JPS60246294A - 単結晶の育成方法 - Google Patents
単結晶の育成方法Info
- Publication number
- JPS60246294A JPS60246294A JP10037584A JP10037584A JPS60246294A JP S60246294 A JPS60246294 A JP S60246294A JP 10037584 A JP10037584 A JP 10037584A JP 10037584 A JP10037584 A JP 10037584A JP S60246294 A JPS60246294 A JP S60246294A
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- JP
- Japan
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- single crystal
- growth
- radiofrequency
- shape
- crystal
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
- C30B15/28—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using weight changes of the crystal or the melt, e.g. flotation methods
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は単結晶の育成方法に係シ、特に高周波誘導加熱
炉を用いた回転引上げ法による単結晶育成の制御方法に
関する。
炉を用いた回転引上げ法による単結晶育成の制御方法に
関する。
本発明は任意の単結晶（たとえば、半導体、金属、酸化
物、光学結晶等）の製造に適用でき、また高周波誘導加
熱炉の構造に制約されることなく適用できる。
物、光学結晶等）の製造に適用でき、また高周波誘導加
熱炉の構造に制約されることなく適用できる。
高周波誘導加熱炉を用いた回転引上げ法による単結晶の
育成において、結晶径の制御は極めて重要である。なぜ
ならば、育成中の急激な直径の変化はクラックや格子欠
陥の原因となり、さらに結晶径が不均一であると直径を
そろえるための工程を必要として歩留シが低下するから
である。そこで、従来から結晶の重量変化を検出して制
御する方法やテレビカメラによって結晶の外形を検出し
て制御する方法等が提案されている。
育成において、結晶径の制御は極めて重要である。なぜ
ならば、育成中の急激な直径の変化はクラックや格子欠
陥の原因となり、さらに結晶径が不均一であると直径を
そろえるための工程を必要として歩留シが低下するから
である。そこで、従来から結晶の重量変化を検出して制
御する方法やテレビカメラによって結晶の外形を検出し
て制御する方法等が提案されている。
重量変化を検出する方法は、結晶の育成に伴う結晶又は
溶液の重量変化をたとえばロードセル等で検出し、その
重量変化量に基づいて予め経験的に決められている温度
プログラム等に沿って炉の温度を調節し、結晶径を制御
するものである。
溶液の重量変化をたとえばロードセル等で検出し、その
重量変化量に基づいて予め経験的に決められている温度
プログラム等に沿って炉の温度を調節し、結晶径を制御
するものである。
したがって、育成される単結晶の形状は経験的に決定さ
れ、所望の形状の単結晶を得ることはできない、という
問題点を有していた。また温度プログラム等も過去のデ
ータから良好と思われるものが採用されるために、側構
造の炉を用いた場合に適用できなくなる。という問題点
も有していた。
れ、所望の形状の単結晶を得ることはできない、という
問題点を有していた。また温度プログラム等も過去のデ
ータから良好と思われるものが採用されるために、側構
造の炉を用いた場合に適用できなくなる。という問題点
も有していた。
さらに、従来の育成方法では、単結晶の肩部は自然的成
長に委ねられているために、肩部の形状を任意に設定す
ることができなかった。そのために、肩部から直胴部に
かけての育成が不安定となり、クランクや格子欠陥の原
因となっていた。
長に委ねられているために、肩部の形状を任意に設定す
ることができなかった。そのために、肩部から直胴部に
かけての育成が不安定となり、クランクや格子欠陥の原
因となっていた。
また、任意の形状の結晶を育成する方法として。
摺動式プログラマ−と高精度ヘリオームとを組合せた自
動直径制御法が提案されている（特開昭５０−１２８６
８６ ）。
動直径制御法が提案されている（特開昭５０−１２８６
８６ ）。
しかしながら、この自動直径制御法は、７″ログラムの
変化をアルミ板尋の形状で表現し、その形状に沿って摺
動抵抗を変化させるという機械的な可動要素を有してい
る。そのために、構造が複雑化し、又制御の信頼性およ
び精度が特に肩部において十分ではかいという問題点が
あった。
変化をアルミ板尋の形状で表現し、その形状に沿って摺
動抵抗を変化させるという機械的な可動要素を有してい
る。そのために、構造が複雑化し、又制御の信頼性およ
び精度が特に肩部において十分ではかいという問題点が
あった。
さらに大きな問題点として、この自動直径制御法は実際
に成長しつ′）ある単結晶の状態を把握していないため
に、結晶の育成については全面的に過去のデータ、すな
わち経験に委ねられている。
に成長しつ′）ある単結晶の状態を把握していないため
に、結晶の育成については全面的に過去のデータ、すな
わち経験に委ねられている。
本発明は上記従来の問題点に鑑み成されたものでおり、
その目的は経験的な処理を必要とせず、かつ使用する炉
の構造に関係なく、任意の形状の単結晶を容易にしかも
高精度に育成することができる単結晶の育成方法を提供
することにある。
その目的は経験的な処理を必要とせず、かつ使用する炉
の構造に関係なく、任意の形状の単結晶を容易にしかも
高精度に育成することができる単結晶の育成方法を提供
することにある。
上記目的を達成するために、本発明は
高周波誘導加熱炉から回転引上げ法によって単結晶を育
成する方法において。
成する方法において。
前記単結晶の設定形状から算出された重量変化量と短時
間周期で実際に検出される重量変化量との差を算出し。
間周期で実際に検出される重量変化量との差を算出し。
該差を縮めるように前記高周波誘導加熱炉への高周波出
力を調節する。
力を調節する。
ことを特徴とする単結晶の育成方法である。
以下１本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明による単結晶の育成方法の一実施例を採
用した装置のブロック図である。
用した装置のブロック図である。
同図において、るつぼ１は耐火構造材２内に設置され、
耐火構造材２の外側に高周波誘導コイル３が設けられて
いる。
耐火構造材２の外側に高周波誘導コイル３が設けられて
いる。
このような構成を有する高周波誘導加熱炉において、る
つぼ１に充填された多結晶原料は、高周波誘導コイル３
に高周波電流が流れることで加熱され融液４となる。融
液４の温度が単結晶育成にとって最適となった時点にお
いて、引上軸５の下端に固定された種結晶６を融液４に
浸し、工くなじませてから適尚な回転速度で引上げるこ
とで。
つぼ１に充填された多結晶原料は、高周波誘導コイル３
に高周波電流が流れることで加熱され融液４となる。融
液４の温度が単結晶育成にとって最適となった時点にお
いて、引上軸５の下端に固定された種結晶６を融液４に
浸し、工くなじませてから適尚な回転速度で引上げるこ
とで。
（５）
単結晶７が育成される。ただし、引上軸５を駆動する手
段は図示されていない。
段は図示されていない。
このように、高周波誘導加熱炉を用い回転引上げ法によ
って単結晶７を育成する装置において。
って単結晶７を育成する装置において。
引上軸５の上方に単結晶７の重量を検出するロードセル
８を設ける。ロードセル８の検出データは増幅器９で増
幅された後、Ａ力変換器１０によってデジタル化され、
比較・演算部１１へ入力する。
８を設ける。ロードセル８の検出データは増幅器９で増
幅された後、Ａ力変換器１０によってデジタル化され、
比較・演算部１１へ入力する。
比較・演算部１１は、Ａ］変換器１０から出力される検
出データと、設定形状を格納している設定形状記憶部１
２（以下、記憶部１２と記す）からの目標設定値とを入
力して比較および演算処理を行う。その結果はＤ／Ａ変
換器１３によってアナログ化され、目標値としてＰＩＤ
制御部１４へ入力する。
出データと、設定形状を格納している設定形状記憶部１
２（以下、記憶部１２と記す）からの目標設定値とを入
力して比較および演算処理を行う。その結果はＤ／Ａ変
換器１３によってアナログ化され、目標値としてＰＩＤ
制御部１４へ入力する。
ＰＩＤ制御部１４は、 Ｄ／Ａ変換器１３からの目標値
と、高周波電力発振器１５（以下、ＲＦ発振器１５とす
る）からの高周波出力とを入力し、ＲＦ発振器１５の高
周波出力を制御する。
と、高周波電力発振器１５（以下、ＲＦ発振器１５とす
る）からの高周波出力とを入力し、ＲＦ発振器１５の高
周波出力を制御する。
ＢＰ発振器１５からの高周波出力は高周波誘導（６）
コイル３に供給され、高周波出力を増減させることで、
るつぼ１内の融液４の温度を同じく増減させることがで
きる。
るつぼ１内の融液４の温度を同じく増減させることがで
きる。
このような構成および基本動作を有する装置を用い９本
実施例について第２図および第３図を参照しながら説明
する。
実施例について第２図および第３図を参照しながら説明
する。
第２図は育成しようとする単結晶の形状を表わしたグラ
フであり、横軸は長さ、縦軸は半径である。
フであり、横軸は長さ、縦軸は半径である。
単結晶を育成する場合、肩部は短い方が歩留まシの点で
望ましい。しかし、短くするために肩部を急激に成長さ
せると、クラック等の原因となるばかりでなく、直胴部
すへ移行する時にオーバーシーートシ結晶径が不均一に
なってしまう。そこで本実施例では、設定形状Ｓの肩部
をａ、とａ。
望ましい。しかし、短くするために肩部を急激に成長さ
せると、クラック等の原因となるばかりでなく、直胴部
すへ移行する時にオーバーシーートシ結晶径が不均一に
なってしまう。そこで本実施例では、設定形状Ｓの肩部
をａ、とａ。
の２段に分け、肩部の形状に丸みをつけて、結晶育成が
直胴部ｂヘスムーズに進行するようにした。
直胴部ｂヘスムーズに進行するようにした。
たとえば、肩部ａ１およびａ、の形状を楕円の一部とし
、楕円の短軸と長袖の比をそれぞれｌ−Ｌ／ｒｌ＋４
／ ｒ ＠に選ぶことで１図示されるように丸みを帯び
、直胴部すにスムーズにつながる肩部を形成することが
できる。
、楕円の短軸と長袖の比をそれぞれｌ−Ｌ／ｒｌ＋４
／ ｒ ＠に選ぶことで１図示されるように丸みを帯び
、直胴部すにスムーズにつながる肩部を形成することが
できる。
このような設定形状Ｓの長さｔｌおよび任意の長さｔに
対応する半径ｒのデータが方程式等の形式で記憶部１２
に格納されている（第１図参照）。
対応する半径ｒのデータが方程式等の形式で記憶部１２
に格納されている（第１図参照）。
第３図は本実施例のフローチャートでおる。以下、この
フローチャートに従って第１図に示される装置の動作を
具体的に説明する。
フローチャートに従って第１図に示される装置の動作を
具体的に説明する。
先ず、記憶部１２に第２図に示されるような設定形状を
格納し、所定の初期化を行なう（ＳＴＩ ）。
格納し、所定の初期化を行なう（ＳＴＩ ）。
そして、図示されていない駆動手段を作動させ。
引上軸５を適当な速度で回転させながら引上げ。
単結晶７の育成を開始する。
続いて、比較・演算部１１は、重量検出データをＡ／Ｄ
変換器１０から入力しく５Ｔ２） 、その時点での重量
変化量ΔＷｒを算出する（ ＳＴ３ ）。
変換器１０から入力しく５Ｔ２） 、その時点での重量
変化量ΔＷｒを算出する（ ＳＴ３ ）。
さらに、比較・演算部１１は、記憶部１２に格納されて
いる設定形状Ｓから目標となる重量変化量ΔＷ１を次式
により算出する（ ＳＴ４ ）。
いる設定形状Ｓから目標となる重量変化量ΔＷ１を次式
により算出する（ ＳＴ４ ）。
ただし１ｒ；設定形状Ｓの半径
Ｒ；使用るつぼの有効内径の半径
σ、；結晶密度
ａ□；融液密度
Δｔ；引上速度
また、実際の引上げ距離ｔｒは、育成が進むにつれて融
液４の液面が降下するために、引上速度と液面降下分と
を加算した値となる。
液４の液面が降下するために、引上速度と液面降下分と
を加算した値となる。
そこで、まず液面降下分Δｈを次式で算出する。
ただし＋ ｒ６は実測された重量変化量ΔＷｒよυ次式
によって算出された半径でおる。
によって算出された半径でおる。
そして、それまでのデータ入力（ＳＴ２）回数をｎとし
、その各時点での引上速度をΔ１ｊ、液面降下（９） 分をΔｈｊとすると、ある時点での実引上げ長ｔ、は次
式でめられる。
、その各時点での引上速度をΔ１ｊ、液面降下（９） 分をΔｈｊとすると、ある時点での実引上げ長ｔ、は次
式でめられる。
こうして、現時点での実引上げ長ｔｒが算出される（Ｓ
Ｔ５）。
Ｔ５）。
続いて、実引上げ長ｔｒが設定形状Ｓの設定長ｔｉに達
したか否かが判断される（ＳＴ６）。
したか否かが判断される（ＳＴ６）。
Ｌｒ＜ｔ＋であれば（ＳＴ６のＮｏ）、次に、目標とな
る重量変化量ΔＷ１と実測された重量変化量１１ＩＷｒ
との差１ΔＷ１−ΔＷｒｌが算出され、その差が所定値
δよシ大きいか否かが判断される（ ＳＴ７ ）。
る重量変化量ΔＷ１と実測された重量変化量１１ＩＷｒ
との差１ΔＷ１−ΔＷｒｌが算出され、その差が所定値
δよシ大きいか否かが判断される（ ＳＴ７ ）。
１ΔＷｒ−ΔＷ＋ １≦δであれば（ＳＴ７のＮｏ）、
結晶育成が設定形状Ｓに従って進行していると判断し。
結晶育成が設定形状Ｓに従って進行していると判断し。
ＰＩＤ制御部１４へ出力する目標値を変化させない。
したがって、ＲＦ発振器１５から高周波誘導コイル３へ
供給される高周波電力も変化せず、融液４の温度は維持
される。
供給される高周波電力も変化せず、融液４の温度は維持
される。
このように、目標となる重量変化量ΔＷ１と実測された
重量変化量ΔＷｒとの差が周定値δ以内であ（１０） れば、 ＳＴ２〜ＳＴ７が繰返えされる。
重量変化量ΔＷｒとの差が周定値δ以内であ（１０） れば、 ＳＴ２〜ＳＴ７が繰返えされる。
それに対して、目標となる重量変化量ΔＷｌと実測され
た重量変化量ΔＷｒとの差が所定値δよシ大きければ（
Ｓｒ１のｙＥｓ） 、育成量を加減する必要がある。
た重量変化量ΔＷｒとの差が所定値δよシ大きければ（
Ｓｒ１のｙＥｓ） 、育成量を加減する必要がある。
そこで先ず、現時点における実測された重量変化量ΔＷ
ｒの変化方向ΔΔＷｒを算出する（Ｓｒ８）。ただし変
化方向ΔΔＷｒは、正、負、又はゼロのいずれかを示す
ものとする。
ｒの変化方向ΔΔＷｒを算出する（Ｓｒ８）。ただし変
化方向ΔΔＷｒは、正、負、又はゼロのいずれかを示す
ものとする。
続いて、目標となる重量変化量ΔＷ１と実測された重量
変化量ΔＷｒの大小関係を判断する（Ｓｒ９）。
変化量ΔＷｒの大小関係を判断する（Ｓｒ９）。
実測された重量変化量ΔＷｒの方が小さければ（Ｓｒ９
のＮｏ）、単結晶７の育成量が小さいわけであるから融
液４の温度を下げて育成を促進する必要がある。その際
、上記両型量変化量の差１ ＃、−＃ｌ ｌおよび変化
方向ΔΔＷｒを考慮してＰＩＤ制御部１４へ出力する目
標値を変化させ、ＲＦ発振器１５の出力を減少させる（
ＳＴＩＯ）。
のＮｏ）、単結晶７の育成量が小さいわけであるから融
液４の温度を下げて育成を促進する必要がある。その際
、上記両型量変化量の差１ ＃、−＃ｌ ｌおよび変化
方向ΔΔＷｒを考慮してＰＩＤ制御部１４へ出力する目
標値を変化させ、ＲＦ発振器１５の出力を減少させる（
ＳＴＩＯ）。
より詳しく言えば、変化方向ΔΔＷｒが正、すなわち単
結晶７の育成量は小さいがその重量変化量ΔＷ、が増加
傾向にある場合は、ＲＦ発振器１５の出力減少量を小さ
くするようにＰＩＤ制御部１４へ出力する目標値を変化
させる。逆に、変化方向ΔΔＷｒが負、すなわち単結晶
７の育成量が小さく、しかも重量変化量ΔＷｒが減少傾
向にある場合は。
結晶７の育成量は小さいがその重量変化量ΔＷ、が増加
傾向にある場合は、ＲＦ発振器１５の出力減少量を小さ
くするようにＰＩＤ制御部１４へ出力する目標値を変化
させる。逆に、変化方向ΔΔＷｒが負、すなわち単結晶
７の育成量が小さく、しかも重量変化量ΔＷｒが減少傾
向にある場合は。
ＲＦ発振器１５の出力減少量を大きくするようにＰＩＤ
制御部１４へ出力する目標値を変化させ、速かに単結晶
７の育成量を増大させる。
制御部１４へ出力する目標値を変化させ、速かに単結晶
７の育成量を増大させる。
このように、ＲＦ発振器１５の高周波出力の減少量を数
段階に分け１両重量変化量の差１７ｗｒ−＃ｉ ｌおよ
び変化方向ΔΔＷｒの値によって適当な減少量を選択す
る。
段階に分け１両重量変化量の差１７ｗｒ−＃ｉ ｌおよ
び変化方向ΔΔＷｒの値によって適当な減少量を選択す
る。
一方、実測された重量変化量ΔＷ、の方が大きければ（
Ｓｒ９のｙｇｓ） 、融液４の温度を上げて単結晶７の
育成を抑える必要がおる。この場合も、上述した方法と
同様に、ＲＦ発振器１５の高周波出力の増加量を数段階
に分け１両重量変化量の差１ΔＷｒ−ΔＷｓｌおよび変
化方向ΔΔＷｒの値によって適当な増加量となるように
、 ＰＩＤ制御部１４へ出力する目標値を変化させれば
よい（ＳＴＩＩ）。
Ｓｒ９のｙｇｓ） 、融液４の温度を上げて単結晶７の
育成を抑える必要がおる。この場合も、上述した方法と
同様に、ＲＦ発振器１５の高周波出力の増加量を数段階
に分け１両重量変化量の差１ΔＷｒ−ΔＷｓｌおよび変
化方向ΔΔＷｒの値によって適当な増加量となるように
、 ＰＩＤ制御部１４へ出力する目標値を変化させれば
よい（ＳＴＩＩ）。
こうして高周波出力の調節が終了すると（ＳＴＩＯ又は
５ＴＩＩ） 、再び重量検出データを入力しく５Ｔ２）
。
５ＴＩＩ） 、再び重量検出データを入力しく５Ｔ２）
。
上記動作（ＳＴ２〜ＳＴＩ １ ）を短時間周期で繰返
えす。
えす。
そして、単結晶７が所定の長さｔｌまで成長すると（Ｓ
ｒ１のＹＥＳ） 、結晶育成工程が終了する。
ｒ１のＹＥＳ） 、結晶育成工程が終了する。
第４図（ａ）は本実施例によって育成された単結晶７の
正面図であυ、第４図（ｂ）は従来の方法によシ育成さ
れた単結晶の正面図である。
正面図であυ、第４図（ｂ）は従来の方法によシ育成さ
れた単結晶の正面図である。
単結晶７の肩部ａ１およびａ、の形状は第２図に示され
る設定形状Ｓに従って制御されたために、直胴部すとス
ムーズにつながり、第４図（ｂ）に示されるように、肩
部から直胴部への育成過程でオーバーシュート１６の発
生が防止されている。
る設定形状Ｓに従って制御されたために、直胴部すとス
ムーズにつながり、第４図（ｂ）に示されるように、肩
部から直胴部への育成過程でオーバーシュート１６の発
生が防止されている。
以上述べた本実施例を用いてニオブ酸リチウムの単結晶
を育成すると、設定形状Ｓとの偏差は肩部で±１ ｍａ
ｒ 、直胴部で±２ｍ以内であった。ただし、単結晶の
直胴部での直径は８０ｍ、長さは１２０ ｍｓ 、また
るつぼ１の直径は１３０〜１５０ｍである。
を育成すると、設定形状Ｓとの偏差は肩部で±１ ｍａ
ｒ 、直胴部で±２ｍ以内であった。ただし、単結晶の
直胴部での直径は８０ｍ、長さは１２０ ｍｓ 、また
るつぼ１の直径は１３０〜１５０ｍである。
また同様に、直径５０簡のモリブデン酸鉛の単（１３）
結晶を育成すると、設定形状Ｓとの偏差は肩部で±０．
５ｍ、直胴部で±０．４−であった。ただし、るつぼ１
の直径は１００−である。
５ｍ、直胴部で±０．４−であった。ただし、るつぼ１
の直径は１００−である。
このように本実施例によって、極めて設定形状に近く、
直胴部の直径の変動が少ない単結晶が得られ、しかも結
晶学的に良質な単結晶を育成することができた。
直胴部の直径の変動が少ない単結晶が得られ、しかも結
晶学的に良質な単結晶を育成することができた。
なお、本実施例では、単結晶の肩部の設定形状を２段に
分けて形成したが、むろんこれに限定されるものではな
く、多段に分けて設定し、肩部から直胴部にかけての育
成を行なってもよい。
分けて形成したが、むろんこれに限定されるものではな
く、多段に分けて設定し、肩部から直胴部にかけての育
成を行なってもよい。
以上詳細に説明したように１本発明による単結晶の育成
方法は 設定形状と実際に検出される単結晶の重量変化量のみか
ら単結晶の肩部および直胴部の育成を制御するために、
過去のデータ等の経験的要素を必要とせず、単結晶の高
精度な自動育成を極めて簡単に行うことができる。
方法は 設定形状と実際に検出される単結晶の重量変化量のみか
ら単結晶の肩部および直胴部の育成を制御するために、
過去のデータ等の経験的要素を必要とせず、単結晶の高
精度な自動育成を極めて簡単に行うことができる。
また、実際に育成しつつある単結晶の重量変化（１４）
量のみをデータとしているために、炉構造が変化しても
同一条件で単結晶の育成を行うことができる。
同一条件で単結晶の育成を行うことができる。
さらに、設定形状を変えることで所望の大きさおよび形
状の単結晶を容易に育成することができるために、肩部
から直胴部Ｋかけての直径変動を無くすことができ、単
結晶を無駄なく使用することができる。
状の単結晶を容易に育成することができるために、肩部
から直胴部Ｋかけての直径変動を無くすことができ、単
結晶を無駄なく使用することができる。
第１図は本発明による単結晶の育成方法を実施するため
の装置のブロック図。 第２図は単結晶の設定形状を示すグラフ、。 第３図は本発明の一実施例を示すフローチャート。 第４図（ａ）は本実施例によって育成された単結晶の正
面図、第４図（ｂ）は従来の方法によって育成された単
結晶の正面図である。 １・・・るつぼ、３・・・高周波誘導コイル、４・・・
融液。 ７・・・単結晶、８・・・ロードセル、１１・・・比較
・演算部、１２・・・設定形状記憶部、１４・・・ＰＩ
Ｄ制御部。 １５・・・ＲＦ発振器 （１５） ５５３− 箪 ３ 図 持Ｈ８日＃６Ｏ−２４Ｇ２９４ （８）１４ 図 （０） （ｂ）
の装置のブロック図。 第２図は単結晶の設定形状を示すグラフ、。 第３図は本発明の一実施例を示すフローチャート。 第４図（ａ）は本実施例によって育成された単結晶の正
面図、第４図（ｂ）は従来の方法によって育成された単
結晶の正面図である。 １・・・るつぼ、３・・・高周波誘導コイル、４・・・
融液。 ７・・・単結晶、８・・・ロードセル、１１・・・比較
・演算部、１２・・・設定形状記憶部、１４・・・ＰＩ
Ｄ制御部。 １５・・・ＲＦ発振器 （１５） ５５３− 箪 ３ 図 持Ｈ８日＃６Ｏ−２４Ｇ２９４ （８）１４ 図 （０） （ｂ）
Claims (3)
- （１）高周波誘導加熱炉から回転引上げ法によって単結
晶を育成する方法において。 前記単結晶の設定形状から算出された重量変化量と短時
間周期で実際に検出される重量変化量との差を算出し。 該差を縮めるように前記高周波誘導加熱炉への高周波出
力を調節する。 ことを特徴とする単結晶の育成方法。 - （２）上記単結晶の設定形状は単結晶の肩部および直胴
部を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
単結晶の育成方法。 - （３）上記単結晶の肩部の設定形状は１つ又は複数の関
数で表現され、上記単結晶の直胴部へ実質的にスムーズ
につながることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は
第２項記載の単結晶の育成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10037584A JPS60246294A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 単結晶の育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10037584A JPS60246294A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 単結晶の育成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60246294A true JPS60246294A (ja) | 1985-12-05 |
Family
ID=14272279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10037584A Pending JPS60246294A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 単結晶の育成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60246294A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01313385A (ja) * | 1988-06-09 | 1989-12-18 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体単結晶の直径制御方法 |
| EP3011083A1 (en) * | 2013-06-21 | 2016-04-27 | South Dakota Board of Regents | Method of growing germanium crystals |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP10037584A patent/JPS60246294A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01313385A (ja) * | 1988-06-09 | 1989-12-18 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体単結晶の直径制御方法 |
| EP3011083A1 (en) * | 2013-06-21 | 2016-04-27 | South Dakota Board of Regents | Method of growing germanium crystals |
| CN105723019A (zh) * | 2013-06-21 | 2016-06-29 | 南达科他州评议委员会 | 生长锗晶体的方法 |
| EP3011083A4 (en) * | 2013-06-21 | 2017-03-29 | South Dakota Board of Regents | Method of growing germanium crystals |
| US10125431B2 (en) | 2013-06-21 | 2018-11-13 | South Dakota Board Of Regents | Method of growing germanium crystals |
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