JPS6040023Y2 - Muting circuit - Google Patents
Muting circuitInfo
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- JPS6040023Y2 JPS6040023Y2 JP1977073747U JP7374777U JPS6040023Y2 JP S6040023 Y2 JPS6040023 Y2 JP S6040023Y2 JP 1977073747 U JP1977073747 U JP 1977073747U JP 7374777 U JP7374777 U JP 7374777U JP S6040023 Y2 JPS6040023 Y2 JP S6040023Y2
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案はAM−FM受信機、増巾器などのスイッチ切換
時のショックノイズを消去するミューテング回路の改良
に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an improvement in a muting circuit that eliminates shock noise when switching switches in AM-FM receivers, amplifiers, etc.
更に評言すれば、AM−FM受信機、増巾器などにおい
てメイク・ビフォア・ブレーク(以下本明細書において
はMBBと記す。More specifically, make-before-break (hereinafter referred to as MBB in this specification) is used in AM-FM receivers, amplifiers, etc.
)型スイッチと、ブレーク・ビフォア・メイク(以下本
明細書においてBBMと記す。) type switch and break-before-make (hereinafter referred to as BBM in this specification).
)型スイッチとを用いてミューテングするミューテング
回路の改良に関する。) type switch for muting.
たとえばAM−FM受信機などの如く複数の入力を有し
、その入力信号中の1つを切替えて入力とし増巾する場
合など、入力信号の切替時にショックノイズを発生する
。For example, when an AM-FM receiver has a plurality of input signals and one of the input signals is switched to be input and amplified, shock noise is generated when the input signal is switched.
また中間周波増巾段に異なる帯域巾を有するフィルタ回
路を有し、電波状態により切替えて1つの中間周波増巾
段を選択する場合も同様、ショックノイズを発生する。Similarly, when the intermediate frequency amplification stage has filter circuits having different bandwidths and one intermediate frequency amplification stage is selected by switching depending on the radio wave condition, shock noise is generated as well.
このためミューテング回路が使用される。A muting circuit is used for this purpose.
第1図にAM−FM切替時の、第2図に中間周波増巾段
の切替時の従来のミューテング回路を示す。FIG. 1 shows a conventional muting circuit when switching between AM and FM, and FIG. 2 shows a conventional muting circuit when switching between intermediate frequency amplification stages.
第1図および第2図において、1はFMアンテナを、2
はFM高周波渡場段を、3および4はそれぞれ異なる帯
域巾のフィルタ回路を有するFM中間周波渡場段を、5
はFM復調回路を、6は低周渡場中段を、7はスピーカ
をそれぞれ示し、FM受信系統を構成している。In Figures 1 and 2, 1 is an FM antenna, 2 is an FM antenna,
3 and 4 are FM intermediate frequency passing stages each having a filter circuit with a different bandwidth; 5 is an FM high frequency passing stage;
6 indicates an FM demodulation circuit, 6 indicates a low frequency middle stage, and 7 indicates a speaker, which constitute an FM receiving system.
また8はAMアンテナを、9はAM高周波渡場段を、1
0は心中間周渡場巾段を、11は訓復調回路を示し、F
M高周波渡場段2か、またはAM高周波渡場段9かの何
れか三方へ電原子Bを供給する■追型スイッチ12と、
スイッチ12と連動し低周波増巾段6への入力をFM復
調回路5か、またはAM復調回路11かの何れか一方の
出力を接続するように切替える切替スイッチ13とでA
M−FMを切替えるように構成されている。In addition, 8 is an AM antenna, 9 is an AM high frequency transition stage, and 1 is an AM antenna.
0 indicates the intermediate field width stage, 11 indicates the demodulation circuit, and F
■Additional switch 12 for supplying electric atoms B to either the M high-frequency transition stage 2 or the AM high-frequency transition stage 9;
A changeover switch 13 is connected to the switch 12 to connect the input to the low frequency amplification stage 6 to the output of either the FM demodulation circuit 5 or the AM demodulation circuit 11.
It is configured to switch between M-FM.
切替スイッチ12および13の可動片12−oおよび1
3−oを接点12−1および13−□に接触させるとき
はFM放送の、可動片12−oおよび13−8の接点1
2−2および13−2に接触させるときは心放送の受信
をするAM−FM受信機を構成している。Movable pieces 12-o and 1 of changeover switches 12 and 13
When contacting 3-o with contacts 12-1 and 13-□, contact 1 of movable pieces 12-o and 13-8 of FM broadcasting.
When brought into contact with 2-2 and 13-2, an AM-FM receiver is configured to receive heart broadcasts.
またFM中間周波渡場段3,4の切替スイッチ14はB
BM型スイッチを用い、FM中間周波渡場段3および4
の何れか一方のバイアス回路を接地することによりFM
中間周波渡場段3と4との切替えを行っている。In addition, the changeover switch 14 of the FM intermediate frequency transition stages 3 and 4 is set to B.
Using BM type switch, FM intermediate frequency transfer stage 3 and 4
By grounding one of the bias circuits, the FM
Switching between the intermediate frequency transition stages 3 and 4 is performed.
第1図においては更に、切替スイッチ12の接点12−
1から抵抗R1□を通して直列に接続したトランジスタ
QllとQ1□の一方のトランジスタQ1□のベースに
接続し、接点12−2から抵抗R1゜を通してトランジ
スタQ工2のベースに接続し、可動片12−oは電原子
Bに接続し、それぞれのトランジスタQllおよびQ□
2のバイアス回路を構成する。In FIG. 1, the contact 12- of the changeover switch 12
1 to the base of one transistor Q1□ of transistors Qll and Q1□ connected in series through a resistor R1□, and a contact 12-2 to the base of the transistor Q2 through a resistor R1°, and a movable piece 12- o is connected to the electric atom B, and the respective transistors Qll and Q□
2 bias circuits are constructed.
トランジスタQ11のエミッタは接地し、そのコレクタ
はトランジスタQ□2のエミッタに接続し、トランジス
タQ1□のコレクタは負荷抵抗R13を通して電i+B
に接続する。The emitter of transistor Q11 is grounded, its collector is connected to the emitter of transistor Q□2, and the collector of transistor Q1□ is connected to the current i+B through load resistor R13.
Connect to.
トランジスタQ□2のコレクタ出力は、エミッタ接地し
たトランジスタQ13のベースに入力し、そのコレクタ
はリレーL□1を負荷として電原子Bに接続する。The collector output of the transistor Q□2 is input to the base of a transistor Q13 whose emitter is grounded, and its collector is connected to the electric atom B with the relay L□1 as a load.
リレーL11の接点L□t−oおよびLll−1は切替
スイッチ13と低周波増巾段6との間に接続し、低周波
増巾段6の入力信号を断続するように接続する。Contacts L□t-o and Lll-1 of the relay L11 are connected between the changeover switch 13 and the low frequency amplification stage 6, and are connected to connect the input signal of the low frequency amplification stage 6 intermittently.
上記の回路において、可動片12−oが接点12−1と
接触しているときはトランジスタQ11がオン状態で、
トランジスタQ1□はオフ状態となる。In the above circuit, when the movable piece 12-o is in contact with the contact 12-1, the transistor Q11 is on.
Transistor Q1□ is turned off.
また可動片12−oが接点12=2と接触しているとき
はトランジスタQ11はオフ状態で、トランジスタQ□
2は、オン状態となる。Further, when the movable piece 12-o is in contact with the contact point 12=2, the transistor Q11 is in an off state, and the transistor Q□
2 is in the on state.
このためトランジスタQ□3はオン状態となり、リレー
L□は励磁され、接点Lll−1とL 11−oとは接
触し低周波増巾段6への入力信号伝送路が形成される。Therefore, the transistor Q□3 is turned on, the relay L□ is energized, and the contacts Lll-1 and L11-o come into contact to form an input signal transmission path to the low frequency amplification stage 6.
また切替スイッチ12の切替途上においては、切替スイ
ッチ12はMBB型であるため可動片12−oは接点1
2−1および12−2の両方に接触し、トランジスタQ
□、およびQ12は共にオン状態となり、トランジスタ
Q□3はオフ状態となってリレーL、11は非励磁の状
態となって、低周波増巾段6の入力信号伝送路は遮断さ
れ、ミューテングされてショックノイズは消去される。In addition, while the changeover switch 12 is in the process of changing over, the changeover switch 12 is of the MBB type, so the movable piece 12-o is at contact 1.
2-1 and 12-2, transistor Q
□ and Q12 are both turned on, transistor Q□3 is turned off, relay L and 11 are de-energized, and the input signal transmission path of the low frequency amplification stage 6 is cut off and muted. shock noise is eliminated.
第2図においては、切替スイッチ14はBBM型スイッ
チであり、可動片14−oは接地され、接点14−□は
ダイオードD2□の陰極に、接点14−2はダイオード
D2□の陰極に接続し、ダイオードD21およびD2□
の陽極はエミッタ接地したトランジスタQ2□のベース
に接続するとともに、抵抗R21を通して電原子Bに接
続してバイアス回路を形成する。In FIG. 2, the changeover switch 14 is a BBM type switch, the movable piece 14-o is grounded, the contact 14-□ is connected to the cathode of the diode D2□, and the contact 14-2 is connected to the cathode of the diode D2□. , diodes D21 and D2□
The anode of is connected to the base of a transistor Q2□ whose emitter is grounded, and is also connected to the electric atom B through a resistor R21 to form a bias circuit.
トランジスタQ21のコレクタ出力はエミッタ接地した
トランジスタQ2゜のベースに入力し、トランジスタQ
2゜のコレクタはリレーL21を負荷とし、電原子Bに
接続する。The collector output of transistor Q21 is input to the base of transistor Q2° whose emitter is grounded, and
The 2° collector is connected to the electric atom B with the relay L21 as the load.
抵抗R2゜はトランジスタQ21の負荷抵抗である。Resistor R2° is the load resistance of transistor Q21.
リレーL2□の接点L21−0とL21−1とは第1図
と同様低周波増巾段6への入力信号伝送路を開閉するよ
うに接続する。Contacts L21-0 and L21-1 of relay L2□ are connected to open and close the input signal transmission path to low frequency amplification stage 6, as in FIG.
第2図の回路において、FM中間周波渡場段3または4
の何れかを選択するときは可動片14−0は接点14−
1または14−2と接触させ、その結果ダイオードD2
1またはD22がオン状態となり、トランジスタQ21
はオフ状態に、トランジスタQ22はオン状態となって
、リレーI、21は励磁され低周波増巾段6の入力信号
伝送路は形成される。In the circuit of FIG. 2, FM intermediate frequency transfer stage 3 or 4
When selecting either one, the movable piece 14-0 is the contact point 14-0.
1 or 14-2, resulting in diode D2
1 or D22 is turned on, and transistor Q21
is turned off, transistor Q22 is turned on, relays I and 21 are excited, and an input signal transmission path of low frequency amplification stage 6 is formed.
いま切替スイッチ14の切替え途上においては、切替ス
イッチはBBM型であるため、可動片14−oは接点1
4−1および14−2の何れにも接触せずトランジスタ
Q2□はオン状態となり、トランジスタQ2□はオフ状
態となってリレーL21は非励磁となり、低周波増巾段
6への入力信号伝送路は遮断され、ミューテングが掛り
ショックノイズを消去している。While the changeover switch 14 is currently being changed, the changeover switch is of the BBM type, so the movable piece 14-o is at contact 1.
4-1 and 14-2, transistor Q2□ is turned on, transistor Q2□ is turned off, relay L21 is de-energized, and the input signal transmission path to low frequency amplification stage 6 is closed. is cut off and muted to eliminate the shock noise.
いまAM−FMの切替およびFM中間周波渡場段の切替
の両方を備えている場合、第1図の回路と第2図の回路
が共に用いられ、第1図のA点以降および第2図のB点
以降の回路すなわちトランジスタQ工。If both AM-FM switching and FM intermediate frequency cross-stage switching are provided, both the circuit in Fig. 1 and the circuit in Fig. 2 are used, and the circuits shown in Fig. 1 and after and in Fig. 2 are used. The circuit after point B, that is, the transistor Q construction.
とQ2□とは共用とし、A点およびB点以前の回路は並
列に接続され、それぞれの切替時のショックノイズを消
去していた。and Q2□ were shared, and the circuits before point A and point B were connected in parallel to eliminate shock noise when switching between them.
しかしこの構成では使用トランジスタの数が増加する欠
点があった。However, this configuration has the disadvantage that the number of transistors used increases.
本考案は上記にかんがみなされたもので、MBB型とB
BM型のスイッチを共に使用し、トランジスタの数を減
少させたミューテング回路を提供することを目的とする
。The present invention is based on the above considerations, and is based on the MBB type and B type.
It is an object of the present invention to provide a muting circuit that uses both BM type switches and has a reduced number of transistors.
以下本考案の実施例を図面にもとづき説明する。Embodiments of the present invention will be described below based on the drawings.
第3図は本考案の一実施例の回路図を示す。FIG. 3 shows a circuit diagram of an embodiment of the present invention.
第3図において、第1図および第2図と同様に、1はF
Mアンテナを、2はFM高周波増巾段を、3および4は
それぞれ帯域巾を異にするFM中間周波増巾段を、5は
FM復調回路を、6は低周波増巾段を、7はスピーカを
それぞれ示し、1M受信系統を構成し、8はAMアンテ
ナを、9は個高周渡場巾段を、10はAM中間周波増巾
段を、11はAM復調回路をそれぞれ示し、切替スイッ
チ12および13によりAM−FMの切替えを、切替ス
イッチ14によりFM中間周波渡場段3および4の切替
えを行うようにしたAM−FM受信機を構成している。In FIG. 3, as in FIGS. 1 and 2, 1 is F
M antenna, 2 is an FM high frequency amplification stage, 3 and 4 are FM intermediate frequency amplification stages with different bandwidths, 5 is an FM demodulation circuit, 6 is a low frequency amplification stage, and 7 is an FM high frequency amplification stage. The speakers are shown respectively, composing a 1M reception system, 8 is an AM antenna, 9 is an individual high frequency field width stage, 10 is an AM intermediate frequency amplification stage, 11 is an AM demodulation circuit, and a changeover switch 12 and 13 constitute an AM-FM receiver, in which AM-FM switching is performed, and a changeover switch 14 performs switching between FM intermediate frequency transfer stages 3 and 4.
ミューテング回路を構成するトランジスタQ31、Q3
□およびQ33は次のように接続する。Transistors Q31 and Q3 forming the muting circuit
□ and Q33 are connected as follows.
すなわちトランジスタQ31のエミッタはダイオードD
35を通して接地し、トランジスタQ31のコレクタは
トランジスタQ32のエミッタに接続し、トランジスタ
Q31とQ32とは縦続接続する。That is, the emitter of transistor Q31 is diode D.
The collector of the transistor Q31 is connected to the emitter of the transistor Q32, and the transistors Q31 and Q32 are connected in cascade.
トランジスタQ32のコレクタは負荷抵抗R3□を通し
て電源子Bに接続する。The collector of transistor Q32 is connected to power supply B through load resistor R3□.
トランジスタQ33はトランジスタQ32のコレクタ出
力をそのベース入力とし、そのエミッタはダイオードD
36を通して接地し、そのコレクタはリレーL31を通
して電源子Bに接続しリレー駆動回路を構成する。Transistor Q33 has the collector output of transistor Q32 as its base input, and its emitter as diode D.
It is grounded through 36, and its collector is connected to power source B through relay L31 to form a relay drive circuit.
リレーL3□は切替スイッチ13と低周波増巾段6の入
力端との間に接続され、接点L31..とL3□−8の
開閉により低周波増巾段6の入力信号伝送路を断続する
ように接続する。Relay L3□ is connected between changeover switch 13 and the input end of low frequency amplification stage 6, and contacts L31. .. By opening and closing L3□-8, the input signal transmission path of the low frequency amplification stage 6 is connected intermittently.
一方切替スイッチ12と13とは連動し、共にMBB型
スイッチであり、可動片12−oは電源子Bに接続し、
可動片13−oはリレー接点L31..。On the other hand, the changeover switches 12 and 13 are interlocked and are both MBB type switches, and the movable piece 12-o is connected to the power supply element B.
The movable piece 13-o is a relay contact L31. .. .
L31−0を通して低周波増巾段6へ接続する。It is connected to the low frequency amplification stage 6 through L31-0.
接点13−1および13−2はFM復調回路5およびA
M復調回路11の出力端にそれぞれ接続し、切替スイッ
チ13の切替により低周波増巾段6への入力をFM復調
回路5の出力と、AM復調回路11の出力とを切替える
ように構成する。Contacts 13-1 and 13-2 are FM demodulation circuits 5 and A
They are connected to the output terminals of the M demodulation circuit 11, respectively, and are configured to switch the input to the low frequency amplification stage 6 between the output of the FM demodulation circuit 5 and the output of the AM demodulation circuit 11 by switching the changeover switch 13.
接点12−1は抵抗R31を通してトランジスタQ31
のベースに接続し、トランジスタQ0の第1のバイアス
回路を構成する。Contact 12-1 is connected to transistor Q31 through resistor R31.
is connected to the base of the transistor Q0 to form a first bias circuit of the transistor Q0.
また接点12−2は抵抗R3□を通してトランジスタQ
3゜のベースに接続し、トランジスタQ32の第1のバ
イアス回路を構成する。Contact 12-2 is connected to transistor Q through resistor R3□.
3° base, and constitutes a first bias circuit for transistor Q32.
また切替スイッチ14はBBM型スイッチであり、その
可動片14−oは接地する。Further, the changeover switch 14 is a BBM type switch, and its movable piece 14-o is grounded.
一方電原子Bは抵抗R35とR33との直列回路を通し
てトランジスタQ31のベースに接続し、抵抗R35と
Rおとの接続点はダイオードD31およびD33を通し
てそれぞれ接点14−□および14−2に接続し、可動
片14−oが接点14−□または14−2に接触したと
き、抵抗R3,とR33との接続点はダイオードD、ま
たはD33を通して接地されるように構成して、トラン
ジスタQ31の第2のバイアス回路を形成する。On the other hand, the electric atom B is connected to the base of the transistor Q31 through a series circuit of resistors R35 and R33, and the connection point between the resistors R35 and R is connected to contacts 14-□ and 14-2 through diodes D31 and D33, respectively. When the movable piece 14-o contacts the contact 14-□ or 14-2, the connection point between the resistors R3 and R33 is configured to be grounded through the diode D or D33, and the second Form a bias circuit.
また電源子Bは抵抗R36とR34との直列回路を通し
てトランジスタo32のベースに接続し、抵抗Rseと
R34との接続点はダイオードD3゜およびD3.を通
してそれぞれ接点14−2および14−1に接続し可動
片14−oが接点14−2または14−2に接触したと
き抵y3.とR34との接続点はダイオードD3゜また
はD3.を通して接地されるように構成して、トランジ
スタQ3゜の第2のバイアス回路を形成する。Further, the power supply element B is connected to the base of the transistor o32 through a series circuit of resistors R36 and R34, and the connection point between the resistors Rse and R34 is connected to the diodes D3° and D3. are connected to contacts 14-2 and 14-1, respectively, and when movable piece 14-o contacts contact 14-2 or 14-2, resistance y3. The connection point between R34 and R34 is a diode D3° or D3. A second bias circuit for the transistor Q3 is formed by connecting the transistor Q3 to ground through the transistor Q3.
以上の回路において、可動片12−oが接点12−0に
接触しているときは、切替スイッチ14の可動片14−
oの位置にかかわらず、トランジスタQ□の第1のバイ
アス回路によりトランジスタQ31がオン状態となるよ
うに、抵抗R33の値を設定する。In the above circuit, when the movable piece 12-o is in contact with the contact 12-0, the movable piece 14-o of the changeover switch 14
The value of the resistor R33 is set so that the first bias circuit of the transistor Q□ turns on the transistor Q31 regardless of the position of the resistor R33.
同様に可動片12−oが接点12−2に接触していると
きは、切替スイッチ14の可動片14−8の位置にかか
わらず、トランジスタQ32の第1のバイアス回路によ
りトランジスタQ32はオン状態となるように、抵抗R
34の値を設定する。Similarly, when the movable piece 12-o is in contact with the contact 12-2, the transistor Q32 is turned on by the first bias circuit of the transistor Q32, regardless of the position of the movable piece 14-8 of the changeover switch 14. So that the resistance R
Set a value of 34.
切替スイッチ12はMBB型であるため、いまAM−F
Mを切替えるため可動片12−oを接点12−1から1
2−2へ、またその逆に移動させる途上においては、切
替スイッチ12の可動片12−oは接点12−0と12
−2の両接点に接触し、トランジスタQ31およびQ3
゜は共にオン状態とし、トランジスタQ3□のコレクタ
電位は下り、トランジスタQ33はオフ状態となる。Since the selector switch 12 is an MBB type, it is currently AM-F.
In order to switch M, move the movable piece 12-o from contact 12-1 to 1.
2-2 and vice versa, the movable piece 12-o of the changeover switch 12 is connected to the contacts 12-0 and 12-2.
-2 contacts, transistors Q31 and Q3
゜ are both in the on state, the collector potential of the transistor Q3□ falls, and the transistor Q33 is in the off state.
この結果リレーL31は非励磁となり接点L31−0と
Lt−oとは開放され、低周波増巾段6への入力信号伝
送路は遮断されミューテングが掛り、切替スイッチ14
の位置にかかわらずショックノイズは消去される。As a result, relay L31 is de-energized, contacts L31-0 and Lt-o are opened, the input signal transmission path to low frequency amplification stage 6 is cut off and muted, and changeover switch 14
The shock noise is canceled regardless of the position.
また切替スイッチ12の可動片12−oが接点12−1
または12−2の何ずれかに接触しているときにおいて
、切替スイッチ14の可動片14−oが接点14−1ま
たは14−2の何ずれかに接触しているときは切替スイ
ッチ12の可動片12−oの位置によって、トランジス
タQ31またはQ32はオン状態で、逆にトランジスタ
Q3゜またはQ31はオフ状態のためトランジスタQ3
3はオン状態となり、リレーL31は励磁され接点t3
x−oとL31−1とは接触し、低周波増巾段6への入
力伝送路は形成されている。In addition, the movable piece 12-o of the changeover switch 12 is the contact 12-1.
12-2, and when the movable piece 14-o of the changeover switch 14 is in contact with either the contact 14-1 or 14-2, the changeover switch 12 is movable. Depending on the position of the piece 12-o, the transistor Q31 or Q32 is in the on state, and conversely, the transistor Q3° or Q31 is in the off state, so the transistor Q3
3 is turned on, relay L31 is energized and contact t3
x-o and L31-1 are in contact with each other, and an input transmission path to the low frequency amplification stage 6 is formed.
つぎに切替スイッチ12の可動片12−oが接点12−
1と接触しFM放送を選択している場合にFM中間周波
渡場段の帯域巾を切替えるため、切替スイッチ14の可
動片14−oを移動させるときその移動の途上において
は、切替スイッチ14はBBM型スイッチのため可動片
14−oは接点14−4および14−2の何れにも接触
しない。Next, the movable piece 12-o of the changeover switch 12 is connected to the contact 12-
When moving the movable piece 14-o of the changeover switch 14 in order to change the bandwidth of the FM intermediate frequency transfer stage when FM broadcasting is selected by contacting the Since it is a type switch, the movable piece 14-o does not contact any of the contacts 14-4 and 14-2.
このためダイオードD3□〜D3.では総てオフ状態と
なりトランジスタQ32はオン状態となり、トランジス
タQ31は可動片12−oが接点12−1と接触してい
るため既にオン状態である。For this reason, diodes D3□ to D3. Then, everything is off, the transistor Q32 is on, and the transistor Q31 is already on because the movable piece 12-o is in contact with the contact 12-1.
この結果トランジスタQ33はオフ状態となり、リレー
L、11は非励磁となり接点L31−0とLよ−1とは
断となり低周波増巾段6への入力伝送路は遮断され、ミ
ューテングが掛る。As a result, transistor Q33 is turned off, relays L and 11 are de-energized, contacts L31-0 and L-1 are disconnected, the input transmission path to low frequency amplification stage 6 is cut off, and muting is applied.
すなわち、FM中間周波渡場段の切替時においてもショ
ックノイズは消去される。That is, shock noise is eliminated even when the FM intermediate frequency transition stage is switched.
切替スイッチ12の可動片12−oが接点12−2に接
触しているとき、すなわちAM放送が選択されている場
合も同様に切替スイッチ14の可動片14−oを移動さ
せたとき、その切替途上において可動片14−oは接点
14−1および14−2の何れの接点とも接触せず、ト
ランジスタQ31はオン状態となり、可動片12−oが
接点12−2と接触していることより既にトランジスタ
Q32はオン状態のため、トランジスタQおはオフ状態
となる。Similarly, when the movable piece 12-o of the changeover switch 12 is in contact with the contact 12-2, that is, when AM broadcasting is selected, when the movable piece 14-o of the changeover switch 14 is moved, the changeover occurs. During the process, the movable piece 14-o does not come into contact with any of the contacts 14-1 and 14-2, and the transistor Q31 is turned on, and since the movable piece 12-o is in contact with the contact 12-2, the Since the transistor Q32 is in the on state, the transistor Q is in the off state.
この結果リレーL31により低周波増巾段6の入力信号
伝送路は遮断される。As a result, the input signal transmission path of the low frequency amplification stage 6 is cut off by the relay L31.
しかしこの状態はAM放送が選択されていながら、FM
中間周波渡場段の帯域巾を切替える場合であるから、こ
の様な操作は通常行われないため支障はない。However, in this situation, even though AM broadcasting is selected, FM broadcasting
Since this is a case of switching the bandwidth of the intermediate frequency transfer stage, such an operation is not normally performed, so there is no problem.
尚ダイオードD33は接点14−2と可動片14−8と
が接触し、可動片12−oが接点12−2と接触してい
るとき、トランジスタQ0のオフ状態を保証するための
ものであり、同様にダイオードD34は接点14−1と
可動片14−oとが接触し、可動片12、が接点12−
1と接触しているときトランジスタQ32のオフ状態を
保証するためのものである。Note that the diode D33 is for ensuring that the transistor Q0 is in an off state when the contact 14-2 and the movable piece 14-8 are in contact and the movable piece 12-o is in contact with the contact 12-2. Similarly, in the diode D34, the contact 14-1 and the movable piece 14-o are in contact, and the movable piece 12 is in contact with the contact 12-o.
This is to ensure that the transistor Q32 is in an off state when it is in contact with the transistor Q32.
またダイオードD3□〜D3.はFM中間周波渡場段の
バイアス電圧を阻止するためのものである。In addition, diodes D3□ to D3. is for blocking the bias voltage of the FM intermediate frequency field stage.
以上説明した如く、本考案によれば、前記MBB型スイ
ッチに接続した第1のバイアス回路によQMBB型スイ
ッチの可動片と接触する接点につながるトランジスタを
オン状態にし、前記BBM型スイッチに接続した第2の
バイアス回路によりBBM型スイッチの可動片が何れの
接点とも接触しないとき両トランジスタをオン状態とす
ることにより、切替スイッチの接点移動時にミューテン
グ制御することにより、ミューテング回路のトランジス
タ数を減少させることができる。As explained above, according to the present invention, the first bias circuit connected to the MBB type switch turns on the transistor connected to the contact point that contacts the movable piece of the QMBB type switch, and the transistor is connected to the BBM type switch. The second bias circuit turns on both transistors when the movable piece of the BBM type switch does not contact any contact, thereby controlling muting when the contact of the changeover switch moves, thereby reducing the number of transistors in the muting circuit. be able to.
またこのためミューテング回路の樹皮が特に複雑となる
こともない。Furthermore, the structure of the muting circuit does not become particularly complicated.
尚BBM型スイッチには接点数が2接点の場合を例に説
明したが、接点数が3接点以上の場合も同様に樹皮する
ことができる。Although the BBM type switch has been described using an example in which the number of contacts is two, the same method can be applied to a case where the number of contacts is three or more.
第1図はAM−FM受信機のAM−FM切替時のミュー
テング回路図。
第2図はAM−FM受信機の中間周波増巾段の帯域巾の
切替時のミューテング回路図。
第3図は本考案の一実施例の回路図。1・・・・・・F
Mアンテナ、2・・・・・・FM高周波渡場段、3,4
・・・・・・FM中間周波渡場段、5・・・・・・FM
復調回路、6・・・・・・低周波増巾段、7・・・・・
・スピーカ、8・・・・・−AMアンテナ、9・・・・
・・AM高周波渡場段、10・・・・・・周中間周渡場
巾段、11・・・・・・AM復調回路、12. 13.
14・・・・・・切替スイッチ、Qll? Q12t
Q13? Q2xt Q229 Q31? Q32?
Q33°0000トランジスタ蔦D219D229D
319D329D339D34°°゛・・・ダイオード
、I、11.′L2□9 ’31・・・・・・リレー。FIG. 1 is a muting circuit diagram of an AM-FM receiver when switching between AM and FM. FIG. 2 is a muting circuit diagram when switching the bandwidth of the intermediate frequency amplification stage of the AM-FM receiver. FIG. 3 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention. 1...F
M antenna, 2...FM high frequency transfer stage, 3, 4
...FM intermediate frequency Wataba stage, 5...FM
Demodulation circuit, 6...Low frequency amplification stage, 7...
・Speaker, 8...-AM antenna, 9...
. . . AM high frequency crossing field stage, 10 . 13.
14...... Selector switch, Qll? Q12t
Q13? Q2xt Q229 Q31? Q32?
Q33°0000 Transistor Tsuta D219D229D
319D329D339D34°°...Diode, I, 11. 'L2□9 '31...Relay.
Claims (1)
ら1の高周波増幅回路を選択するメイク・ビフォア・ブ
レーク型の第1の切替スイッチと複数の中間周波増幅回
路中から1の中間周波増幅回路を選択するブレーク・ビ
フォア・メイク型の第2の切替スイッチと、前記第1の
切替スイッチの各接点に接続した第1の抵抗の各々lの
抵抗により形成される第1のバイアス回路と、前記第2
の切替スイッチの接点に接続した第2の抵抗を含んで形
成される第2のバイアス回路と、前記第1および第2の
抵抗がそれぞれベースに接続されたトランジスタを2個
直列に接続したスイッチング回路と、前記トランジスタ
が共にオン状態のときに作動するリレー駆動回路とを備
え、前記第1および第2のバイアス回路を前記第1の切
替スイッチの可動片が接触する接点につながる前記トラ
ンジスタを前記第2の切替スイッチの可動片の位置に無
関係にオン状態に、かつ前記第2の切替スイッチの可動
片が何れの接点とも非接触の状態時にのみ前記2個のト
ランジスタが共にオン状態となるよう構成し、前記第1
のおよび第2の切替スイッチの切替時に前記第1の切替
スイッチを経た信号をミューテング制御するようにした
ことを特徴とするミューテング回路。Inside the AM-FM receiver, a make-before-break type first changeover switch selects one high-frequency amplification circuit from two high-frequency amplification circuits, and selects one intermediate-frequency amplification circuit from among a plurality of intermediate-frequency amplification circuits. a break-before-make type second changeover switch, a first bias circuit formed by a resistor of l each of first resistors connected to each contact of the first changeover switch;
a second bias circuit formed including a second resistor connected to a contact point of a changeover switch; and a switching circuit comprising two transistors connected in series, each of which has a base connected to the first and second resistors. and a relay drive circuit that operates when both of the transistors are in an on state, the transistor connecting the first and second bias circuits to a contact that is contacted by the movable piece of the first changeover switch. The two transistors are configured to be on regardless of the position of the movable piece of the second changeover switch, and both of the two transistors are turned on only when the movable piece of the second changeover switch is in a non-contact state with any contact. and the first
1. A muting circuit characterized in that a signal passing through the first changeover switch is subjected to muting control when the first changeover switch and the second changeover switch are changed over.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1977073747U JPS6040023Y2 (en) | 1977-06-07 | 1977-06-07 | Muting circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1977073747U JPS6040023Y2 (en) | 1977-06-07 | 1977-06-07 | Muting circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS542347U JPS542347U (en) | 1979-01-09 |
JPS6040023Y2 true JPS6040023Y2 (en) | 1985-12-02 |
Family
ID=28986637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1977073747U Expired JPS6040023Y2 (en) | 1977-06-07 | 1977-06-07 | Muting circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6040023Y2 (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4924517A (en) * | 1972-06-29 | 1974-03-05 | ||
JPS527507B2 (en) * | 1972-06-30 | 1977-03-02 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS537604Y2 (en) * | 1972-03-29 | 1978-02-27 | ||
JPS5853778Y2 (en) * | 1975-07-04 | 1983-12-07 | パイオニア株式会社 | Muting warmer |
-
1977
- 1977-06-07 JP JP1977073747U patent/JPS6040023Y2/en not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4924517A (en) * | 1972-06-29 | 1974-03-05 | ||
JPS527507B2 (en) * | 1972-06-30 | 1977-03-02 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS542347U (en) | 1979-01-09 |
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