JPS60251294A - ニッケルめっき装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） に印刷回路板の端子部の下地ニッケルめっき等に用いれ
ば、実用上の効果の高い装置に関する。

（発明の技術的背景とその問題点） 印刷回路板の端子部の形状は、第２図に示すように絶縁
基板（１）の片面もしくは両面に導電パターン状の銅層
（２）が形成され、銅層（２）の主要部にはハンダ層（
３）が積層されている形態が一般的である。

しかしながら、端子部分は、空気中で酸化せず、したが
って接触抵抗の低い金メッキ層（５）を採用することが
多い。この金めつき層（５）は、金の銅層（２）への拡
散を防止するために、多（の場合、銅層１２）の上に直
接施されるのではなく、ニッケル下地層１４）を介して
金めつき層（５１が形成されるのが普通である。

金めつき層（５１の下地として銅層１２）の上に、ニッ
ケルめっきを施す場合、作業性の見地からスルファミン
酸ニッケルを用いる高速ニッケル浴が賞月されている。

工場において連続的に大量生産される印刷回路板に対し
ては、端子下地層も高速度で施されるのが良く、スルフ
アミノ酸ニッケル浴はその高速性によって採用される。

前述のようなニッケル下地層（４）の性状としては、そ
の上の金めつき層（５）との密着強度が高いことが好ま
しいという観点から、表面が無光沢でマント状、梨地状
のニッケル・めっき層が望ましい。しかＬながら、スル
ファミノ酸ニッケル浴を長期間運転し、積算通電量が多
くなると、ニッケル下地層（４）が表面光沢めっきとな
る傾向があり、その結果その上に施される金めつき層ｆ
５＋の密着性が低下し、接着テープによる剥離試験で金
めつき層（５１が剥離するという不良を招いた。

（発明の目的） 本発明は、以上のような問題点を解決し、スルファミン
酸ニッケル浴を長期間の使用に対しても良好な恒常状態
を保てるようにしたものである。

（発明の概要） すなわち、本発明は、印刷回路板等の被動にめっキを施
すスルファミン酸二・ノケルめつき水槽とは別に、空電
解槽を設け、該空電解槽と水槽の浴液な循環させる機構
を設け、前記空電解槽の浴液をｒ過装置との間で循環濾
過させることを特徴とするニッケルめっき装置である。

（発明の詳細な 説明の実施例を示す第１図に基（・て以下に詳細に説明
すると、スルファミン酸二、ノケルめっきの水槽（６）
は、例えば下記に示すような液組成のものを用いる。

［１１めっき浴液組成 Ｐ　Ｈ値・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・２０〜２４液温は、５５°Ｃで、電流密度
は１０〜２５Ａ／ｄコの高速めっきである。アノード（
７１にはチタン白金の不溶性電極を用い、カソード（８
）には被メッキ物を吊り下げる。メンキ液の水槽（６）
の液量は２００１とし、図では明らかでないがメッキ液
を流動循還させる高速めっき法を用いている。

一方、ポンプ（９１を付設した輸液管００１にて連らな
る空電解槽（１１１には、アノードとしてニッケルテッ
プを収納したチタンケース電極ｆ１．２１を用い、カソ
ードには電極表面積を多くするためにステンレスメソシ
ュを巻いた網状電極（１３）を用いる。

この空電解槽（１１には、そればかりでなく、空電解に
よる不純物や水槽（６）にて生じた不純物を回収６− するためのｒ過装置（１４）を付設する。すなわちポン
プ（国により空電解槽（１１１の液をｒ過装置（１４）
へ送り込み、再び空電解槽（１１）へ還流するものであ
る。沢過装置Ｃ１４）には粉末活性炭をめっき液量１１
）ットルあたり５〜ｓａｇ使用したｆ渦層を用いるのが
適当である。

本発明のメノギ方法の実施態様としては、水槽重］の運
転を一定期間行ない、めっき層の性状の変化に応じて、
水槽（６）の浴液の全てな空電解解槽重）に移し、空電
解およびｒ過操作を行なうことがあげられる。しかし、
この手段では空電解中に水槽（６）のメッキ操作が出来
ないので断続的なメッキ操作となる。望ましくは、水槽
（６）と空電解槽重）の間で絶えず浴液な循還させなが
ら、空電解槽（１１１に常時通電してメッキ液を常に恒
常状態に保ち水槽（６）のメッキ操作を連続して行なう
という態様があげられる。

（実施例） 米国マイクロプレート社製の液循環式の高速めつき装置
を用いて、印刷回路板の端子部分に二ン４− ケルメッキを行なった。めっき条件はスルフアミノ酸ニ
ッケル浴で なる浴組成を用い、浴温度５５℃、電流密度１０〜２５
Ａ／ｄゴであり、浴液量は２００１である。なお、スル
フアミノ酸ニッケルは使用分だけ外部より補充した。こ
の状態で５日間連続運転を行ない、しかるのち浴液を全
て第１図に示す空電解槽に移し、液温度４０℃で電流密
度０１Ａ／ｄｍの空電解を２４時間行ない、同時に粉末
活性炭２０００ｇをｒ渦層とする沢過装置にて浴液を精
製した。このような空電解処理を行なうことにより、無
光沢で表面マット状乃至梨地状の二、ノケルめっき層が
浴液１リツトルあたり通電量５０ＡＨ以上にわたって得
られ、その上に積層する金めつき層との密着性も極めて
強固で良好なものであった。

（発明の効果） 以上のように本発明は、空電解層と沢過装置を付設する
ことにより、二・ケルめっき水槽の浴状態を恒常状態に
保つものであり、無光沢梨地状のニッケルめっき浴の長
寿命化、めっき作業の安定化に寄与し、実用上極めて優
れた装置である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のニッケルめっき装置の一実施例を示す
説明概略図であり、第２図は本発明のニッケルめっき装
置が適用できる印刷回路板の電極端子部を示す断面図で
ある。 （６）・・・本　槽　（７１・・・アノード　（８）・
・・カソード（９）・・・ポンプ　００）・・・輸液管
　圓・・・空電解槽（１２）・・・チタンケース電極　
（１３１・・・網状電極（１４）・・・沢過装置　（１
５１・・・ポンプ特　許　出　願　人 凸版印刷株式会社 代表者鈴木和夫 （ダト１　づら） ７−

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （ＩＩ被メッキ物にめっきを施すスルファミン酸ニッケ
   ルめっき浴の水槽と、該水槽の浴液な空電解処理する空
   電解槽と、前記水槽と空電解槽の間で浴液な循還させる
   機構を設け、前記空電解槽にその浴液を循還沢過才るｒ
   過装置を付設したことを特徴とするニッケルめっキ装置
   。