JPS6030319B2 - １，３−ビス（テトラハイドロ−２−フラニル）ウラシル若しくはその誘導体の製造法 - Google Patents
１，３−ビス（テトラハイドロ−２−フラニル）ウラシル若しくはその誘導体の製造法Info
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- JPS6030319B2 JPS6030319B2 JP11393976A JP11393976A JPS6030319B2 JP S6030319 B2 JPS6030319 B2 JP S6030319B2 JP 11393976 A JP11393976 A JP 11393976A JP 11393976 A JP11393976 A JP 11393976A JP S6030319 B2 JPS6030319 B2 JP S6030319B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は１・３ービス（テトラハイドロー２−フラニル
）ウラシル若しくはその譲導体の製造法に関する。
）ウラシル若しくはその譲導体の製造法に関する。
本発明の目的化合物は一般式
（式中Ｒは水素、アルキル、ハロゲン又はハロゲノアル
キルを示す）で表わされる。
キルを示す）で表わされる。
上記化合物のうちＲが弗素である化合物は例えば特公昭
５１−２３５１２号‘こも記載されている通り公知化合
物であるが、それ以外の化合物は新規化合物である。本
発明者は上記化合物が低毒性であり、抗腫場活性が強く
しかも一般には抗腫傷剤にはありがちな免疫抑制作用が
弱いことを知り、該化合物の工業的に有利な製造法につ
いて種々検討し遂に本発明に到達した。即ち本発明は一
般式 （式中Ｒは水素、アルキル、ハロゲン又はハロゲノアル
キルを示す）で表わされる２・４ービス（トリメチルシ
リル）ゥラシル若しくはその誘導体と２・３−ジヒドロ
フランとを３級アミンの塩類の存在下で反応させること
を特徴とする一般式（式中Ｒは上記に同じ）で表わされ
る１・３ービス（テトラハイドロー２ーフラニル）ウラ
シル若しくはその誘導体の製造法に係る。
５１−２３５１２号‘こも記載されている通り公知化合
物であるが、それ以外の化合物は新規化合物である。本
発明者は上記化合物が低毒性であり、抗腫場活性が強く
しかも一般には抗腫傷剤にはありがちな免疫抑制作用が
弱いことを知り、該化合物の工業的に有利な製造法につ
いて種々検討し遂に本発明に到達した。即ち本発明は一
般式 （式中Ｒは水素、アルキル、ハロゲン又はハロゲノアル
キルを示す）で表わされる２・４ービス（トリメチルシ
リル）ゥラシル若しくはその誘導体と２・３−ジヒドロ
フランとを３級アミンの塩類の存在下で反応させること
を特徴とする一般式（式中Ｒは上記に同じ）で表わされ
る１・３ービス（テトラハイドロー２ーフラニル）ウラ
シル若しくはその誘導体の製造法に係る。
本発明の原料である２・４−ビス（トリメチルシリル）
ウラシル若しくはその誘導体は公知の化合物であり、例
えばウラシル又はウラシル議導体にへキサメチルジシラ
ザンを反応させるか、或いはゥラシル又はゥラシル誘導
体とトリメチルシリルクロラィドとを脱塩化水素剤とし
てトリェチルアミン、ピリジン、キノリン、Ｎーメチル
ピベリジン等の脂肪族、芳香族又は環状３級アミンを用
いて反応させることにより製造される。
ウラシル若しくはその誘導体は公知の化合物であり、例
えばウラシル又はウラシル議導体にへキサメチルジシラ
ザンを反応させるか、或いはゥラシル又はゥラシル誘導
体とトリメチルシリルクロラィドとを脱塩化水素剤とし
てトリェチルアミン、ピリジン、キノリン、Ｎーメチル
ピベリジン等の脂肪族、芳香族又は環状３級アミンを用
いて反応させることにより製造される。
へキサメチルジシラザンを使用する場合は反応終了後、
反応液中のへキサメチルジシラザンを留去し残澄を分留
して２・４−ビス（トリメチルシリル）ウラシル若しく
はその誘導体を精製しても良いが、上記残湾をそのまま
原料として使用することも可能である。又トリメチルシ
リルクロライドを使用する場合は３級アミンの存在下で
反応を行なうため、反応液中に３級アミンの塩酸塩が生
成する。そのためこの反応液中に更に２・３−ジヒドロ
フランを添加することにより、２・４ービス（トリメチ
ルシリル）ウラシル若しくはその誘導体と２・３ージヒ
ドロフランとを３級アミンの塩類の存在下で反応を行な
うことになる。従ってトリメチルシリルクロラィドを使
用する反応系では一反応系で行なうことが可能であり操
作も簡単である。又もう一方の原料である２・３ージヒ
ドロフランは周知の化合物であり容易に入手可能な化合
物である。
反応液中のへキサメチルジシラザンを留去し残澄を分留
して２・４−ビス（トリメチルシリル）ウラシル若しく
はその誘導体を精製しても良いが、上記残湾をそのまま
原料として使用することも可能である。又トリメチルシ
リルクロライドを使用する場合は３級アミンの存在下で
反応を行なうため、反応液中に３級アミンの塩酸塩が生
成する。そのためこの反応液中に更に２・３−ジヒドロ
フランを添加することにより、２・４ービス（トリメチ
ルシリル）ウラシル若しくはその誘導体と２・３ージヒ
ドロフランとを３級アミンの塩類の存在下で反応を行な
うことになる。従ってトリメチルシリルクロラィドを使
用する反応系では一反応系で行なうことが可能であり操
作も簡単である。又もう一方の原料である２・３ージヒ
ドロフランは周知の化合物であり容易に入手可能な化合
物である。
本発明で使用できる３級アミンの塩類としては形成した
３級アミンの塩類が本発明の反応系で原料を分解したり
、副反応をおこさない塩類であればよく、たとえばトリ
エチルアミン、トリブチルアミン、Ｎ・Ｎ−ジエチルア
ニリン、メチルジフエニルアミン、ピリジン、キノリン
、Ｎーメチルピベリジン等の脂肪族、芳香族又は環状ア
ミン等の塩類が使用できる。
３級アミンの塩類が本発明の反応系で原料を分解したり
、副反応をおこさない塩類であればよく、たとえばトリ
エチルアミン、トリブチルアミン、Ｎ・Ｎ−ジエチルア
ニリン、メチルジフエニルアミン、ピリジン、キノリン
、Ｎーメチルピベリジン等の脂肪族、芳香族又は環状ア
ミン等の塩類が使用できる。
また塩を形成する酸としては塩酸、硫酸等の鉱酸、酢酸
、プロピオン酸、トシル酸等の有機酸等があり、各３級
アミンと酸とをくみあわせた各種３級アミンの塩類が使
用可能である。使用できる溶媒は多様であるがメチレン
クロライド、エチレンクロライド、アセトニトリル、ジ
オキサン、ニトロメタン、ベンゼン、トルエン、ピリジ
ン、ジメチルホルムアミド等が例示できる。
、プロピオン酸、トシル酸等の有機酸等があり、各３級
アミンと酸とをくみあわせた各種３級アミンの塩類が使
用可能である。使用できる溶媒は多様であるがメチレン
クロライド、エチレンクロライド、アセトニトリル、ジ
オキサン、ニトロメタン、ベンゼン、トルエン、ピリジ
ン、ジメチルホルムアミド等が例示できる。
本反応において各原料の使用割合は広範囲に亘ることが
できるが通常２・４ービス（トリメチルシリル）ウラシ
ル若しくはその誘導体の１モルに対して、２・３ージヒ
ドロフラン及び３級アミンの塩類をそれぞれ約２〜４モ
ル使用するのが好ましい。
できるが通常２・４ービス（トリメチルシリル）ウラシ
ル若しくはその誘導体の１モルに対して、２・３ージヒ
ドロフラン及び３級アミンの塩類をそれぞれ約２〜４モ
ル使用するのが好ましい。
反応温度は広い範囲において適宜に決定できるが、通常
は約０〜１００午０が好ましい。反応の進行は薄層クロ
マトグラフィーで追跡することができる。本発明化合物
は通常公知の方法により精製が可能で例えば反応終了後
反応液を留去し残笹に水を加えてクロロホルム、メチレ
ンクロラィド等で抽出し、抽出液を留去、残澄を再結晶
、カラムクロマトグラフィー等で精製することができる
。以下本発明の実施例を挙げる。
は約０〜１００午０が好ましい。反応の進行は薄層クロ
マトグラフィーで追跡することができる。本発明化合物
は通常公知の方法により精製が可能で例えば反応終了後
反応液を留去し残笹に水を加えてクロロホルム、メチレ
ンクロラィド等で抽出し、抽出液を留去、残澄を再結晶
、カラムクロマトグラフィー等で精製することができる
。以下本発明の実施例を挙げる。
実施例 １
２・３−ジヒドロフラン１０．５夕、ピリジン塩酸塩１
７．３夕をアセトニトリル１３０叫中に加えて３０分間
室温で健梓後２・４−ビス（トリメチルシリル）−５ー
フルオロウラシル１３．７夕を加えて５時間室温で反応
させる。
７．３夕をアセトニトリル１３０叫中に加えて３０分間
室温で健梓後２・４−ビス（トリメチルシリル）−５ー
フルオロウラシル１３．７夕を加えて５時間室温で反応
させる。
反応終了後、減圧濃縮し残澄に水１００私を加えてクロ
ロホルム８０泌で３回抽出する。クロロホルム層を分取
、水洗後濃縮し、残澄をエタノールより再結晶し、１・
３−ビス（テトラハイドロー２−フラニル）一５ーフル
オロウラシル１２．１夕（８９．６％）を得る。ｍｐｌ
ｌ０〜１１１．５００元素分析（Ｃ，２日，５ＦＮ２０
４） ＨＣＮ 計算値（％） ５．９４ ５３．３３１０．３７測定値
（％） ５．８８ ５３．４９１０．４９実施例 ２ジ
オキサン１００の‘中によく乾燥し紬末にした５ーフル
オロウラシル６．５夕、トリメチルシリルクロラィド１
０．９夕を加えた後、トリェチルアミン１０．１夕を滴
加し、７時間室温で反応後２・３ージヒドロフラン１４
夕を加えて４時間７０〜８０００で反応を行なう。
ロホルム８０泌で３回抽出する。クロロホルム層を分取
、水洗後濃縮し、残澄をエタノールより再結晶し、１・
３−ビス（テトラハイドロー２−フラニル）一５ーフル
オロウラシル１２．１夕（８９．６％）を得る。ｍｐｌ
ｌ０〜１１１．５００元素分析（Ｃ，２日，５ＦＮ２０
４） ＨＣＮ 計算値（％） ５．９４ ５３．３３１０．３７測定値
（％） ５．８８ ５３．４９１０．４９実施例 ２ジ
オキサン１００の‘中によく乾燥し紬末にした５ーフル
オロウラシル６．５夕、トリメチルシリルクロラィド１
０．９夕を加えた後、トリェチルアミン１０．１夕を滴
加し、７時間室温で反応後２・３ージヒドロフラン１４
夕を加えて４時間７０〜８０００で反応を行なう。
反応終了後減圧濃縮し残湾に水１００叫を加えてクロ。
ホルム８０奴で３回抽出する。クロロホルム層を分取、
水洗後減圧濃縮し残澄をエタノールより再結晶する。１
・３ービス（テトラハイドロー２ーフラニル）一５ーフ
ルオロウラシル１０．２夕（７５．６％）を得る。
ホルム８０奴で３回抽出する。クロロホルム層を分取、
水洗後減圧濃縮し残澄をエタノールより再結晶する。１
・３ービス（テトラハイドロー２ーフラニル）一５ーフ
ルオロウラシル１０．２夕（７５．６％）を得る。
ｍｐｌｌ０〜１１１００
実施例 ３
２・３ージヒドロフラン１４夕、ピリジン塩酸塩２３夕
をアセトニトリル１５０叫中に加えて３び分間室温で擬
伴後、２・４−ビス（トリメチルシリル）ウラシル１２
．８夕を加えて４時間室温で反応を行なう。
をアセトニトリル１５０叫中に加えて３び分間室温で擬
伴後、２・４−ビス（トリメチルシリル）ウラシル１２
．８夕を加えて４時間室温で反応を行なう。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒは水素、アルキル、ハロゲン又はハロゲノアル
キルを示す）で表わされる２・４−ビス（トリメチルシ
リル）ウラシル若しくはその誘導体と２・３−ジヒドロ
フランとを３級アミンの塩類の存在下で反応させること
を特徴とする一般式▲数式、化学式、表等があります▼
（式中Ｒは上記に同じ）で表わされる１・３−ビス（テ
トラハイドロ−２−フラニル）ウラシル若しくはその誘
導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11393976A JPS6030319B2 (ja) | 1976-09-21 | 1976-09-21 | １，３−ビス（テトラハイドロ−２−フラニル）ウラシル若しくはその誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11393976A JPS6030319B2 (ja) | 1976-09-21 | 1976-09-21 | １，３−ビス（テトラハイドロ−２−フラニル）ウラシル若しくはその誘導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5340781A JPS5340781A (en) | 1978-04-13 |
| JPS6030319B2 true JPS6030319B2 (ja) | 1985-07-16 |
Family
ID=14624978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11393976A Expired JPS6030319B2 (ja) | 1976-09-21 | 1976-09-21 | １，３−ビス（テトラハイドロ−２−フラニル）ウラシル若しくはその誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6030319B2 (ja) |
-
1976
- 1976-09-21 JP JP11393976A patent/JPS6030319B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5340781A (en) | 1978-04-13 |
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