JPS6033382B2 - アルキルベンゼンの薄膜式スルホン化法 - Google Patents

アルキルベンゼンの薄膜式スルホン化法

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JPS6033382B2
JPS6033382B2 JP54086252A JP8625279A JPS6033382B2 JP S6033382 B2 JPS6033382 B2 JP S6033382B2 JP 54086252 A JP54086252 A JP 54086252A JP 8625279 A JP8625279 A JP 8625279A JP S6033382 B2 JPS6033382 B2 JP S6033382B2
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JP
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alkylbenzene
thin film
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sulfonation
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房男 近藤
俊美 寺尾
勝正 長野
恭三 北野
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Lion Corp
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Lion Corp
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C303/00Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides
    • C07C303/02Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides of sulfonic acids or halides thereof
    • C07C303/04Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides of sulfonic acids or halides thereof by substitution of hydrogen atoms by sulfo or halosulfonyl groups
    • C07C303/06Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides of sulfonic acids or halides thereof by substitution of hydrogen atoms by sulfo or halosulfonyl groups by reaction with sulfuric acid or sulfur trioxide

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はアルキルベンゼンを薄膜状でスルホン化する方
法の改良に関する。
アルキルベンゼンのスルホン化方法の一つとして、原料
ァルキルベンゼンを反応壁面に沿って薄膜状で流下ごせ
ながら、この薄膜に稀釈S03ガスを接触させる方法が
知られている。
この薄膜式スルホン化法は、アルキルベンゼンを連続的
にスルホン化できる利点があるものの、原料アルキルベ
ンゼンが流下する反応壁面に、粘着性ある析出物が一部
炭化して付着する点で問題なしとはしない。反応壁面へ
の付着物の発生は、薄膜の流れを乱して副反応を助長し
、結果的にスルホン化物の性状を著しく阻害するからで
ある。従って、ァルキルベンゼンの工業的な薄膜式スル
ホン化法にあつては、一定期間毎に操業を停止して反応
壁面を洗浄しなければならない不利を余儀なくされてい
る。ところで、上言己した反応壁面への付着物の発生は
、原料アルキルベンゼン中に僅かながら含まれる不純物
に原因するものと考えられる。
すなわち、スルホン化に供せられるアルキルベンゼンは
、無水塩化アルミニウムなどのフリーデル・クラフト触
媒の存在下に、ベンゼンとハロゲン化アルキルと反応さ
せるか、あるいは硫酸又は弗化水素を触媒として、ベン
ゼンをオレフィンでアルキル化する方法により一般に合
成されるが、こうして得られるアルキルベンゼンには、
精解などの精製処理が施されているとは言え、触媒残樺
、未反応物その他の不純物の混入を完全には回避するこ
とができない。それ故に、反応壁面への付着物の発生は
、原料ァルキルベンゼン中に不可避的に含まれる僅少量
の不純物に起因すると推定されるのである。アルキルベ
ンゼンの薄膜式スルホン化法に於ける上記の問題点の解
決を目差して、米国特許第2806875号は、硫酸抽
出−アルカリ洗浄−精留という一連の工程からなるアル
キルベンゼンの精製技術を提案している。
しかしながら、この精製手段を採用したとしても、本発
明者らの経験では、反応壁面への付着物の発生を充分に
防止することができない。そこで本発明者らはアルキル
ベンゼンの薄膜式スルホン化法に於ける反応壁面の付着
物と、原料ァルキルベンゼン中の不純物との関係を改め
て精査した結果、反応壁面上の付着物は、不純物として
含まれるオレフィンのポリスルホン化物であることを解
明した。
すなわち、スルホン化に供せられる原料アルキルベンゼ
ンは、既述した通りオレフィン又はハロゲン化アルキル
とベンゼンとから一般に合成されるが、こうして得られ
るアルキルベンゼンには、不純物としてオレフィンが、
少ない場合でも100肌程度、多い場合には200Q剛
程度混入して来るのを避けることができない。
それ故、この種のアルキルベンゼンを原料として薄膜式
スルホン化に供した場合には、S03の対オレフィンモ
ル比が対アルキルベンゼンモル比に比較して著しく高く
なる。これに加えてS03のオレフィンに対する反応性
は、アルキルベンゼンに対する反応性よりも高いので、
不純物オレフィンは必然的にアルキルベンゼンに優先し
て逐次スルホン化されることになるため、反応の初期の
段階で、モノスルホン化物を経て粘着性あるポリスルホ
ン化物が生成されるのであって、これが反応壁面に付着
することを究明した。従って、アルキルベンゼンの薄膜
式スルホン化法にあっては、原料アルキルベンゼン中の
不純物オレフィンを完全に除去しておけば、反応壁面へ
の付着物の発生を予防できる訳けであるが、跡オーグー
のオレフィンを分離除去することは実際上決して得策で
ないことを考慮して、オレフィンとS03との反応の抑
制手段について研究を重ねた結果、本発明者らは原料ア
ルキルベンゼン中に予めアルキルベンゼンスルホン酸及
び/又はベンゼンスルホン酸を混入しておけば、たとえ
原料アルキルベンゼン中に僅少量の不純物オレフィンが
含まれていても、反応壁面への付着物発生が実質的に防
止できるとの知見を得た。
而して本発明に係るアルキルベンゼンの薄膜式スルホン
化法は、不純物としてオレフィンが含まれる原料アルキ
ルベンゼンを薄膜状に流下させながら、これに稀萩S0
3ガスを接触させるに当り、その接触に先立って予め原
料アルキルベンゼン中に、炭素数1〜20のアルキル基
を有するアルキルベンゼンスルホン酸及び/又はベンゼ
ンスルホン酸を、原料アルキルベンゼン10の重量部当
り2〜2の重量部添加しておくことを特徴とする。
本発明の薄膜式スルホン化法に於て、原料アルキルベン
ゼンには、従来公知の方法で製造されるアルキルベンゼ
ンが使用可能であって、例えばベンゼンとハロゲン化ア
ルキルとのフリーデル・クラフト反応によって合成され
るアルキルベンゼン、あるいはまた弗化水素触媒などを
用いたベンゼンとオレフィンとの反応によって合成され
るアルキルベンゼンなどが何れも使用可能である。これ
らの合成アルキルベンゼンは常法通り糟蟹などの手段で
精製されてから本発明の原料アルキルベンゼンとして使
用される。念のため付言すると、精蟹などの通常の精製
手段では、反応壁面付着物の原因となる不純物オレフィ
ンをアルキルベンゼンから完全には除去することができ
ない。原料アルキルベンゼンのアルキル鎖長も任意に選
択することができ、例えば、界面活性剤として使用する
アルキルベンゼンスルホン酸の製造を目論む場合は、炭
素数10〜14のアルキル基を持ったアルキルベンゼン
が原料として使用される。スルホン化条件について言え
ば、本発明は原料アルキルベンゼンに予め所定量のアル
キルベンゼンスルホン酸及び/又はベンゼンスルホン酸
を添加しておく点を除いて、従来の薄膜式スルホン化法
に於けるスルホン化条件を採用することができる。
ちなみに、反応装置には薄膜式連続スルホン化装置の使
用を可とし、反応条件としては、S03対アルキルベン
ゼンのモル比1.0〜1.ふ反応温度40〜80ooな
どを採用するのが通例である。以下に実施例を示して本
発明の効果を具体的に説明する。実施例 1 塩素化アルキルとベンゼンとのフリーデル・クラフト反
応によって製造された分子量243のアルキルベンゼン
(オレフィン含有量25の岬)に、炭素数10〜13の
アルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸を添加
し、反応管長2肌の二重管型型薄膜式スルホン化装置を
使用して下記の条件でスルホン化反応を行なった。
アルキルベンゼン供給量:300kg/仇・hrS03
モル比:1.05空気量:4.州で′min 冷却水温:2000 反応時間:10hr 表−1に上記の実験に於けるアルキルベンゼンスルホン
酸の添加量と、反応壁面付着物の量及びスルホン化生成
物の性状との関係を示す。
また、アルキルベンゼンスルホン酸の添加を省略した場
合の実験結果を比較例として併記した。表−1 注)(1)原料ァルキルベンゼン100重量当りの添加
量(2)反応終了後、付着物を掻き取り秤量(3)石油
エーテル抽出分(対A.M) (4)5%水溶艇を10物セルに収めて4 20の〃
の吸光度で測定実施例 2ベンゼンをオレフインでアル
キル化することによって製造された分子量243のアル
キルベンゼン(オレフィン含有量30の肌)に、パラト
ルェンスルホン酸を添加した以外は実施例1と全く同様
なスルホン化反応を行なって、表−2に示す結果を得た
表‐2 実施例 3 塩素化パラフィンを脱塩化水素して得られるオレフイン
でベンゼンとアルキル化することによって製造された分
子量243のアルキルベンゼン(オレフィン含有量12
0奴血)に、炭素数8〜10のアルキル基を有するアル
キルベンゼンスルホン酸を添加した以外は実施例1と全
く同様なスルホン化反応を行なって、表−3に示す結果
を得た。
表−3 表−1〜表−3に示す結果から明らかな通り、本発明に
よれば、反応壁面への付着物の発生を実質的に防止する
ことができ、しかもスルホン化生成物の性状を従来法よ
りも改善することができた。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 不純物として少量のオレフインが含まれている原料
    アルキルベンゼンを薄膜状に流下させながら、これに稀
    釈SO_3ガスを接触させるアルキルベンゼンの薄膜式
    スルホン化法に於て、稀釈SO_3ガスとの接触に先立
    つて、予め原料アルキルベンゼン中に、炭素数1〜20
    のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸及び
    /又はベンゼンスルホン酸を、原料アルキルベンゼン1
    00重量部当り2〜20重量部添加しておくことを特徴
    とするアルキルベンゼンの薄膜式スルホン化法。
JP54086252A 1979-07-06 1979-07-06 アルキルベンゼンの薄膜式スルホン化法 Expired JPS6033382B2 (ja)

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NL8003807A NL8003807A (nl) 1979-07-06 1980-07-01 Werkwijze voor het in een dunne laag sulfoneren van alkylbenzenen.
US06/306,504 US4390475A (en) 1979-07-06 1981-09-28 Thin film type sulfonation process of alkylbenzene

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GB2055807A (en) 1981-03-11
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