JPS60216568A - Wafer-dicing device - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To facilitate the release of wafers after dicing by a method wherein the liquid on the upper surface of a wafer is removed by spraying a gas to the upper surface before isolation of the wafer from an attraction table after dicing. CONSTITUTION:Since the wafer 1 is diced in the state of being cooled with a liquid such as water, it is very difficult to remove the wafer 1 adhered to a dicing table (attraction table) 21 with water, etc. from this table 21. Therefore, the liquid in the periphery of the wafer 1 should be eliminated by partly spraying air 25 through a tube 24 to the wafer 1 from obliquely above it. This manner can facilitate later processes such as release and enables the prevention of mechanicl damage to the wafer 1.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は自動ハンドリング機構を備えたダイシング装置
、半導体ウェハな対象としたダイシング装置等の切削装
置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a dicing apparatus equipped with an automatic handling mechanism and a cutting apparatus such as a dicing apparatus for semiconductor wafers.

例えば、基本的なダイシング装置の構成に関しては、特
開昭５１−２８７５４号公報に開示されている。For example, the basic configuration of a dicing apparatus is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 51-28754.

蓄（＝置中二関ｔへ−そプ弓〔埋１−ｃｒｙ”ヴｔヲ雪
ので１Ｆに−〔従来技術〕 トランジスタ、半導体集積回路（ＩＣ）等の半導体素子
の製造においては、先ずインゴット状の単結晶半導体材
料を用意しこれら半導体インゴットを多数の半導体ウェ
ハに切断する作業からスタートされる。上記半導体イン
ゴットの切断作業は通常スライシングとして知られてお
り、ダイヤモンドカッター等により半導体インゴットを
切断することが行われる。In the production of semiconductor devices such as transistors and semiconductor integrated circuits (ICs), the first step is to produce ingots. The process starts with preparing single-crystalline semiconductor materials and cutting these semiconductor ingots into a large number of semiconductor wafers.The above semiconductor ingot cutting process is usually known as slicing, and the semiconductor ingot is cut with a diamond cutter or the like. things are done.

とのよ５にして得られた半導体ウェハは以後酸化、拡散
、蒸着等の各工程へ送られ半導体ウニノ・内には多数の
半導体素子領域が形成される。The semiconductor wafer obtained in step 5 is then sent to various steps such as oxidation, diffusion, and vapor deposition to form a large number of semiconductor element regions within the semiconductor wafer.

そして半導体ウェハ内に形成された多数の半導体素子を
個々に分離するため、半導体ウニノーは次にダイシング
作業が施され、各素子を囲むようにウェハ表面に縦横方
向の多数の溝が造られる。次にウェハはブレーヤング作
業が施され、上記ダイシング溝に沿りてウェハを割るこ
とによりウェハを多数の半導体ベレット（ダイスあるい
はチップ）に分離する。これらペレットは次に選別作条
を受けて特性ごとに分類された後、各々のベレットはリ
ードフレームあるいはステム等の支持体上にろう付けさ
れ、続いてワイヤボンディング作業、封止作業を受け【
半導体素子として組み立てられる。In order to separate the large number of semiconductor elements formed within the semiconductor wafer, the semiconductor unit is then subjected to a dicing operation, and a large number of vertical and horizontal grooves are created on the wafer surface so as to surround each element. Next, the wafer is subjected to a brazing operation to separate the wafer into a number of semiconductor pellets (dice or chips) by splitting the wafer along the dicing grooves. These pellets are then subjected to a sorting process and classified according to their characteristics, after which each pellet is brazed onto a support such as a lead frame or stem, followed by wire bonding and sealing operations.
It is assembled as a semiconductor device.

ところで以上のような一連の製造工程において、上記ダ
イシング作業は多数の半導体素子が形成されている状態
の一枚の半導体クエ／１から多数の半導体ベレットを分
離する作業であるため、作業は迅速に、しかも能率的に
行う必要がある。By the way, in the above-mentioned series of manufacturing processes, the dicing work is a work to separate a large number of semiconductor pellets from a single semiconductor cube/1 in which a large number of semiconductor elements are formed, so the work can be done quickly. , and it needs to be done efficiently.

第１図は従来における一連のダイシング作業を工程順に
示すものである。先ず（Ａ）のように、多数のダイシン
グすべきウニ／％１を収納したケース２を用意し、次に
（Ｂ）のようにピンセット３により上記ケース２からウ
ェハｌを一枚ずつ拾い上ケ、ダイシングテーブル４上に
載せて位置決めした後、（Ｃ）のようにダイシングブレ
ード５により本来のダイシング作業を施こす。次に（Ｄ
）のようにダイシングの終了したウニノＳ１はビンセッ
ト２によりテーブル４上から移されて、（Ｅ）のように
再びケース２内に収納される。FIG. 1 shows a series of conventional dicing operations in order of process. First, as shown in (A), a case 2 containing a large number of sea urchins/%1 to be diced is prepared, and then, as shown in (B), the wafers l are picked up one by one from the case 2 using tweezers 3 and placed in the upper case. After placing and positioning it on the dicing table 4, the original dicing operation is performed using the dicing blade 5 as shown in (C). Next (D
The sea urchin S1 that has been diced as shown in ) is transferred from the table 4 by the bin set 2, and then stored in the case 2 again as shown in (E).

しかし従来におけるダイシング作業は１本来のダイシン
グ作業自体に必要な時間よりもその前後の工程との関連
での準備作業に費やされる時間の方が大となって非能率
的でありた。However, conventional dicing operations are inefficient because more time is spent on preparatory work related to the steps before and after the dicing operation than the time required for the actual dicing operation itself.

即ち、ダイシング作業の前後におけるウニノ１の取扱い
作業いわゆる７１ンドリンクはすべて手作業であるため
、またダイシングすべきウニノ・を所定のテーブル上に
位置決め（アライメント）するのに時間がかかったため
１本来のダイシングの着工数が伸びなかった。That is, because all the handling work of Unino 1 before and after the dicing operation, so-called 71-link, is done manually, and because it takes time to position (align) the Unino 1 to be diced on a predetermined table, the original The number of dicing starts did not increase.

また、上記ダイシングテーブルに対するウニノ・のセッ
トおよび取りはずし等のノ１ンドリンクを手作業でやっ
ている関係上、ウニノ・の機械的外力の加え方や強さが
不安定となるため、ウニノ・に対し機械的損傷を与える
のは避けられなかった。In addition, since the dicing links such as setting and removing the UNINO on the dicing table are done manually, the method and strength of the mechanical external force applied to the UNINO is unstable. However, mechanical damage was inevitable.

〔従来技術の問題点〕[Problems with conventional technology]

従来の装置にあっては、切削処理後、水等でぬれたウニ
ノ・なそのままの状態で吸着台より分離していだので、
取扱いが不安定で自動化が困難でとった。With conventional equipment, after the cutting process, the raw material is separated from the suction table while still wet with water, etc.
It was chosen because it was unstable to handle and difficult to automate.

本発明は、このような問題な解決するためになされたも
ので、その要旨は、その上に素子が形成された半導体ウ
ェハ又は集積回路ウェハの一方の主面を真空吸着台に吸
着した状態で回転部材により前記ウェハの他方の主面を
切削するだめのウェハの切削装置において、切削処理後
、ウェハな前記吸着台より分離する前に、ウェハ上面に
ガスを吹きつけて上面の液体を除去することにより、そ
の後のリリース等の処理を容易にすることができるウェ
ハの切削装置である。The present invention has been made to solve these problems, and its gist is to attach one main surface of a semiconductor wafer or an integrated circuit wafer on which elements are formed to a vacuum suction stand. In a wafer cutting device that cuts the other main surface of the wafer with a rotating member, after the cutting process and before separating the wafer from the suction table, gas is blown onto the top surface of the wafer to remove liquid on the top surface. This is a wafer cutting device that can facilitate subsequent processing such as release.

以下余白 〔実施例〕 以下では本発明者が、初めて開発した自動ダイシング装
置を例にとり説明する。Margins below [Example] The following describes an automatic dicing apparatus developed by the inventor for the first time as an example.

以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。The present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第２図はダイシング装置（以下装置と称する）Ｇまウェ
ハローダ部人、クエ／Ｓ位置決め部Ｂ、ウニ／Ｓアライ
メント部およびダイシング部Ｃ，ウニノ１洗浄部り、ウ
ニノ１アンローダ部Ｅおよびウニノ１チャック部Ｆ等か
ら構成されている。以上の構成において特にＩ！要なの
はフェノ−チャック部Ｆでありチャック機構とし【は流
体（エア停）と被処理体に次ぎ付けた場合の浮力を利用
した−１わゆるベルヌイチャツクが用いられ、各構成部
間にフェノ−な移送する場合のハンドリング作業は直接
手で被熟埋体には触れないでこのチャックにより行われ
る。Figure 2 shows dicing equipment (hereinafter referred to as the equipment) G, wafer loader section, Que/S positioning section B, U/S alignment section and dicing section C, UNINO 1 cleaning section, UNINO 1 unloader section E, and UNINO 1 chuck. It consists of section F etc. In the above configuration, especially I! The important part is the phenol chuck part F, and the chuck mechanism is a so-called Bernoulli chuck that uses fluid (air stop) and buoyancy when attached next to the object to be processed. Handling work during transport is performed using this chuck without touching the buried body directly with hands.

以下各構成部ごとに詳細に説明する。第３図はウェハロ
ーダ部を示すもので、グイシングすべきウェハｌを一定
数（例えば２０〜２５枚程度）収納したカートリッジ６
を装置の所定位置７にセットする。この位置７にはエア
シェード８が設けられており上記カートリッジ６からウ
ェハｌがエアシェード８の端部に載置（供給）されると
、そのウェハｌは直ちにエアシェート８上で矢印で示さ
れたエアの吹き付は方向に移送される。カートリッジ６
内には例えば縦方向に一列に規則的に並べられてウェハ
が充填されており、特にこのうち最下部にあるウェハ（
エアシェード上に載置されるウェハ）は、光源９から発
せられた光がフォトトランジスタｌＯに至る光線通路中
に置かれる。フォトトランジスタ１０の出力信号は（−
夕１１に伝えられており、この出力信号に応じてそ一部
１１の動作は制御される。例えばフェノ１が（Ｂ）のよ
うに上記通路中にあれば（光線を遣え切りている状態）
、フォトトランジスタ１０からは「クエ／Ｓ有り」の信
号が七−タ１１に伝えられこの時モータ１１は動作しな
い。しかしくＡ）のように上記ウェハが次の瞬間エアシ
ェード上に移送されズしま５と、上記光線通路は導通し
た状態になりフォトトランジスタ１０からは「ウニノル
無し」の信号がモータ１１Ｖｃ伝えられるのでこの時モ
ータ１１は動作して上記カートリッジ６内のフェノＳ１
を一ピッチずつ下降させるように働（。第３図（Ｃ）お
よび（Ｄ）はウェハ検知方法の他の例を示すもので、（
Ｃ）はカー）　１７ツジ６の後方から検知する方法、（
Ｄ）は上記（Ｃ）の方法に更にも５　一つの検知手段を
エアシェードの裏側に付加した構成を示すものである。Each component will be explained in detail below. Figure 3 shows the wafer loader section, which shows a cartridge 6 containing a certain number of wafers (for example, about 20 to 25) to be guised.
is set in the predetermined position 7 of the device. An air shade 8 is provided at this position 7, and when a wafer l is placed (supplied) from the cartridge 6 onto the end of the air shade 8, the wafer l is immediately placed on the air shade 8 as indicated by an arrow. The air blow is transferred in the direction. Cartridge 6
The inside is filled with wafers arranged regularly in a row in the vertical direction, especially the wafers at the bottom (
The wafer placed on the air shade) is placed in the beam path through which the light emitted from the light source 9 reaches the phototransistor lO. The output signal of the phototransistor 10 is (-
The operation of the part 11 is controlled according to this output signal. For example, if Pheno 1 is in the above passage as shown in (B) (the state where the light rays are used up)
, the phototransistor 10 transmits a signal "QUE/S present" to the seventh motor 11, and at this time the motor 11 does not operate. However, as shown in A), the next moment the wafer is transferred onto the air shade 5, the light beam path becomes conductive, and the phototransistor 10 transmits the "No Uninor" signal to the motor 11Vc. At this time, the motor 11 operates to drive the phenol S1 inside the cartridge 6.
3 (C) and (D) show other examples of the wafer detection method.
C) is a method of detecting from the rear of 17 Tsuji 6, (
D) shows a configuration in which one detection means is added to the back side of the air shade in addition to the method (C) above.

（Ｄ）の方法はフェノ−がエアシェード入口において何
らかの原因で引掛りた場合フォトトランジスタ１０から
ツイードバック信号がモータに伝えられて彼続のフェノ
１の供給を防止するように働らく。以上の各方法は目的
に応じて適宜選ぶことができる。In the method (D), if the phenol is caught for some reason at the air shade entrance, a tweedback signal is transmitted from the phototransistor 10 to the motor to prevent the subsequent phenol from being supplied. Each of the above methods can be selected as appropriate depending on the purpose.

エアシェード上に送られたウェハはエアシェードの他端
部において第４図のような位置合せテーブル上に入る。The wafer sent onto the air shade is placed on an alignment table as shown in FIG. 4 at the other end of the air shade.

先ずエアシ為−ト８他端部に移送されてきたウェハ１は
位置合せテーブル１２上に送られるが、この表面におい
て設けられた真空吸引孔に吸引されてブレーキがかけら
れ移送速度が抑えられる。そして二つのガイド１３によ
りて一定の方向に向きが変えられる。二つのガイド１３
間の中央位置には位置決め用ビン１４が（Ｃ）のように
三本設けられており、このうち両端の二本のビンは固定
されたままであるが、中央の一本のピンは前後に可動す
るようになっている。なおテーブル１２上では上記真？
゛ｇ吸孔とは別にエア吹き出し孔も設けられているので
、ウェハは浮き上りた状１ｔｌＫなっている。このよう
な状態で（Ｅ）のようにテープ＃１２をエアシリンダ１
５によりて傾かせかつウェハｌを浮かせた状態で回転さ
せてウェハを回転する。そして（Ｃ）のように矢印方向
に徐々に回転させるとウェハｌの周囲部のうち平坦な基
準面１６が上記位置決め用ビン１４０３本のすべ【に接
触した状態で（Ｄ）のように自動的に停止した位置決め
が行なわれる。この時点で傾いていたテープに１２は元
の位置に戻される。First, the wafer 1 transferred to the other end of the air sheet 8 is transferred onto the alignment table 12, and the wafer 1 is sucked into a vacuum suction hole provided on the surface thereof, and a brake is applied to suppress the transfer speed. Then, the two guides 13 change the direction in a fixed direction. two guides 13
Three positioning pins 14 are provided at the center position between the two as shown in (C). Of these, the two pins at both ends remain fixed, but the one pin in the center is movable back and forth. It is supposed to be done. Is the above true on table 12?
Since an air blowing hole is also provided in addition to the suction hole, the wafer is in a raised position. In this state, put tape #12 into air cylinder 1 as shown in (E).
5 and rotate the wafer with the wafer l floating. Then, as shown in (C), when the wafer is gradually rotated in the direction of the arrow, the flat reference surface 16 of the periphery of the wafer l comes into contact with all of the three positioning bins 140, and automatically rotates as shown in (D). Positioning is performed by stopping at . At this point, the tape 12, which was tilted, is returned to its original position.

以上のように一定の方向に位置決めされたウェハはこの
位置合せ方向を保持した状態で次にウェハチャックによ
りて空間的にダイシングテーブル上に移送される。第５
図はウェハチャックとして用いられるベルヌイチャック
を示すものである。The wafer, which has been positioned in a certain direction as described above, is then spatially transferred onto a dicing table by a wafer chuck while maintaining this alignment direction. Fifth
The figure shows a Bernoulli chuck used as a wafer chuck.

ウェハの面積に応じた大きさのウェハ保持面１７のはぼ
中央部に設けられた複数のノズル１８から、保持面１７
の背面のチ為−プ１９かも供給されたエアが吹き付けら
れるようになっており、エアはウェハ等の処理体に吹き
付けていわゆるペルヌイの原理に従りてウェハｌを吸引
するように働く。From a plurality of nozzles 18 provided at the center of the wafer holding surface 17 having a size corresponding to the area of the wafer, the holding surface 17
The chip 19 on the back side is also blown with the supplied air, and the air blows onto the processing object such as a wafer and acts to suck the wafer l according to the so-called Pernoulli's principle.

２０は保持面１７０周縁部の一部に設けられたウェハの
位置決め部であり、ウェハはこの部分を基準として保持
面１７に吸引される。しかしこの位置決め部は必ずしも
必要ではない。Reference numeral 20 denotes a wafer positioning portion provided on a part of the peripheral edge of the holding surface 170, and the wafer is attracted to the holding surface 17 with this portion as a reference. However, this positioning part is not always necessary.

ダイシングテーブル２１（第２図）上に移送されたウェ
ハはこのテーブル端部に載置された真空チャックにより
吸着された状態で、テーブル自体を後退させることによ
り顕微鏡２２直下に運ばれダイシングを行うための位置
決め（アライメント）がなされる。この位置決め作業は
ダイシングテーブル２１下に設けられであるＸ、Ｙおよ
びθ方向の微調機構（図示せず）を制御するととＫより
ウェハを顕微鏡に設けられた基準面（ダイシングブレー
ドの位置と一致させである）にそのダイシングエリア中
心を合わせることにより行われる。以下第６図を参照し
て位置決め作業を具体例を説明する。（Ａ）は顕微鏡上
Ｆｃ＃初に胡れた上記基準、線２２とダイシングエリア
２３との関係を示し、当然ながら両者は一致していない
。従って次Ｋ（Ｂ）のように先ず０方向機構を調整して
０方向の位置決めを完了し、法化（Ｃ）のようにＹ方向
機構をＦｊＩＪ整してＹ方向の位置決めを完了し、最後
に同様に（Ｄ）のようにＸ方向機構を調整して完全に基
準線２２とダイシングエリア２３との中心とを一致させ
て位置決め作業を完了する。The wafer transferred onto the dicing table 21 (Fig. 2) is sucked by a vacuum chuck placed at the end of this table, and by retracting the table itself, the wafer is transported directly below the microscope 22 for dicing. Positioning (alignment) is performed. This positioning work is carried out by controlling the fine adjustment mechanism (not shown) in the X, Y, and θ directions provided under the dicing table 21. This is done by aligning the center of the dicing area with the dicing area. A specific example of the positioning work will be described below with reference to FIG. (A) shows the relationship between the line 22 and the dicing area 23, which is the above-mentioned criterion that was initially adopted for Fc# on the microscope, and as a matter of course, the two do not match. Therefore, as shown in the next K (B), first adjust the 0 direction mechanism to complete the 0 direction positioning, then adjust the Y direction mechanism FjIJ to complete the Y direction positioning as shown in (C), and finally Similarly, as shown in (D), the X-direction mechanism is adjusted to completely align the reference line 22 with the center of the dicing area 23 to complete the positioning work.

次に上記基準＠２２に沿りてダイシングプレー１”ｋ−
走査させズ先ずＹ方向（あるいはＸ方向）のダイシング
エリアのダイシングを行い、続い【ダイシングテーブル
を９．０°回転させてＸ方向（あるいはＹ方向）のダイ
シングエリアのダイシングを行う。上記ダイシングテー
ブルの回転は自動的に行わせることができる。またウェ
ハとダイシングテーブルとの′回転中心が一致していな
（とも９０゜回転させる際に支障は生じない。Next, dicing play 1”k- according to the above standard @22.
First, perform dicing in the dicing area in the Y direction (or X direction), then rotate the dicing table by 9.0 degrees and perform dicing in the dicing area in the X direction (or Y direction). The rotation of the dicing table can be performed automatically. Also, the centers of rotation of the wafer and the dicing table do not coincide (there is no problem when rotating both by 90 degrees).

なお従来におけるダイシング装ｆｆＫはθおよびＹ方向
の二方向のみの位置決め機構しか備わっていなかったた
め、実際にダイシングを行５に当っては第６図において
（Ｃ）において一度Ｙ方向のダイシングを行った後、ダ
イシングテーブルを９０°　動転させて再びＸ方向の位
置決めを行なって（Ｄ）のようになした後改めてＸ方向
のダイシングを行わねばならなかった。このため、Ｘ、
Ｙ方向の連続ダイシングは不可能であり、作業を途中で
中断してｐ）び位置決めをし直さなければならず作業が
非能率となるのは避けられなかった。In addition, since the conventional dicing device ffK was equipped with a positioning mechanism only in two directions, θ and Y directions, when actually dicing was performed in row 5, dicing in the Y direction was performed once in (C) in Fig. 6. Thereafter, the dicing table had to be rotated 90° and positioned in the X direction again as shown in (D), and then dicing in the X direction had to be performed again. For this reason, X,
Continuous dicing in the Y direction is impossible, and the work must be interrupted and repositioned, which inevitably leads to inefficiency in the work.

顕微鏡における基準線２２の巾は、ダイシングブレード
の巾、ダイシング作業中のチッピングの程度を考慮して
決定される。例えばダイシングブレードの巾を３０μに
選んだ場合、チッピングを含めて約５０μに選ばれる。The width of the reference line 22 in the microscope is determined in consideration of the width of the dicing blade and the degree of chipping during the dicing operation. For example, when the width of the dicing blade is selected to be 30μ, the width is selected to be approximately 50μ including chipping.

従って基準線上にとの寸法を表示しておけばいちいち他
の測定機構で測ることは不要となり一目で知ることがで
きる。Therefore, if the dimensions are displayed on the reference line, there is no need to measure each time with another measuring mechanism, and it can be known at a glance.

ダイシング作業が完了したウェハはダイシングテーブル
を移動することによって再び元の位置に戻される。そし
て真空吸着を解かれると共に、エアを吹き上げてテーブ
ルより浮上させて、上で待機しズいる前記ベルヌイチャ
ックにより吸引されて次の洗浄工程へと送られることに
なる。The wafer after dicing is returned to its original position by moving the dicing table. Then, the vacuum suction is released, and air is blown up to float above the table, whereupon it is sucked by the Bernoulli chuck waiting above and sent to the next cleaning process.

ところで上記ウェハはダイシングの際、水等の液体によ
り冷却された状態で作業が行われるため、ダイシングテ
ーブルからテープ／Ｉ／に水等で密着しているウェハを
取りはずすことは非常に困難であり、多くの割れ不良を
発止させていた。このため次のような手段を考えた。ｗ
、７図はエアプロ一方法を示すもので、（Ａ）は上面図
、（Ｂ）は断面図な示し、ウェハｌの斜め上方から管２
４より部分的にエア２５をウェハＩＫ対し吹會付けるこ
とによりウニノ・周辺の液体を排除しようとするもので
ある。By the way, during dicing, the wafer is cooled with a liquid such as water, so it is very difficult to remove the wafer that is in close contact with the tape /I/ from the dicing table due to water or the like. This caused many cracking defects to occur. For this reason, we considered the following method. lol
, 7 show the air processing method, (A) is a top view, (B) is a cross-sectional view, and the tube 2 is shown from diagonally above the wafer l.
By blowing air 25 onto the wafer IK more partially than in step 4, the liquid in and around the wafer IK is removed.

ダイシングテーブルからベルヌイチャツクにより吸引さ
れたウニノ１はチャックのアームを９０゜回転するとと
Ｋより次の洗浄工程へ送られる。When the arm of the chuck is rotated by 90 degrees, the Unino 1 sucked from the dicing table by the Bernoulchuck is sent to the next cleaning process by K.

謁８図（Ａ）および（Ｂ）はチャックにより移送された
ウニノ・を洗浄する方法を示すもので、真空チャック２
６によりウニノ刈を保持した状態で回転し上下からノズ
〃２７により水を吹き付けることにより洗浄する。終了
後水を切り（Ｂ）のように回転乾燥させる。この洗浄工
程によりウニノ・Ｋ付着していた付着物は除去され、清
浄に保たれる。Figures 8 (A) and (B) show the method for cleaning the uninos transported by the chuck.
6, the cutter is rotated while being held, and water is sprayed from above and below by the nozzle 27 to clean it. After finishing, drain the water and spin dry as shown in (B). Through this cleaning process, the deposits that had adhered to UNINO-K are removed and the surface is kept clean.

次にウェハは再びチャックにより吸引され、チャックア
ームを９０°回転させることにより、ウヱハアンローダ
部に移送される。すなわちウニノ１はエアシュート上に
供給され、ローダの時とは逆の方向に移送される。エア
シ嘉−トの端部には空のカートリッジがセットされてお
り、ウニノーは順次このカートリッジに供給されていく
。Next, the wafer is sucked by the chuck again and transferred to the wafer unloader section by rotating the chuck arm 90 degrees. That is, Unino 1 is supplied onto the air chute and transported in the opposite direction to that of the loader. An empty cartridge is set at the end of the air seat, and Uninow is sequentially supplied to this cartridge.

カートリッジはウェハの供給タイミングに合わせ【−ピ
ッチずつ自動的忙上昇していき、これらの動作機ｍはロ
ーダの時と逆に動作させれば良い。The cartridge automatically moves up by pitches according to the wafer supply timing, and these operating machines m can be operated in the opposite direction to the loader.

カートリッジが満杯になると自動的に警報が発せられ、
作＠名は空のカートリッジをセットする。Automatically alerts you when the cartridge is full,
Insert an empty cartridge into the work@name.

しかしこれらのカートリッジのセット、リセットは自動
的に操作させることができる。However, the setting and resetting of these cartridges can be performed automatically.

カートリッジに収納されたウェハは次のブレーキング工
程に送られ、所望の作業が施こされて個々のペレットに
分離される。The wafers housed in the cartridges are sent to the next breaking process where desired operations are performed and separated into individual pellets.

以上説明して明らかなように上記のダイシング装［Ｋよ
れば、ダイシングすべきウェハはロードされる状態から
ダイシングされてアンロードされる状態までのハンドリ
ングはすべて自動的に行われ手作業は一度も行われない
ので、従来のように余分な準備作業に時間を費やされる
ことはな（なってダイシング作業自体が集中的に行える
よ５になり、Ｎ工数が着るしく増加するようになった。As is clear from the above explanation, according to the above-mentioned dicing machine [K], handling of wafers to be diced from loading to dicing and unloading is all done automatically, and no manual work is required. Since the dicing process is not performed, there is no need to waste time on extra preparation work as in the past.

またハンドリングに手作業は不要であるためこれが原因
で発生していたウニノ・の機械的損傷は完全に防止する
ことができた。Additionally, because manual handling was not required, mechanical damage to the Unino that would otherwise have been caused by this process could be completely prevented.

丈にまたウニノ・のＪ−ダ部とアン ロイ部を隣接して構成することにより装置自体の寸法を
極めてコンパクトに設計できるようになった。各作業工
程間のウェハを空間的に移送させるためのチャック装置
の上部空間に設けられているため特に余部のスペースを
とることはない。このチャックはまた第９図に示すよう
に常に一定方向に間けり的に回転することにより各工程
で地理済みのつ、ハを同時に次工程に移送するようにな
り、ているため移動にムダがな（極めて能率的ＫＭ＜。Also, by configuring the J-da part and the unloyed part of the unit to be adjacent to each other, the dimensions of the device itself can be designed to be extremely compact. Since it is provided in the upper space of the chuck device for spatially transferring the wafer between each work process, it does not take up any extra space. Also, as shown in Figure 9, this chuck always rotates in a fixed direction intermittently, so that the parts that have been placed in each process are transferred to the next process at the same time, which eliminates waste in movement. (Extremely efficient KM<.

各機構の種々の変形例については本文中に示したがそれ
らの組み合せは目的に応じて種々変更することが可能で
あり、この変更によって本発明装置が特定の組み合せに
限定されることはない。Although various modifications of each mechanism have been shown in the text, their combinations can be variously modified depending on the purpose, and the device of the present invention is not limited to any particular combination by these modifications.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図（Ａ）乃至（Ｅ）は従来装置を用いてダイシング
作業を行う場合を示す工程図、第２図は本発明装置の概
要を示す上面図、第３図（Ａ）乃至（Ｄ）はウニへ四−
ダ機構を示す断面図、第４図はウェハ位置合せ機構を示
し、（Ａ）、（Ｃ）。 （Ｄ）は上面図、（Ｂ）、（Ｅ）は断面図、第５図はチ
ャック機構を示しくＡ）′は断面図、（’Ｂ　）は下面
図、第６図（Ａ）乃至（Ｄ）はウェハのダイシングテー
ブル上への位置決め方法を示す断面図、第７図は本発明
の要部のウェハのエアプロー機構を示しく　Ａ　）は上
面図、（Ｂ）は断面図、第８図（Ａ）および（Ｂ）はウ
ェハの洗浄機構を示す断面図、第９図はウェハチャック
の動作状態を示す軌跡である。　゛ ｌ・・・ウェハ、２・・・ケース、３・・・ビンセット
、４゜２１・・・ダイシングテーブル、５・・・ダイク
ングチ−プル、６・・・カートリッジ、７・・・ウェハ
ローダ位置、８・・・エアシリンダ、９・・・光源、１
０・・・フォトトランジスタ、１１・・・モータ、１２
川位置合せテーブル、１３・・・ガイド、１４・・・位
置決め用ビン、１５・・・エアシリンダ、１６・・・ウ
ェハの基鮪面、１７・・・チ４ツクの保持面、１８．２
７・・・ノズル、１９゜２４・・・管、２０・・・スト
ッパ、２２・・・［倣鏡の基皐綜、２３・・・ウェハの
ダイシングエリア、２５川エア、２６・・・真空チャッ
ク。 第　１ｖｌｉ ４ 第　２　図 （Ｃ）（Ｄ） 第　４　図 第　５Ｅ 第　６　ｗＩ・ 第　７　図 第８図Figures 1 (A) to (E) are process diagrams showing the case of performing dicing work using a conventional device, Figure 2 is a top view showing an overview of the device of the present invention, and Figures 3 (A) to (D). The sea urchin is four.
FIG. 4 is a sectional view showing the wafer alignment mechanism, (A) and (C). (D) is a top view, (B) and (E) are sectional views, Fig. 5 shows the chuck mechanism, A)' is a sectional view, ('B) is a bottom view, and Figs. D) is a sectional view showing a method of positioning a wafer on a dicing table, FIG. 7 is a wafer air blow mechanism which is the main part of the present invention, A) is a top view, (B) is a sectional view, and FIG. (A) and (B) are cross-sectional views showing the wafer cleaning mechanism, and FIG. 9 is a locus showing the operating state of the wafer chuck.゛l... Wafer, 2... Case, 3... Bin set, 4゜21... Dicing table, 5... Dicing chip, 6... Cartridge, 7... Wafer loader position, 8...Air cylinder, 9...Light source, 1
0... Phototransistor, 11... Motor, 12
River positioning table, 13... Guide, 14... Positioning bottle, 15... Air cylinder, 16... Base surface of wafer, 17... Holding surface of chip, 18.2
7... Nozzle, 19° 24... Tube, 20... Stopper, 22... [Basic heel of copying mirror, 23... Wafer dicing area, 25 River air, 26... Vacuum Chuck. 1vli 4 Fig. 2 (C) (D) Fig. 4 Fig. 5E Fig. 6 wI・ Fig. 7 Fig. 8

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] １、その上に素子が形成された半導体ウェハ又は集積回
路ウニへの一方の主面を真空吸着台に吸着した状態で回
転部材により前記ウェハの他方の主面を切削するための
ウェハの切削装置において、切削処理後、ウェハな前記
吸着台より分離する前に、ウェハ上面にガスを吹きつけ
て上面の液体を除去することを特徴とするウェハの切削
装置。1. A wafer cutting device for cutting the other main surface of a semiconductor wafer or integrated circuit on which elements are formed using a rotating member while one main surface of the wafer is adsorbed to a vacuum suction table. A wafer cutting apparatus characterized in that after the cutting process and before separating the wafer from the suction table, gas is blown onto the upper surface of the wafer to remove liquid on the upper surface.