JPS6024833A - 半導体レ−ザ医療装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体レーザを用いだレーザ医療装置に関する
ものである。

従来例の、構成とその問題点 レーザ光を人体に照射することにより、肩こりなどの症
状が治療できることが報告されている。

このレーザ光を用いた従来の医療装置は、たとえば、第
１図に示すようにガスレーザまたは固体レーザ装置１か
ら光ファイバ２でレーザ光を取出し、患部に照射するよ
うにしている。

しかし、この装置ではレーザ装置が大きくなり、また本
体と照射部が離れるため取り扱いが不便という欠点があ
った。この欠点を解決するため、小形・軽量で消費電力
が小さい半導体レーザを使ってレーザ光照射部と本体と
を一体化して・・ンディータイプとし取り扱いを簡単に
した健康・治療器が考えられている。しかし従来、使用
されているＧ　ａ　Ａ　Ｉ　Ａ　ｓ系レーザは波長がｏ
、８５μｍ程度であり、この波長では、皮膚の表面で光
のほとんどが吸収され、患部が皮膚から深い場合、治療
効果が小さいという欠点があった。一方、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ系半導体レーザは波長１．３〜１．６μｍの発光が可
能であり、この波長の光は皮膚から深く入り、深部での
治療効果を大きくすることが出来る。しかし、ＩｎＧａ
ＡｓＰ系レーザは比較的、出力が小さいという欠点があ
り、一般に使用されていなかっ／ζ０この様に、従来の
半導体医療装置では、光出力を太きくすることに重点が
おかれ、患部が皮膚から深い場合の治療効果を考慮に入
れていなかった。

発明の目的 本発明は上記欠点を除去しようとするものであり、皮膚
表面と深部の両方で治療効果を上げるものである。

発明の構成 本発明はたとえばＧ　ａ　ＡｊＪ系半導体レーザとＩｎ
Ｐ系半導体レーザのように波長の異なる半導体レーザを
構成・要素とする半導体レーザ医療装置である。

実施例の説明 本発明の一実施例について第２ジ１とともに説ワ」する
。半導体レーザｓａ、３ｂは波長０．８５μｍで発振す
るＡ　ａ　Ａ　ｓ光半導体レーザであり、３ｃ。

３ｄは波長１．３μｍで発振するＩｎＰ系半導体レーザ
である。これらのレーザをリング状に配列し、集光レン
ズ４ａ　、４ｂ　、４ｃ　、４ｄを用いて円の中心に集
光する。円の中心にはピラミッド状構造の反射体５配置
し、進行方向をほぼ直角にまげ、集光レンズ６を用いて
再び集光するとレーザのスポットが近接して結像させる
ことができる。この様に複数のレーザを使用すれは、出
力を大きくすることが出来、ＩｎＰ系レーザ欠点である
低出力の問題も解決出来る。

発明の詳細 な説明した様に本発明によれば、波長の異なるレーザ光
を出力するＧ　ａ　Ａ　ｓ系とＩｎＰ系の半導体レーザ
を使用することにより小型であるという特徴を失うこと
なく、皮膚表面とともに、皮膚から深い部分でもレーザ
光の影響を及ぼされ治療効果を上げることが出来る。

【図面の簡単な説明】

蒸装置の要部の分解斜視図である。 ３　ａ　、　３　ｂ・＝・・−ＡａＡｓ系半導体レーザ
、３ｃ。 ３ｄ・・・・・・ＩｎＰ系半導体レーザ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 レーザ医療装置。 （２）　ＧａＡｓ系半導体レーザと、Ｉ’ｎＰ系半導体
   レー