粗大化し超電導特性が劣化する。本発明で
得られるＳｉあるいはさらにＧａまたはＡＩが添加され
たＮｂぶｎ複合加工線材は、従来のＮ広Ｓｎ線材と比較
して臨界電流ｃと上部臨界磁界Ｈｃ２が増加し、その結
果強磁界におけるｌｃの改善が顕著である。
ている。本発明による製造法では、まずＮｂ３Ｓｎ層の
拡散生成を促進させるためにＳｉを固溶させたＮｂ基合
金体を溶製し、また別にＣｕ−Ｓｎ合金体あるいはそれ
にＮ広ＳｎのＨｃ２を高める効果のあるＧａまたはＡＩ
を添加した合金体を溶製し、上記Ｎｂ基合金体をＣｕ基
合金体で被覆した各種形状の複合体を作り、これを線引
き、圧延あるいは管引きなどにより線「テープあるいは
管などに加工する。ここでＮｂに添加されるＳ瞳はすぐ
れた超電導特性を得るために０．１％以上、またＮｂ基
合金体の良好な加工性を保持する上から３％以下の範囲
内にあること、特に０．２〜１％の範囲内にあることが
望ましい。またＣｕ−Ｓｎ−ＧａあるいはＣｕ−Ｓｎ−
ＡＩ合金体中のＧａあるいはＡＩ量もすぐれた超電導特
性を得るためにそれぞれ０．１％以上、またＣｕ基合金
体の良好な加工性を保持する上から１５％あるいは１８
％以下の範囲内になければならない。さらにＣｕ基合金
体中のＳｎ量は十分なＮｂ３Ｓｎ層厚を得るために２％
以上「 また良好な加工性を保持する上から９％以下の
範囲内になければならない。ついで該加工材を熱処理し
、Ｓｎあるいはそれに加えて少量のＧａまたはＡＩをＮ
ｂ基合金体内に拡散させて複合体境界面に少量のＳｉあ
るいはさらにＧａまたはＡＩを含む超電導特性のすぐれ
たＮｂ３Ｓｎ化合物層を生成せしめる。ここで拡散のた
めの熱処理は６００〜９００ｏＣの温度範囲で１分間〜
２０餌時間の時間内おこなう。これより低い温度あるい
は短い時間の熱処理では十分な量のＮ広Ｓｎ層が生成さ
れず、また逆にこれより高温、長時間になるとＮｂ３Ｓ
ｎの結晶粒が粗大化し超電導特性が劣化する。本発明で
得られるＳｉあるいはさらにＧａまたはＡＩが添加され
たＮｂぶｎ複合加工線材は、従来のＮ広Ｓｎ線材と比較
して臨界電流ｃと上部臨界磁界Ｈｃ２が増加し、その結
果強磁界におけるｌｃの改善が顕著である。
そのため本発明は各種超電導利用機器を十分な余裕をも
って強磁界で使用可能ならしめ、機器の性能、安全性、
ならびに信頼性を向上させることに効果がある。さらに
強磁界特性を改善するためにＮｂに添加されたＳｊは、
同様の目的で添加されるＨｆに比較してはるかに安価で
、製造コストをほとんど増大させることなくＮＧＳｎの
強磁界特性を顕著に改善できるので、その経済的ならび
に技術的効果がきわめて大きい。また本発明は複合加工
法を採用しているため、遠い磁界変化に対して安定で、
交流損失の小さい極細多芯形式の緑材を作製することが
可能であり、さらに大容量線材の製造も容易で利用機器
の大型化も可能になる。以上のように本発明により改善
されたＮｂ３Ｓｎ複合加工線材は、１５Ｔ以上の強磁界
を安定度よく発生できるので、核融合炉、高エネルギー
貯蔵、超電導発電機、高エネルギー物理加速器、物性研
究用等の各種強磁界マグネットの巻線材として効果的に
使用し得る。
って強磁界で使用可能ならしめ、機器の性能、安全性、
ならびに信頼性を向上させることに効果がある。さらに
強磁界特性を改善するためにＮｂに添加されたＳｊは、
同様の目的で添加されるＨｆに比較してはるかに安価で
、製造コストをほとんど増大させることなくＮＧＳｎの
強磁界特性を顕著に改善できるので、その経済的ならび
に技術的効果がきわめて大きい。また本発明は複合加工
法を採用しているため、遠い磁界変化に対して安定で、
交流損失の小さい極細多芯形式の緑材を作製することが
可能であり、さらに大容量線材の製造も容易で利用機器
の大型化も可能になる。以上のように本発明により改善
されたＮｂ３Ｓｎ複合加工線材は、１５Ｔ以上の強磁界
を安定度よく発生できるので、核融合炉、高エネルギー
貯蔵、超電導発電機、高エネルギー物理加速器、物性研
究用等の各種強磁界マグネットの巻線材として効果的に
使用し得る。
実施例 １
純ＮｂおよびＮｂに０．３ ０．５１％のＳｉを配合し
た素材をアルゴン雰囲気中でアーク溶解炉にて溶製し、
これを溝ロールおよびスェージングにて３肋径まで加工
してＮｂ−Ｓｉ合金棒を作製した。
た素材をアルゴン雰囲気中でアーク溶解炉にて溶製し、
これを溝ロールおよびスェージングにて３肋径まで加工
してＮｂ−Ｓｉ合金棒を作製した。
これを外径８柳内径３肋のＣｕ−７％Ｓｎ合金管に挿入
した複合体を溝ロールおよび平ロールにより厚さ約２５
０ｒｍ幅約５帆のテープ状に加工し、アルゴン雰囲気で
８００ｑｏで１０岬時間の熱処理をおこなった。試料の
Ｎ広Ｓｎ層の厚さおよびＴｃの測定した結果は第１表の
通りであった。また、これらの試料のうちの代表的なも
ののｌｃの測定結果は第１図の通りであった。Ｓｉの添
加によりＮはＳｎ層の厚さが顕著に増大し、また全磁界
領域でのｌｃ特性が著しく改善されることがわかる。第
１表 実施例 ２ 実施例１と同様にしてＮｂ−０．３ ０．ふ１％Ｓ捨金
棒と、Ｃｕ−５％Ｓｎ−４％Ｇａ合金管との複合体をテ
ープ状に加工したのち８００００で１０畑寿間の熱処理
をおこなった。
した複合体を溝ロールおよび平ロールにより厚さ約２５
０ｒｍ幅約５帆のテープ状に加工し、アルゴン雰囲気で
８００ｑｏで１０岬時間の熱処理をおこなった。試料の
Ｎ広Ｓｎ層の厚さおよびＴｃの測定した結果は第１表の
通りであった。また、これらの試料のうちの代表的なも
ののｌｃの測定結果は第１図の通りであった。Ｓｉの添
加によりＮはＳｎ層の厚さが顕著に増大し、また全磁界
領域でのｌｃ特性が著しく改善されることがわかる。第
１表 実施例 ２ 実施例１と同様にしてＮｂ−０．３ ０．ふ１％Ｓ捨金
棒と、Ｃｕ−５％Ｓｎ−４％Ｇａ合金管との複合体をテ
ープ状に加工したのち８００００で１０畑寿間の熱処理
をおこなった。
ＮらＳｎ層の厚さおよびＴｃの測定結果を前記第１表に
、またこれらの試料のうち代表的なもののｌｃの測定結
果を第１図に示す。Ｓｉとｏａの同時添加によりＴｃが
上昇し、さらに磁界の増加によるｌｃの低下が明らかに
小さくなり、１の以上の強磁界で大きいｌｃが得られる
。これはＴｃの上昇に伴いＨｃ２が増加したためと考え
られる。実施例 ３ 実施例２と同様にしてＮｂ−０．３ ０．５、１％Ｓ捨
金体と、Ｃｕ−５％Ｓｎ−４％ＡＩ合金体との複合テー
プを作製したのち８００ｑ０で１０餌時間の熱処理をお
こなった。
、またこれらの試料のうち代表的なもののｌｃの測定結
果を第１図に示す。Ｓｉとｏａの同時添加によりＴｃが
上昇し、さらに磁界の増加によるｌｃの低下が明らかに
小さくなり、１の以上の強磁界で大きいｌｃが得られる
。これはＴｃの上昇に伴いＨｃ２が増加したためと考え
られる。実施例 ３ 実施例２と同様にしてＮｂ−０．３ ０．５、１％Ｓ捨
金体と、Ｃｕ−５％Ｓｎ−４％ＡＩ合金体との複合テー
プを作製したのち８００ｑ０で１０餌時間の熱処理をお
こなった。
ＮはＳｎ層の厚さおよびＴｃの測定結果を前記第１表に
示す。ＳｉとＡＩの同時添加によりＴｃが上昇し、また
実施例２と同様に強磁界でｌｃの改善が得られた。
示す。ＳｉとＡＩの同時添加によりＴｃが上昇し、また
実施例２と同様に強磁界でｌｃの改善が得られた。
第１図は実施例１および２で記した本発明によるＮ広Ｓ
ｎ複合加工線材を８００ｑｏで１００時間熱処理した場
合の磁界−臨界電流曲線である。 １：Ｎｂ／Ｃｕ−７％Ｓｎ、２：Ｎｂ−０．５％Ｓｉ／
Ｃｕ−７％Ｓｎ、３：Ｎｂ−１％Ｓｉ／Ｃｕ−７％Ｓｎ
、４：Ｎｂ−０．５％ＳｉノＣｕ−５％Ｓｎ−４％Ｇａ
、５：Ｎｂ−１％ＳｉノＣｕ−５％Ｓｎ−４％Ｇａ。 袋′図
ｎ複合加工線材を８００ｑｏで１００時間熱処理した場
合の磁界−臨界電流曲線である。 １：Ｎｂ／Ｃｕ−７％Ｓｎ、２：Ｎｂ−０．５％Ｓｉ／
Ｃｕ−７％Ｓｎ、３：Ｎｂ−１％Ｓｉ／Ｃｕ−７％Ｓｎ
、４：Ｎｂ−０．５％ＳｉノＣｕ−５％Ｓｎ−４％Ｇａ
、５：Ｎｂ−１％ＳｉノＣｕ−５％Ｓｎ−４％Ｇａ。 袋′図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ニオブに０．１〜３原子％の珪素を含む合金体と、
銅に２〜９原子％の錫を含む合金体との複合体を、線引
き、圧延あるいは管引きなどにより線、テープあるいは
管状などに加工した後、６００〜９００℃で１分〜２０
０時間熱処理を行い複合境界にＮｂ＿３Ｓｎ化合物を生
成させることを特徴とするＮｂ＿３Ｓｎ複合加工材の製
造法。 ２ ニオブに０．１〜３原子％の珪素を含む合金体と、
銅に２〜９原子％の錫と０．１〜１５原子％のガリウム
または０．１〜１８原子％のアルミニウムを含む合金体
との複合体を、線引き、圧延あるいは管引きなどにより
線、テープあるいは管状に加工した後、６００〜９００
℃で１分〜２００時間熱処理を行い複合体境界面にＮｂ
＿３ｎ化合物を生成させることを特徴とするＮｂ＿３Ｓ
ｎ複合加工材の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55128550A JPS60422B2 (ja) | 1980-09-18 | 1980-09-18 | Ｎｂ↓３Ｓｎ複合加工材の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55128550A JPS60422B2 (ja) | 1980-09-18 | 1980-09-18 | Ｎｂ↓３Ｓｎ複合加工材の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5754259A JPS5754259A (en) | 1982-03-31 |
| JPS60422B2 true JPS60422B2 (ja) | 1985-01-08 |
Family
ID=14987523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55128550A Expired JPS60422B2 (ja) | 1980-09-18 | 1980-09-18 | Ｎｂ↓３Ｓｎ複合加工材の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60422B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2572150Y2 (ja) * | 1991-03-11 | 1998-05-20 | 川崎重工業株式会社 | 船舶用舵 |
-
1980
- 1980-09-18 JP JP55128550A patent/JPS60422B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5754259A (en) | 1982-03-31 |
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