JPS6040023Y2 - Muting circuit - Google Patents
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- JPS6040023Y2 JPS6040023Y2 JP1977073747U JP7374777U JPS6040023Y2 JP S6040023 Y2 JPS6040023 Y2 JP S6040023Y2 JP 1977073747 U JP1977073747 U JP 1977073747U JP 7374777 U JP7374777 U JP 7374777U JP S6040023 Y2 JPS6040023 Y2 JP S6040023Y2
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案はＡＭ−ＦＭ受信機、増巾器などのスイッチ切換
時のショックノイズを消去するミューテング回路の改良
に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an improvement in a muting circuit that eliminates shock noise when switching switches in AM-FM receivers, amplifiers, etc.
更に評言すれば、ＡＭ−ＦＭ受信機、増巾器などにおい
てメイク・ビフォア・ブレーク（以下本明細書において
はＭＢＢと記す。More specifically, make-before-break (hereinafter referred to as MBB in this specification) is used in AM-FM receivers, amplifiers, etc.
）型スイッチと、ブレーク・ビフォア・メイク（以下本
明細書においてＢＢＭと記す。) type switch and break-before-make (hereinafter referred to as BBM in this specification).
）型スイッチとを用いてミューテングするミューテング
回路の改良に関する。) type switch for muting.
たとえばＡＭ−ＦＭ受信機などの如く複数の入力を有し
、その入力信号中の１つを切替えて入力とし増巾する場
合など、入力信号の切替時にショックノイズを発生する
。For example, when an AM-FM receiver has a plurality of input signals and one of the input signals is switched to be input and amplified, shock noise is generated when the input signal is switched.
また中間周波増巾段に異なる帯域巾を有するフィルタ回
路を有し、電波状態により切替えて１つの中間周波増巾
段を選択する場合も同様、ショックノイズを発生する。Similarly, when the intermediate frequency amplification stage has filter circuits having different bandwidths and one intermediate frequency amplification stage is selected by switching depending on the radio wave condition, shock noise is generated as well.
このためミューテング回路が使用される。A muting circuit is used for this purpose.
第１図にＡＭ−ＦＭ切替時の、第２図に中間周波増巾段
の切替時の従来のミューテング回路を示す。FIG. 1 shows a conventional muting circuit when switching between AM and FM, and FIG. 2 shows a conventional muting circuit when switching between intermediate frequency amplification stages.
第１図および第２図において、１はＦＭアンテナを、２
はＦＭ高周波渡場段を、３および４はそれぞれ異なる帯
域巾のフィルタ回路を有するＦＭ中間周波渡場段を、５
はＦＭ復調回路を、６は低周渡場中段を、７はスピーカ
をそれぞれ示し、ＦＭ受信系統を構成している。In Figures 1 and 2, 1 is an FM antenna, 2 is an FM antenna,
3 and 4 are FM intermediate frequency passing stages each having a filter circuit with a different bandwidth; 5 is an FM high frequency passing stage;
6 indicates an FM demodulation circuit, 6 indicates a low frequency middle stage, and 7 indicates a speaker, which constitute an FM receiving system.
また８はＡＭアンテナを、９はＡＭ高周波渡場段を、１
０は心中間周渡場巾段を、１１は訓復調回路を示し、Ｆ
Ｍ高周波渡場段２か、またはＡＭ高周波渡場段９かの何
れか三方へ電原子Ｂを供給する■追型スイッチ１２と、
スイッチ１２と連動し低周波増巾段６への入力をＦＭ復
調回路５か、またはＡＭ復調回路１１かの何れか一方の
出力を接続するように切替える切替スイッチ１３とでＡ
Ｍ−ＦＭを切替えるように構成されている。In addition, 8 is an AM antenna, 9 is an AM high frequency transition stage, and 1 is an AM antenna.
0 indicates the intermediate field width stage, 11 indicates the demodulation circuit, and F
■Additional switch 12 for supplying electric atoms B to either the M high-frequency transition stage 2 or the AM high-frequency transition stage 9;
A changeover switch 13 is connected to the switch 12 to connect the input to the low frequency amplification stage 6 to the output of either the FM demodulation circuit 5 or the AM demodulation circuit 11.
It is configured to switch between M-FM.
切替スイッチ１２および１３の可動片１２−ｏおよび１
３−ｏを接点１２−１および１３−□に接触させるとき
はＦＭ放送の、可動片１２−ｏおよび１３−８の接点１
２−２および１３−２に接触させるときは心放送の受信
をするＡＭ−ＦＭ受信機を構成している。Movable pieces 12-o and 1 of changeover switches 12 and 13
When contacting 3-o with contacts 12-1 and 13-□, contact 1 of movable pieces 12-o and 13-8 of FM broadcasting.
When brought into contact with 2-2 and 13-2, an AM-FM receiver is configured to receive heart broadcasts.
またＦＭ中間周波渡場段３，４の切替スイッチ１４はＢ
ＢＭ型スイッチを用い、ＦＭ中間周波渡場段３および４
の何れか一方のバイアス回路を接地することによりＦＭ
中間周波渡場段３と４との切替えを行っている。In addition, the changeover switch 14 of the FM intermediate frequency transition stages 3 and 4 is set to B.
Using BM type switch, FM intermediate frequency transfer stage 3 and 4
By grounding one of the bias circuits, the FM
Switching between the intermediate frequency transition stages 3 and 4 is performed.
第１図においては更に、切替スイッチ１２の接点１２−
１から抵抗Ｒ１□を通して直列に接続したトランジスタ
ＱｌｌとＱ１□の一方のトランジスタＱ１□のベースに
接続し、接点１２−２から抵抗Ｒ１゜を通してトランジ
スタＱ工２のベースに接続し、可動片１２−ｏは電原子
Ｂに接続し、それぞれのトランジスタＱｌｌおよびＱ□
２のバイアス回路を構成する。In FIG. 1, the contact 12- of the changeover switch 12
1 to the base of one transistor Q1□ of transistors Qll and Q1□ connected in series through a resistor R1□, and a contact 12-2 to the base of the transistor Q2 through a resistor R1°, and a movable piece 12- o is connected to the electric atom B, and the respective transistors Qll and Q□
2 bias circuits are constructed.
トランジスタＱ１１のエミッタは接地し、そのコレクタ
はトランジスタＱ□２のエミッタに接続し、トランジス
タＱ１□のコレクタは負荷抵抗Ｒ１３を通して電ｉ＋Ｂ
に接続する。The emitter of transistor Q11 is grounded, its collector is connected to the emitter of transistor Q□2, and the collector of transistor Q1□ is connected to the current i+B through load resistor R13.
Connect to.
トランジスタＱ□２のコレクタ出力は、エミッタ接地し
たトランジスタＱ１３のベースに入力し、そのコレクタ
はリレーＬ□１を負荷として電原子Ｂに接続する。The collector output of the transistor Q□2 is input to the base of a transistor Q13 whose emitter is grounded, and its collector is connected to the electric atom B with the relay L□1 as a load.
リレーＬ１１の接点Ｌ□ｔ−ｏおよびＬｌｌ−１は切替
スイッチ１３と低周波増巾段６との間に接続し、低周波
増巾段６の入力信号を断続するように接続する。Contacts L□t-o and Lll-1 of the relay L11 are connected between the changeover switch 13 and the low frequency amplification stage 6, and are connected to connect the input signal of the low frequency amplification stage 6 intermittently.
上記の回路において、可動片１２−ｏが接点１２−１と
接触しているときはトランジスタＱ１１がオン状態で、
トランジスタＱ１□はオフ状態となる。In the above circuit, when the movable piece 12-o is in contact with the contact 12-1, the transistor Q11 is on.
Transistor Q1□ is turned off.
また可動片１２−ｏが接点１２＝２と接触しているとき
はトランジスタＱ１１はオフ状態で、トランジスタＱ□
２は、オン状態となる。Further, when the movable piece 12-o is in contact with the contact point 12=2, the transistor Q11 is in an off state, and the transistor Q□
2 is in the on state.
このためトランジスタＱ□３はオン状態となり、リレー
Ｌ□は励磁され、接点Ｌｌｌ−１とＬ １１−ｏとは接
触し低周波増巾段６への入力信号伝送路が形成される。Therefore, the transistor Q□3 is turned on, the relay L□ is energized, and the contacts Lll-1 and L11-o come into contact to form an input signal transmission path to the low frequency amplification stage 6.
また切替スイッチ１２の切替途上においては、切替スイ
ッチ１２はＭＢＢ型であるため可動片１２−ｏは接点１
２−１および１２−２の両方に接触し、トランジスタＱ
□、およびＱ１２は共にオン状態となり、トランジスタ
Ｑ□３はオフ状態となってリレーＬ、１１は非励磁の状
態となって、低周波増巾段６の入力信号伝送路は遮断さ
れ、ミューテングされてショックノイズは消去される。In addition, while the changeover switch 12 is in the process of changing over, the changeover switch 12 is of the MBB type, so the movable piece 12-o is at contact 1.
2-1 and 12-2, transistor Q
□ and Q12 are both turned on, transistor Q□3 is turned off, relay L and 11 are de-energized, and the input signal transmission path of the low frequency amplification stage 6 is cut off and muted. shock noise is eliminated.
第２図においては、切替スイッチ１４はＢＢＭ型スイッ
チであり、可動片１４−ｏは接地され、接点１４−□は
ダイオードＤ２□の陰極に、接点１４−２はダイオード
Ｄ２□の陰極に接続し、ダイオードＤ２１およびＤ２□
の陽極はエミッタ接地したトランジスタＱ２□のベース
に接続するとともに、抵抗Ｒ２１を通して電原子Ｂに接
続してバイアス回路を形成する。In FIG. 2, the changeover switch 14 is a BBM type switch, the movable piece 14-o is grounded, the contact 14-□ is connected to the cathode of the diode D2□, and the contact 14-2 is connected to the cathode of the diode D2□. , diodes D21 and D2□
The anode of is connected to the base of a transistor Q2□ whose emitter is grounded, and is also connected to the electric atom B through a resistor R21 to form a bias circuit.
トランジスタＱ２１のコレクタ出力はエミッタ接地した
トランジスタＱ２゜のベースに入力し、トランジスタＱ
２゜のコレクタはリレーＬ２１を負荷とし、電原子Ｂに
接続する。The collector output of transistor Q21 is input to the base of transistor Q2° whose emitter is grounded, and
The 2° collector is connected to the electric atom B with the relay L21 as the load.
抵抗Ｒ２゜はトランジスタＱ２１の負荷抵抗である。Resistor R2° is the load resistance of transistor Q21.
リレーＬ２□の接点Ｌ２１−０とＬ２１−１とは第１図
と同様低周波増巾段６への入力信号伝送路を開閉するよ
うに接続する。Contacts L21-0 and L21-1 of relay L2□ are connected to open and close the input signal transmission path to low frequency amplification stage 6, as in FIG.
第２図の回路において、ＦＭ中間周波渡場段３または４
の何れかを選択するときは可動片１４−０は接点１４−
１または１４−２と接触させ、その結果ダイオードＤ２
１またはＤ２２がオン状態となり、トランジスタＱ２１
はオフ状態に、トランジスタＱ２２はオン状態となって
、リレーＩ、２１は励磁され低周波増巾段６の入力信号
伝送路は形成される。In the circuit of FIG. 2, FM intermediate frequency transfer stage 3 or 4
When selecting either one, the movable piece 14-0 is the contact point 14-0.
1 or 14-2, resulting in diode D2
1 or D22 is turned on, and transistor Q21
is turned off, transistor Q22 is turned on, relays I and 21 are excited, and an input signal transmission path of low frequency amplification stage 6 is formed.
いま切替スイッチ１４の切替え途上においては、切替ス
イッチはＢＢＭ型であるため、可動片１４−ｏは接点１
４−１および１４−２の何れにも接触せずトランジスタ
Ｑ２□はオン状態となり、トランジスタＱ２□はオフ状
態となってリレーＬ２１は非励磁となり、低周波増巾段
６への入力信号伝送路は遮断され、ミューテングが掛り
ショックノイズを消去している。While the changeover switch 14 is currently being changed, the changeover switch is of the BBM type, so the movable piece 14-o is at contact 1.
4-1 and 14-2, transistor Q2□ is turned on, transistor Q2□ is turned off, relay L21 is de-energized, and the input signal transmission path to low frequency amplification stage 6 is closed. is cut off and muted to eliminate the shock noise.
いまＡＭ−ＦＭの切替およびＦＭ中間周波渡場段の切替
の両方を備えている場合、第１図の回路と第２図の回路
が共に用いられ、第１図のＡ点以降および第２図のＢ点
以降の回路すなわちトランジスタＱ工。If both AM-FM switching and FM intermediate frequency cross-stage switching are provided, both the circuit in Fig. 1 and the circuit in Fig. 2 are used, and the circuits shown in Fig. 1 and after and in Fig. 2 are used. The circuit after point B, that is, the transistor Q construction.
とＱ２□とは共用とし、Ａ点およびＢ点以前の回路は並
列に接続され、それぞれの切替時のショックノイズを消
去していた。and Q2□ were shared, and the circuits before point A and point B were connected in parallel to eliminate shock noise when switching between them.
しかしこの構成では使用トランジスタの数が増加する欠
点があった。However, this configuration has the disadvantage that the number of transistors used increases.
本考案は上記にかんがみなされたもので、ＭＢＢ型とＢ
ＢＭ型のスイッチを共に使用し、トランジスタの数を減
少させたミューテング回路を提供することを目的とする
。The present invention is based on the above considerations, and is based on the MBB type and B type.
It is an object of the present invention to provide a muting circuit that uses both BM type switches and has a reduced number of transistors.
以下本考案の実施例を図面にもとづき説明する。Embodiments of the present invention will be described below based on the drawings.
第３図は本考案の一実施例の回路図を示す。FIG. 3 shows a circuit diagram of an embodiment of the present invention.
第３図において、第１図および第２図と同様に、１はＦ
Ｍアンテナを、２はＦＭ高周波増巾段を、３および４は
それぞれ帯域巾を異にするＦＭ中間周波増巾段を、５は
ＦＭ復調回路を、６は低周波増巾段を、７はスピーカを
それぞれ示し、１Ｍ受信系統を構成し、８はＡＭアンテ
ナを、９は個高周渡場巾段を、１０はＡＭ中間周波増巾
段を、１１はＡＭ復調回路をそれぞれ示し、切替スイッ
チ１２および１３によりＡＭ−ＦＭの切替えを、切替ス
イッチ１４によりＦＭ中間周波渡場段３および４の切替
えを行うようにしたＡＭ−ＦＭ受信機を構成している。In FIG. 3, as in FIGS. 1 and 2, 1 is F
M antenna, 2 is an FM high frequency amplification stage, 3 and 4 are FM intermediate frequency amplification stages with different bandwidths, 5 is an FM demodulation circuit, 6 is a low frequency amplification stage, and 7 is an FM high frequency amplification stage. The speakers are shown respectively, composing a 1M reception system, 8 is an AM antenna, 9 is an individual high frequency field width stage, 10 is an AM intermediate frequency amplification stage, 11 is an AM demodulation circuit, and a changeover switch 12 and 13 constitute an AM-FM receiver, in which AM-FM switching is performed, and a changeover switch 14 performs switching between FM intermediate frequency transfer stages 3 and 4.
ミューテング回路を構成するトランジスタＱ３１、Ｑ３
□およびＱ３３は次のように接続する。Transistors Q31 and Q3 forming the muting circuit
□ and Q33 are connected as follows.
すなわちトランジスタＱ３１のエミッタはダイオードＤ
３５を通して接地し、トランジスタＱ３１のコレクタは
トランジスタＱ３２のエミッタに接続し、トランジスタ
Ｑ３１とＱ３２とは縦続接続する。That is, the emitter of transistor Q31 is diode D.
The collector of the transistor Q31 is connected to the emitter of the transistor Q32, and the transistors Q31 and Q32 are connected in cascade.
トランジスタＱ３２のコレクタは負荷抵抗Ｒ３□を通し
て電源子Ｂに接続する。The collector of transistor Q32 is connected to power supply B through load resistor R3□.
トランジスタＱ３３はトランジスタＱ３２のコレクタ出
力をそのベース入力とし、そのエミッタはダイオードＤ
３６を通して接地し、そのコレクタはリレーＬ３１を通
して電源子Ｂに接続しリレー駆動回路を構成する。Transistor Q33 has the collector output of transistor Q32 as its base input, and its emitter as diode D.
It is grounded through 36, and its collector is connected to power source B through relay L31 to form a relay drive circuit.
リレーＬ３□は切替スイッチ１３と低周波増巾段６の入
力端との間に接続され、接点Ｌ３１．．とＬ３□−８の
開閉により低周波増巾段６の入力信号伝送路を断続する
ように接続する。Relay L3□ is connected between changeover switch 13 and the input end of low frequency amplification stage 6, and contacts L31. ．． By opening and closing L3□-8, the input signal transmission path of the low frequency amplification stage 6 is connected intermittently.
一方切替スイッチ１２と１３とは連動し、共にＭＢＢ型
スイッチであり、可動片１２−ｏは電源子Ｂに接続し、
可動片１３−ｏはリレー接点Ｌ３１．．。On the other hand, the changeover switches 12 and 13 are interlocked and are both MBB type switches, and the movable piece 12-o is connected to the power supply element B.
The movable piece 13-o is a relay contact L31. ．． .
Ｌ３１−０を通して低周波増巾段６へ接続する。It is connected to the low frequency amplification stage 6 through L31-0.
接点１３−１および１３−２はＦＭ復調回路５およびＡ
Ｍ復調回路１１の出力端にそれぞれ接続し、切替スイッ
チ１３の切替により低周波増巾段６への入力をＦＭ復調
回路５の出力と、ＡＭ復調回路１１の出力とを切替える
ように構成する。Contacts 13-1 and 13-2 are FM demodulation circuits 5 and A
They are connected to the output terminals of the M demodulation circuit 11, respectively, and are configured to switch the input to the low frequency amplification stage 6 between the output of the FM demodulation circuit 5 and the output of the AM demodulation circuit 11 by switching the changeover switch 13.
接点１２−１は抵抗Ｒ３１を通してトランジスタＱ３１
のベースに接続し、トランジスタＱ０の第１のバイアス
回路を構成する。Contact 12-1 is connected to transistor Q31 through resistor R31.
is connected to the base of the transistor Q0 to form a first bias circuit of the transistor Q0.
また接点１２−２は抵抗Ｒ３□を通してトランジスタＱ
３゜のベースに接続し、トランジスタＱ３２の第１のバ
イアス回路を構成する。Contact 12-2 is connected to transistor Q through resistor R3□.
3° base, and constitutes a first bias circuit for transistor Q32.
また切替スイッチ１４はＢＢＭ型スイッチであり、その
可動片１４−ｏは接地する。Further, the changeover switch 14 is a BBM type switch, and its movable piece 14-o is grounded.
一方電原子Ｂは抵抗Ｒ３５とＲ３３との直列回路を通し
てトランジスタＱ３１のベースに接続し、抵抗Ｒ３５と
Ｒおとの接続点はダイオードＤ３１およびＤ３３を通し
てそれぞれ接点１４−□および１４−２に接続し、可動
片１４−ｏが接点１４−□または１４−２に接触したと
き、抵抗Ｒ３，とＲ３３との接続点はダイオードＤ、ま
たはＤ３３を通して接地されるように構成して、トラン
ジスタＱ３１の第２のバイアス回路を形成する。On the other hand, the electric atom B is connected to the base of the transistor Q31 through a series circuit of resistors R35 and R33, and the connection point between the resistors R35 and R is connected to contacts 14-□ and 14-2 through diodes D31 and D33, respectively. When the movable piece 14-o contacts the contact 14-□ or 14-2, the connection point between the resistors R3 and R33 is configured to be grounded through the diode D or D33, and the second Form a bias circuit.
また電源子Ｂは抵抗Ｒ３６とＲ３４との直列回路を通し
てトランジスタｏ３２のベースに接続し、抵抗Ｒｓｅと
Ｒ３４との接続点はダイオードＤ３゜およびＤ３．を通
してそれぞれ接点１４−２および１４−１に接続し可動
片１４−ｏが接点１４−２または１４−２に接触したと
き抵ｙ３．とＲ３４との接続点はダイオードＤ３゜また
はＤ３．を通して接地されるように構成して、トランジ
スタＱ３゜の第２のバイアス回路を形成する。Further, the power supply element B is connected to the base of the transistor o32 through a series circuit of resistors R36 and R34, and the connection point between the resistors Rse and R34 is connected to the diodes D3° and D3. are connected to contacts 14-2 and 14-1, respectively, and when movable piece 14-o contacts contact 14-2 or 14-2, resistance y3. The connection point between R34 and R34 is a diode D3° or D3. A second bias circuit for the transistor Q3 is formed by connecting the transistor Q3 to ground through the transistor Q3.
以上の回路において、可動片１２−ｏが接点１２−０に
接触しているときは、切替スイッチ１４の可動片１４−
ｏの位置にかかわらず、トランジスタＱ□の第１のバイ
アス回路によりトランジスタＱ３１がオン状態となるよ
うに、抵抗Ｒ３３の値を設定する。In the above circuit, when the movable piece 12-o is in contact with the contact 12-0, the movable piece 14-o of the changeover switch 14
The value of the resistor R33 is set so that the first bias circuit of the transistor Q□ turns on the transistor Q31 regardless of the position of the resistor R33.
同様に可動片１２−ｏが接点１２−２に接触していると
きは、切替スイッチ１４の可動片１４−８の位置にかか
わらず、トランジスタＱ３２の第１のバイアス回路によ
りトランジスタＱ３２はオン状態となるように、抵抗Ｒ
３４の値を設定する。Similarly, when the movable piece 12-o is in contact with the contact 12-2, the transistor Q32 is turned on by the first bias circuit of the transistor Q32, regardless of the position of the movable piece 14-8 of the changeover switch 14. So that the resistance R
Set a value of 34.
切替スイッチ１２はＭＢＢ型であるため、いまＡＭ−Ｆ
Ｍを切替えるため可動片１２−ｏを接点１２−１から１
２−２へ、またその逆に移動させる途上においては、切
替スイッチ１２の可動片１２−ｏは接点１２−０と１２
−２の両接点に接触し、トランジスタＱ３１およびＱ３
゜は共にオン状態とし、トランジスタＱ３□のコレクタ
電位は下り、トランジスタＱ３３はオフ状態となる。Since the selector switch 12 is an MBB type, it is currently AM-F.
In order to switch M, move the movable piece 12-o from contact 12-1 to 1.
2-2 and vice versa, the movable piece 12-o of the changeover switch 12 is connected to the contacts 12-0 and 12-2.
-2 contacts, transistors Q31 and Q3
゜ are both in the on state, the collector potential of the transistor Q3□ falls, and the transistor Q33 is in the off state.
この結果リレーＬ３１は非励磁となり接点Ｌ３１−０と
Ｌｔ−ｏとは開放され、低周波増巾段６への入力信号伝
送路は遮断されミューテングが掛り、切替スイッチ１４
の位置にかかわらずショックノイズは消去される。As a result, relay L31 is de-energized, contacts L31-0 and Lt-o are opened, the input signal transmission path to low frequency amplification stage 6 is cut off and muted, and changeover switch 14
The shock noise is canceled regardless of the position.
また切替スイッチ１２の可動片１２−ｏが接点１２−１
または１２−２の何ずれかに接触しているときにおいて
、切替スイッチ１４の可動片１４−ｏが接点１４−１ま
たは１４−２の何ずれかに接触しているときは切替スイ
ッチ１２の可動片１２−ｏの位置によって、トランジス
タＱ３１またはＱ３２はオン状態で、逆にトランジスタ
Ｑ３゜またはＱ３１はオフ状態のためトランジスタＱ３
３はオン状態となり、リレーＬ３１は励磁され接点ｔ３
ｘ−ｏとＬ３１−１とは接触し、低周波増巾段６への入
力伝送路は形成されている。In addition, the movable piece 12-o of the changeover switch 12 is the contact 12-1.
12-2, and when the movable piece 14-o of the changeover switch 14 is in contact with either the contact 14-1 or 14-2, the changeover switch 12 is movable. Depending on the position of the piece 12-o, the transistor Q31 or Q32 is in the on state, and conversely, the transistor Q3° or Q31 is in the off state, so the transistor Q3
3 is turned on, relay L31 is energized and contact t3
x-o and L31-1 are in contact with each other, and an input transmission path to the low frequency amplification stage 6 is formed.
つぎに切替スイッチ１２の可動片１２−ｏが接点１２−
１と接触しＦＭ放送を選択している場合にＦＭ中間周波
渡場段の帯域巾を切替えるため、切替スイッチ１４の可
動片１４−ｏを移動させるときその移動の途上において
は、切替スイッチ１４はＢＢＭ型スイッチのため可動片
１４−ｏは接点１４−４および１４−２の何れにも接触
しない。Next, the movable piece 12-o of the changeover switch 12 is connected to the contact 12-
When moving the movable piece 14-o of the changeover switch 14 in order to change the bandwidth of the FM intermediate frequency transfer stage when FM broadcasting is selected by contacting the Since it is a type switch, the movable piece 14-o does not contact any of the contacts 14-4 and 14-2.
このためダイオードＤ３□〜Ｄ３．では総てオフ状態と
なりトランジスタＱ３２はオン状態となり、トランジス
タＱ３１は可動片１２−ｏが接点１２−１と接触してい
るため既にオン状態である。For this reason, diodes D3□ to D3. Then, everything is off, the transistor Q32 is on, and the transistor Q31 is already on because the movable piece 12-o is in contact with the contact 12-1.
この結果トランジスタＱ３３はオフ状態となり、リレー
Ｌ、１１は非励磁となり接点Ｌ３１−０とＬよ−１とは
断となり低周波増巾段６への入力伝送路は遮断され、ミ
ューテングが掛る。As a result, transistor Q33 is turned off, relays L and 11 are de-energized, contacts L31-0 and L-1 are disconnected, the input transmission path to low frequency amplification stage 6 is cut off, and muting is applied.
すなわち、ＦＭ中間周波渡場段の切替時においてもショ
ックノイズは消去される。That is, shock noise is eliminated even when the FM intermediate frequency transition stage is switched.
切替スイッチ１２の可動片１２−ｏが接点１２−２に接
触しているとき、すなわちＡＭ放送が選択されている場
合も同様に切替スイッチ１４の可動片１４−ｏを移動さ
せたとき、その切替途上において可動片１４−ｏは接点
１４−１および１４−２の何れの接点とも接触せず、ト
ランジスタＱ３１はオン状態となり、可動片１２−ｏが
接点１２−２と接触していることより既にトランジスタ
Ｑ３２はオン状態のため、トランジスタＱおはオフ状態
となる。Similarly, when the movable piece 12-o of the changeover switch 12 is in contact with the contact 12-2, that is, when AM broadcasting is selected, when the movable piece 14-o of the changeover switch 14 is moved, the changeover occurs. During the process, the movable piece 14-o does not come into contact with any of the contacts 14-1 and 14-2, and the transistor Q31 is turned on, and since the movable piece 12-o is in contact with the contact 12-2, the Since the transistor Q32 is in the on state, the transistor Q is in the off state.
この結果リレーＬ３１により低周波増巾段６の入力信号
伝送路は遮断される。As a result, the input signal transmission path of the low frequency amplification stage 6 is cut off by the relay L31.
しかしこの状態はＡＭ放送が選択されていながら、ＦＭ
中間周波渡場段の帯域巾を切替える場合であるから、こ
の様な操作は通常行われないため支障はない。However, in this situation, even though AM broadcasting is selected, FM broadcasting
Since this is a case of switching the bandwidth of the intermediate frequency transfer stage, such an operation is not normally performed, so there is no problem.
尚ダイオードＤ３３は接点１４−２と可動片１４−８と
が接触し、可動片１２−ｏが接点１２−２と接触してい
るとき、トランジスタＱ０のオフ状態を保証するための
ものであり、同様にダイオードＤ３４は接点１４−１と
可動片１４−ｏとが接触し、可動片１２、が接点１２−
１と接触しているときトランジスタＱ３２のオフ状態を
保証するためのものである。Note that the diode D33 is for ensuring that the transistor Q0 is in an off state when the contact 14-2 and the movable piece 14-8 are in contact and the movable piece 12-o is in contact with the contact 12-2. Similarly, in the diode D34, the contact 14-1 and the movable piece 14-o are in contact, and the movable piece 12 is in contact with the contact 12-o.
This is to ensure that the transistor Q32 is in an off state when it is in contact with the transistor Q32.
またダイオードＤ３□〜Ｄ３．はＦＭ中間周波渡場段の
バイアス電圧を阻止するためのものである。In addition, diodes D3□ to D3. is for blocking the bias voltage of the FM intermediate frequency field stage.
以上説明した如く、本考案によれば、前記ＭＢＢ型スイ
ッチに接続した第１のバイアス回路によＱＭＢＢ型スイ
ッチの可動片と接触する接点につながるトランジスタを
オン状態にし、前記ＢＢＭ型スイッチに接続した第２の
バイアス回路によりＢＢＭ型スイッチの可動片が何れの
接点とも接触しないとき両トランジスタをオン状態とす
ることにより、切替スイッチの接点移動時にミューテン
グ制御することにより、ミューテング回路のトランジス
タ数を減少させることができる。As explained above, according to the present invention, the first bias circuit connected to the MBB type switch turns on the transistor connected to the contact point that contacts the movable piece of the QMBB type switch, and the transistor is connected to the BBM type switch. The second bias circuit turns on both transistors when the movable piece of the BBM type switch does not contact any contact, thereby controlling muting when the contact of the changeover switch moves, thereby reducing the number of transistors in the muting circuit. be able to.
またこのためミューテング回路の樹皮が特に複雑となる
こともない。Furthermore, the structure of the muting circuit does not become particularly complicated.
尚ＢＢＭ型スイッチには接点数が２接点の場合を例に説
明したが、接点数が３接点以上の場合も同様に樹皮する
ことができる。Although the BBM type switch has been described using an example in which the number of contacts is two, the same method can be applied to a case where the number of contacts is three or more.
第１図はＡＭ−ＦＭ受信機のＡＭ−ＦＭ切替時のミュー
テング回路図。
第２図はＡＭ−ＦＭ受信機の中間周波増巾段の帯域巾の
切替時のミューテング回路図。
第３図は本考案の一実施例の回路図。１・・・・・・Ｆ
Ｍアンテナ、２・・・・・・ＦＭ高周波渡場段、３，４
・・・・・・ＦＭ中間周波渡場段、５・・・・・・ＦＭ
復調回路、６・・・・・・低周波増巾段、７・・・・・
・スピーカ、８・・・・・−ＡＭアンテナ、９・・・・
・・ＡＭ高周波渡場段、１０・・・・・・周中間周渡場
巾段、１１・・・・・・ＡＭ復調回路、１２． １３．
１４・・・・・・切替スイッチ、Ｑｌｌ？ Ｑ１２ｔ
Ｑ１３？ Ｑ２ｘｔ Ｑ２２９ Ｑ３１？ Ｑ３２？
Ｑ３３°００００トランジスタ蔦Ｄ２１９Ｄ２２９Ｄ
３１９Ｄ３２９Ｄ３３９Ｄ３４°°゛・・・ダイオード
、Ｉ、１１．′Ｌ２□９ ’３１・・・・・・リレー。FIG. 1 is a muting circuit diagram of an AM-FM receiver when switching between AM and FM. FIG. 2 is a muting circuit diagram when switching the bandwidth of the intermediate frequency amplification stage of the AM-FM receiver. FIG. 3 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention. 1...F
M antenna, 2...FM high frequency transfer stage, 3, 4
...FM intermediate frequency Wataba stage, 5...FM
Demodulation circuit, 6...Low frequency amplification stage, 7...
・Speaker, 8...-AM antenna, 9...
. . . AM high frequency crossing field stage, 10 . 13.
14...... Selector switch, Qll? Q12t
Q13? Q2xt Q229 Q31? Q32?
Q33°0000 Transistor Tsuta D219D229D
319D329D339D34°°...Diode, I, 11. 'L2□9 '31...Relay.
Claims (1)
ら１の高周波増幅回路を選択するメイク・ビフォア・ブ
レーク型の第１の切替スイッチと複数の中間周波増幅回
路中から１の中間周波増幅回路を選択するブレーク・ビ
フォア・メイク型の第２の切替スイッチと、前記第１の
切替スイッチの各接点に接続した第１の抵抗の各々ｌの
抵抗により形成される第１のバイアス回路と、前記第２
の切替スイッチの接点に接続した第２の抵抗を含んで形
成される第２のバイアス回路と、前記第１および第２の
抵抗がそれぞれベースに接続されたトランジスタを２個
直列に接続したスイッチング回路と、前記トランジスタ
が共にオン状態のときに作動するリレー駆動回路とを備
え、前記第１および第２のバイアス回路を前記第１の切
替スイッチの可動片が接触する接点につながる前記トラ
ンジスタを前記第２の切替スイッチの可動片の位置に無
関係にオン状態に、かつ前記第２の切替スイッチの可動
片が何れの接点とも非接触の状態時にのみ前記２個のト
ランジスタが共にオン状態となるよう構成し、前記第１
のおよび第２の切替スイッチの切替時に前記第１の切替
スイッチを経た信号をミューテング制御するようにした
ことを特徴とするミューテング回路。Inside the AM-FM receiver, a make-before-break type first changeover switch selects one high-frequency amplification circuit from two high-frequency amplification circuits, and selects one intermediate-frequency amplification circuit from among a plurality of intermediate-frequency amplification circuits. a break-before-make type second changeover switch, a first bias circuit formed by a resistor of l each of first resistors connected to each contact of the first changeover switch;
a second bias circuit formed including a second resistor connected to a contact point of a changeover switch; and a switching circuit comprising two transistors connected in series, each of which has a base connected to the first and second resistors. and a relay drive circuit that operates when both of the transistors are in an on state, the transistor connecting the first and second bias circuits to a contact that is contacted by the movable piece of the first changeover switch. The two transistors are configured to be on regardless of the position of the movable piece of the second changeover switch, and both of the two transistors are turned on only when the movable piece of the second changeover switch is in a non-contact state with any contact. and the first
1. A muting circuit characterized in that a signal passing through the first changeover switch is subjected to muting control when the first changeover switch and the second changeover switch are changed over.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1977073747U JPS6040023Y2 (en) | 1977-06-07 | 1977-06-07 | Muting circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1977073747U JPS6040023Y2 (en) | 1977-06-07 | 1977-06-07 | Muting circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS542347U JPS542347U (en) | 1979-01-09 |
| JPS6040023Y2 true JPS6040023Y2 (en) | 1985-12-02 |
Family
ID=28986637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1977073747U Expired JPS6040023Y2 (en) | 1977-06-07 | 1977-06-07 | Muting circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6040023Y2 (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4924517A (en) * | 1972-06-29 | 1974-03-05 | ||
| JPS527507B2 (en) * | 1972-06-30 | 1977-03-02 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS537604Y2 (en) * | 1972-03-29 | 1978-02-27 | ||
| JPS5853778Y2 (en) * | 1975-07-04 | 1983-12-07 | パイオニア株式会社 | Muting warmer |
-
1977
- 1977-06-07 JP JP1977073747U patent/JPS6040023Y2/en not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4924517A (en) * | 1972-06-29 | 1974-03-05 | ||
| JPS527507B2 (en) * | 1972-06-30 | 1977-03-02 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS542347U (en) | 1979-01-09 |
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