JPS60260420A - チタン−アルミニウム−りん−けい素−酸化物モレキユラ−シ−ブ - Google Patents

チタン−アルミニウム−りん−けい素−酸化物モレキユラ−シ−ブ

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JPS60260420A
JPS60260420A JP60076912A JP7691285A JPS60260420A JP S60260420 A JPS60260420 A JP S60260420A JP 60076912 A JP60076912 A JP 60076912A JP 7691285 A JP7691285 A JP 7691285A JP S60260420 A JPS60260420 A JP S60260420A
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aluminum
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ブレント・メイ・タク・ロク
ボニタ・クリストフアーセン・マーカス
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、新規なりラスの結晶性微孔質モレキュラーシ
ープ、それらの製造法並びにそれらの吸着剤及び触媒と
しての使用に関する。本発明紘、骨格四面体酸化物の形
でチタン、アルミニウム、)ん及びけい素を含有する新
規なチタンーアルミニウムーシん−けい素−酸化物モレ
キュラーシーブに関する。これらの組成物紘、骨格四面
体酸化物を形成できるチタン、アルミニウム、シん及び
けい素の反応性化合物と、そして好ましくは結晶化機構
の過程及び結晶性生成物の構造を決定する機能を一部果
している少なくとも1種の有機テンプレート剤とを含有
するゲルから水熱的に製遼することができる。 結晶性アルミ、ノシリケートゼオライト型のモレキュラ
ーシープは当業界で周知であって、現在は天然産及び合
成の組成物の両者で150種類にもなる。一般に、結晶
性ゼオライトは、隔部を共有するAlOx及びS l 
o= 四面体から形成され、しかも均一寸法の細孔開口
を有し、大きなイオン交換容量を有し、そして永久結晶
構造を形成する原、子を何ら置換することなく結晶の内
部空隙全体にわた多分散された吸着相を可逆的に脱着で
きることによって特徴づけられる。 また、ゼオライト系でない、即ち、必須骨格成分として
A 1 (h四面体を含有しないが、ゼオライト系ル その他の結晶性微孔質組成物も知られている。イオン交
換特性を持つといわれ、均一細孔を持ち、約6λ以下の
分子直径を有する分子を可逆的に吸着できる金属オルガ
ノシリケートがDwyey氏他に対民地1976年3月
2日に発行された米国特許第!1,941,871号に
記載されている。また、モレキュラーシーブ特性と、陽
イオンも陽イオン個所も含有しない中性骨格とを有する
純粋なシリカ多形体であるシリガライトがR,W、 Q
roge氏他に対民地1977年12月6日に発行され
た米国特許第4,061,724号に開示されている。 最近報告されたクラスの微孔質組成物及びシリカを使用
しないで合成された最初の骨格酸化物モレキュラーシー
ブは、Wilaon 民地に対して1982年1月12
日に発行された米国特許第4,51 Q、440号に開
示された結晶性アルミノホスフェート組成物である。こ
れらの物質は、AlO2及びPO2四面体から形成され
、そしてシリカ多形体の場合のように1価的に中性の骨
格を有する。このアルミノホスフエートモレキュラーシ
ーブハ、構造外の陽イオンの不存在のために疎水性であ
るシリカモレキュラーシーブのシリカライトとは異なっ
て、アルミニウムとシんとの間の電気陰性度の差に明ら
かに帰因して適度に親水性である。それらの結晶内細孔
容積及び細孔直径は、ゼオライト及びシリカモレキュラ
ーシーブについて知られているものに匹敵する。 1982年7月26日付けの共に係属中の米国特許出願
第400,458号には、ともに微孔質及び結晶性であ
る新しいクラスのけい素置換アルズノホスフエートが記
載されている。この物質は、POffi+、λJot−
及び8i02四面体単位の三次元結M1骨格を有し、そ
して任意に存在し得るいかなるアルカリ金属又はカルシ
ウムも除いて、次式%式%) (ここでRは結晶内細孔糸に存在する少なくとも1種の
有機テンプレート剤を表わし、mけ(Six人I、 P
工)02の1モルにつき存在するRのモル量を表わし、
0〜α3の値を有し、そして各場合における最大値はテ
ンプレート剤の分子寸法及び関係する特定のシリコアル
ミノホスフェート揮の細孔糸の有効空隙容積に左右され
、χ、y及び2は四面体酸化物として存在するけい素、
アルミニウム及びシんのそれぞれのモル分率を表わす)
の無水基準の合成時実験化学組成を有する。xly及び
2のそれぞれについての最小値は001、好ましくは0
02である。Xについての最大1t−1α98であ夛、
yの最大値は060であシ、2の最大値はα52である
。これらのシリコアルミノホスフェートは、アルミノシ
リケートゼオライト及びアルミ/ホスフェートの特徴で
あるいくつかの物理的及び化学的性質を示す。 また、1983年3月31日付けの共に係属中の米国特
許出願第480.738号には、合成時及び無水形の化
学組成が次の単位実験式 %式%) (ここでRは結晶内細孔糸に存在する少なくとも1種の
有機テンプレート剤を表わし、mは(TlxAl、P工
)02の1モルにつき存在するRのモル量を表わし、0
〜約5,0の値を有し、xl y及びzli四面体酸化
物として存在するチタン、アルミニウム及びシんのそれ
ぞれのモル分率を表わす)によって表わされる新規なり
ラスのチタン含有モレキュラーシープが記載されている
。 さらに、1985年7月15日付けの共に係属中の米国
特許出願第514.354号には、MO2、AlO2及
びP(h四面体単位の三次元微孔質骨格構造を有し且つ
次式 %式%) (ここでRは結晶内細孔系に存在する少なくとも1種の
有機テンプレート剤を表わし、mけ(MxA ly P
z ) Oxの1モルにつき存在する17のモル量を表
わし、0〜03の値を有し、Mはマグネシウム、マンガ
ン、亜鉛及びコバルトよりなる群〃・ら選ばれる少なく
とも1種の金属を表わし、xly及び2は四面体酸化物
として存在する金属M1アルミニウム及びシんのそれぞ
れのモル分率を表わす) によって表わされる無水基準の実験化学組成を有fルf
frクラスの結晶性金属アルミノホスフェートが記載さ
れている。 また、1983年7月15日付けの共に係属中の米国特
許出願第514,555号には、Fed、へ人102 
及びPO2四面体単位の三次元微孔質骨格構造を有し且
つ次式 %式%) (ここでRは結晶内細孔糸に存在する少なくとも1種の
有機テンプレート剤を表わし、mは(F e x A 
l y P□)02 の1モルにつき存在するRのモル
量を表わし、0〜α3の値を有し、x、y及び2は四面
体酸化物として存在する鉄、アルミニウム及びシんのそ
れ杉れのモル分率を表わす)によって表わされる無水基
準の実験化学組成を有する新クラスの結晶性7エロアル
ミノホスフエートが記載されている。 本発明は、TIO,、A l o、−1PO2及びS!
02 の骨格四面体酸化物単位を有する新規なモレキュ
ラーシーブ組成物に関する。 発明の要旨 本発明は、TlTlO21A10 、PO2+及びS 
I 02四面体酸化物単位の三次元微孔質結晶骨格構造
を有する新クラスのモレキュラーシーブに関する。これ
らの新規なチタハア′ミ°つh−pん4−ケい素−酸化
物モレキュラーシープは、イオン交換、吸着及び触媒特
性を示し、したがって吸着剤及び触媒として広範な用途
がある。この新3、クラスの組成物に入るものは、’r
toz、A 102=、Po!+及び5IO2四面体単
位の結晶骨格構造を有し、そして次式%式%) 〔ここでRは結晶内細孔系に存在する少なくとも1種の
有機テンプレート剤を表わし、 −mは(Tt、Ax、pyst、)ox の1モルにつ
き存在するRのモル量を表わし、そして0〜約0.3の
値を有し、 w、x、y及び2は四面体酸化物として存在するチタン
、アルミニウム、ルん及びけい素のそれぞれのモル分率
である〕 によって表わされる無水基準の実験化学組成を有する。 本発明のモレキュラーシーブ組成物は、前述の西成分彰
成物を含めて、これまでに知られたモレキュラーシープ
と異なるものとしてい<?かの点で特徴づけられる。本
発明のモレキュラーシープは、ある種の分子種について
高められた熱安定性並びに三成分及び四成分モレキュラ
ーシーブについてこれまで知られた分子種の存在によっ
て特徴づけられる。 本発明のモレキュラーシープは、’rto2、人101
、PO,+及び8I02 四面体酸化物単位の結晶骨格
を指示するために頭字語「T、l AP、80 Jと一
般に呼称する。実際のクラスに入るものは、構造種の番
号を割夛当てることによって、構造種として識別され、
しりi!−’:+テ「’riAP80−tJ (コこで
1紘整数′Cある)として識別される。この呼称は任意
的なものであって、番号式で特徴でけられ得るその他の
物質に対する構造上の関係を表わすためのものではない
。 3、
【発明の詳細な説明】
本発明は、T i O!、A 102−1poz 及び
8102四面体単位の結晶骨格構造を有する新クラスの
三次元微孔質結晶性モレキュラーシーブに関する。これ
らの新規モレキュラーシーブは、イオン交換、吸着及び
触媒特性を示し、したがって吸着剤及び触媒として広範
な用途がある。 本発明のTIAP80モレキュラーシープ紘、次式%式
%) 〔仁とでRは結晶内細孔系に存在する少なくとも1種の
有機テンプレート剤を表わし、 mは(TIWAI P 8i、 )02 の1モルにつ
き存在するRのモル量を表わし、そして0〜約α3の値
を有し、 W、!、)F及び2は四面体酸化物として存在するチタ
ン2、アルミニウム、シん及びけい素のそれぞれのモル
分率を表わし、そしてそれぞれは少なくともα01の値
を有亨る〕 で表わされる無水基準の実験化学組成を有するTIO2
,410x、PO2及び5I02四面体酸化物単位の三
次元微孔質骨格構造を有する。モル分率w、x。 y及び2は、一般に、第1図の三成分図形の点A1B、
C1D及びEの五角形組成領域内にあるものとして規定
される。第1図の点AXB、C,D及びEは、w、x、
y及び2について下記の値を有する。 A O,600,38 二 0.38 0,600.02 0.01 0,60 α59 ao1 α01 α98 E α60 0.01 0.39 好ましいサブクラスのTIAPSOモレキュラーシーブ
においては、上記の式の値、w、x、y及び−[第2図
の三成分図形の点&S 5% ’及びdによって画定さ
れる四角形組成領域内にあシ、そしてこれらの点@、b
、e及びdはw、x、y及び基について下記の値を表わ
す。 a α55 α43 α02 b (L45 α55 α02 Cα10 α55 α35 d O,55α10 α35 本発明のTIAPSOは、アルミノシリケートが従来使
用されてきたと全く同じ態様で吸着材、触媒、イオン交
換材などとして有用であるが、それらの化学的及び物理
的性質はアルミノシリケートについて観察されている性
質と必らずしも類似しない。 一般に、TIAPSO組成物は、チタン、けい累、アル
ミニウム及びシんの反応性物質源、好ましくは有機テン
プレート剤、即ち構造指令剤、好ましくは周期律表の第
V人族の元素の化合物及び(又ハ)随意としてのアルカ
リ又は他の金属を含有する反応混合物から水熱結晶化さ
せることによって合成される。一般に、反応混合物は、
好ましくはポリテトラフルオルエチレンのような不活性
プラスチック材料でライニングした密封耐圧容器に入れ
られ、そして好ましくは自然発生圧力下に50℃〜25
0°C1好ましくは100°C〜200℃の温度で、T
iAPSO生成物の結晶が得られるまで、通常は数時間
〜数週間にわたって加熱される。典型的な結晶化時間は
約2時間〜約30日間であシ、一般に約2時間〜約20
日がTiAPSO生成物の結晶を得るのに用いられる。 生成物は、遠心分離又はp過のような任意の簡便な方法
によって回収される。 本発明のTIAPSO組成物を合成するにあたっては、
次式 %式%:20 〔ここでRは有機テングレート剤であシ、aは有機テン
プレート剤Rの量であって、0〜約6の値を有し、好ま
しくは0よシ大で約6までの範囲内の有効態であり、b
4;Io〜約500、好ましくは約2〜約500の値を
有し、W、!、)’及び2はチタン、アルミニウム、シ
ん及びけい素のそれぞれのモル分率を表わし、そしてそ
れぞれは少なくともα01の値を有する〕 の酸化物モル比で表わされる反応混合物組成物を使用す
るのが好ましい。 好ましい具体例においては、反応混合物は、モル分率W
、X、Y及び2が第3図の三成分図形の点B、F、GS
H及び工によシ画定される五角形組成範囲内にあるもの
として一般に規定される。 第3図の点E、F、G、H及びIは、Wlxly及び2
について下記の値を有する。 F α60 0.38 0.02 G O,380,600,02 HO,010,/i0 0.39 I α01 α01 0.9B J α60 0.01 α59 今のところ理由はわからないが、反応生成物をXf1解
析によfi TiAPSO生成物について検査すると全
ての反応混合物が結晶性TiAP80生成物を与えない
。結晶性のTIAPSO生成物が得られた反応混合物は
、以下の実施例において、同定されたTiAPSO生成
物とともに番号を付して記載し、またTIAPSO生成
物がX41il解析を使用して同定されなかった反応混
合物も記載する。前記の反応組成の表示において、反応
体は、w、x、y及び2の合計に関して、(w+x+y
+z )−100であるように規定されるが、実施例で
は反応混合物は酸化物モル比で表わされ、そしてPtO
sのモル社について規定することができる。後者の形式
は、所定の計算法によレチタン、アルミニウム、すん及
びけい棄の合計モル数で各成分(テンプレート剤及び水
も含めて)のモル数を割ることによって後者の゛形式に
換算され、これが前記成分の合計モル数に基づく規定さ
れ九モル分率となる。本発明のモレキュラーシーブが形
成される反応混合物を作るにあたっては、有機テンプレ
ート剤は、従来のゼオライトアルミノシリケートの合成
用にとれまでに提案されたもののいずれであってもよい
。 一般に、これらの化合物は、元素の周期表の第Vλ族の
元素、特に窒素、)ん、ひ素及びアンチモン、好ましく
は窒素又はシん、最も好ましくは窒素を含有し、またこ
れらの化合物は少なくとも1個の炭素原子数1〜8のア
ルキル又はアリール基も含有する。テンプレート剤とし
て使用するのに特に好ましい化合物は、アミン、第四ホ
スホニウーム化合物及び第四アンモニウム化合物であシ
、後者の二つは一般に次式 (ここでXは窒素又はシんであシ、各Rは1〜8個の炭
素原子を含有するアルキル又はアリール基である) によって表わされる。重合体第四アンモニウム塩、例え
ば、((C1aHszN* )(OH)z)x ’ (
ここでXは少なくとも2の値を有する)も有利に使用さ
れる。 モノアミン、ジアミン及びトリアミンも、単独で或いは
第四アンモニウム化合物又はその他のテンプレート化合
物と組合せて有利に用いられる。2種以1のテンプレー
ト剤の混合物は所望の’f’1AP80の混合物を生成
することができ或いは強指令性のテンプレート剤は主と
して反応ゲルのpH条件を設定するように働くその他の
テンプレート剤とともに反応過程を制御することができ
る。。 代表的なテンプレート剤には、テトラメチルアンモニウ
ム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモ
ニウム又はテトラプチルナンモニウムイオン;テトラペ
ンチルアンモニウムイオン、ジ−n−プロピルアミン、
トリプロピルアミン、トリエチルアミン、トリエタノー
ルアミノ、ピペリジン、シクロヘキシルアミン、2−メ
チルビリジン、N、N−ジメeルベンジルアミン、N、
N−ジメチルエタノールアミン、プリン、N、N−ジメ
チルピペラジン、1.4−ジアザビシクロ(2゜2.2
)オクタン、N−メチルジェタノールアミン、N−メチ
ルエタノールアミン、N−メチルピペリジン、3−メチ
ルピペリジン、N−メチルシクロヘキシルアミン、3・
・メチルビリジン、4−メチルビリジン、キヌクリジン
、N、N’−ジメチル−14−ジアザビシクロ(12,
2)オクタンイオン、テトラメチルアンモニウムイオン
、テトラブチルアンモニウムイオン、テトラペンチルア
ンモニウムイオン、ジー・n−ブチルアミン、ネオペン
チルアミン、ジ−n−ペンチルアミン、イソプロピルア
ミン、t−ブチルアミン、エチレンジアミン、ピロリジ
ン、2−イミダゾリトンなどが含まれる。 全てのテンプレート剤が全ての種類のTIAP80の形
成を指令するわけではない。即ち、単独のテンプレート
剤も、反応条件を適当に操作すれば、数種のTIAP8
0組成物の形成を指令することができ、また数種の異な
るテンプレート剤を用いて所定のTfAP80組成物を
化5成させることができる。 けい素源社、シリカゾルか又は7:L−ムドシリカとし
てのシリカ、反応性固体無定形沈降シリカ、シリカゲル
、けい素アルコキシド、けい酸又はけい醗アルカリ金属
などであってよく、そしてその場での反応性けい素の生
成が810x四面体酸化物単位を形成するように行われ
るものである。 本発明の方法に対してこれまでに見出された最。 も好ましいシん源はシん酸であるが、シん酸トリエチル
のような有機)ん酸エステルが満足でき、また結晶性界
は無定形のアルミノホスフェート、例えば米国特許第4
31Q、440号(D A I P04組成物であって
よい。臭化テトラブチルホスホニウムのような有機シん
化合物は反応性シん源として明らかに作用しないが、こ
れらの化合物はテンプレート剤として機能することがで
きる。メタシん酸ナトリウムのような慣用の)ん塩はシ
ん源として少なくとも一部使用できるが、好ましいとは
いえない。 好ましいアルミニウム源は、アルミニウムイソプロポキ
シVのようなアルミニウムアルコキシド又はプソイVベ
ーマイトである。好適なシん源である結晶性又は無定形
アルミノホスフェートは、もちろん、好適なアルミニウ
ム源でもある。ゼオライトの合成に用いられるギブサイ
ト、アルミン酸ナトリウム及び三塩化アルミニウムのよ
うな他のアルミニウム源も用いることができるが、好ま
しいきはいえない。 反応性チタン源は、’rto!骨格四面体単位を形成で
きる反応体チタンをその場で形成できる任意の形で反応
系に導入することができる。本発明で使用できるチタン
化合物は、酸化物、水産化物、アルコキシド、チタン#
塩、チタン裳エステル、チタンキレート、硝酸塩、R重
環、へロゲン化物、カルボン酸塩(例えば酢r!!塩)
などが含まれる。 TfAPSO組成物の合成に対して必須ではないが、反
応混合物のかきまぜ若しくは他の適度な攪拌及び(又は
)製造すべきTLAPSO種若しくけ位相学的に類似す
る物質種、例えばアルミノホスフェート、アルミノシリ
ケート又はモレキュラーシーブ組成物の種晶を反応混合
物に播種することによシ結晶化操作が容易となる。 TIAPSO住成物は、結晶化させた後、単離し、有利
に水洗し、風乾させることができる。合成時のTIAP
SOは、一般に、その内部細孔糸にその形成に用いられ
た少なくとも1種の形のテンプレート剤(有機部分とも
いう)を含有する。ごく普通のことであるが、有機含有
反応系から製造される合成時のアルミノシリケートゼオ
ライトについて一般にそうであるように、有機部分は電
荷を均衡させる陽イオンとして少なくとも一部存在する
。 しかしながら、有機部分の幾分が又は全部が特定のTI
APSO種における吸蔵分子種であることができる。原
則として、テンプレート剤、したがって吸蔵有機分子種
は大きすぎてTIAPSO生成物の細孔系全体にわたっ
て自由に動くことはできず、TIAPSOを200℃〜
700”C(7)4度で焼成して有機種を熱分解させる
ことによって除去しなければならない。少ない例である
が、TiAPSO生成物の細孔は、特にテンプレート剤
が小さい分子である場合にはその輸送を可能にするほど
に十分に大きく、シたがってその完全な又は部分的な除
去は。 ゼオライトの場合に行われるような周知の脱着操作によ
って達成することができる。なお、用語「合成時」とは
、本明細書で用いるときは、水熱結晶化方法の結果とし
て結晶内細孔系を占有する有機部分が組成式 %式%) におけるmの値がα02未満の値を有するような合成後
処理によって減少しているTIAPSO相の状態を含ま
ないものと理解されたい。前記の組成式の他の記号は上
述した通シである。アルコキシドがチタン、アルミニウ
ム、シん又はけい素源として用いられる製造法において
は、それに相当するアルコールが反応混合物中に必らず
存在する。なぜならば、それはアルコキシドの加水分解
生成物であるからである。このアルコールが合成過程に
おいてテンプレート剤として関与するかどうかは決定さ
れなかった。したがって、本発明の目的に対しては、こ
のアルコールは、それが合成時ノTIAPSO物質内に
存在するとしても、テンプレート剤のクラスから任意に
省かれる。 本発明のTIAPSO組成物は、それぞれ−2、−1、
+1及びoの正味電荷を有する’rtoz、AIO,、
PO2及び810.四面体単位から形成されるので、陽
イオン交換性の問題は、λ102−四面体と電荷均衡性
陽イオンとの間に理論的関係が理想的に存在するゼオラ
イトモレキュラーシーブの場合におけるよりも相当に複
雑である。本発明の組成物においては、人102−[E
面体はPO,+四面体と又はアルカリ金B4陽イオンの
ような単純陽イオン、反応混合物中に存在するチタン陽
イオン、又はテンプレート剤から導かれる有機イオンと
会合させることによって電気的に均衡させることができ
る。 また、隣接していないA ] oz−及びPot+四面
体対はそれぞれNa+及びOH−によって均衡させる仁
とができることも仮定された( Flanlgen−O
rose着「モレキュラーシーブゼオライト−IJAC
,、ワシントン、D、C,(1971))。 本発明のTiAPO8組成物は、ゼオライトアルミノシ
リケートについて従来使用されたイオン交換技術を用い
て分析すると陽イオン交換能力を示し、またそれぞれの
種の格子構造に同項であル且っ直径が少なくとも約5え
である細孔直径を有する。 TIAP08組成物のイオン交換は、合成の結果として
存在するテンプレート剤からの有機部分が細孔系から除
去された後にのみ通常可能である。合成時のTiAP8
0組成物に存在する水の脱水除−夫は、有機部分を除去
させることなく通常の態様で少なくと本ある程度までは
通常達成することができるが、有機分子種の不存在は吸
着及び脱着操作を大いに容易にさせる。TiAP80物
質はいろいろな程度の水熱安定性及び熱安定性を有し、
あるものはこの点で全く顕著であ少、モレキュラーシー
ズ吸着剤及び炭化水素転化触媒又は触媒担体として十分
に機能する。 TiAPSO組成物を製造する際には、反応混合物の汚
染を避けるため、ポリテトラフルオルエチレンのような
不活性プラスチック材料で通常ライニングしたステンレ
ス鋼製反応容器を使用することが好ましい。一般に、各
TIAP80組成物が結晶化する最終反応混合物は、反
応体が全部でなくてその一部の混合物を作シ、シかる後
その混合物に追加の反応体を単独か又は2種以上の反応
体の他の中間混合物の形で配合することによって製造さ
れる。ある場合には、混合された反応体は中間混合物中
でその同一性を保持し、他の場合には反応体の幾分か又
は全部が新たな反応体を生成するように化学反応せしめ
られる。用語「混合物」と紘、上記の両者の場合に適用
される。さらに、特別の説明がない限りは、それぞれの
中間混合物及び反応混合物は、実質上均質となるまで攪
拌するのが好ましい。 反応生成物のxm図形は、標準X1lA粉末回折技術を
用いるX線解析によって得られる。線源は、50 Kv
及び40mmで操作される高強度、銅ターゲツ)Xm管
である。鋼に−a線及びグラフアイトモツクpメーター
からの回折図形社、Xllil分光計シンチレーション
カウンター、パルスKl、す解析器及び帯記録紙記録計
によって具合よく記録される。平らな圧縮粉末試料が2
秒の時定数を用いて2’(2# )の角度で走査される
。オンゲストルーム単位で表わした全ての面間隔(d)
は、20(ここで0は帯記録紙上で観察されたときのブ
ラッグ角である)として表わされる回折ピークの位置か
ら得られる。強度は、バックグラウンドを減じた後の回
折ビークの高さから決定され、そしてIは最も強い線又
紘ピークの強度であシ、■は他のピークのそれぞれの強
度である。別法として、X 線回折図形ハ、シーメンス
コーポレーション(チェリーヒル、N、 J、 )よシ
入手できるシーメンス型に−805X線源及びシーメン
スD −500X線粉末回折計とともに適当なコンピュ
ーターインターフェースを用いるコンピューター技術を
使用して鉄に一α線から得られる。 当業者によル理解されるように、ノくラメ−ター20の
決定は人と機械の両者の誤差を受けやすく、これらが組
合さって20の各記録値に対して釣上 −α4°の不確
定性を課す可能性がある。もちろん、この不確定性は、
20値から計算されるd−面間隔の記録値に現われる。 この不正確さは当該技術に一般的に存在するが、これは
本発明の結晶性物質を互いに区別し、また従来技術の組
成物と区別することを不能にさせるほど大きくはない。 記載されたX線図形のいくつかについてd−面間隔の相
対強度を記号VIX I、m% !及びVWで示すが、
これら社それぞれ非常に強い、強い、中程度、弱い及び
非常′に弱いを表わす。 ある場合に杜、合成生成物の純度はそのX線粉 ・末回
析図形を参照して評価できる。したがって、例えば、試
料が純粋であると言い得るときは、その試料のX線図形
が結晶性不純物に帰因する線がないことだけをいってい
るにすぎず、無定形物質が存在しないことをいっている
のではない。 本発明のモレキュラーシーブは、そのX線粉末回折図形
によって特徴づけられ、しかして下記の表A〜Fに記載
のXI!図形の一つを有することができる。これらのX
線図形は、別に記してなければ合成時及び焼成形態の両
方についてのものである。 7.5−7.5 12.11−1179 5−va19
7−19.9 4.51−4.46 m20.9−21
0 4.25−4.25 m−522,3−22,51
99−195m−vs25.8−26.1 3.4B5
−1411 m28.9−29.1 1089−106
9 w−m表B(TIAF80−11) 9.4− 96 9.41−9.21 vw−m199
−2a5 4.46−4.35 m210−’218 
4.25−4.08 va22.0−22.1 4.0
4−4.02 m−マ122.4−22.6 五97−
3.93 m−m227 五92 m 23.1−23.4 5.85−5.80 m−vs1
14 775 rn−vm 1a7 4.75 m 219−22.1 4.05 −4.02 m−Vs2
44−26.5 4570−五565 m296−29
8 3.018−3.002 m29.9 2.984
 m 3111 2.971 m 表 n(TIPso−s4) 94− 95 941 −931 vaIZ?−13,
01b86 −481 w−mI&0−142 5.5
4 −547 w−m2α5−2α84.55 −4゜
27 m−va50.5−50.9 2.951−2.
894 m315−31.6 2.840−2.831
 vw−m10.9−111 13.12 −7.97
 rn15.3−13.7 6.66 −6.46 m
173−174 5.1!1 −510 w−m20.
8−211 4.27 −4.21 m219−22.
2 4.06 −4.00 m”1828.5−28.
7’ 5.155−5.110 m2θ d(1) 相
対強度 9、5 9.30 a 16.1 5.49 m 20.8 4.27 v s 22.0 4.05 m 24.5 3.63 m 3α9 2.895 m 次の実施例は、本発明を更に例示するために提供するも
のであって、本発明を限定するものではない。 以下の実施例において、TIAPSO組成物は多数の反
応剤を使用して製造された。ζ!で用いた反応剤及びか
\る反応剤に対して用いた略語は次の如くである。 a) AI、、r0ニアルミニウムイソプロポキシドb
) LUDOX−LS : LUDOX−LS U、5
0jii量% (7) 8iChとα1重量%のNan
o との水溶液に対するデュポン社の商品名である。 c) HsPO4: 85重11%燐酸水溶液d) T
I、、ro:チタンイソプロポキシドe) TEAOH
: 水m化テトラエチルアンモニウムの40重量%水溶
液 f) Pr2NHニジ−n−プロピルアミン、(C5H
t)z NHg) Pr5NH: )ソーn−プロピル
アミン、(C,H7)、Nh) Q+gn ’キヌクリ
ジン、(CyHtsN)1) MQu、、、、:水酸化
1 f # + ヌクリジン、(CyHtmNCHxO
H)j)C−hex: シクロヘキシルアミン製造手順 以下の製造例は、HsPO4及び水を加えることによ)
出発反応混合物を形成することによって実施された。こ
の混合物を混合し、そしてこの混合物にアルミニウムイ
ソプロポキシドを加えた。次いで、この混合物を均質な
混合物が得られるまで混合した。この混合物にLUDO
X−LS を加え、そして得られた混合物を均質な混合
物が得られるまで混合した(#J2分間)。 上記混合物にチタンイソプロポキシドを加え、そして得
られた混合物を均質な混合物が得られるまで混合した。 次いで、この混合物に有機テンプレート剤を加え、そし
て得られた混合物を均質な混合物が得られるまで即ち約
2〜4分間混合した。 有機テンプレート剤がキヌクリジンであるときには、手
順は、キヌクリジンが約半分の水中に溶解され従ってH
3PO4が約半分の水と混合されるように変形された。 (混合物のpHを測定しそして温度に対して調整した。 )。次いで、混合物をライニング(ポリテトララルオル
エチレン)シたステンレス鋼製圧力容器に入れそして所
定の温度(150℃又は200℃、)で所定の時間温浸
させ又は温浸のためにライニングしたスクリュートップ
ボトルに入れた。すべての温浸状、自然圧において実施
された。 各製造例についてのモル組成は、反応混合物中の各成分
の相対モル数によって与えられる。Hs P Os及び
チタンイソプロ゛ボキシFは、それぞれ、反応混合物中
のP20K及びT i o2含量によって与えられる。 すべての温浸は、自然圧において実施された。 生成物は、反応容器から取シ出され、冷却されそして以
下に記載の如くして評価された。 例1〜30 上記の製造手順に従ってTIAP80モレキュラシープ
を製造しそしてとのTIAP80生成物をX@分析によ
って調べた。例1〜30の結果を表■及び田に示す。 例 51 例4.6.15.24及び50の生成物の試料に対して
化学分析を実施した。各生成物についての化学分析値を
以下に示すが、TIAPSOを製造した例はTIAPS
O種の表示の後にカッコ書きで示されている。 TIAPSO16(例4)の化学分析は次の如くであっ
た。 AlzOs 271 hos 51h I TiCh 48 Sift &7 炭素 12.0 窒素 19 LOI” 22.9 *LOI−強熱減量 上記の化学分析値は、酸化物モル比(無水基準)でα0
85TIO! :0.266A1xO,: 0.254
P20. :α1128102の全生成物組成、及び無
水基準で o、14R(T 1(107A10.45 P[L41
 S I(、。、 )o2の式を与える。 (b) TIAPSO−55(例30)の化学分析は、
次の如くであった。 Aho!23.4 Pz Os 28.5 Tl(h 176 8102 4.57 炭素 113 窒素 16 LOI” 2&3 上記の化学分析値は、酸化物モル比(無水基準)でα2
20TI02 :α250A120!: 0.199P
xOs :α07i102の全生成物組成及び無水基準
で α12R(”0.19 ”0.40 ”0.558’0
.06)02の式を与える。 (e) TIAPSO−5(例6)の化学分析は、次の
如くであった。 A l z Os 、 B 4.0 pzo暮 46.9 T i o、 3.0 810、 12 炭素 5.8 窒素 0.74 LOI#114.4 上記の化学分析値は、酸化物モル比(無水基準)でα0
38TIO,:0.334A1.0. :α55011
0s :α0208102の全生成物組成及び無水基準
で a O54R(T i ag 3 A 1(3,46P
o、468 i (L O1) Oxの式を与える。 (d) T崖APSO11(例15)の化学分析は次の
。 如くであった。 成 分 重量% Al5o冨 55.8’ PzOs 490 TiOz 1.08 8i023.3 炭素 5.0 窒素 10 LOI季 10.5 上記の化学分析値は、酸化物モル比(無水基準)テ0.
014T102 : 0451AlzOs+ : 0.
345F205: 0.055S IO2の全生成物組
成及び無水基準で ao 7 R(T ig、o 1Al (1,4B P
o、47 S’ 0.04 )O”−の式を与える。 (e) TiAP80−34 (例24)の化学分析は
次の如くであった。 成 分 重量メ A 1 * Os 52.5 P20. 37.9 T i Ox 0−4 S僅02a2 炭素 5!8 窒素 t6 LOI辛 2α5 上記の化学分析値は、酸化物モル比(無水基準)で0.
01TlOz : (L32AhOm : (L27P
zOs : 0.14810xの全生成物組成及び無水
基準で α103R(T1α。、Alα48Pα4.81α11
)Otの式を与える。 例 32 例4.11.12及び21の生成物からの透明な結晶に
対して、8BM(走査電子顕微鏡)と組み合わせてRD
AX(’Xllによるエネルギー分散分析)マイクロプ
ローブ分析を実施した。TIAP80組成物に固有の形
態を有する結晶を分析すると、相対ピーク高さに基づ、
〈次の分析値が得られた。 Ti a02 Al α97 P O,94 8i Q、25 Ti 、0.38 Al α79 P α84 81 0.33 TI α005 Al 0185 P 100 81 0.08 (d) TIAPSO−11(例12)Tl α12 Al α88 P CL84 Si α07 例 33 例4.13及び6のTIAPSO生成物の試料を以下に
記載の如く空気中で焼成して有機テンプレート剤の少な
くとも一部分を除去した焼成形態で吸着容量について評
価した。各焼成試料の吸着容量は、標準マツクベイン・
ベーカー重量吸着装置を使用して測定された。試料は、
測定に先立って減圧下に350℃で活性化された。上記
の焼成TIAPSO生成物についてのマツクベイン・ベ
ーカーのデータは次の如くであった。 葎)TIAP80−L6(例4) 0、 3.46 102 −183 5.302 五4
6 744 −183 12.8料n−ヘキサン 4.
3 95 23.6 7.0HzO2,654,623
,315,4HxO2,651923,225,4 米 TIAPSO−16は、活性化に先立って空気中に
おいて500℃で15時間焼成されム 未来 試料は完全には平衡化されなかったかもしれない
。 上記のデータは、焼成生成物の細孔寸法が約4.3Xで
あることを示す。 O25,467361831α3 ネオペンタン 5.0 742 2i0 11シクロヘ
キサン 6.0 67 22.9 5.2H202,6
54,622,412,4600°Cで15時間焼成さ
れた。 (c) TiAPSO−5(例6) 0、 146 101 −183 15.002 工4
6 736−183 14.5ネオペンタン <L2 
742 23.0 4.9シクロヘキサン 6.0 6
7 22.9 71H,02,654,622,414
,7H202,651922,523,4 辛 TIAP′SOは、活性化に先立って空気中におl
/Xて600°Cで2.5時間焼成されも 上記データは、焼成生成物の細孔寸法が&2X11も大
きいことを示す。 例 64 (m) TiAPSO−5組成物は、合成したま\の形
態及び焼成形態の両方において、少なくとも以下の表1
に示すd−距離を含有する固有のX線粉末回折図形を有
する。 表 1 2θ ’t(λ) 相対強度 7.5− 7.5 イ2.11 −1179 g−マB
197”’199 4.51 − 4.46 m2(1
9−2104,25−4,23m−a22.5−22.
5 3.99 − 5.95 m−vs+25.8”’
:?6.1 5.455− 3.411 m28.9−
29.1 3.089− 5.069 w−m(b) 
現時点でX線粉末回折データを得たT1人F80−5 
組成物は、以下の表■によつ1特徴づけられるxH粉末
回折図形を有する。 表 ■ y、s−zs 12.11−11.79 94−100
12.9−IKO6,86−48119−2214,9
−15,05,95−5,919−2119,7−19
,94,51−4,4626−5020,9−2104
,25−4,2345−8222,3−22,53,9
9−3,9560−10024,6−24,8162−
′!L59 7−925.8−26.1 &453−5
414’ 25−4028.9−29.1 3.089
−3.069 17−2730.0−40.2 2.9
79−2.959 18−2553.5−55.7 2
.675−2.660 6−954.5−34.7 2
.600−2.585 17−1936.8−371 
2.442−2.423 6375−378 2.39
8−2.380 10−1541.4−415 2.1
81−2476 5−6417−42.0 2.166
−2.151 3−442.5−42.9 2.127
−2.108 5−645.6−45.7 2.076
−2.071 5−444.9−45.0 2.019
−2.014 3−447.4−4″Z6 t91B−
19105−747:8−4Z9 1903−1900
 6−7514−515 1.778−1774 4−
5518−519 1755−1762 3−455.
6 1.655 6 (C) 例6の合成したま\のTIAP80−5 の一
部分に対してX#i[分析を施こした。このTiAP8
0−5生成物は、以下の表■のX線粉末回折図形によっ
て特徴づ秒られた。 表 V 2θ d、(f) 100XI/Is 9.11 ′9.72 3 12.9 686 19 13.6帯 6516 18.2や 5I95 21 14.9 19.7 4.51 50 25.8 五455 40 308? 27 丑 ・ 2.979 25 3五5 2.675 9 54.5 2.600 19 31B 2.442 6 □ 37.5 2.598 13 414 2.181 6 42.0 2.151 4 42.5 2.127 6 4乙6 2.076 4 449 2.019 3 47.6 1910 7 514 1778 4 518 t7s5 4 55.6 1655 6 朱ピークは不純物を含有するか吃しれない。 (d) 例6のTiAP80−5 組成物を空気中にお
いて600℃で2.5時間焼成した。この焼成生成物は
、以下の表■に示すXIIJ粉末回折図形によって特徴
づけられた。 表 ■ 2θ a、(X) 100XI/I@ 7.5 1179 100 12.5帯 m088 15.0 6.81 22 15.0 5.5N ’ 9 19.9 4.46 26 210 4.2K 、’ 45 ’ 22.5 &9560 24.8 工597 241 3.414 25 29.1 5.069 17 3α2 1959 18 3&7 2.660 6 34.7 2.585 17 57:1 2.423 6 B7.8 2.380 10 417 2.166 5゜ 42.9 、2.108 3 4Z4 m918 5 47.9 m900 6 514 1778 5 518 m765 5 辛ピークは不純物を含有するかもしれない。 例 35 (a) TiAP80−11’は、合成したま−の形態
及び焼成形態の両方において、少なくとも以下の表■ 
、 ・に示すd−距離を含有する固有のX線粉末回折図
形を有する。 表■ ・ 2θ d、(X) 相対強度 94−96 9.41−9.21 vw−m19.9−
2α5 4.46−4.33 m2tO−2184,2
5−4,08° vs22.0−22.1 4.04−
4.02 m−va22.4−22.6 5.97−3
.93m−522,73,92m 23.1−25.4 3.85−3.80 m−マB(
b) 現時点でX線粉末回折データを得たTIAP80
−11組成物は、以下の表1のX線粉末回折図形によっ
て特徴づけられる回折図形を有する。 表 ■ 2θ d、 (X) 100XIハ・ 9.4−96 9.41−5!21 Rh−75989
0551 12,8−13,2492−&71 26−271i5
−1&7 6.56 −6.46 9− 1114.7
−15.0 &03 − 5.91 9− 1815.
6−1&1 5.(S8 − 5.51 52−651
6.2−16.3 5.47 − 5.44 7− 1
8190−195 4.67 − 455 20−25
199−2α5 4.46 − 4.55 51−68
21.0−218 4.23 − 4.08 1002
2.0−22.1 4.04 − 4.02 57−1
0022.4−22.6 &97 − 五93 54−
8222.7 &92 73 2五1−23.4 &85 − 五80 65−912
五9−24.4 &72 − !L65 2524.7
 3.60 27 215−26.6 5.565− 5351 17−3
6212−275 5.278− 3.267 16−
2027.6−27.7 3232− 五220 20
−2527.8−279 5.209− 3.200 
20−2128.5−28.6 3152− 1121
 14−2728.7 5.110 11−32 29.0−29.5 &079− 3028 27−3
129.6−297 &018−3.008 23−3
4表 ■(続き) 2θ dp(X) 100XI/I・ 3α5−5α4 2.950−2.940 20−22
314−316 2.849−2.831 14−25
32.5−32.9 2.755−2.722 26−
523五9−34.2 2.644−2.622 11
−2535.5−35.6 2.529−2.522 
17−1915 2.462 18 37.2〜375 2.417−2.598 14−2
338.7−59.4 2.327−2.287 14
−17410 2.20j 11 42.8 2.115 14 4!h6 2.076 9 44.5−44.6 2.0456−4032 9−1
445.0 2.014 14 4a7〜492 1870−1a52 14494 t
845 11 49.6 1838 11 50.6 t804 718 5&4 1.716 If 55.6 t707 9 54.6−54.7 1681〜1678 9−145
54〜55.8 1658−1647 1l−14(e
) 合成したま−のTiAPSO−11の一部分に対し
てX@分析を行なつ九。とのTiAPSO−11生成物
は、表■のX線粉末回折図形によって特徴づけられた。 表 ■ 2θ a、(X) 100XI/I。 55.4 t 6 b 8 (d) 例13のTi人P80−11組成物を空気中に
おいて、500℃で2時間焼成した。この焼成生成物は
、以下の表Xに示すxm粉末回折図形によって特徴づけ
られた。 表 X 2θ d、(X) 100XI/I。 例 36 (a) T 1AP80−16は、合成したま−の形態
及び焼成形態の両方において、少なくとも以下の表Mに
示すd−距離を含有する固有のX線粉末回折図形を有す
る。 表 ( 114Z75 m−vg。 18.7 4.75 m 219−22.1 4.05−4.92 m−vs26
.4−26.5 五370−5.565 m296−2
98 3.018−4.002 m29.9 2.98
4 m 30.1 2.971 m (b) 現時点でX線粉末回折データを得たTiAPS
O−1611成物は、以下の一表Xll のX@粉末回
折図形によって特徴づけられる回折図形を有する。 表 XI 2θ d、(A) 100XI/I。 54.5 ’L689 5 (e) 例4の合成したま\のTIAP80−1(Sの
一部分に対してXIs分析を施こした。このTIAPS
O−16生成物は、以下の表Nのxi粉末回折図形によ
って特徴づけられた。 表 Xl 2θ d F (X) 100XI/I@18.7 4
.74 59 22、i 4.02 100 22.9 3.89 11 25.3 3.521 15 244 3.576 13 26.6 35461S 2(&9 3.314 15 2541 3.073 13 298 五002 22 299 2.984 24 3α1 2.971 23 54.8 2.581 3 576 2.395 5 37:9 2.571 14 5 a4 2.545 5 595 2.282 4 397 2.270 5 4α1 2.247 7 4α5 2.227 4 4Z81904 5 48.1 1893 B 48.2 1887 8 48.5 1876 8 48.8 1845 6 490 1858 5 49、2 1853 4 (d) 上記(e)のTiAPSO−1<!組成物を空
気中において500℃で15時間焼成した。この焼成生
成物は、以下の表XIV に示すX線粉末回折図形によ
って特徴づけられた。 表 XIV 2θ d、(X) 100XI/I・ 10.5 11L41 5 114 775 100 18.7 4.75 25 2 t 1 4.27 3 219 4.05 56 22.8 5.90 10 25.0 3.561 6 254牽 31.506 14 25.5 3.489 13 2&4 五370 20 28.9 3.088 12 29.7 X0O727 54,62,5945 37,62,3915 5792,3759 5B、2 2.556 5 4B、0 1897 6 48.3 1885 7 辛 ピークは不純物を含有するかもしれない。 例 37 (a) TiAPSO−34は、合成したま\の形態及
び焼成形態の両方において、少なくとも以下の表X■に
示したd−距離を含有する固有のXIs粉末回折図形を
有する。 表 Xv 9.4−9.5 9441−951 マ鼻12.9−1
31) 6.86−6.81 w−m16.0−1&2
 5.54−5.47 w−m2α5−2(L8 43
3 −4.27 m−v腸50.5−3α9 2.93
1−2.894 m315−316 2.840−2.
831 vw−m(b) 現時点でX線粉末回折データ
を得たTiAPSO−44組成物は、以下の表XVIノ
X線粉末回折図形によって特徴づけられる回折図形を有
する。 表 XVI 2θ d、(X) 100XI/I。 55.8− り飄S’ 164/−L64コ(C) 例
24の合成したま−f) TiAP80−34 (F)
 一部分に対′してX線分析を行なった。このTIAP
SO−34生成物は、以下の表謀のX4I粉末回折図形
によって特徴づけられた。 表 X■ 21? a、 (X) 100XI/I@55.8 1
647 7 (d) 例24のTIAPSO−341i1成物を空気
中において500℃で2時間焼成した。この焼成生成物
は、以下の表xV!に示されるX;S粉、末回折図形に
よって特徴づけられた。 表 狼層 95 −31 100 [,068131 14,16,287 16,25,47、19 1′19 .9,1二:゛。 0 20.8 4.27 38 2Z2 4.00 9 2五3 五82 14 25、〇 五562 17 26.2 3.401 19 279 4198 10 28.2 3A64 12 25!8 2.P2O12 5α9 2.894 513 2.858 :h 52.4 2.7639 54.9 2.571 9 56.2 2.481 7 59B 2,2155 4α2 2.243 1s 492 1852 5 5tOt791 7 例 38 (亀) TIAPSO−35は、合成したま−の形態及
び焼成形態の両方において、少なくとも以下の表XIに
示されるd−距離を含有する固有のX線粉末回折図形を
有する。 表 Xff 2θ a、(X) 相対強度 1α9−111 8.12 −797 m1五S−11
76,66、−6,46m17.5−IZ4 5.15
 −5.10 w−m2[L8−211 4.27 −
4.21 m219−22.2 4.06 −4.00
 m−vs28.3−28.7 3.153−3.11
0 m(b) 現時点でX線粉末回折データを得たTI
APSO−35組成物は、以下の表器 のXi粉末回折
図形によって特徴づけられる回折図形を有する。 表 XX 2θ d s (A) 100 ×r/I。 (C) 例30の合成したま−のTIAP80−55の
一部分に対してX@分析を行なった。このTIAPSO
−35生成物は、以下の表XXIのXIi!i!粉末回
折図形によって特徴づけられた。 表XXI 2θ d、 (X) 100XI/I。 半 ピークは不純物を含有するかもしれない。 (d) 例2の焼成TIAP80−55生成物’i−空
気中ニおいて600°Cで2時間焼成した。この焼成生
成物は、以下の表XXIに示される)l粉末回折図形に
よって特徴づけられた。 表 XXlI 2θ d、(X) 1oo×1/工・ a8 1α0515 111 797 74 115半 7.69 100 13.7 &46 39 17.6 5.04 17 18.9季 4.70 2d 211 4.21 26 22.2 4.00 65 23.1筆 385 26 23.7 3.75 22 25.2 5.554 30 266 5.565 55 27.4帯 5.255 26 28.7 3.110 55 296米 五〇18 59 29.8半 2998 44 52、.7 2.759 30 54.6 2.592 17 38.0 2−568 15 48.5 1877 13 55.1 1667 13 辛 ビークは不純物を含有するかもしれない。 例 59゜ (a) TIAP80−44は、合成したま−の形態及
び焼成形態の両方において、少なくとも以下の表xx■
に示されるd−距離を含有する固有のX線粉末回折図形
を有する。 95 930 − 膳 16.1 5.49 m 20.8 4.27 v m 22.0 4.05 m 24.5 ・ 563 m 3α9 2.895 m (b) 現時点でX@粉末(ロ)折データを得たTIA
P80−44 組成物ハ、以下ノ表XXIV ノX 線
粉末圓折図形によって特徴づけられる回折図形を有する
。 表XX■ 2θ d、(A) 100XI/l0 13.0 6.79 24 13.4 6.62 50 13.9 &40 3 16.1 5.49 51 22.0 4.05 77 22.7 3.92 7 252 &83 19 24.5 3.63 52 26.2 3.400 20 2a6 五123 28 29B 3.000 6 30.3 2.954 14 30.9 2.895 57 31.7 2.820 6 52.2 2,777 、 30 32.6 2.745 5 35A 2.708 4 35.0 2.567 4 55.7 2.519 11 38.7 2.528 3 42.1 2.145 4 42.6 2.122 5 43.7 2.073 4 47.4 1920 3 48゜2 1888 12 48.8 1.867 8 51.5 1775 6 54.1 1.696 7 (e) 例11の合成したま\のTIAP80−44の
一部分に対してX線分析を行なった。このTiAP80
−44は、以下の表XX■のX111i!粉末回折図形
によって特徴づけられた。 表XXv 2θ d、(X) 100XI/I。 8.7米 10.21 14 9.5 9!30 83 11.0 8.06 45 11.7辛 Z57 5 13.0 6.79 24 15.4 6.62 30 1に9 6.40 S 16.1 5.49 51 17.4 5.11 48 17.8米 4,98 7 190 4.66 5 2α8 4.27 100 ・ 211 4.22 36 215米 4.13 19 22.0 4.05 77 22.7 5.92 7 23.2 3.83 19 236米 378 3 24.5 3.65 52 25.1! 3.554 8 25.41 ′!L501 4 25.64k 3.481 3 26.2 3.400 20 27.0 3.307 11 − 29.8 3.000 6 3α5 2.954 ’ 14 3α9 .2.895 57 表 XXV <aき) 2a a、 (u) 10[IXI/I。 317 .2.820 6 32.2 2.777 50 32.6 2.745 5 531 2.708 4 346辛 2.595 7 35.0 2.567 4 35.1辛 2..559 S 55.7 2.519 11 57.9牽 2.572 3 5 a7 2.528 5 42.1 2.145 4 42.4辛 2.134 5 42.6 2.122 5 430辛 2.105 6 4五7 2.073 4 47.4 1920 5 48.2 1888 12 4B、7* 1871 8 4 &8 t 867 8 497辛 1836 4 5α4辛 1.809. 9 515 1775 6 54.1 t696 7 半 ピークは不純物を含有するかもしれない。 例 40 T1人pso組成物の触媒活性を例示するために、例6
.13及び24のTiAPSO生成物の焼成試料をn−
ブタンの触媒活性について試験した。 反応器は、長さ254鱈で内径103■の円筒形石英管
であった。各試験において、反応器には寸法が20〜4
0メツシユ(米国基準)の試験TIAPSOの粒子を0
.5〜5gの量で充填したが、この量は、n−ブタンの
転化率が試験条件下で少なくとも5%で且つ多くても9
0%となるように選定された。TiAPSO試料を空気
中(TIAPSO−5は600℃で25時間、TIAP
SO−1iは6o。 ”CT 1.5 時間、そし−’(T IAPSO−3
4はs o o ”cで2時間)で焼成して細孔糸から
有機物質を除去しそしてそれらを反応器内のその場所に
おいてヘリウム流れ中にて500°Cで1時間活性化し
た。供給原料は2モル%のn−ブタンを含有するヘリウ
ム/n−ブタン混合物でアシ、そしてこれは5゜CC7
分の速度で反応器を通された。供給原料及び反応器流出
物の分析は、通常のガスクロマトグラフィー技術を使用
して実施された。反応器流出物は、オンストリーム操作
の10分後に分析された。 疑似−次速度恒数(kA)を計算してTIAP80組成
物の相対的触媒活性を決定した。TiAPSO組成物に
ついて得られたkA値(,79分)を以下の表xxvt
に示す。 TiAPSO−50,6 TiAPSO−11α5 TIAP80−54 13 方法の用途 本発明のTjAPSO組成物は、一般に親水性であシそ
してパラフィン、オレフィン及び芳香族種例えはベンゼ
ン、キシレン及びクメンの如き普通の炭化水素分子より
も水を優先的に吸着する。かくして、TIAPSOは一
群として、天然ガス乾燥、分解ガス乾燥の如き吸着分離
/精製プロセスにおける乾燥剤として有用である。また
、水は、二酸化炭素、窒素、酸素及び水素の如きいわゆ
る永久ガスようも優先的に吸着される。それ故に、これ
らのTIAPSOは、リホーマ−の水素流れの乾燥にお
いて、また液化に先立っての酸素、窒素又は空気の乾燥
において適当に用いられる。 また、本発明のTIAP80組成物は、それらを多くの
炭化水素転化及び酸化燃焼反応における触媒又は触媒基
材として有用にしている新規な表向選択性を示す。これ
らは、斯界に周知の方法によって触媒活性金属を含浸さ
れ又は他の方法で組み込まれ、そしてシリカ又はアルミ
ナ基材を有する触媒組成物を作るのに用いることができ
る。−訂の中では、lh ’ Aよ)も大きい細孔を有
するものが触媒用途に対して好ましい。 TIAPSO組成物によって触媒される炭化水素転化反
応としては、分解、水素化分解、芳香族及びイソパラフ
ィンの両方に対するアルキル化、キシレン異性化を含め
た異性化、重合、リホーミング、水素化、脱水素、トラ
ンスアルキル化、脱アルキル、水素化環化及び脱水象環
化が挙げられる。 白金又はパラジウムの如き水素化促進剤を含有するTi
AP80触媒組成物を使用すると、重質石油残油供給原
料、循環原料及び他の水素化分解可能な供給原料は、4
00〜825’Fの範囲の温度、2〜80の範囲の水素
対膨化水素モル比、10〜4500 ps[g の圧力
及びα1〜2o好ましくはtO〜10の液空間速度(L
H8V)で水素化分解させる仁とができる。 水素化分解−に用いられるTIAP80触媒組成物は、
炭化水素供給原料が触媒と約700−1,000″Fの
温度、100〜500 psIg の水素圧、CL1〜
10の範囲のLH8V値及び1〜2o好ましくは4〜1
2の範囲の水素対炭化水素モル比で接触するリホーミン
クプロセスで使用するにも好適である。 また、これらの同じ触*mち水素化促進剤を含有スるも
のは、ノルマルパラフィンの如き供給原料を飽和分枝鎖
異性体に転化させ′る水素異性化プロセスにおいても有
用である。水素異性化は、約200−600?好ましく
は300〜550’F(1)温i及び約α2〜10のL
HaV値で実施される。 水素は一炭化水素供給原料と1〜50間のモル割合(水
素対膨化水素供給原料)の混合状態で反応器に供給され
る。 幾分高い温度即ち約650〜1000″F好ましくは8
50〜9501’において、また通常的15〜50 p
sfg の範囲内の幾分低い圧力において、同じ触媒組
成物は、ノルマルパラフィンを水素異性化すやのに用い
られる。好まe<は、パラフィン供給原料は01〜C2
・の炭素数範囲を有するノルマルパラフィンを含む。供
給原料と触媒との間の接触時間は、一般には、オレフィ
ンの重合及びパラフィンの分解の如き望ましくない副反
応1同避するために比較的短かい。α1〜10好ましく
は10〜60の範囲のLH8V値が好適である。 本発明のTiPSO触媒の独特な結晶構造及びアルカリ
金属含量を全く有しない形態でのそれらめ入手可能性は
、アルキル芳香族化合物の転化特にトルエン、エチレン
、トリメチルベンゼン、゛テトラメチルベ“クメン等の
接触不均化でのそれらめ使用を有利にする。不均化プロ
セスでは、異性化及びトランスアルキル化も起こシ得る
。触媒組成物中には、第■族貴金属補助剤を単独で又は
タングステン、モリブデン及びりpムの如き第VIB族
金属と一緒に全組成物の約3〜15重量%の量で含める
のが好ましい。約400〜750?の温度、100〜2
.0009@ig の範囲の圧力及びo、 1〜15の
範囲のLH8V値に維持される反応帯域には外部からの
水素を存在させることができるが、しかし必要なことで
はない。 接触分解プロセスは、軽油、重質ナフサ、脱アスフアル
ト残油等の如き供給原料を使用してTIAP80組成物
で実施されるのが好ましく、そしてガソリンが主な所望
製品である。850〜1.1007の温度条件、0.5
〜10(7)LH8V値及び約0〜50 psig の
圧力条件が好適である。 パラフィン系炭化水素供給原料好ましくは6個よシも多
くの炭素原子を有するノルマルパラフィンを生成する脱
水素環化反応は、接触分解に対すると本質上同じ反応条
件を用いて実施される。これらの反応に対しては、TI
AP80触媒をチタン及びニッケルの如き第■族非貴金
属陽イオンと一緒゛に使用するのが好ましい。 環構造を一質上水素化することなく芳香族核からパラフ
ィン系側鎖を離脱することが望まれる一触脱アルキルで
社、約300−$000psig の適度の圧力におい
て約800〜11ooo′Fの範囲゛の比較的高い温度
が用いられ、他の条件は接触水素化分解に関して先に記
載したものと同様なものである。好ましい触媒は、接触
脱水素環化に関し讐先に記載・したと同じ種類のもので
ある。本発明で意図される特に望ましい脱アルキル反応
酸、ナフタリンへのメチルナフタリンの転化並びにベン
ゼンへのトルエン及び(又は)キシレンの転化を包含す
る。 接触へイドロフフイニングでは、主な目的は、供給原料
中の炭化水素分子に実質上影蕃を及はさずにその中のあ
る種の硫黄及び(又は)窒素化合物の選択的水素化分解
を促進させるととである。 この目的に対しては、接触水素化分解に関して先に記載
したと同じ一般的な条件及び脱水素環化操作に関して記
載したと同じ一般的な性状を持つ触媒を使用するのが好
ましい。供給原料はガソリン留分、ケロシン、ジェット
燃料留分、ジーゼル燃料留分、軽質及び重質軽油、脱ア
スフアルト残油等を包含するが、これらのいずれ本釣5
重量%までの硫黄及び約3重量%までの窒素を含有する
可能性がある。 同様の条件は、実質的な割合の有機窒素及び有機硫黄化
合物を含有する炭化水素供給原料のハイドロ7アイニン
グ即ち脱窒素及び脱硫を行なうにも用いることができる
。か−る成分の実質的な量の存在は、水素化分解触媒の
活性を著しく粗害することが一般に認められている。従
って、比較的窒素分の多い供給原料で通流当夛同じ水素
化分触転化度を得ることを望むときには、有機窒素化合
物を少なく含有する供給原料で必要とされるよシも極端
な条件で操作することが必要である。それ故に、脱窒素
、脱硫及び(又は)水素化分解をいかなる情況下ても最
とも効率よ(達成することができる条件は、供給原料の
特性特に供給原料中の有機窒素化合物の濃度にかんがみ
て必然的に決定される。これらの組成物の水素化分解活
性に及ばず有機窒素化合物の影響の結果として、比較的
高い有機窒素含量を有する所定の供給原料に対して最少
の水素化分解(例えば、通流当り新鮮な供給原料の20
容量%以下)でその脱w!氷に最とも適した条件が低い
濃度の水素化分解抑制成分例えば有機窒素化合物を有す
る別の供給原料の水素化分解に好ましい条件と同じにな
)得ることはないことではない。従って、特定の触媒及
び供!8DA料による予備スフリーリングテストを基に
しである種の供給原料を接触させようとする条件を定め
ることがこの業界における慣習になっている。 異性化反応は、リホーミングに関して先に記載したと同
様の条件下で幾分酸性度の高い触媒を使用して実施され
る。オレフィンは500〜900アの温度で異性化され
るのが好ましいが、これに対してパラフィン、ナフテン
及びアルキル芳香族は700〜1,000?の温度で異
性化される。本発明で意図される特に望ましい異性化反
応は、n−ヘプテン及び(又は)n−オクタンをイソへ
ブタン、イソオクタンに、ブタンをイソブタンに、メチ
ルシクロベンクンをシクロヘキサンに、メタキシレン及
び(又は)オルトキシレンをバラキシレンに、1−ブテ
ンを2−ブテン及び(又は)イソブチンに、n−ヘキセ
ンをイソヘキセンに、シクロヘキセンをメチルシクロペ
ンテン等にそれぞれ転化させることを包含する。触媒の
好ましい形態は、TIAP80と第1A族、第JIB族
及び希土類の金属の多価金属化合物(硫化物の如き)と
の組み合わせである。アルキル化及び脱アルキルプロセ
スに対しては、少なくともsXの細孔を有するTiAP
SO組成物が好ましい。アルキル芳香族の脱アルキルに
対して用いると衾に社、温度は、通常少なくとも350
?であ夛そして供給原料又は転化生成物の実質的な分解
が起こる温度まで一般には約7007までの範囲である
。温度は、少なくとも450?で且つ化合物が脱アルキ
ルを受ける臨界温度よシも高くないのが好ましい。圧力
条件は、少なくとも芳香族供給原料を液体状態に保持す
るように適用される。アルキル化に対しては、温度は、
250下程の低さであってよいがしかし好ましくは少な
くとも550?である。ベンゼン、トルエン及びキシレ
ンのアルキル化では、好ましいアルキル化剤はエチレン
及びプロピレンの如きオレフィンである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の組成物に係るパラメーターをモル分
率で記載した三成分図である。 第2図は、好ましい組成物に係るパラメーターをモル分
率で記載した三成分図である。 第3図は、本発明の組成物の製造に用いられる反応混合
物に係るパラメーターをモル分率として記載した三成分
図である。 b− 必 し く rつ − 手続補正書(方式) %式% 事件の表示 昭和60年特 願第76912 号補正を
する者 事件との関係 特許出願人 名称 ユニオン・カーバイド・コーポレーション補止の
対象 明細1)− 補1ピの内容 別紙の通り 明ill官の浄Vt(内容に変更なし)第1頁の続き ■Int、Cj4 識別記号 庁内整理番覧178

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1) 次式 %式%) 〔ここでRは結晶内細孔系に存在する少なくとも1種の
    有機テンプレート剤を表わし、 mは(T i、A lx Py 8 ix ) Ox 
    の1モルにつき存在するRのモル量を表わし、モして0
    〜約USの値を有し、 w、xSy及びzld四面体酸化物として存在するチタ
    ン、アルミニウム、シん及びけい素のそれぞれのモル分
    率を表わし、そしてとのモル分率は第1因の点A、B、
    CXD及びEによシ幽定され、る五角形組成領域内にあ
    るようなものである〕に、よって表わされる無水基準の
    実験化学組成を有するTiO冨、AlO2、po、及び
    810雪四面体単位の三次元微孔質骨格構造を有する結
    晶性モレキュラーシープ。 (2) 四面体酸化物として存在するチタン、アルミニ
    ウム、シん及び叶い素のモル分率が第2図の点B、b、
    c及びdによシ画定される四角形組成領域内にある特許
    請求の範囲第1項記載のモレキュシーシープ。 (3)少なくとも表人に記載のd−面間百を含む特性X
    Is粉末回折図形を有する特許請求の範囲第1又は2項
    記載の結晶性モレキュラーシープ。 (4)少なくとも表Bに記載のd−面間隔を含も特性X
    @粉末回折図形を有する特許請求の範囲第1又は2項記
    載の結晶性モレキュラーシープ。 (5)少なくとも表Cに記載のd−面間隔を含む特性X
    線粉末回折図形を有する特許請求の範囲第1又は2項記
    載の結晶性モレキュラーシープ。 (6)少なくとも表りに記載のd−面間隔を含む特性X
    線粉末回折図形を有する特許請求の範囲第1又は2項記
    載の結晶性モレキュラーシープ。 (7)少なくとも表Eに記載のd−面間隔を含む特性X
    線粉末回折図形を有する特許請求の範囲第1又は2項記
    載の結晶性モレキュラーシーブ。 (8)少なくとも表Fに記載のd−面間隔を含む特性X
    線粉末回折図形を有する特許請求の範囲第1又は2項記
    載の結晶性モレキュ2−シープ。 (9) 次式 %式% 〔ここでRは有機テンプレート剤であ、り 、a Fi
    、 Hの量であり、干して0の値を有することができ又
    は0より大きく約6までの有効量であ)、bはO〜50
    0の値を有し、”% ”% Y及び2は(T Iw A
     lx Py S Ig )02 成分中のチタン、ア
    ルミニウム、シん及びけい素のそれぞれのモル分率を表
    わし、そしてそれぞれは少なくともα01の値を有する
    〕 の酸化物モル此で表わされる反応混合物組成物を有効温
    度に有効時間にわたシもたらして特許請求の範囲第1項
    記載のモレキュラーシープを製造することからなる三次
    元微孔質骨格構造を有する特許請求の範囲第1項記載の
    結晶性モレキュラージ(10)w、x、y及び2が第3
    図の点F、G、H。 ■及びJによシ画定される五角形組成領域内にある特許
    請求の範囲第9項記載の方法。 (11)反応混合物中のシん源がオルトシん酸である特
    許請求の範囲第9項記載の方法。 (12)反応混合物中のシん源がオルトシん酸であ夛、
    アルミニウム源がプソイドベーマイト及びアルミニウム
    アルコキシドよシなる群から選ばする少なくとも1種の
    化合物である特許請求の範囲第9項記載の方法。 (15) アルミニウムアルコキシドがアルミニウムイ
    ソプロポキシドである特許請求の範囲第12項記載の方
    法。 (14)けい素源がシリカである特許請求の範囲第12
    項記載の方法。 (15)チタン源が酢酪チタンである特許請求の範囲第
    12項記載の方法。 (16)有機テンプレート剤が次式 (ここでXは窒素又はシんであシ、各Rは1〜8個の炭
    素原子を含有するアルキル又はアリール基である) を有する第四アンモニウム又は第四ホスホニウム化合物
    である特許請求の範囲第9又は10項記載の方法。 (17)有機テンプレート剤がアミンである特許請求の
    範囲第9項記載の方法。 (1a) テンプレート剤がテトラプロピルアンモニウ
    ムイオン、テトラエチルアンモニウムイオン、〜□トリ
    プロピルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールア
    ミン、ピペリジン、シクロヘキシルアミン、2−メチル
    ビリジン、N、N−ジメチルベンジルアミン、N、N−
    ジエチルエタノールアミン、コリン、N、N−ジメチル
    ピペラジン、″L4−ジアザビシクロ(2,2,2)オ
    クタン、N−メチルジェタノールアミン、N−メチルエ
    タノールアミン、N−メチルピペリジン、3−メチルピ
    ペリジン、N−メチルシクロヘキシルアミン、6−メチ
    ルビリジン、4−メチルビリジン、キヌクリジン、N、
    N’−ジメチル−t4−ジアザビシクロ(2,2,2)
    オクタンイオン、テトラメチルアンモニウムイオン、テ
    トラブチルアンモニウムイオン、テトラペンチルアンモ
    ニウムイオン、ジーU−ブチルアミン、ネオペンチルア
    ミン、ジ−n−ペンチルアミン、イソプロピルアミン、
    t−ブチルアミン、エチレンジアミン、ピロリジン、2
    −イミダゾリド°ン、ジ−n−プロピルアミン及び次式
    %式%)) (ここでXは少なくとも2の値である)の重合体第四ア
    ンモニウム塩よりなる群から選げれる特許請求の範囲第
    9項記載の方法。 (19)特許請求の範囲第1項記載の又は特許請求の範
    囲第2項記載の組成物を結晶内細孔糸に存在する有機テ
    ンプレート剤のうちの少なくとも何らかの量を除去する
    のに十分に高い温度で焼成することによって製造される
    モレキュラーシーブ。 (20)分子種をこれよシも極性度の小さい分子種との
    混合物から分離するにあたシ、前記分子種の混合物を極
    性の大きい分子種の少なくとも1t11を吸着するのに
    十分に大きい細孔直径を有する特許請求の範囲第1項又
    は特許請求の範囲第2項記載のモレキュラーシープと接
    触させることからなシ、そのモレキュラーシーブは極性
    の大きい分子種の分子が結晶内細孔系内に選択的に吸着
    されるように少なくとも一部活性化されていることを特
    徴とする分子種の分離方法。 (21)異なった動的直径を有する分子種の混合物を分
    離するにあたシ、前記の混合物をそのうちの全部ではな
    くて少なくとも1種の分子種を吸着するのに十分に大き
    い細孔直径を有する特許請求の範囲第1項又は特許請求
    の範囲第2項記載のモレキュラーシープと接触させるこ
    とからなシ、そのモレキュラーシーブは、動的直径が十
    分に小さい少なくとも何らかの分子が結晶内細孔系に入
    ることができるように少なくとも一部分活性化されてい
    ることを特徴とする分子種の混合物の分離方法。 (22)極性の大きい分子種が水である特許請求の範囲
    第20項記載の方法。 (23)炭化水素を特許請求の範囲第1項又は特許請求
    の範囲第2項記載のモレキュラーシーブと炭化水素転化
    条件下に接触させることからなる炭化水嵩の転化方法。 (24)炭化水素転化方法がクシツキングである特許請
    求の範囲第23項記載の方法。 (25)炭化水素転化方法がへイドロク2ツキンクであ
    る特許請求の範囲第23項記載の方法。 (26)炭化水素転化方法が水素化である特許請求の範
    囲第23項記載の方法。 (27)炭化水素転化方法が重合である時*m求の範囲
    第25項記載の方法。 (28)炭化水素転化方法がアルキル化である特許請求
    の範囲第23項記載の方法。 (29)炭化水素転化方法かりホーミングである特許請
    求の範囲第23項記載の方法。 (30)炭化水素転化方法が水素化処理である特許請求
    の範囲第23項記載の方法。 (31)炭化水素転化方法が異性化である特許請求の範
    囲第23項記載の方法。 (32) M性化転化方法がキシレンの異性化である特
    許請求の範囲第31項記載の方法。 (33)炭化水素転化方法が脱水素環化である特許請求
    の範囲第23項記載の方法。
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