JPS60257679A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS60257679A JPS60257679A JP59114942A JP11494284A JPS60257679A JP S60257679 A JPS60257679 A JP S60257679A JP 59114942 A JP59114942 A JP 59114942A JP 11494284 A JP11494284 A JP 11494284A JP S60257679 A JPS60257679 A JP S60257679A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は固体撮像素子を用いた固体撮像装置のスミア補
正に関するものである。
正に関するものである。
従来例の構成とその問題点
固体撮像素子が開発されて以来、固体撮像素子特有のス
ミア現象を取り除くことは今後の固体撮像係の開発にと
って非常に有益なものとなる。
ミア現象を取り除くことは今後の固体撮像係の開発にと
って非常に有益なものとなる。
従来例について、第1図、第2図を用いて説明する。
第1図は、6×4画素配列のインタライン型CCD (
Charge Coupled Device :電荷
結合素子)固体撮像装置の概略で、1は光電変換部、2
は垂直転送ライン、3は転送ゲート電極、4は遮光部、
5は水平転送ライン、6は出力検出部、7は垂直転送方
向、8は水平転送方向である。壕だ、第2図はスミア現
象が映されているモニターの画面を示す図で、9は高輝
度の入射光による像、10はスミア現象の明るい帯状の
像である。第1図かられかるように遮光部4は、上端の
1行に施されている。各光電変換部1に入射した光の信
号は、入射光量に応じた電荷の映像信号に変換され、垂
直ブランキング期間にゲート電極3によって、各々垂直
転送ライン2の各領域に転送される。さらに垂直転送期
間に、1水平行ずつ各垂直列の各々の画素の映像信号が
、同時に水平転送ライン5に転送され、水平読み出し期
間に出力検出部6で順次検出される。
Charge Coupled Device :電荷
結合素子)固体撮像装置の概略で、1は光電変換部、2
は垂直転送ライン、3は転送ゲート電極、4は遮光部、
5は水平転送ライン、6は出力検出部、7は垂直転送方
向、8は水平転送方向である。壕だ、第2図はスミア現
象が映されているモニターの画面を示す図で、9は高輝
度の入射光による像、10はスミア現象の明るい帯状の
像である。第1図かられかるように遮光部4は、上端の
1行に施されている。各光電変換部1に入射した光の信
号は、入射光量に応じた電荷の映像信号に変換され、垂
直ブランキング期間にゲート電極3によって、各々垂直
転送ライン2の各領域に転送される。さらに垂直転送期
間に、1水平行ずつ各垂直列の各々の画素の映像信号が
、同時に水平転送ライン5に転送され、水平読み出し期
間に出力検出部6で順次検出される。
本来、各画素の受光部分は各光電変換部1であるが、光
電変換部1以外の垂直転送ライン2は遮光されているに
もかかわらず、光電変換部1の受光量に比例した光が垂
直転送ライン2に漏れ込む。
電変換部1以外の垂直転送ライン2は遮光されているに
もかかわらず、光電変換部1の受光量に比例した光が垂
直転送ライン2に漏れ込む。
この漏れ光により励起された電子がスミア成分として各
々の画素に対してゲート電極3を介した各画素の垂直転
送ライン2の各領域に各画素のスミア成分として発生す
る。水平転送ライン5は、受光面の外であるため、容易
に遮光されかつ光電変換部1を隔離できるだめ光電変換
部1の影響を受けずスミア成分は発生しない。
々の画素に対してゲート電極3を介した各画素の垂直転
送ライン2の各領域に各画素のスミア成分として発生す
る。水平転送ライン5は、受光面の外であるため、容易
に遮光されかつ光電変換部1を隔離できるだめ光電変換
部1の影響を受けずスミア成分は発生しない。
各画素のスミア成分は、各画素に入射する光量と時間の
関数である。故に垂直転送の度にその垂直転送時間と入
射光量に応じた値のスミア成分が、各画素の垂直転送ラ
インの転送領域で発生し、次段へと転送される。したが
って受光部の一部に高輝度の光が入射すると、この入射
光によるスミア成分が主要因となり、第2図に示すよう
にモニター−)−にこの入射光の像9と共に、その像の
幅をもった垂直方向の明るい帯状の像10を形成するこ
とになる。これが一般にスミアと呼ばれる現象である。
関数である。故に垂直転送の度にその垂直転送時間と入
射光量に応じた値のスミア成分が、各画素の垂直転送ラ
インの転送領域で発生し、次段へと転送される。したが
って受光部の一部に高輝度の光が入射すると、この入射
光によるスミア成分が主要因となり、第2図に示すよう
にモニター−)−にこの入射光の像9と共に、その像の
幅をもった垂直方向の明るい帯状の像10を形成するこ
とになる。これが一般にスミアと呼ばれる現象である。
ここで遮光部4を施しだ第1図の固体撮像装置の任意の
1垂直列を用いて、従来のスミア補正について説明する
。遮光部4により、前記1垂直列(以下列と略す。)の
」二端の画素及び垂直転送ラインが完全に遮光されてい
るとすると、前記上端の画素の映像信号及びスミア成分
は零となる。故に、垂直転送6回後の水平読み出し期間
に、出力検出部6で検出される前記上端の画素の信号は
零レベルを示すはずであるが、実際は前記上端の画素の
信号が垂直転送される毎に、転送先の垂直転送ラインの
転送領域で、1水平読み出し期間に発生するスミア成分
が加えられるので、出力検出部6で検出される前記上端
の画素の信号は、前記上端の画素を除いた他の各画素の
1水平読み出し期間に発生するスミア成分が加えられた
その列で定するスミア成分となる。これは画素数が多い
場合、遮光部4がない場合のその列のスミア成分にほと
んど等しくなる。故に、遮光部4の施された画素の信号
を、その列のスミア成分とするととができる。他の列の
スミア成分も同様に、遮光部4の施された画素の信号で
表わせる。
1垂直列を用いて、従来のスミア補正について説明する
。遮光部4により、前記1垂直列(以下列と略す。)の
」二端の画素及び垂直転送ラインが完全に遮光されてい
るとすると、前記上端の画素の映像信号及びスミア成分
は零となる。故に、垂直転送6回後の水平読み出し期間
に、出力検出部6で検出される前記上端の画素の信号は
零レベルを示すはずであるが、実際は前記上端の画素の
信号が垂直転送される毎に、転送先の垂直転送ラインの
転送領域で、1水平読み出し期間に発生するスミア成分
が加えられるので、出力検出部6で検出される前記上端
の画素の信号は、前記上端の画素を除いた他の各画素の
1水平読み出し期間に発生するスミア成分が加えられた
その列で定するスミア成分となる。これは画素数が多い
場合、遮光部4がない場合のその列のスミア成分にほと
んど等しくなる。故に、遮光部4の施された画素の信号
を、その列のスミア成分とするととができる。他の列の
スミア成分も同様に、遮光部4の施された画素の信号で
表わせる。
従来、とのようにしである1フイールドの最終水平読み
出しで検出した上端の水平行(以上有と略す。)に遮光
部が施された各画素の信号として得られる1列ずつのス
ミア成分を、1行に含寸れる画素数に和尚する記憶量を
持つメモリーに記憶して、次のフィールドに各画素の信
号から、その画素が存在する列のスミア成分を差し引く
ことにヨリスミア補正を行っていた。
出しで検出した上端の水平行(以上有と略す。)に遮光
部が施された各画素の信号として得られる1列ずつのス
ミア成分を、1行に含寸れる画素数に和尚する記憶量を
持つメモリーに記憶して、次のフィールドに各画素の信
号から、その画素が存在する列のスミア成分を差し引く
ことにヨリスミア補正を行っていた。
この方法では、静止画などスミア成分が各フィールドで
変化しない場合はよいが、フィールド毎あるいはフィー
ルドの途中で変化すると、当然スミア補正不足や過補正
により、映像信号に影響をJjえる問題点がある。
変化しない場合はよいが、フィールド毎あるいはフィー
ルドの途中で変化すると、当然スミア補正不足や過補正
により、映像信号に影響をJjえる問題点がある。
この点を第3図、第4図を用いて説明する。
第3図(a)は垂直転送パルス信号で、trは1水平読
み出し時間、tB垂直ブランキング時間であり、第3図
中)は同時刻での入射光量レベルを表わしていて、時刻
t2の前後で一定のA、Eとしている。つ寸りフィール
ドの切り換わりと同時に入射光量のレベルも変化してい
る。また第4図(a)〜偽)は第1図の任意の1列につ
いて、第3図の時刻t1〜t8のそれぞれの時刻におけ
る電荷蓄積の様子を簡単に示し、入射光量Bに上って得
られる映像信号をbとしている。11は転送ライン、1
2は垂直転送方向、13は水平転送ライン、14は水平
転送方向である。但しtつ は第1フイールドの最終垂
直転送直後の時刻、t2は第1フイールドの終了時刻で
ある。またt3.t4は第2フイールドの1回目の垂直
転送の直前直後の時刻であり、同様に16.16は2回
目の垂直転送の直前直後の時刻、t7.t8は3回目の
垂直転送の直前直後の時刻である。寸だ時刻11前後に
1水平読み出し期間内に発生するスミア成分け、1画素
毎一定のs 、 s’とし、垂直ブランキング期間内に
発生するスミア成分は1画素毎一定のlとする。
み出し時間、tB垂直ブランキング時間であり、第3図
中)は同時刻での入射光量レベルを表わしていて、時刻
t2の前後で一定のA、Eとしている。つ寸りフィール
ドの切り換わりと同時に入射光量のレベルも変化してい
る。また第4図(a)〜偽)は第1図の任意の1列につ
いて、第3図の時刻t1〜t8のそれぞれの時刻におけ
る電荷蓄積の様子を簡単に示し、入射光量Bに上って得
られる映像信号をbとしている。11は転送ライン、1
2は垂直転送方向、13は水平転送ライン、14は水平
転送方向である。但しtつ は第1フイールドの最終垂
直転送直後の時刻、t2は第1フイールドの終了時刻で
ある。またt3.t4は第2フイールドの1回目の垂直
転送の直前直後の時刻であり、同様に16.16は2回
目の垂直転送の直前直後の時刻、t7.t8は3回目の
垂直転送の直前直後の時刻である。寸だ時刻11前後に
1水平読み出し期間内に発生するスミア成分け、1画素
毎一定のs 、 s’とし、垂直ブランキング期間内に
発生するスミア成分は1画素毎一定のlとする。
第4図(a)は、第1フイールドの最終垂直転送直後の
電荷蓄積状態を示し、との時点では水平転送ライン11
には、遮光部の施された画素に相当する信号、つ1りそ
の列のスミア成分6Sが蓄積している。これは、スミア
現象のところで説明したように、遮光部の施された画素
に相当する信号は。
電荷蓄積状態を示し、との時点では水平転送ライン11
には、遮光部の施された画素に相当する信号、つ1りそ
の列のスミア成分6Sが蓄積している。これは、スミア
現象のところで説明したように、遮光部の施された画素
に相当する信号は。
1回目の垂直転送で遮光部の次の2番目の垂直転送領域
に転送されるが、転送される電荷は映像信号もスミア成
分もなく、したがって転送直後は2番目の垂直転送領域
には蓄積電荷は存在せず、1水平読み出し時間tr後に
、その2番目の垂直転送領域で発生するスミア成分Sが
蓄積している0次に2回目の垂直転送で転送電荷として
そのスミア成分Sが3番目の垂直転送領域に転送され、
1水平読み出し時間t、後には1回目の垂直転送の時と
同様に、その垂直転送領域で発生するスミア成分Sが加
えられ、合計28が蓄積していると吉になる。同様々動
作を繰り返し、最終垂直転送直後には遮光部の施された
画素に相当する信号、つ1りその列のスミア成分は、そ
の値が68で水平転送ライン11に蓄積していることに
なる。このスミア成分6Sが水平読み出し終了後丑でに
は、出力検出部で検出され、メモリーに記憶され、第2
フイールドで、そのスミア成分6Sが発生した列のスミ
ア補正として利用される。また遮光部以外の各転送領域
は、遮光部の施された画素の信号として得られるその列
のスミア成分が、」二端から水平転送ライン11に転送
される1で転送動作を繰り返すため、第4図(a) K
示すような蓄積状態となる。脣た第1フイールド終丁の
時刻t2では、時刻t□ より1水平読み出し時間後な
ので、第4図(−)の遮光部以外の各垂直転送領域でス
ミア成分Sが発生して第4図0))のようになる。
に転送されるが、転送される電荷は映像信号もスミア成
分もなく、したがって転送直後は2番目の垂直転送領域
には蓄積電荷は存在せず、1水平読み出し時間tr後に
、その2番目の垂直転送領域で発生するスミア成分Sが
蓄積している0次に2回目の垂直転送で転送電荷として
そのスミア成分Sが3番目の垂直転送領域に転送され、
1水平読み出し時間t、後には1回目の垂直転送の時と
同様に、その垂直転送領域で発生するスミア成分Sが加
えられ、合計28が蓄積していると吉になる。同様々動
作を繰り返し、最終垂直転送直後には遮光部の施された
画素に相当する信号、つ1りその列のスミア成分は、そ
の値が68で水平転送ライン11に蓄積していることに
なる。このスミア成分6Sが水平読み出し終了後丑でに
は、出力検出部で検出され、メモリーに記憶され、第2
フイールドで、そのスミア成分6Sが発生した列のスミ
ア補正として利用される。また遮光部以外の各転送領域
は、遮光部の施された画素の信号として得られるその列
のスミア成分が、」二端から水平転送ライン11に転送
される1で転送動作を繰り返すため、第4図(a) K
示すような蓄積状態となる。脣た第1フイールド終丁の
時刻t2では、時刻t□ より1水平読み出し時間後な
ので、第4図(−)の遮光部以外の各垂直転送領域でス
ミア成分Sが発生して第4図0))のようになる。
さらに時刻t3では、垂直ブランキング期間内に各垂直
転送領域で発生するスミア成分lと、入射光iBによっ
て光電変換部から得られる映像信号すが加わり、第4図
(C)のようになり1時刻t4で第2フイールドの1回
目の垂直転送が終了し、第4図(d)に示すように水平
転送ライン11にb+s S + 1の信号電荷が転送
され、水平読み出し後最下端の画素の信号として検出さ
れることになる。
転送領域で発生するスミア成分lと、入射光iBによっ
て光電変換部から得られる映像信号すが加わり、第4図
(C)のようになり1時刻t4で第2フイールドの1回
目の垂直転送が終了し、第4図(d)に示すように水平
転送ライン11にb+s S + 1の信号電荷が転送
され、水平読み出し後最下端の画素の信号として検出さ
れることになる。
ここで第1フイールドのスミア成分6Sを減算すること
により補正すると、前記最下端の画素の信号はb 4−
1となり、垂直ブランキング期間内に発生するスミア成
分l以外は補正できる。
により補正すると、前記最下端の画素の信号はb 4−
1となり、垂直ブランキング期間内に発生するスミア成
分l以外は補正できる。
しかし、1水平転送期間内に発生する各画素のスミア成
分がs′であるため、2回目の垂直転送の直前直後の時
刻15.16で、各垂直転送領域の電荷蓄積状態は第4
図(e) 、 (f)のように在り、さらに3回目の垂
直転送の直前直後の時刻t7.t8では第4図(q)
、 (h)のようになる。つまり2回目の垂直転送後の
水平読み出しによって得られる下から2番目の画素の信
号として、b 4−4 S + l + S’の信号が
得られ、同様に下から3番目の画素の信号として、b+
38+l+25の信号が得られる。ここでもし、第1フ
イールド・、第2フイールドの両フィールドで、入射光
量に変化がなく各画素で発生するスミア成分が等しく
s = s′ならば、前記下から2番目の画素の信号b
4−4 S + l + S’はb +5 S +
lとなり、第1フイールドのスミア成分5Sを減算する
ことにより補正すると、最下端の画素の信号同様、垂直
ブランキング期間内に発生するスミア成分l以外は補正
でき、b + 1となる。同様に前記下から3番目の画
素の信号も、補正後はb 4− lとなる。しかし、S
NS′と考えると実際の補正された信号は、それぞれb
十l千S’−8゜b+l +2 (S’−3)となり誤
差がでる。結局他の画素の信号も同様な補正誤差がでる
ことになり、最下端の画素の信号以外は補正誤差がでる
ことになる。故に画素数が多くなると各画素の補正誤差
として、下から2番目の画素より順に、14− (S’
−3)。
分がs′であるため、2回目の垂直転送の直前直後の時
刻15.16で、各垂直転送領域の電荷蓄積状態は第4
図(e) 、 (f)のように在り、さらに3回目の垂
直転送の直前直後の時刻t7.t8では第4図(q)
、 (h)のようになる。つまり2回目の垂直転送後の
水平読み出しによって得られる下から2番目の画素の信
号として、b 4−4 S + l + S’の信号が
得られ、同様に下から3番目の画素の信号として、b+
38+l+25の信号が得られる。ここでもし、第1フ
イールド・、第2フイールドの両フィールドで、入射光
量に変化がなく各画素で発生するスミア成分が等しく
s = s′ならば、前記下から2番目の画素の信号b
4−4 S + l + S’はb +5 S +
lとなり、第1フイールドのスミア成分5Sを減算する
ことにより補正すると、最下端の画素の信号同様、垂直
ブランキング期間内に発生するスミア成分l以外は補正
でき、b + 1となる。同様に前記下から3番目の画
素の信号も、補正後はb 4− lとなる。しかし、S
NS′と考えると実際の補正された信号は、それぞれb
十l千S’−8゜b+l +2 (S’−3)となり誤
差がでる。結局他の画素の信号も同様な補正誤差がでる
ことになり、最下端の画素の信号以外は補正誤差がでる
ことになる。故に画素数が多くなると各画素の補正誤差
として、下から2番目の画素より順に、14− (S’
−3)。
d+2(S’−3)、 l+s(S’ =s)、 l+
、a(S’−8)。
、a(S’−8)。
・・・・・・・というふうになり上端の画素はど補正誤
差が大きく、SとS′の大小関係によっては補正不足、
あるいは過補正となって都合が悪い。
差が大きく、SとS′の大小関係によっては補正不足、
あるいは過補正となって都合が悪い。
発明の目的
本発明はこのような従来の問題点を解消するものであり
、被写体の急激な動きや入射光量の急変に対しても、正
確なスミア補正を行う装置を提供することを目的とする
○ 発明の構成 本発明の固体撮像装置は、はぼ同一特性を有する第1.
第2の被写体像の結像面に、はぼ同一特性を有する第1
.第2の固体撮像素子を第1.第2の被写体像と第1.
第2の固体撮像素子とのそれぞれの相互位置関係が同一
になるように配置し、さらに前記第1の固体撮像素子に
は各垂直列毎に複数の画素を遮光する遮光部を施し、そ
の第1の固体撮像素子より得られる遮光部の施された画
素の信号と、前記第2の固体撮像素子より得られる信号
の演算により、前記第2の固体撮像素子より得られる信
号の疑似信号成分を除去することを特徴とするものであ
り、被写体の急激な動きや入射光量の急変により、フィ
ールド毎あるいはフィールド期間内に前記第2の固体撮
像素子のスミア成分が変化しても正確なスミア補正を行
うことができるものである。
、被写体の急激な動きや入射光量の急変に対しても、正
確なスミア補正を行う装置を提供することを目的とする
○ 発明の構成 本発明の固体撮像装置は、はぼ同一特性を有する第1.
第2の被写体像の結像面に、はぼ同一特性を有する第1
.第2の固体撮像素子を第1.第2の被写体像と第1.
第2の固体撮像素子とのそれぞれの相互位置関係が同一
になるように配置し、さらに前記第1の固体撮像素子に
は各垂直列毎に複数の画素を遮光する遮光部を施し、そ
の第1の固体撮像素子より得られる遮光部の施された画
素の信号と、前記第2の固体撮像素子より得られる信号
の演算により、前記第2の固体撮像素子より得られる信
号の疑似信号成分を除去することを特徴とするものであ
り、被写体の急激な動きや入射光量の急変により、フィ
ールド毎あるいはフィールド期間内に前記第2の固体撮
像素子のスミア成分が変化しても正確なスミア補正を行
うことができるものである。
実施例の説明
第5図は本発明の第1の実施例における固体撮像装置の
構成図を示すものである。第5図で、16は第6図に示
すごとく各画素の垂直列に施す遮光部を一画素おきに設
け、−水平行毎に遮光された画素行と遮光されてない画
素行が交互に位置している第1の固体撮像素子、16は
第1の固体撮像素子16と同一特性を有する遮光部を施
こさない第2の固体撮像素子で、第1.第2の画素子は
n行n列の画素配列とし、nは正の偶数とする。17゜
18は出力検出部、19は遮光部の施された画素の信号
のみ抜き出すゲート回路、20幻、−水平読み出し時間
遅延の遅延回路、21は加算器、22はゲイン調整器、
23は減算器、24は出力端である。寸だ第6図は、第
5図の第1の固体撮像素子15の出力検出部17付近の
拡大図で、251I′i光電変換部、26は転送グー
ト電極、27は垂直転送ライン、28は垂直転送方向、
29は水平転送ライン、3Qは水平転送方向、31は遮
光部である。
構成図を示すものである。第5図で、16は第6図に示
すごとく各画素の垂直列に施す遮光部を一画素おきに設
け、−水平行毎に遮光された画素行と遮光されてない画
素行が交互に位置している第1の固体撮像素子、16は
第1の固体撮像素子16と同一特性を有する遮光部を施
こさない第2の固体撮像素子で、第1.第2の画素子は
n行n列の画素配列とし、nは正の偶数とする。17゜
18は出力検出部、19は遮光部の施された画素の信号
のみ抜き出すゲート回路、20幻、−水平読み出し時間
遅延の遅延回路、21は加算器、22はゲイン調整器、
23は減算器、24は出力端である。寸だ第6図は、第
5図の第1の固体撮像素子15の出力検出部17付近の
拡大図で、251I′i光電変換部、26は転送グー
ト電極、27は垂直転送ライン、28は垂直転送方向、
29は水平転送ライン、3Qは水平転送方向、31は遮
光部である。
第6図のように構成された第1の実施例の固体撮像装置
について以下その動作を第7図を用いて説明する。
について以下その動作を第7図を用いて説明する。
第7図(a)〜(cr)は、第5図の(−)〜(q)の
各部波形を示し、水平読み出し4回分でありHBは水平
ブランキング期間、HRは水平読み出し期間である。
各部波形を示し、水平読み出し4回分でありHBは水平
ブランキング期間、HRは水平読み出し期間である。
但しスミア成分レベル値、映像信号レベル値はすべての
画素で等しいとし、また水平読み出し期間のクロックパ
ルスは省略したものである。
画素で等しいとし、また水平読み出し期間のクロックパ
ルスは省略したものである。
第6図の第1の固体撮像素子17の出力信号としで、第
7図(a)に示すように、1水平読み出し毎I/1″ミ
庶弄差1(1’+1イh式11ブリー1i1i弓6÷行
6γ)イ言J目シノーミCに)9−丁シにのJKbされ
てない画素行の信号が交互に出力検出部16で検出され
る。第7図(−)で81 はスミア成分レベルを示して
いる。次に出力検出部17で検出された信号は、ゲート
回路19に入力され第7図(C)に示すように、−水平
読み出しおきにスミア成分の信号のみが抜き出され遅延
回路20及び加算器21に入力される。遅延回路20の
出力信号は、ゲート回路19の出力信号の一水平読み出
し時間遅延となるため、第7図(d)に示すようになり
、加算器21の出力信号は、第7図(e)に示すように
、ゲ−!・回路19の出力信号と、その信号の一水平読
み出し時間遅延の信号が加えられたものとなる。さらに
、その加算器21の出力信号はゲイン調整器22により
第7図(f)に示すようにゲイン調整された後、減算器
23に入力される。一方策2の固体撮像素子16の出力
検出部18では、第7図(b)に示すような信号が検出
され、減算器23に入力される。第7図中)で82はス
ミア成分レベルを表わしている。この減算器23で、第
2の固体撮像素子16の出力信号から第1の固体撮像素
子15から検出されるスミア成分のゲイン調整された信
号が減算され、第7図(q)に示すようにスミア補正さ
れた信号が出力端24から検出される。第1の固体撮像
素子16の各列の画素には、一画素おきに遮光部が施し
ているので、各画素の映像信号に混入するスミア成分は
遮光部を施さない場合のスミア成分の半分となる。故に
ゲイン調整器22では2倍の乗算を行っている。
7図(a)に示すように、1水平読み出し毎I/1″ミ
庶弄差1(1’+1イh式11ブリー1i1i弓6÷行
6γ)イ言J目シノーミCに)9−丁シにのJKbされ
てない画素行の信号が交互に出力検出部16で検出され
る。第7図(−)で81 はスミア成分レベルを示して
いる。次に出力検出部17で検出された信号は、ゲート
回路19に入力され第7図(C)に示すように、−水平
読み出しおきにスミア成分の信号のみが抜き出され遅延
回路20及び加算器21に入力される。遅延回路20の
出力信号は、ゲート回路19の出力信号の一水平読み出
し時間遅延となるため、第7図(d)に示すようになり
、加算器21の出力信号は、第7図(e)に示すように
、ゲ−!・回路19の出力信号と、その信号の一水平読
み出し時間遅延の信号が加えられたものとなる。さらに
、その加算器21の出力信号はゲイン調整器22により
第7図(f)に示すようにゲイン調整された後、減算器
23に入力される。一方策2の固体撮像素子16の出力
検出部18では、第7図(b)に示すような信号が検出
され、減算器23に入力される。第7図中)で82はス
ミア成分レベルを表わしている。この減算器23で、第
2の固体撮像素子16の出力信号から第1の固体撮像素
子15から検出されるスミア成分のゲイン調整された信
号が減算され、第7図(q)に示すようにスミア補正さ
れた信号が出力端24から検出される。第1の固体撮像
素子16の各列の画素には、一画素おきに遮光部が施し
ているので、各画素の映像信号に混入するスミア成分は
遮光部を施さない場合のスミア成分の半分となる。故に
ゲイン調整器22では2倍の乗算を行っている。
さらに、第8図、第9図を用いて第1の実施例の説明を
する。第8図(a)は垂直転送パルス信号、()))は
入射光量レベルを表わし、第3図と同様にtrは一水平
読み出し時間、tBは垂直ブランキング時間、1./は
第1フイールドの最終垂直転送直後の時刻、12′は第
1フィールド終了時刻である。
する。第8図(a)は垂直転送パルス信号、()))は
入射光量レベルを表わし、第3図と同様にtrは一水平
読み出し時間、tBは垂直ブランキング時間、1./は
第1フイールドの最終垂直転送直後の時刻、12′は第
1フィールド終了時刻である。
捷た1 3/ 、 14/は第2フイールドの1回目の
垂直転送の直前、直後の時刻であり、同様に167 、
167は2回目の 177 、187は3回目の、19
′、t1o′は4回目の垂直転送の直前、直後の時刻を
示す。
垂直転送の直前、直後の時刻であり、同様に167 、
167は2回目の 177 、187は3回目の、19
′、t1o′は4回目の垂直転送の直前、直後の時刻を
示す。
寸だ第9図(a)〜(1)は第5図の第2の固体撮像素
子16の任意の1列について、第8図の時刻t1′〜t
1゜′のそれぞれの時刻における電荷蓄積の様子を簡単
に示している。同様に第9図□□□)−(t)は第6図
の第1の固体撮像素子16の任意の1列であり、上記第
2の固体撮像素子16の任意の一列と対応する位置にあ
って、第8図の時刻1./〜t1o’のそれぞれの時刻
における電荷蓄積の様子を示している。但し各画素の一
水平読み出し期間内に発生するスミア成分は等しく、時
刻12′前後で一定のrn 、 rri’とし、時刻t
2′からt3/、1での垂直ブランキング期間内に発生
するスミア成分はl′、第1フイールドの1フイールド
前のフィールド終了後の垂直ブランキング期間内に発生
する各画素のスミア成分を4としている。寸だ第8図の
入射光量レベルは、時刻127前後で一定のC,Dとし
それらにより得られる映像信号をそれぞれc、dとする
。
子16の任意の1列について、第8図の時刻t1′〜t
1゜′のそれぞれの時刻における電荷蓄積の様子を簡単
に示している。同様に第9図□□□)−(t)は第6図
の第1の固体撮像素子16の任意の1列であり、上記第
2の固体撮像素子16の任意の一列と対応する位置にあ
って、第8図の時刻1./〜t1o’のそれぞれの時刻
における電荷蓄積の様子を示している。但し各画素の一
水平読み出し期間内に発生するスミア成分は等しく、時
刻12′前後で一定のrn 、 rri’とし、時刻t
2′からt3/、1での垂直ブランキング期間内に発生
するスミア成分はl′、第1フイールドの1フイールド
前のフィールド終了後の垂直ブランキング期間内に発生
する各画素のスミア成分を4としている。寸だ第8図の
入射光量レベルは、時刻127前後で一定のC,Dとし
それらにより得られる映像信号をそれぞれc、dとする
。
第9図で32.36は垂直転送ライン、33.37は垂
直転送方向、34.38は水平転送ライン、35.39
は水平転送方向で、斜線部は遮光部を表わし、さらにn
は正の偶数とする。
直転送方向、34.38は水平転送ライン、35.39
は水平転送方向で、斜線部は遮光部を表わし、さらにn
は正の偶数とする。
第9図(−)は、第1フイールドの最終垂直転送直後の
電荷蓄積状態であり、従来例の第1図と異なり上端に遮
光部が施されてないから、水平転送ライン34には、」
二端の画素の信号のC+n m + 1が蓄積されてい
て、垂直転送ライン32の各垂直転送領域には、従来例
と同様にスミア成分が各垂直転送領域に対応して蓄積し
ている。さらに−水平読み出し時間後のt2′には、各
垂直転送領域にスミア成分mが発生し第9図中)のよう
になり、第2フイールドの1回目の垂直転送直前には、
映像信号dと垂直ブランキング期間内に発生するスミア
成分で′が、各垂直転送領域に加えられ第9図(C)の
ようになる。また第9図(k) 、 <l) 、(ホ)
は、遮光部の施されている画素で映像信号は得られず、
かつその画素に対応する垂直転送ライン36の垂直転送
領域で発生するスミア成分、つ1りその画素のスミア成
分もないことを考えれば容易に理解できるO 第9図(d)及び(n)は、時刻14/の第2フイール
ドの1回目の垂直転送直後の電荷蓄積状態だから寸だス
ミア成分m′は発生していなく、第9図(d)の水平転
送ライン34に蓄積している信号d + n m m4
−1’が第6図の第2の固体撮像素子16の出力信号と
して水平読み出し後得られ、同様に第9図(n)の水平
転送ライン38に蓄積している信号n++m/2が第5
図の第1の固体撮像素子1E5の出力信号として得られ
る。画素数nが大きい場合、n−mに比べl′が無視で
きる値となるので、第6図の構成により補正された信号
は。
電荷蓄積状態であり、従来例の第1図と異なり上端に遮
光部が施されてないから、水平転送ライン34には、」
二端の画素の信号のC+n m + 1が蓄積されてい
て、垂直転送ライン32の各垂直転送領域には、従来例
と同様にスミア成分が各垂直転送領域に対応して蓄積し
ている。さらに−水平読み出し時間後のt2′には、各
垂直転送領域にスミア成分mが発生し第9図中)のよう
になり、第2フイールドの1回目の垂直転送直前には、
映像信号dと垂直ブランキング期間内に発生するスミア
成分で′が、各垂直転送領域に加えられ第9図(C)の
ようになる。また第9図(k) 、 <l) 、(ホ)
は、遮光部の施されている画素で映像信号は得られず、
かつその画素に対応する垂直転送ライン36の垂直転送
領域で発生するスミア成分、つ1りその画素のスミア成
分もないことを考えれば容易に理解できるO 第9図(d)及び(n)は、時刻14/の第2フイール
ドの1回目の垂直転送直後の電荷蓄積状態だから寸だス
ミア成分m′は発生していなく、第9図(d)の水平転
送ライン34に蓄積している信号d + n m m4
−1’が第6図の第2の固体撮像素子16の出力信号と
して水平読み出し後得られ、同様に第9図(n)の水平
転送ライン38に蓄積している信号n++m/2が第5
図の第1の固体撮像素子1E5の出力信号として得られ
る。画素数nが大きい場合、n−mに比べl′が無視で
きる値となるので、第6図の構成により補正された信号
は。
d 4− n @m + l’−2n am/2具d→
−n @m−n −m =d となり、スミア補正ができる。時刻16/ 、 t6/
の2回目の垂直転送直前直後の電荷蓄積状態は、第9図
(e) 、 (f)及び(0) 、 (p)に示してい
るが、スミア成分m′が発生していて、(()の水平転
送ライン34には、d→(n−1)・m+6’+tn’
の信号が蓄積していて、その信号が第5図の第2の固体
撮像素子16の出力信号となる。第5図の構成では、と
の信号を1回目の垂直転送後の水平読み出し後に得た、
第1の固体撮像素子15の出力信号であるスミア成分n
em/2で補正するので、 d + (n−1)−m+l’→−m’−2n * m
/2=d−m+4’+m’ となる。ここでm 、 m’ 、 l’は、画素数が多
い場合n−mに比べ特殊々入射光を除けば無視でき、故
に映像信号dに対しても無視できる値であるのでd−m
+l’→−m′ミd となり正確なスミア補正ができる。丑だ時刻t7′。
−n @m−n −m =d となり、スミア補正ができる。時刻16/ 、 t6/
の2回目の垂直転送直前直後の電荷蓄積状態は、第9図
(e) 、 (f)及び(0) 、 (p)に示してい
るが、スミア成分m′が発生していて、(()の水平転
送ライン34には、d→(n−1)・m+6’+tn’
の信号が蓄積していて、その信号が第5図の第2の固体
撮像素子16の出力信号となる。第5図の構成では、と
の信号を1回目の垂直転送後の水平読み出し後に得た、
第1の固体撮像素子15の出力信号であるスミア成分n
em/2で補正するので、 d + (n−1)−m+l’→−m’−2n * m
/2=d−m+4’+m’ となる。ここでm 、 m’ 、 l’は、画素数が多
い場合n−mに比べ特殊々入射光を除けば無視でき、故
に映像信号dに対しても無視できる値であるのでd−m
+l’→−m′ミd となり正確なスミア補正ができる。丑だ時刻t7′。
18′の3回目の垂直転送直前直後の電荷蓄積状態は、
第9図(q)、愼)及び(q)、(r)に示しているよ
うに、第5図の第2の固体撮像素子16の出力信号がd
+ (n−2) am+4’+2m’ 、第1の固体
撮像素子15の出力信号がスミア成分のみの(n−2)
・m/2+m’ より、スミア補正された信号は、d(
−(n−2) −m+4’ +2m’ −2((n−2
) −m/2+m’)= d + l’ 具d と正確にスミア補正ができる。さらに時刻t9′。
第9図(q)、愼)及び(q)、(r)に示しているよ
うに、第5図の第2の固体撮像素子16の出力信号がd
+ (n−2) am+4’+2m’ 、第1の固体
撮像素子15の出力信号がスミア成分のみの(n−2)
・m/2+m’ より、スミア補正された信号は、d(
−(n−2) −m+4’ +2m’ −2((n−2
) −m/2+m’)= d + l’ 具d と正確にスミア補正ができる。さらに時刻t9′。
tl。′の4回目の垂直転送直前直後の電荷蓄積状態は
、第9図(i) 、 (i)及び(11) 、 (t)
に示しているようになり、同様にしてスミア補正された
信号は、d+ (n−3)am+d’+3m’−2((
n−2) @m/24−m’)=d+7’ +m’ −
m 共d となり正確なスミア補正ができる。
、第9図(i) 、 (i)及び(11) 、 (t)
に示しているようになり、同様にしてスミア補正された
信号は、d+ (n−3)am+d’+3m’−2((
n−2) @m/24−m’)=d+7’ +m’ −
m 共d となり正確なスミア補正ができる。
このように第6図の構成によりスミア補正をした時の信
号は、垂直転送回数が奇数回転送、つまり奇数行の画素
についてC,隅数回転送、つまり偶数行の画素について
l’+m’−mの補正誤差がでるが、前述したように1
’、m’、mのスミア成分は、スミア成分nmに比べる
と特殊な入射光を除けば無視できるので、正確なスミア
補正ができる。また以上の説明では、各画素で発生する
スミア成分が等しいとして説明したが、各画素毎に異な
っても同様なスミア補正ができることは言う壕でもない
。さらに入射光量の変化がフィールド期間中に起こって
も、本発明の装置によりスミア補正ができることは以上
の説明と同様に説明できる。まだ、静止画のようにスミ
ア成分に変化がない場合も補正できる。
号は、垂直転送回数が奇数回転送、つまり奇数行の画素
についてC,隅数回転送、つまり偶数行の画素について
l’+m’−mの補正誤差がでるが、前述したように1
’、m’、mのスミア成分は、スミア成分nmに比べる
と特殊な入射光を除けば無視できるので、正確なスミア
補正ができる。また以上の説明では、各画素で発生する
スミア成分が等しいとして説明したが、各画素毎に異な
っても同様なスミア補正ができることは言う壕でもない
。さらに入射光量の変化がフィールド期間中に起こって
も、本発明の装置によりスミア補正ができることは以上
の説明と同様に説明できる。まだ、静止画のようにスミ
ア成分に変化がない場合も補正できる。
第10図は本発明の第2の実施例における固体撮像装置
の構成図を示すものである。第10図で、40は第11
図に示すごとく各画素の垂直列に施す遮光部を一画素お
きに設け、その一画素おきに設ける遮光部を偶数の垂直
列と奇数の垂直列で一画素分ずらし、各水平行で遮光さ
れた画素と遮光されてない画素が交互に位置している第
1の固体撮像素子、41は第1の固体撮像素子4oと同
一特性を有する第2の固体撮像素子、42.43は出力
検出部、44は遮光部の施された画素の信号のみ抜き出
すグー ト回路、45は切り替えスイッチ、46はゲイ
ン調整器、47.48は減算器。
の構成図を示すものである。第10図で、40は第11
図に示すごとく各画素の垂直列に施す遮光部を一画素お
きに設け、その一画素おきに設ける遮光部を偶数の垂直
列と奇数の垂直列で一画素分ずらし、各水平行で遮光さ
れた画素と遮光されてない画素が交互に位置している第
1の固体撮像素子、41は第1の固体撮像素子4oと同
一特性を有する第2の固体撮像素子、42.43は出力
検出部、44は遮光部の施された画素の信号のみ抜き出
すグー ト回路、45は切り替えスイッチ、46はゲイ
ン調整器、47.48は減算器。
49.50は一水平読み出し時間遅延の遅延回路で、5
1は加算器、52は出力端である。寸だ第11図は、第
1Q図の第1の固体撮像素子4oの出力検出部42付近
の拡大図で、53は光電変換部、54は転送ゲート電極
、56は垂直転送ライン、56は垂直転送方向、57は
水平転送ライン、68は水平転送方向、69は遮光部で
ある。
1は加算器、52は出力端である。寸だ第11図は、第
1Q図の第1の固体撮像素子4oの出力検出部42付近
の拡大図で、53は光電変換部、54は転送ゲート電極
、56は垂直転送ライン、56は垂直転送方向、57は
水平転送ライン、68は水平転送方向、69は遮光部で
ある。
第10図のように構成された第2の実施例の固体撮像装
置について、以下その動作を第12図を用いて説明する
。
置について、以下その動作を第12図を用いて説明する
。
第12図(、) 〜(k)は、第10図の(a)〜(k
)の各部波形を示し、第7図同様HBは水平ブランキン
グ期間、HRは水平読み出し期間、RPilJセット期
間である。寸たスミア成分レベル値、映像レベル値はす
べての画素で等しいとする。
)の各部波形を示し、第7図同様HBは水平ブランキン
グ期間、HRは水平読み出し期間、RPilJセット期
間である。寸たスミア成分レベル値、映像レベル値はす
べての画素で等しいとする。
第1の固体撮像素子の出力信号として、第12図(a)
に示すように、−水平読み出し期間で一画素の信号毎に
、遮光部の施された画素の信号、遮光部の施されてない
画素の信号が出力検出部42で交互に検出される。寸た
一水平読み出し毎に、最初に読み出される信号も、遮光
部の施された画素の信号、遮光部の施されてない画素の
信号というふうに交互に入れ替わる。第12図(a)で
81′はスミア成分レベルを示1〜でいる。次にその出
力検出部42で検出された信号は、ゲート回路44に入
力され、第12図(c)に示すように、一画素おきに遮
光部の施された画素の信号、っ1リスミア成分の信号の
みが抜き出され、ゲイン調整器47にょり第12図(d
)に示すように第5図の第1の実施例と同様2倍にされ
たスミア成分が、次段の各減算器47.48に入力され
る。一方策2の固体撮像素子41の出力検出部43では
、第12図(b)に示すような信号が検出され、切り替
えスイッチ45により、第1の固体撮像素子4oの遮光
部の施された画素と同一位置にある画素の信号が、減算
器47へ遮光部の施されてない画素と同一位置にある画
素の信号が遅延回路5oへ、それぞれ第12図(e)
、 (f)に示す信号波形で入力される。減算器47で
は、ゲイン調整器46からの信号である第12図(d)
に示す信号が、切り替えスイッチからの信号である第1
2図(e)に示す信号から減算され、第12図(h)に
示すようなスミア補正された信号となる。
に示すように、−水平読み出し期間で一画素の信号毎に
、遮光部の施された画素の信号、遮光部の施されてない
画素の信号が出力検出部42で交互に検出される。寸た
一水平読み出し毎に、最初に読み出される信号も、遮光
部の施された画素の信号、遮光部の施されてない画素の
信号というふうに交互に入れ替わる。第12図(a)で
81′はスミア成分レベルを示1〜でいる。次にその出
力検出部42で検出された信号は、ゲート回路44に入
力され、第12図(c)に示すように、一画素おきに遮
光部の施された画素の信号、っ1リスミア成分の信号の
みが抜き出され、ゲイン調整器47にょり第12図(d
)に示すように第5図の第1の実施例と同様2倍にされ
たスミア成分が、次段の各減算器47.48に入力され
る。一方策2の固体撮像素子41の出力検出部43では
、第12図(b)に示すような信号が検出され、切り替
えスイッチ45により、第1の固体撮像素子4oの遮光
部の施された画素と同一位置にある画素の信号が、減算
器47へ遮光部の施されてない画素と同一位置にある画
素の信号が遅延回路5oへ、それぞれ第12図(e)
、 (f)に示す信号波形で入力される。減算器47で
は、ゲイン調整器46からの信号である第12図(d)
に示す信号が、切り替えスイッチからの信号である第1
2図(e)に示す信号から減算され、第12図(h)に
示すようなスミア補正された信号となる。
さらにその信号は、遅延回路49により第12図(])
に示すように、−水平読み出し時間遅延し、加算器51
へ入力される。捷た遅延回路6oへ入力された第12図
(f)に示す切や替えスイッチ45がらの信号は、第1
2図(q)に示すように一水平読み出し時間遅延し、減
算器48で、ゲイン調整器46から入力される第12図
(d) K示す信号分が減算されスミア補正されて、第
12図(i)K示す信号となり、加算器61へ入力され
、遅延回路49からの信号である第12図(i)に示す
信号と加算されることにより、第12図(k)に示すよ
うに、第2の固体撮像素子41の全画素についてスミア
補正された信号が、出力端で順次検出される。
に示すように、−水平読み出し時間遅延し、加算器51
へ入力される。捷た遅延回路6oへ入力された第12図
(f)に示す切や替えスイッチ45がらの信号は、第1
2図(q)に示すように一水平読み出し時間遅延し、減
算器48で、ゲイン調整器46から入力される第12図
(d) K示す信号分が減算されスミア補正されて、第
12図(i)K示す信号となり、加算器61へ入力され
、遅延回路49からの信号である第12図(i)に示す
信号と加算されることにより、第12図(k)に示すよ
うに、第2の固体撮像素子41の全画素についてスミア
補正された信号が、出力端で順次検出される。
結局」−記構成により、第1の固体撮像素子40から検
出するスミア成分として、遮光部の施された画素のスミ
ア成分はその画素の信号を用い、遮光部の施されてない
画素のスミア成分は、その画素と、同一垂直列にある一
画素−4−の遮光部の施された画素の信号を用い、それ
ぞれ対応する第2の固体撮像素子の各画素の信号から減
算することによりスミア補正を行っている。故に、第1
の実施例と同様なスミア補正ができる。
出するスミア成分として、遮光部の施された画素のスミ
ア成分はその画素の信号を用い、遮光部の施されてない
画素のスミア成分は、その画素と、同一垂直列にある一
画素−4−の遮光部の施された画素の信号を用い、それ
ぞれ対応する第2の固体撮像素子の各画素の信号から減
算することによりスミア補正を行っている。故に、第1
の実施例と同様なスミア補正ができる。
以上の第1.第2の実施例でそれぞれ遮光部と非遮光部
を入れ替えても、同様なスミア補正ができることは言う
寸でもなく、″!、/ζインターレース走査の場合は、
第1の固体撮像素子に施す遮光部を、第13図(a>
、 (b)の様にすることにより、第1゜第2の実施例
上同様な構成でスミア補正ができる。
を入れ替えても、同様なスミア補正ができることは言う
寸でもなく、″!、/ζインターレース走査の場合は、
第1の固体撮像素子に施す遮光部を、第13図(a>
、 (b)の様にすることにより、第1゜第2の実施例
上同様な構成でスミア補正ができる。
ここで第13図(a) 、 (1−)は、それぞれイン
ターレース走査の場合に用いる、第1.第2の実施例の
第1の固体撮像素子の出力検出部付近の拡大図であり、
60.61は遮光部である。さらに本実施例は、インク
ライン型COD固体撮像素子についてのみ説明している
が、垂直転送がMOS型で水平転送がCCD型の固体撮
像素子等も、本発明により同様な結果が得られることは
明白である。なお複数の固体撮像素子を有する固体撮像
装置についても、それぞれの固体撮像素子に、本発明の
第1又は第2の実施例の第1の固体撮像素子と同様なス
ミア成分検出用の固体撮像素子をつけ加えることにより
、同様なスミア補正ができる。
ターレース走査の場合に用いる、第1.第2の実施例の
第1の固体撮像素子の出力検出部付近の拡大図であり、
60.61は遮光部である。さらに本実施例は、インク
ライン型COD固体撮像素子についてのみ説明している
が、垂直転送がMOS型で水平転送がCCD型の固体撮
像素子等も、本発明により同様な結果が得られることは
明白である。なお複数の固体撮像素子を有する固体撮像
装置についても、それぞれの固体撮像素子に、本発明の
第1又は第2の実施例の第1の固体撮像素子と同様なス
ミア成分検出用の固体撮像素子をつけ加えることにより
、同様なスミア補正ができる。
発明の効果
本発明の固体撮像装置は、はぼ同一特性を有する第1.
第2の被写体像の結像面に、はぼ同一特性を有する第1
.第2の固体撮像素子を、第1゜第2の被写体像と第1
、第2の固体撮像素子とのそれぞれの相反位置関係が
同一になるように配置し、さらに前記第1の固体撮像素
子には各垂直列毎に複数の画素を遮光する遮光部を施し
、その第1の固体撮像素子より得られる遮光部の施され
た画素の信号と、前記第2の固体撮像素子より得られる
信号の演算により、前記第2の固体撮像素子J−り得ら
れる信号の疑似信号成分を除去すると表を特徴とするも
のであり、前記第1.第2の固体撮像素子の出力信号に
ついて、同じフィールド期間内のスミア成分の検出、補
正を行うので、フィールド毎あるいはフィールド期間内
にスミア成分の変化が起こっても正確にスミア補正がで
き、被写体の急激な動きの変化や入射光量の急変に対し
ても従来の方式の欠点を解消するスミア補正ができる。
第2の被写体像の結像面に、はぼ同一特性を有する第1
.第2の固体撮像素子を、第1゜第2の被写体像と第1
、第2の固体撮像素子とのそれぞれの相反位置関係が
同一になるように配置し、さらに前記第1の固体撮像素
子には各垂直列毎に複数の画素を遮光する遮光部を施し
、その第1の固体撮像素子より得られる遮光部の施され
た画素の信号と、前記第2の固体撮像素子より得られる
信号の演算により、前記第2の固体撮像素子J−り得ら
れる信号の疑似信号成分を除去すると表を特徴とするも
のであり、前記第1.第2の固体撮像素子の出力信号に
ついて、同じフィールド期間内のスミア成分の検出、補
正を行うので、フィールド毎あるいはフィールド期間内
にスミア成分の変化が起こっても正確にスミア補正がで
き、被写体の急激な動きの変化や入射光量の急変に対し
ても従来の方式の欠点を解消するスミア補正ができる。
第1図は従来の」一端の1行に遮光部を施しだ6×4画
素配列のインクライン型COD固体撮像素子の構造模式
図、第2図はスミア現象の生じているモニターの画面を
示す図、第3図徊〒髪は垂直転送パルス信号及び入射光
量レベルを示す図、第4図(−)〜(h)は第1図の任
意の1列について電荷蓄積状態を示す図、第5図は本発
明の第1の実施例の固体撮像装置のブロック図、第6図
は第5図の第1の固体撮像素子の出力検出部付近の拡大
図、第7図(−)〜(q)は第5図の(a)〜(q)の
各部波形を示す図、第8図伺〒餅は垂直転送パルス信号
及び入射光量レベルを示す図、第9図(a)〜(1)及
び(k)〜(1)はそれぞれ本発明の第1の実施例にお
ける第1.第2の固体撮像素子の対応する任意の1列の
同時刻における電荷蓄積状態を示す図、第10図は本発
明の第2の実施例の固体撮像装置のブロック図、第11
図は第10図の第1の固体撮像素子の出力検出部付近の
拡大図、第12図伺工弊は第10図の(a) −(k)
の各部波形を示す図、第13図(−) 、 (b)はそ
れぞれインターレース走査の場合に用いる第1゜第2の
実施例の第1の固体撮像素子の出力検出部付近の拡大図
である。 15 、40・・・・・第1の固体撮像素子、16 、
41・°゛゛゛第2体撮像素子、17,18,42.4
3・・・・・出力検出部、19.44・・・・ ゲート
回路、20゜49 、50・・・・・遅延回路、21.
51・・・・加算器、46・・・・・・切り替えスイッ
チ、22.46・・・・・・ゲイン調整器、23,47
.48・・・・・・減算器、24゜62・・・・・・出
力端。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 円 d 為 第5図 第7図 Ce) 。 −1111 第8図 第1フィール1’−I Fe−第2フィールF直 第9図 ;”;]o図 第12図 第13図 (0−)
素配列のインクライン型COD固体撮像素子の構造模式
図、第2図はスミア現象の生じているモニターの画面を
示す図、第3図徊〒髪は垂直転送パルス信号及び入射光
量レベルを示す図、第4図(−)〜(h)は第1図の任
意の1列について電荷蓄積状態を示す図、第5図は本発
明の第1の実施例の固体撮像装置のブロック図、第6図
は第5図の第1の固体撮像素子の出力検出部付近の拡大
図、第7図(−)〜(q)は第5図の(a)〜(q)の
各部波形を示す図、第8図伺〒餅は垂直転送パルス信号
及び入射光量レベルを示す図、第9図(a)〜(1)及
び(k)〜(1)はそれぞれ本発明の第1の実施例にお
ける第1.第2の固体撮像素子の対応する任意の1列の
同時刻における電荷蓄積状態を示す図、第10図は本発
明の第2の実施例の固体撮像装置のブロック図、第11
図は第10図の第1の固体撮像素子の出力検出部付近の
拡大図、第12図伺工弊は第10図の(a) −(k)
の各部波形を示す図、第13図(−) 、 (b)はそ
れぞれインターレース走査の場合に用いる第1゜第2の
実施例の第1の固体撮像素子の出力検出部付近の拡大図
である。 15 、40・・・・・第1の固体撮像素子、16 、
41・°゛゛゛第2体撮像素子、17,18,42.4
3・・・・・出力検出部、19.44・・・・ ゲート
回路、20゜49 、50・・・・・遅延回路、21.
51・・・・加算器、46・・・・・・切り替えスイッ
チ、22.46・・・・・・ゲイン調整器、23,47
.48・・・・・・減算器、24゜62・・・・・・出
力端。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 円 d 為 第5図 第7図 Ce) 。 −1111 第8図 第1フィール1’−I Fe−第2フィールF直 第9図 ;”;]o図 第12図 第13図 (0−)
Claims (3)
- (1)同一特性を有する第1.第2の被写体像の結像面
に、はぼ同一特性を有する第1.第2の固体撮像素子を
、前記第1.第2の被写体像と前記第1、第2の固体撮
像素子とのそれぞれの相互位置関係が同一になるように
配置し、さらに前記第1の固体撮像素子には各垂直列毎
に複数の画素を遮光する遮光部を施し、前記第1の固体
撮像素子より得られる遮光部の施された画素の信号と前
記第2の固体撮像素子より得られる信号の演算により、
前記第2の固体撮像素子より得られる信号の疑似信号成
分を除去することを特徴とした固体撮像装置。 - (2)第1の固体撮像素子の各垂直列に施す遮光部を、
−水平行毎に遮光された画素行と遮光されてない画素行
が交互になるように配置し7た特許請求の範囲第1項に
記載の固体撮像装置。 - (3)第1の固体撮像素子の各垂直列に施す遮光部を、
偶数の垂直列と奇数の垂直列で垂直方向に一画素分ずら
し、各水平行で遮光された画素と遮光されてない画素が
交互になるように配置した特許請求の範囲第1項に記載
の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59114942A JPS60257679A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59114942A JPS60257679A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60257679A true JPS60257679A (ja) | 1985-12-19 |
Family
ID=14650463
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59114942A Pending JPS60257679A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60257679A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63114394A (ja) * | 1986-04-15 | 1988-05-19 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置 |
WO2018016345A1 (ja) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 検出装置及び電子機器 |
-
1984
- 1984-06-04 JP JP59114942A patent/JPS60257679A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63114394A (ja) * | 1986-04-15 | 1988-05-19 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置 |
WO2018016345A1 (ja) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 検出装置及び電子機器 |
US10816680B2 (en) | 2016-07-21 | 2020-10-27 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Detection device and electronic equipment |
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