JPS60252929A - 基準電圧発生回路 - Google Patents
基準電圧発生回路Info
- Publication number
- JPS60252929A JPS60252929A JP10852484A JP10852484A JPS60252929A JP S60252929 A JPS60252929 A JP S60252929A JP 10852484 A JP10852484 A JP 10852484A JP 10852484 A JP10852484 A JP 10852484A JP S60252929 A JPS60252929 A JP S60252929A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- voltage
- transistor
- current
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/30—Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、基準電圧発生回路に関し、特にバンドギャッ
プリファレンス型等の安定化電圧回路を用い、出力電圧
を任意に設定できるようにした基準電圧発生回路に関す
る。
プリファレンス型等の安定化電圧回路を用い、出力電圧
を任意に設定できるようにした基準電圧発生回路に関す
る。
(従来の技術)
第4図は、従来型のバンドギャップリファレンス型の温
度補償基準電圧発生回路を示す。同図において、Q +
、 Q t、 Q sはNPli型トランジスタであ
り、特にトランジスタQIとQ、とにより一種のカレン
トミラー回路を構成する。R1はダイオード接続された
トランジスタQ1に流す電流を決定する抵抗であり、R
2とR1は基準出力電圧v0の温度勾配が例えば零とな
るように設定される抵抗である。ISはこのような基準
電圧発生回路に電流を供給する電流源である。
度補償基準電圧発生回路を示す。同図において、Q +
、 Q t、 Q sはNPli型トランジスタであ
り、特にトランジスタQIとQ、とにより一種のカレン
トミラー回路を構成する。R1はダイオード接続された
トランジスタQ1に流す電流を決定する抵抗であり、R
2とR1は基準出力電圧v0の温度勾配が例えば零とな
るように設定される抵抗である。ISはこのような基準
電圧発生回路に電流を供給する電流源である。
第4図の回路においては、トランジスタQ1とQtの回
路がカレントミラーを構成しているから、これらの各ト
ランジスタQ、およびQzに流れる電流1.および■2
の比It/1gの値は温度によらず一定となる。なお、
この電流比1 +/ I zは1より大きな値となる。
路がカレントミラーを構成しているから、これらの各ト
ランジスタQ、およびQzに流れる電流1.および■2
の比It/1gの値は温度によらず一定となる。なお、
この電流比1 +/ I zは1より大きな値となる。
抵抗R5の両端の電圧をVllとすると
■。=Vlll!l VIIE□ ・・・(11である
が、各トランジスタQ1およびQ2のベースエミッタ間
電圧■□、およびvIIE□はそれぞれとなるから となる。また抵抗R8の両端の電圧■R□はしたがって
、基準電圧出力V0は v、 = Vl123 + vxz となる。ここで、トランジスタQ3のベースエミッタ間
電圧v mtsは負の温度特性(約−2mV/℃)を有
するから、I +/ I zおよびR1/R3の値を適
切に選択することにより(6)式において第1項と第2
項の温度特性が相殺され結局基準電圧出力■。
が、各トランジスタQ1およびQ2のベースエミッタ間
電圧■□、およびvIIE□はそれぞれとなるから となる。また抵抗R8の両端の電圧■R□はしたがって
、基準電圧出力V0は v、 = Vl123 + vxz となる。ここで、トランジスタQ3のベースエミッタ間
電圧v mtsは負の温度特性(約−2mV/℃)を有
するから、I +/ I zおよびR1/R3の値を適
切に選択することにより(6)式において第1項と第2
項の温度特性が相殺され結局基準電圧出力■。
の温度特性を例えば零にすることができる。
ところが、第4図の回路におていは、(6)式より明ら
かなように出力■。の温度特性が零になるようI I/
I *およびR1/R3の値を決めると基準電圧出力
v0の大きさもおのずと決まった値となってしまい、温
度特性が零という条件下で任意の出力電圧を得ることが
できないという不都合があった。
かなように出力■。の温度特性が零になるようI I/
I *およびR1/R3の値を決めると基準電圧出力
v0の大きさもおのずと決まった値となってしまい、温
度特性が零という条件下で任意の出力電圧を得ることが
できないという不都合があった。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明の目的は、前述の従来形における問題点に鑑み、
基準電圧発生回路において、トランジスタと抵抗等によ
って構成される電圧倍率変更回路を用いるという構想に
基づき、簡単な回路構成によって温度補償された任意の
出力電圧が得られるようにすることにある。
基準電圧発生回路において、トランジスタと抵抗等によ
って構成される電圧倍率変更回路を用いるという構想に
基づき、簡単な回路構成によって温度補償された任意の
出力電圧が得られるようにすることにある。
(問題点を解決するための手段)
上述の問題を解決するため、本発明によれば第1および
第2の端子を有し、第1の端子に電流源回路を介して電
源電流が供給され、該第1の端子から安定化された電圧
を出力する電圧安定回路、該電圧安定回路の第1の端子
と該電流源回路間に順方向に挿入されたダイオード回路
、該ダイオード回路と該電流源回路との接続点にベース
が接続されエミッタがインピーダンス素子を介して前記
電圧安定化回路の第2の端子に接続されたトランジスタ
、および該トランジスタに流れる電流に応じた出力電圧
を発生する回路を具備する基準電圧発生回路が提供され
る。
第2の端子を有し、第1の端子に電流源回路を介して電
源電流が供給され、該第1の端子から安定化された電圧
を出力する電圧安定回路、該電圧安定回路の第1の端子
と該電流源回路間に順方向に挿入されたダイオード回路
、該ダイオード回路と該電流源回路との接続点にベース
が接続されエミッタがインピーダンス素子を介して前記
電圧安定化回路の第2の端子に接続されたトランジスタ
、および該トランジスタに流れる電流に応じた出力電圧
を発生する回路を具備する基準電圧発生回路が提供され
る。
(作 用)
本発明においては、上述のような構成を用いることによ
り、バンドギャップリファレンス型等の基準電圧発生回
路によって得られた電圧を2個の抵抗器の抵抗の比率に
応じて変換して出力できるから、温度補償されかつ任意
の電圧値を有する基準電圧を発生することが可能になる
。
り、バンドギャップリファレンス型等の基準電圧発生回
路によって得られた電圧を2個の抵抗器の抵抗の比率に
応じて変換して出力できるから、温度補償されかつ任意
の電圧値を有する基準電圧を発生することが可能になる
。
(実施例)
以下、図面により本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明の1実施例に係わる基準電圧発生回路
を示す。同図の回路は、第4図の回路にさらにトランジ
スタQ 4 、 Q sおよび抵抗R,,R,を追加し
たものである。すなわち、1点鎖線で囲まれた回路VC
と電流源回路Isは第4図の回路のものと同じであり、
これらの電流源ISと回路VCとの間にダイオード接続
されたトランジスタQ4が挿入されている。そして、電
流源回路isとトランジスタQ4との接続点すなわちト
ランジスタQ4のコレクタおよびベースにトランジスタ
QSのベースが接続されている。トランジスタQ。
を示す。同図の回路は、第4図の回路にさらにトランジ
スタQ 4 、 Q sおよび抵抗R,,R,を追加し
たものである。すなわち、1点鎖線で囲まれた回路VC
と電流源回路Isは第4図の回路のものと同じであり、
これらの電流源ISと回路VCとの間にダイオード接続
されたトランジスタQ4が挿入されている。そして、電
流源回路isとトランジスタQ4との接続点すなわちト
ランジスタQ4のコレクタおよびベースにトランジスタ
QSのベースが接続されている。トランジスタQ。
のエミッタは抵抗R3を介して接地され、コレクタは抵
抗R4を介して電源V ccに接続されている。
抗R4を介して電源V ccに接続されている。
なお、トランジスタQ4とQ5とは例えば同じ大きさの
ものが使用される。
ものが使用される。
第1図の回路において、トランジスタQ4に流れる電流
i、とトランジスタQ、に流れる電流■4とがほぼ等し
くなるように抵抗R7の値を設定すると各トランジスタ
Q4おびQ、のベースエミッタ間電圧V 114および
■□、が等しくなる。したがって、抵抗R2の両端の電
圧■□は回路VGの出力電圧■1と等しくなる。また、
出力端子OUTすなわちトランジスタQ5のコレクタと
電源Vce間の電圧■。と電圧■。の間には 4 ■。−□■□ ・・・(7) 5 の関係がある。したがって、 4 ■。=□■、 ・・・(8) R3 となる、上式において、電圧■、は回路VGすなわちバ
ンドギャップリファレンス型の基準電圧発生回路の出力
であり、前述のように温度変化に対して安定化されてし
室したがって、電圧■。の値は抵抗R4,Rsの比と電
圧■1で決まるから、該電圧■。も温度変化に対して安
定化された電圧となる。また、電圧■。の値は抵抗R4
とR3の比を変えることにより任意の値に設定すること
が可能となる。したがって、第1図の回路を用いること
により任意の電圧の安定化された出力電圧を得ることが
可能となる。
i、とトランジスタQ、に流れる電流■4とがほぼ等し
くなるように抵抗R7の値を設定すると各トランジスタ
Q4おびQ、のベースエミッタ間電圧V 114および
■□、が等しくなる。したがって、抵抗R2の両端の電
圧■□は回路VGの出力電圧■1と等しくなる。また、
出力端子OUTすなわちトランジスタQ5のコレクタと
電源Vce間の電圧■。と電圧■。の間には 4 ■。−□■□ ・・・(7) 5 の関係がある。したがって、 4 ■。=□■、 ・・・(8) R3 となる、上式において、電圧■、は回路VGすなわちバ
ンドギャップリファレンス型の基準電圧発生回路の出力
であり、前述のように温度変化に対して安定化されてし
室したがって、電圧■。の値は抵抗R4,Rsの比と電
圧■1で決まるから、該電圧■。も温度変化に対して安
定化された電圧となる。また、電圧■。の値は抵抗R4
とR3の比を変えることにより任意の値に設定すること
が可能となる。したがって、第1図の回路を用いること
により任意の電圧の安定化された出力電圧を得ることが
可能となる。
第2図は、本発明の他の実施例に係わる基準電圧発生回
路を示す。同図の回路は、第2図の回路にトランジスタ
Q4.Q!1と同じ特性を有するトランジスタQ、と抵
抗Rh、R’rを追加したものである。
路を示す。同図の回路は、第2図の回路にトランジスタ
Q4.Q!1と同じ特性を有するトランジスタQ、と抵
抗Rh、R’rを追加したものである。
第2図の回路におていは、各トランジスタQ a 。
Q s、 Q hに流れる電流13.In、Isが等し
くなるように抵抗R1およびR?の値を設定すると各ト
ランジスタQa、QS、Q6のベースエミ・ツタ間電圧
V B!4+ ■BE%+ ■□6が等しくなる。した
がって、これらの各トランジスタQ a、 Q s、
Q hのエミッタとグランド間の電圧Vl、 VIS
、 Vatがすべて等しくなるから、各出力電圧V、、
、V。8はそれぞれとなる。これらの式から明らかなよ
うに、抵抗R4とR1およびR4とR1の比を設定する
ことによって2種類の独立した基準電圧■。、および■
。2を得ることができる。
くなるように抵抗R1およびR?の値を設定すると各ト
ランジスタQa、QS、Q6のベースエミ・ツタ間電圧
V B!4+ ■BE%+ ■□6が等しくなる。した
がって、これらの各トランジスタQ a、 Q s、
Q hのエミッタとグランド間の電圧Vl、 VIS
、 Vatがすべて等しくなるから、各出力電圧V、、
、V。8はそれぞれとなる。これらの式から明らかなよ
うに、抵抗R4とR1およびR4とR1の比を設定する
ことによって2種類の独立した基準電圧■。、および■
。2を得ることができる。
第3図は、本発明のさらに他の実施例に係わる基準電圧
発生回路を示す。同図の回路は、第1図の回路における
トランジスタQ、のコレクタ抵抗R4に替えてダイオー
ド接続されたPNP型トランジスタQ、を用い、PNP
型トランジスタQ、とベースおよびエミッタがそれぞれ
共通接続されたPNP型トランジスタQ、と該トランジ
スタQ、のコレクタとグランド間に接続された抵抗R4
を追加したものである。その他の部分は第1図の回路と
同じであり、同一部分には同一参照符号が付されている
。なお、トランジスタQ、とQ、は例えば同じ大きさの
ものが使用される。
発生回路を示す。同図の回路は、第1図の回路における
トランジスタQ、のコレクタ抵抗R4に替えてダイオー
ド接続されたPNP型トランジスタQ、を用い、PNP
型トランジスタQ、とベースおよびエミッタがそれぞれ
共通接続されたPNP型トランジスタQ、と該トランジ
スタQ、のコレクタとグランド間に接続された抵抗R4
を追加したものである。その他の部分は第1図の回路と
同じであり、同一部分には同一参照符号が付されている
。なお、トランジスタQ、とQ、は例えば同じ大きさの
ものが使用される。
第3図の回路においては、前述の各実施例の回路と同様
に抵抗R3の両端の電圧■。が温度に対して安定な基準
電圧■1に等しくなる。また、トランジスタQ7とQ、
はカレントミラー回路を構成するから抵抗R3を流れる
電流■4と抵抗R4を流れる電流■、とは等しくなる。
に抵抗R3の両端の電圧■。が温度に対して安定な基準
電圧■1に等しくなる。また、トランジスタQ7とQ、
はカレントミラー回路を構成するから抵抗R3を流れる
電流■4と抵抗R4を流れる電流■、とは等しくなる。
したがって、となる。すなわち、温度に対して安定な基
準電圧を接地電位に対して得ることが可能となり、その
大きさは抵抗R3とR4との比によって任意に設定する
ことができる。なお、第3図の回路において、トランジ
スタQ、および抵抗R4からなる回路と同様の回路をト
ランジスタQ7のベースに複数組接続して複数種類の基
準電圧を得るようにすることも可能である。
準電圧を接地電位に対して得ることが可能となり、その
大きさは抵抗R3とR4との比によって任意に設定する
ことができる。なお、第3図の回路において、トランジ
スタQ、および抵抗R4からなる回路と同様の回路をト
ランジスタQ7のベースに複数組接続して複数種類の基
準電圧を得るようにすることも可能である。
(発明の効果)
このように、本発明によれば、簡単な回路構成により、
任意の電圧の安定化された出力電圧を得ることが可能に
なり、バンドギャップリファレンス型等の温度補償基準
電圧発生回路の応用範囲をさらに広げることが可能とな
る。また、本発明によれば、少数の部品の追加で複数系
統の任意の値の基準電圧を出力することが可能となり、
基準電圧発生回路の回路構成を簡単にしてコストを低下
させることが可能になる。
任意の電圧の安定化された出力電圧を得ることが可能に
なり、バンドギャップリファレンス型等の温度補償基準
電圧発生回路の応用範囲をさらに広げることが可能とな
る。また、本発明によれば、少数の部品の追加で複数系
統の任意の値の基準電圧を出力することが可能となり、
基準電圧発生回路の回路構成を簡単にしてコストを低下
させることが可能になる。
44、図面の簡単な説明
第1図、第2図及び第3図はそれぞれ本発明の実施例に
係わる基準電圧発生回路を示す電気回路図、そして第4
図は従来形の基準電圧発生回路を示す電気回路図である
。
係わる基準電圧発生回路を示す電気回路図、そして第4
図は従来形の基準電圧発生回路を示す電気回路図である
。
Q、、Q、、・・・、Qll:)ランジスタ、R,、R
,、・・・1 R7:抵抗、 IS:電流源回路。
,、・・・1 R7:抵抗、 IS:電流源回路。
特許出願人
富士通株式会社
特許出願代理人
弁理士 青 木 朗
弁理士西舘和之
弁護士内田幸男
弁理士 山 口 昭 之
第2図
cc
第3図
cc
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、第1および第2の端子を有し、第1の端子に電流源
回路を介して電源電流が供給され、該第1の端子から安
定化された電圧を出力する電圧安定化回路、該電圧安定
化回路の第1の端子と該電流源回路間に1頓方向に挿入
されたダイオード回路、該ダイオード回路と該電流源回
路との接続点にベースが接続されエミッタがインピーダ
ンス素子を介して前記電圧安定化回路の第2の端子に接
続されたトランジスタ、および8亥トランジスタに流れ
る電流に応じた出力電圧を発生する回路を具備する基準
電圧発生回路。 2、該ダイオード回路はコレクタとベース間が接続され
たトランジスタによって構成される特許請求の範囲第1
項に記載の基準電圧発生回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10852484A JPS60252929A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 基準電圧発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10852484A JPS60252929A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 基準電圧発生回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60252929A true JPS60252929A (ja) | 1985-12-13 |
Family
ID=14486984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10852484A Pending JPS60252929A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 基準電圧発生回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60252929A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06102947A (ja) * | 1992-09-24 | 1994-04-15 | Nec Kansai Ltd | 電源回路 |
US6363029B1 (en) | 1985-07-22 | 2002-03-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device incorporating internal power supply for compensating for deviation in operating condition and fabrication process conditions |
-
1984
- 1984-05-30 JP JP10852484A patent/JPS60252929A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6363029B1 (en) | 1985-07-22 | 2002-03-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device incorporating internal power supply for compensating for deviation in operating condition and fabrication process conditions |
US6970391B2 (en) | 1985-07-22 | 2005-11-29 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor device incorporating internal power supply for compensating for deviation in operating condition and fabrication process conditions |
US7002856B2 (en) | 1986-07-18 | 2006-02-21 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor device incorporating internal power supply for compensating for deviation in operating condition and fabrication process conditions |
JPH06102947A (ja) * | 1992-09-24 | 1994-04-15 | Nec Kansai Ltd | 電源回路 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5229711A (en) | Reference voltage generating circuit | |
JPS6327912A (ja) | 基準電圧発生回路 | |
GB2212633A (en) | Two-terminal temperature-compensated current source circuit | |
US4507573A (en) | Current source circuit for producing a small value output current proportional to an input current | |
JPH04266110A (ja) | バンドギャップ基準回路 | |
US4264873A (en) | Differential amplification circuit | |
JPS5925244B2 (ja) | 電流安定化回路 | |
JPH0544845B2 (ja) | ||
JP3157746B2 (ja) | 定電流回路 | |
KR100251576B1 (ko) | 기준 전압 발생기 | |
JPS60252929A (ja) | 基準電圧発生回路 | |
JP4674947B2 (ja) | 定電圧出力回路 | |
JPS58144920A (ja) | 定電流回路 | |
JPH0225561B2 (ja) | ||
KR0152161B1 (ko) | 밴드갭 기준 전압 발생 회로 | |
JP3736077B2 (ja) | 電圧比較回路 | |
JPH0477329B2 (ja) | ||
KR900008361B1 (ko) | 이득제어 수단을 구비한 전류 미러형 증폭회로 | |
JP3547895B2 (ja) | 定電流発生回路 | |
SU1711135A1 (ru) | Стабилизатор напр жени посто нного тока | |
JP3403054B2 (ja) | 温度特性補正回路 | |
JP2966428B2 (ja) | 微小電流源 | |
JP3161929B2 (ja) | 電圧変換回路 | |
JPH067379Y2 (ja) | 基準電圧源回路 | |
JPH09146648A (ja) | 基準電圧発生回路 |