JPS60254615A - Electron beam exposure - Google Patents
Electron beam exposureInfo
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- JPS60254615A JPS60254615A JP59110226A JP11022684A JPS60254615A JP S60254615 A JPS60254615 A JP S60254615A JP 59110226 A JP59110226 A JP 59110226A JP 11022684 A JP11022684 A JP 11022684A JP S60254615 A JPS60254615 A JP S60254615A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、電子ビーム露光方法に係わり、特に試料温度
を電子光学鏡筒にフィードバックするようにした電子ビ
ーム露光方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to an electron beam exposure method, and more particularly to an electron beam exposure method in which sample temperature is fed back to an electron optical column.
（発明の技術的背景とその問題点）
近年、半導体ウェハやマスク等の試料に微細パターンを
形成するものとして各種の電子ビーム露光装置が用いら
れている。この装置では、広い面積に１って高精度な描
画を行う必要があるが、試料基板の温度が僅か０．１
［”Ｃ］変化しただけでも基板の線膨張係数で決まる寸
法精度の変化が生じる。このため、試料基板の温度管理
が非常に重要になる。しかし、真空中にあり且つ移動可
能な試料ステージ上に試料基板が載置されると、その温
度を高精度で測定することは極めて困難である。(Technical Background of the Invention and Problems thereof) In recent years, various electron beam exposure apparatuses have been used to form fine patterns on samples such as semiconductor wafers and masks. With this device, it is necessary to perform highly accurate drawing over a wide area, but the temperature of the sample substrate is only 0.1
[“C] Even just a change causes a change in the dimensional accuracy determined by the coefficient of linear expansion of the substrate. For this reason, temperature control of the sample substrate is extremely important. When a sample substrate is placed on a substrate, it is extremely difficult to measure its temperature with high precision.
そこで従来、試料室側面の温度や試料ステージの動かな
い部分の温度を測定し、これらの温度から基板の温度を
推定し、この推定温度を電子光学鏡筒にフィードバック
するようにしている。Conventionally, the temperature of the side surface of the sample chamber and the temperature of the stationary portion of the sample stage are measured, the temperature of the substrate is estimated from these temperatures, and this estimated temperature is fed back to the electron optical column.
しかしながら、この種の方法にあっては次のような問題
があった。即ち、前記推定値は精度が悪く、この推定温
度を用いてフィードバック制御したとしても、露光され
るパターンの精度はあまり良くなかった。However, this type of method has the following problems. That is, the accuracy of the estimated value was poor, and even if feedback control was performed using this estimated temperature, the accuracy of the exposed pattern was not very good.
本発明の目的は、真空中にある試料基板の温度を非接触
で高精度に測定することができ、この測定温度のフィー
ドバック制御により露光精度の向上等をはかり得る電子
ビーム露光方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an electron beam exposure method that can measure the temperature of a sample substrate in vacuum with high precision without contact, and that can improve exposure accuracy through feedback control of the measured temperature. It is in.
本発明の骨子は、試料或いは試料カセット上に設けた複
数の位置検出用マーク間距離を測定することにより、試
料の温度を間接的に測定することにある。さらに、マー
ク間距離を測定する手段として、通常の電子ビーム露光
装置に付加されているレーザ測長系を用いることにある
。The gist of the present invention is to indirectly measure the temperature of a sample by measuring the distance between a plurality of position detection marks provided on the sample or sample cassette. Furthermore, as a means for measuring the distance between marks, a laser length measurement system added to a normal electron beam exposure apparatus is used.
即ち本発明は、電子ビーム露光に供される試料を収容す
る試料室と、この試料室の上方に設けられ電子銃から放
出された電子ビームを集束加速。That is, the present invention focuses and accelerates an electron beam emitted from a sample chamber that accommodates a sample to be subjected to electron beam exposure and an electron gun provided above the sample chamber.
ブランキング及び偏向走査して試料上に照射する電子光
学鏡筒と、上記試料を載置したテーブルを移動駆動する
駆動系と、上記テーブルの移動位置を測定するレーザ測
長系とを具備してなる電子ビーム露光装置を用い、試料
上に所望のパターンを露光する電子ビーム露光方法にお
いて、前記試料或いは該試料を固定保持した試料カセッ
ト上に予め所定距離離間して複数の位置検出用マークを
設け、これらのマークに電子ビームを照射すると共に前
記レーザ測長系を利用してマーク間距離を測定し、この
測定されたマーク間距離から前記試料の温度或いは温度
変動量を検出し、この検出された濃度或いは温度変動量
に相当する値を前記電子光学鏡筒にフィードバックする
ようにした方法である。It is equipped with an electron optical lens barrel that performs blanking and deflection scanning and irradiates the sample onto the sample, a drive system that moves and drives the table on which the sample is placed, and a laser length measurement system that measures the moving position of the table. In an electron beam exposure method in which a desired pattern is exposed on a sample using an electron beam exposure apparatus, a plurality of position detection marks are provided in advance at a predetermined distance on the sample or a sample cassette holding the sample fixedly. , irradiate these marks with an electron beam, measure the distance between the marks using the laser length measurement system, detect the temperature or temperature fluctuation amount of the sample from the measured distance between the marks, and detect the detected temperature. In this method, a value corresponding to the concentration or temperature fluctuation amount is fed back to the electron optical lens barrel.
本発明によれば、電子ビーム露光装置に通常完備されて
いるマーク位置測定機能を有効利用するのみで、真空中
にある試料の温度を非接触で高精度に測定することがで
きる。このため、上記測定温度を電子光学鏡筒にフィー
ドバックすることにより、試料の温度変化に起因する露
光精度の低下を未然に防止することができ、露光精度の
大幅な向上をはかり得る。According to the present invention, the temperature of a sample in vacuum can be measured with high accuracy in a non-contact manner by simply effectively utilizing the mark position measurement function that is normally provided in an electron beam exposure apparatus. Therefore, by feeding back the measured temperature to the electron optical lens barrel, it is possible to prevent a decrease in exposure accuracy due to a change in the temperature of the sample, and it is possible to significantly improve exposure accuracy.
第１図は本発明の一実施例方法に使用した電子ビーム露
光装置を示す概略構成図である。図中１０は真空排気さ
れた試料室で、この試料室’１０内には試料ステージ２
０が配置されており、試料ステージ２０上には試料３０
を固定保持した試料カセット４０が載置されている。試
料ステージ２０はステージ駆動回路５１によりＸ方向（
紙面左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方向）に移動され
、その移動位置はレーザ測長回路５２により測定される
ものとなっている。また、試料室１０内には電子検出素
子５３が配置されており、試料３０若しくは試料カセッ
ト４０からの反射電子はこの電子検出素子５３及び反射
電子検出回路５４により検出されるものとなっている。FIG. 1 is a schematic diagram showing the structure of an electron beam exposure apparatus used in a method according to an embodiment of the present invention. 10 in the figure is a sample chamber that is evacuated, and inside this sample chamber '10 there is a sample stage 2.
0 is arranged, and a sample 30 is placed on the sample stage 20.
A sample cassette 40 holding the sample cassette fixed thereon is mounted. The sample stage 20 is moved in the X direction (
The position of the movement is measured by the laser length measuring circuit 52. Further, an electron detection element 53 is disposed within the sample chamber 10, and reflected electrons from the sample 30 or the sample cassette 40 are detected by the electron detection element 53 and the reflected electron detection circuit 54.
ここで、前記試料ステージ２０及び試料カセット４０の
具体的構成は第２図に示す通りである。Here, the specific structure of the sample stage 20 and sample cassette 40 is as shown in FIG. 2.
即ち、試料ステージ２０の側面にはレーザミラー２１が
取り付けられ、このレーザミラー２１に前記レーザ測長
回路５２からレーザビームを照射し、その反射信号を該
回路５２により検出することによって試料ステージ２ｏ
の位置が測定されるものとなっている。なお、図には示
さないが、上記レーザミラー２１はＸ方向及びＹ方向の
一方でなく、両方に取り付けられるものとなっている。That is, a laser mirror 21 is attached to the side surface of the sample stage 20, and a laser beam is irradiated from the laser length measuring circuit 52 to this laser mirror 21, and the reflected signal is detected by the circuit 52, thereby controlling the sample stage 2o.
The position of is to be measured. Although not shown in the drawings, the laser mirror 21 is attached not only to either the X direction or the Y direction, but to both directions.
また、試料カセット４０はアルミニウム等からなる平板
体の上面を一部切欠して試料３０の収容部４１を形成し
、試料３０の露光面と同一面上の４つのコーナ部に位置
検出用マーク４２ａ、４２ｂ、４２Ｃ，４２ｄをそれぞ
れ形成したものである。マーク４２ａ、〜、４２ｄは、
試料カセット４０の上面にＶ溝を、例えば十字型に形成
してなるものである。なお、図中４３は試料３０を固定
するためのストッパを示している。In addition, the sample cassette 40 is formed by cutting out a portion of the upper surface of a flat plate made of aluminum or the like to form a housing section 41 for the sample 30, and position detection marks 42a are placed at four corners on the same surface as the exposure surface of the sample 30. , 42b, 42C, and 42d, respectively. Marks 42a to 42d are
A V-groove is formed in the upper surface of the sample cassette 40, for example in the shape of a cross. Note that 43 in the figure indicates a stopper for fixing the sample 30.
一方、前記試料室１０の上方には、電子銃６１、各種レ
ンズ６２．６３．６４、各種偏向器６５゜６６及びアパ
ーチャマスク６７等からなる電子光学鏡筒６０が設けら
れている。ここで、上記電子銃６１は電子銃電源７１に
より駆動されて、所定の電子ビームを放出する。上記コ
イル６２．〜。On the other hand, above the sample chamber 10, an electron optical lens barrel 60 is provided which includes an electron gun 61, various lenses 62, 63, 64, various deflectors 65.degree. 66, an aperture mask 67, and the like. Here, the electron gun 61 is driven by an electron gun power source 71 to emit a predetermined electron beam. Said coil 62. ~.
６４は電子銃６１から放出された電子ビームを集束して
試料３０上に照射するためのもので、各コイル６２．〜
，６４にはコイル電源７２から所定の電流が供給される
。上記偏向器６５はブランキング回路７３により所定の
電圧を印加されてビームを０Ｎ−ＯＦＦするのためのブ
ランキング電極である。また、偏向器６６はビームを試
料３０上で走査するための走査用偏向板であり、この偏
向板６６には偏向制御回路７４から所定の偏向電圧が印
加されるものとなっている。64 is for focusing the electron beam emitted from the electron gun 61 and irradiating it onto the sample 30, and each coil 62. ~
, 64 are supplied with a predetermined current from a coil power supply 72. The deflector 65 is a blanking electrode to which a predetermined voltage is applied by the blanking circuit 73 to turn the beam ON-OFF. Further, the deflector 66 is a scanning deflection plate for scanning the beam on the sample 30, and a predetermined deflection voltage is applied to this deflection plate 66 from a deflection control circuit 74.
なお、図中８０は前記各回路５２．５４からの測定検出
情報を入力すると共に前記各回路５１゜７１、〜．７４
に制御指令を与えるｌ１１１１１Ｉ計算機であり、９０
はこの計算機と各回路５１，５２．５４．７１．〜．７
４とを接続するためのインターフェースである。In the figure, reference numeral 80 inputs the measurement detection information from each of the circuits 52, 54, and also inputs the measurement detection information from each of the circuits 51, 71, . 74
It is an l11111I computer that gives control commands to 90
This computer and each circuit 51, 52, 54, 71. ~． 7
This is an interface for connecting 4.
次に、上記構成の装置を用いた電子ビーム露光方法につ
いて説明する。ここで、基本的な露光方法は従来と同様
である。即ち、露光すべきパターンに応じて偏向器６５
により電子ビームを０Ｎ−ＯＦＦ制御すると共に、偏向
器６６によりビームを試料３０上で走査し、試料３０上
のレジスト等に所望のパターンを露光すると云うもので
ある。Next, an electron beam exposure method using the apparatus having the above configuration will be explained. Here, the basic exposure method is the same as the conventional method. That is, depending on the pattern to be exposed, the deflector 65
The electron beam is ON-OFF controlled by the scanner 66, and the beam is scanned over the sample 30 by the deflector 66 to expose a resist or the like on the sample 30 with a desired pattern.
本実施例方法がこれと異なる点は、露光の前に試料３０
の温度を測定し、この温度を電子光学鏡筒６０にフィー
ドバックし、ビームの偏向量、ブランキング位置及びビ
ームの集束度等を制御して、試料３０の温度或いは温度
変動に起因する露光位置ズレを補正することにある。The method of this example differs from this method in that the sample 30 is
This temperature is fed back to the electron optical lens barrel 60, and the beam deflection amount, blanking position, beam focusing degree, etc. are controlled to prevent exposure position deviations due to the temperature of the sample 30 or temperature fluctuations. The goal is to correct the
以下、試料３０の温度測定方法について説明する。この
方法では、カセット温度に応じて変化するマーク間距離
を測定し、この測定されたマーク間距離に基づいて試料
３０と略同様なｍ度を有する試料カセット４０の温度を
めるようにしている。マーク間距離を測定するには、電
子ビームで前記試料カセット４０上の２つのマーク、例
えばマーク４２ａ、４２ｂ上を走査し、このとき得られ
る反射電子信号から各マーク４２ａ、４２ｔ）の位置を
検出し、これからマーク間距離を測定する。Hereinafter, a method for measuring the temperature of the sample 30 will be explained. In this method, the distance between marks that changes depending on the cassette temperature is measured, and the temperature of the sample cassette 40 having approximately the same m degrees as the sample 30 is determined based on the measured distance between the marks. . To measure the distance between marks, an electron beam scans two marks on the sample cassette 40, for example marks 42a and 42b, and the position of each mark 42a and 42t is detected from the reflected electron signal obtained at this time. Then, measure the distance between the marks.
即ち、まず試料ステージ２０をマーク４２ａのある近傍
位置に移動する。ここで、マーク４２ａの腕の長さは試
料ステージ２０の停止位置精度の２倍より十分長くして
おく。次いで、第ａＳ （ａ）に示す如くマーク４２ａ
のＹ方向腕を電子ビームＴ１でＸ方向に走査する。これ
に同期して、マーり４２ａからの反射電子を前記電子検
出素子５３及び反射電子検出回路５４により検出する。That is, first, the sample stage 20 is moved to a position near the mark 42a. Here, the length of the arm of the mark 42a is made sufficiently longer than twice the stop position accuracy of the sample stage 20. Next, as shown in No. aS (a), mark 42a is
The Y-direction arm of the electron beam T1 is scanned in the X-direction. In synchronization with this, the electron detection element 53 and the reflected electron detection circuit 54 detect reflected electrons from the mar 42a.
このとき、反射電子信号は第３図（ｂ）示す如く変化す
る。一方、この走査を行った同じ時間内で試料ステージ
２０の位置をレーザ測長回路５２により測定する。そし
て、走査を始めてから反射電子信号波形の最低点がでる
までの時間及び走査速度等に基づいて、マーク４２ａの
Ｙ方向腕の中心点を検出する。次いで、マーク４２ａの
他のＹ方向腕を電子ビームＴ２でＸ方向に走査して、上
記と同様にして、Ｙ方向腕の中心点を検出する。そして
、この２つの中心点を結ぶマーク４２ａのＹ方向中心線
Ｐ１をめる。At this time, the reflected electron signal changes as shown in FIG. 3(b). On the other hand, the position of the sample stage 20 is measured by the laser length measuring circuit 52 within the same time period as this scanning. Then, the center point of the Y-direction arm of the mark 42a is detected based on the time from the start of scanning until the lowest point of the reflected electron signal waveform appears, the scanning speed, and the like. Next, the other Y-direction arm of the mark 42a is scanned in the X-direction with the electron beam T2, and the center point of the Y-direction arm is detected in the same manner as described above. Then, a center line P1 in the Y direction of the mark 42a is drawn which connects these two center points.
次いで、上記と同様にして、ビームＴ３ 、 Ｔ４のＹ
方向走査によりマーク４２ａのＸ方向中心線Ｐ２をめる
。そして、これらの中心線Ｐ１．Ｐ２の交点をマーク４
２ａの中心位置として測定する。このようなマーク位置
測定方法は、従来のレジストレーションマーカを用いて
直接描画を行う際のマークサーチ方法と同様である。Then, in the same manner as above, Y of beams T3 and T4 is
The center line P2 of the mark 42a in the X direction is determined by scanning the direction. And these center lines P1. Mark the intersection of P2 4
Measure as the center position of 2a. Such a mark position measuring method is similar to a mark search method when direct writing is performed using a conventional registration marker.
次いで、上記のようなマーク測定方法を用い、他のマー
ク４２ｂの中心位置を検出する。そして、検出された各
マーク４２ａ、４２ｂの中心位置からマーク間距離を測
定する。Next, the center position of the other mark 42b is detected using the mark measuring method as described above. Then, the inter-mark distance is measured from the center position of each detected mark 42a, 42b.
ここで、上記測定されたマーク間距離をＬ（ｔ）とする
。前記試料カセット４０を空気中の恒温室に置き、温度
も同時に測定可能の状態でマーク間距離を？１！ｌ是す
る。この値をＬ（１口）とする。この場合、しくｔ）の
マーク間距離が得られた時の１１ｔｔは次式を用いて計
算できる。即ち、但し、αは試料カセット４０の熱膨張
係数である。Here, the distance between marks measured above is assumed to be L(t). Place the sample cassette 40 in a constant temperature room in the air, and measure the distance between the marks while being able to measure the temperature at the same time. 1! l Yes. Let this value be L (1 mouth). In this case, when the inter-mark distance of t) is obtained, 11tt can be calculated using the following equation. That is, where α is the coefficient of thermal expansion of the sample cassette 40.
前記試料カセット４０としてアルミニウム合金製のカセ
ットを用いると
α−２，３６ｘ１０う ［／℃］
である。いま、７″のガラス基板に描画するカセットを
考えると、Ｌ（ｔｏ）を２００ ［履コくらいにとれる
。レーザ測長回路５２により高精度位置測定される試料
ステージ２０で寸法を測定する場合、０．１［μｍ］程
度のマーク検出精度は容易に得られる。When an aluminum alloy cassette is used as the sample cassette 40, the temperature is α-2.36×10[/°C]. Now, considering a cassette for drawing on a 7" glass substrate, L(to) can be set to about 200 mm. When measuring the dimensions with the sample stage 20 whose position is measured with high precision by the laser length measuring circuit 52, Mark detection accuracy of about 0.1 [μm] can be easily obtained.
以上の条件でｔの測定精度を見積ると、前記第１式より
となる。即ち、熱電対等の温度測定精度０．１［℃］よ
り高精度の測定が可能である。また、絶対温度は必要で
はないが、湿度変動を高精度で測定したい場合もある。If the measurement accuracy of t is estimated under the above conditions, it will be based on the first equation. That is, it is possible to measure the temperature with higher accuracy than the temperature measurement accuracy of 0.1 [° C.] using a thermocouple or the like. Furthermore, although absolute temperature is not necessary, there are cases where it is desired to measure humidity fluctuations with high precision.
この場合、空気中での校正が不要になり、全て真空中で
電子ビームを用いたマーク検出方法でマーク間距離を測
定すればよい。In this case, there is no need for calibration in air, and the distance between marks can be measured entirely in vacuum using a mark detection method using an electron beam.
また、マーク位置の検出を多数回行い、計算機を用いた
平均化処理を行うようにすればしく１．）の測定精度を
０．０２ ［μＴｒＬ］程度に向上させるのは容易であ
る。この場合、温度変動の測定精度Δｔ′は
となり、白金抵抗温度計程度の温度変動の測定精度が非
接触で得られる。Also, it would be better to detect the mark position many times and perform averaging processing using a computer.1. ) can be easily improved to about 0.02 [μTrL]. In this case, the temperature fluctuation measurement accuracy Δt' is as follows, and a temperature fluctuation measurement accuracy comparable to that of a platinum resistance thermometer can be obtained without contact.
かくして本実施例によれば、マーク間距離に基づき試料
３０の温度（実際には試料３０と略同温度の試料カセッ
ト４０の温度）を非接触で高精度に測定することができ
る。このため、上記測定温度に相当する値を前記電子光
学鏡筒６０にフィードバックすることにより、試料温度
の変動に伴う露光精度の低下を未然に防止することがで
き、露光精度の大幅な向上をはかり得る。また、マーク
間距離測定のために新たな構成を付加する必要もなく、
電子ビーム露光装置に通常完備されているマーク位置測
定機能を用いることにより容易に実施し得る等の利点も
ある。Thus, according to this embodiment, the temperature of the sample 30 (actually, the temperature of the sample cassette 40, which is approximately the same temperature as the sample 30) can be measured with high precision in a non-contact manner based on the distance between marks. Therefore, by feeding back the value corresponding to the measured temperature to the electron optical lens barrel 60, it is possible to prevent the exposure accuracy from decreasing due to fluctuations in the sample temperature, thereby significantly improving the exposure accuracy. obtain. In addition, there is no need to add a new configuration to measure the distance between marks.
Another advantage is that it can be easily implemented by using a mark position measurement function that is normally equipped in an electron beam exposure apparatus.
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記位置合わせ用マークは試料カセットに
限らず、試料自体に形成しておくことも可能である。さ
らに、マークの形状は十字型に限らず、Ｌ型であっても
よい。また、マークをそれ以外の部分よりも反射電子係
数の大きいもので形成し、第３図（Ｃ）に示す如き反射
電子信号に基づいてマーク位置を検出するようにしても
よい。さらに、マークの個数は４個に何等限定されるも
のではなく、少なくとも２個あればよい。Note that the present invention is not limited to the embodiments described above. For example, the alignment mark is not limited to the sample cassette, but can also be formed on the sample itself. Furthermore, the shape of the mark is not limited to a cross shape, but may be an L shape. Alternatively, the mark may be formed of a material having a larger reflected electron coefficient than other parts, and the mark position may be detected based on the reflected electron signal as shown in FIG. 3(C). Furthermore, the number of marks is not limited to four in any way, but may be at least two.
また、試料の温度或いは温度変動に基づくフィードバッ
ク制御としては、レンズの集束条件、ビームのブランキ
ング位置、偏向位置及び偏向量等を適宜選択すればよい
。さらに、電子ビーム露光装置の構成は前記第１図に何
等限定されるものではなく、仕様に応じて適宜変更可能
である。その他、木−発明の要旨を逸脱しない範囲で、
種々変形して実施することができる。Further, as feedback control based on the temperature of the sample or temperature fluctuations, the focusing conditions of the lens, the blanking position of the beam, the deflection position, the deflection amount, etc. may be appropriately selected. Further, the configuration of the electron beam exposure apparatus is not limited to that shown in FIG. 1, and can be modified as appropriate according to specifications. In addition, without departing from the gist of the invention,
Various modifications can be made.
第１図は本発明の一実施例方法に使用した電子ビーム露
光装置を示す概略構成図、第２図は試料ステージ及び試
料カセットの具体的構成を示す斜視図、第３図は本実施
例方法に係わるマーク間測定方法を説明するための模式
図である。
１０・・・試料室、２ｏ・・・試料ステージ、２１・・
・レーザミラー、３０・・・試料、４０・・・試料カセ
ット、４１・・・試料収容部、４２・・・位置検出用マ
ーク、４３・・・ストッパ、５１・・・ステージ駆動回
路、５２・・・レーザ測長回路、５３・・・電子検出素
子、５４・・・反射電子検出回路、６０・・・電子光学
鏡筒、６１・・・電子銃、６２，６３．６４・・・レン
ズ、６５．６６・・・偏向器、６７・・・アパーチャマ
スク、７１・・・電子銃側Ｌ７２−・−コイル１１！、
７３−・・ブランキング回路、７４・・・偏向制御回路
、８０・・・計算機、９０・・・インターフェース。
出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
第１図
第２図
第３図Fig. 1 is a schematic configuration diagram showing an electron beam exposure apparatus used in the method of an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a perspective view showing the specific structure of the sample stage and sample cassette, and Fig. 3 is a method of the embodiment of the present invention. FIG. 3 is a schematic diagram for explaining a method for measuring between marks related to the above. 10...Sample chamber, 2o...Sample stage, 21...
- Laser mirror, 30... Sample, 40... Sample cassette, 41... Sample storage section, 42... Position detection mark, 43... Stopper, 51... Stage drive circuit, 52... . . . Laser length measurement circuit, 53 . . . Electron detection element, 54 . . . Backscattered electron detection circuit, 60 . 65.66...Deflector, 67...Aperture mask, 71...Electron gun side L72--Coil 11! ,
73--Blanking circuit, 74--Deflection control circuit, 80--Computer, 90--Interface. Applicant's agent Patent attorney Takehiko Suzue Figure 1 Figure 2 Figure 3
Claims (1)
と、この試料室上に設けられ電子銃から放出された電子
ビームを集束加速、ブランキング及び偏向走査して試料
上に照射する電子光学鏡筒と、上記試料を載置した試料
ステージを移動駆動する駆動系と、上記ステージの移動
位置を測定するレーザ測長系とを具備してなる電子ビー
ム露光装置を用い、試料上に所望のパターンを露光する
電子ビーム露光方法において、前記試料載いは該試料を
固定保持した試料カセット上に予め所定距離離開して複
数の位置検出用マークを設け、これらのマークに電子ビ
ームを照射すると共に前記レーザ測長系を利用してマー
ク間距離を測定し、この測定されたマーク間距離から前
記試料の温度或いは温度変動ｌを検出し、この検出さ′
れた温度或いは温度変動量に相当する値を前記電子光学
鏡筒にフィードバックすることを特徴とする電子ビーム
露光方法。 （ａ 前記マーク間距離を測定する手段として、前記マ
ーク上で電子ビームを走査してその反射電子信号から該
マークの位置を検出し、次いで上記マークとは興なるマ
ーク上で電子ビームを走査してその反射電子信号から該
マークの位置を検出し、各マークの検出位置からマーク
間距離を測定するようにしたことを特徴とする特許請求
の範囲第１、項記載の電子ビーム露光方法。(1) A sample chamber that houses the sample to be subjected to electron beam exposure, and an electron beam emitted from an electron gun installed above the sample chamber, which focuses, accelerates, blanks, and scans the deflection to irradiate the sample. An electron beam exposure device is used that is equipped with an electron optical lens barrel, a drive system that moves and drives the sample stage on which the sample is placed, and a laser length measurement system that measures the moving position of the stage. In an electron beam exposure method for exposing a desired pattern, a plurality of position detection marks are provided in advance at a predetermined distance apart on the sample mount or a sample cassette holding the sample fixedly, and these marks are irradiated with an electron beam. At the same time, the distance between the marks is measured using the laser length measurement system, and the temperature or temperature fluctuation l of the sample is detected from the measured distance between the marks.
An electron beam exposure method characterized in that a value corresponding to the temperature or temperature fluctuation amount is fed back to the electron optical lens barrel. (a) As a means of measuring the distance between the marks, an electron beam is scanned over the mark and the position of the mark is detected from the reflected electron signal, and then the electron beam is scanned over a mark that is different from the mark. The electron beam exposure method according to claim 1, wherein the position of the mark is detected from the reflected electron signal thereof, and the distance between the marks is measured from the detected position of each mark.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59110226A JPS60254615A (en) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | Electron beam exposure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59110226A JPS60254615A (en) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | Electron beam exposure |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254615A true JPS60254615A (en) | 1985-12-16 |
Family
ID=14530283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59110226A Pending JPS60254615A (en) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | Electron beam exposure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60254615A (en) |
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