JPS6021366A - アモルフアス金属の製造方法 - Google Patents
アモルフアス金属の製造方法Info
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- JPS6021366A JPS6021366A JP58128709A JP12870983A JPS6021366A JP S6021366 A JPS6021366 A JP S6021366A JP 58128709 A JP58128709 A JP 58128709A JP 12870983 A JP12870983 A JP 12870983A JP S6021366 A JPS6021366 A JP S6021366A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D10/00—Modifying the physical properties by methods other than heat treatment or deformation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C45/00—Amorphous alloys
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- Powder Metallurgy (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
最近、アモルファス金属は優れた物理的及び化学的特性
の為、工学の広範な分野で機能性に富んだ新素材として
注目されている。これらアモルファス金属の製作法とし
ては、己れまでに液体急冷法と蒸着法の２つの方法が確
立されているが、現在では前者が主流となっている。同
方法は対象とする金属を一日、加熱して融体とした後、
高速回転する銅板等にノズルを通して吹きつけることに
よって急速冷却し、目的とするアモルファス金属を得る
ものであるが、この方法では（り大きな急冷速度を得る
ことが必須の条件となる為”ｉ ’ｊ’ＪＪ品の形状が
リボン状又は線状のものに制約され、肉厚のものはもち
ろんその表面だけをアモルファス化することもできない
、（２）急冷速度の制御が困弾な為、得られる製品のア
モルファス度（不規則度）を調整することができない、
等の欠点が不可避的に生じ、その結果、得られる製品の
実用上の利用範囲は狭く限定されている。また、後者の
蒸着法は、対象とする金属Ｑ−Ｆｔ気化させ、これを基
板上に：′Ｉ￥ｊ（ｒ、成長させてアモルファス金属を
得るもので、静体急冷法の局舎よりも史に極薄の製品し
か製作できない上に、コストも極めて高いものとなる欠
点がある。
の為、工学の広範な分野で機能性に富んだ新素材として
注目されている。これらアモルファス金属の製作法とし
ては、己れまでに液体急冷法と蒸着法の２つの方法が確
立されているが、現在では前者が主流となっている。同
方法は対象とする金属を一日、加熱して融体とした後、
高速回転する銅板等にノズルを通して吹きつけることに
よって急速冷却し、目的とするアモルファス金属を得る
ものであるが、この方法では（り大きな急冷速度を得る
ことが必須の条件となる為”ｉ ’ｊ’ＪＪ品の形状が
リボン状又は線状のものに制約され、肉厚のものはもち
ろんその表面だけをアモルファス化することもできない
、（２）急冷速度の制御が困弾な為、得られる製品のア
モルファス度（不規則度）を調整することができない、
等の欠点が不可避的に生じ、その結果、得られる製品の
実用上の利用範囲は狭く限定されている。また、後者の
蒸着法は、対象とする金属Ｑ−Ｆｔ気化させ、これを基
板上に：′Ｉ￥ｊ（ｒ、成長させてアモルファス金属を
得るもので、静体急冷法の局舎よりも史に極薄の製品し
か製作できない上に、コストも極めて高いものとなる欠
点がある。
本発明はこれ等の従来方法の欠点を解消することを１」
的とする。
的とする。
本発明はまた、所要の形状及び寸法のアモルファス金属
を安価にＱ、ｔ’！ 造することを１ｊ的とする。
を安価にＱ、ｔ’！ 造することを１ｊ的とする。
本発明はまた、金１Ｈを迅速に股１１１値通りの不規則
度を有するアモルファスに変Ｉ／！１させることを目的
とする。
度を有するアモルファスに変Ｉ／！１させることを目的
とする。
本つｂ明は対象とする金属を損１？シを与えるのに十分
なエネルギーを持つ電子線によって照射し、導入される
格子欠陥の濃度を制ｒ、ｉｔｌすることによって、任意
の不規則度のアモルファス状態を得ることを特徴とする
アモルファス金属の製造方法である。
なエネルギーを持つ電子線によって照射し、導入される
格子欠陥の濃度を制ｒ、ｉｔｌすることによって、任意
の不規則度のアモルファス状態を得ることを特徴とする
アモルファス金属の製造方法である。
本発明方法に」；れば、パイプ、棒、板及び複雑な形状
のアモルファス金属及びアモルファス被覆金相を製造す
ることができる。
のアモルファス金属及びアモルファス被覆金相を製造す
ることができる。
本発明で「アモルファス金属」と称するは、アモルファ
ス金属のみならずアモルファス被ｍ 金属をも意味する
ものとする。
ス金属のみならずアモルファス被ｍ 金属をも意味する
ものとする。
本発明方法により製造したアモルファス金トチは、形状
記憶合金に使用することができ、その場合記憶消去法に
より形状記憶合金を安全に使うことができる。
記憶合金に使用することができ、その場合記憶消去法に
より形状記憶合金を安全に使うことができる。
以下、本発明を図面につきさらに詳細に説明する。
第１図において、所要の形状に成形した対象とする金属
１にｍ傷を与えるのに十分なエネルギーを持つ高速電子
線２を次の条件下で照射する。即ち、照射にあたっては
、電子線密度を当該金属によって定まる臨界値以上に保
つと同時に、照射温度を当該金属と前述の電子線密度と
によって定まる臨界温度以下に制御する。このような条
件下での照射により、金属の内部には照射損傷によって
導入される格子欠陥が漸次蓄積され、その濃度は照射時
間とともに増大するが、この濃度が当該金１・見によっ
て定まった一定値に至ると、照射された、金１・弓はア
モルファスに変態する。
１にｍ傷を与えるのに十分なエネルギーを持つ高速電子
線２を次の条件下で照射する。即ち、照射にあたっては
、電子線密度を当該金属によって定まる臨界値以上に保
つと同時に、照射温度を当該金属と前述の電子線密度と
によって定まる臨界温度以下に制御する。このような条
件下での照射により、金属の内部には照射損傷によって
導入される格子欠陥が漸次蓄積され、その濃度は照射時
間とともに増大するが、この濃度が当該金１・見によっ
て定まった一定値に至ると、照射された、金１・弓はア
モルファスに変態する。
不発明方θ１では、格子欠陥の導入を他の粒子線に比べ
て１世かに透過力の強い電子＃’＋ｌを用いて行なう為
、対象とする金属が厚さ数μＩ１１以下の板又Ｇま線の
場合にはそれら全体が、また、対象物の厚さがそれ以上
の場合に′はその母材のうち照射を受けた厚さ斂μｍの
表面層領域が、それぞれアモルファス化する。アモルフ
ァス化を生ぜし・めるのに必要な照射条件の具体例を次
の第１表に示す。
て１世かに透過力の強い電子＃’＋ｌを用いて行なう為
、対象とする金属が厚さ数μＩ１１以下の板又Ｇま線の
場合にはそれら全体が、また、対象物の厚さがそれ以上
の場合に′はその母材のうち照射を受けた厚さ斂μｍの
表面層領域が、それぞれアモルファス化する。アモルフ
ァス化を生ぜし・めるのに必要な照射条件の具体例を次
の第１表に示す。
第１表
ＮｉＴｉ ２ ＭｅＶ ８ＸＩＯ２３ｅ／ｍ”−秒 ２
５０Ｋ １５°秒アモルファス化にｉｌ：（ｔする金（
・・Ａとしては、他にＺＩＴ２Ａ１、ＶｓＳｉ 、 Ｚ
ｒ０ｕ 、 ＣｕａＴｊ−１Ｖ ８ Ｓ ｊ−及びｆｊ
失−ジルコニウム化合物がある。
５０Ｋ １５°秒アモルファス化にｉｌ：（ｔする金（
・・Ａとしては、他にＺＩＴ２Ａ１、ＶｓＳｉ 、 Ｚ
ｒ０ｕ 、 ＣｕａＴｊ−１Ｖ ８ Ｓ ｊ−及びｆｊ
失−ジルコニウム化合物がある。
４テ）コ明方１プ、の利点を例示すると次のＪ！ｎりで
ある。
ある。
（イ） 従来のような急速冷却過程を必要としない為、
例え対象物が大型であっても、電子線照射により格子欠
陥が導入され、それが蓄積される領域は、何れもアモル
ファス化することが°可能である。従って、例えば、各
種の口径の金１７４． ／＜イブの内壁及び外壁を機械
的強度及び耐食性に優れたアモルファス金属で被覆する
ことが可能となる。
例え対象物が大型であっても、電子線照射により格子欠
陥が導入され、それが蓄積される領域は、何れもアモル
ファス化することが°可能である。従って、例えば、各
種の口径の金１７４． ／＜イブの内壁及び外壁を機械
的強度及び耐食性に優れたアモルファス金属で被覆する
ことが可能となる。
（→ 制御の困畔な急速冷却過程を経ない為、得られる
アモルファスが均一である上に、そのアモルファスの度
合（不規則度）を、照射量を増減させることによって連
続的に制御することができる。
アモルファスが均一である上に、そのアモルファスの度
合（不規則度）を、照射量を増減させることによって連
続的に制御することができる。
（ハ）電子線が電磁場によって容易に曲げられる性質を
利用することによって、照射領域即ちアモルファスに変
態させる領域の形状を任意に制御することができる。即
ち、電子線の太さと照射位置を電磁場で制御することに
よって、成る与えられた母材の中に設計通りの大領域か
ら直径１ ｎｍ又はそれ以下の微小領域に至る任意の大
きさと形状を持つアモルファス領域を、母材とのつなが
りの良い状ｒｆＱで形成することができる。
利用することによって、照射領域即ちアモルファスに変
態させる領域の形状を任意に制御することができる。即
ち、電子線の太さと照射位置を電磁場で制御することに
よって、成る与えられた母材の中に設計通りの大領域か
ら直径１ ｎｍ又はそれ以下の微小領域に至る任意の大
きさと形状を持つアモルファス領域を、母材とのつなが
りの良い状ｒｆＱで形成することができる。
本発明方法は以上に記した如き多数の優れた利点を有す
る為、産）１上極めて有用である。
る為、産）１上極めて有用である。
第１図は本発明方法の電子線照射工程を示す線図的斜視
図である。 １・・・高エネルギー電子線、２・・・対象とする金属
。 特許出願人 大 阪 大 学 長 第９図
図である。 １・・・高エネルギー電子線、２・・・対象とする金属
。 特許出願人 大 阪 大 学 長 第９図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 対象とする金属を佃傷を与えるのに十分なエネルギ
ーを持つ電子線によって照射し、導入される格子欠陥の
４）度を制御することによって、任意の不規則度のアモ
ルファス状態を１（）ることを竹ＩＶｔとするアモルフ
ァス金属の製Ｉ貴方法。 λ ！Ｉ’、’ｊ訂１ｆｔ’Ｊ求の範囲１記載のアモル
ファス金属の・；シ１１造方法において、電子線審１す
を当該金属によって定まる臨界値以上に保つと同時に、
照射γ１１１］を度を前記電子線密度と当該金属とによ
って定まる臨界ｉｈＡ Ｗ以下に制御すること。 ８ 特許請求の範囲ｌ記イ＆のアモルファス金属の１−
！！造方法において、対象とする金属として金１４間化
合物を用いること。 ４ 特１１１゛請求の範囲３記・１氏のアモルファス金
属の製造方法において、金に４間化合物が１ＪｉＴｘ
５Ｆｅ２Ｔｉ 、 ｚｒ２ＡＩＳＺｒＯｕ 、 Ｇｕａ
Ｔｉ 、 ＶａＳｉ及び鉄−ジルコニウム化合物から成
る群から選択したものであること。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58128709A JPS6021366A (ja) | 1983-07-16 | 1983-07-16 | アモルフアス金属の製造方法 |
| US06/585,912 US4564395A (en) | 1983-07-16 | 1984-03-02 | Method for producing amorphous metals |
| EP84301693A EP0132907B1 (en) | 1983-07-16 | 1984-03-13 | Method of producing amorphous metallic material |
| DE8484301693T DE3474969D1 (en) | 1983-07-16 | 1984-03-13 | Method of producing amorphous metallic material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58128709A JPS6021366A (ja) | 1983-07-16 | 1983-07-16 | アモルフアス金属の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6021366A true JPS6021366A (ja) | 1985-02-02 |
| JPS6215630B2 JPS6215630B2 (ja) | 1987-04-08 |
Family
ID=14991487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58128709A Granted JPS6021366A (ja) | 1983-07-16 | 1983-07-16 | アモルフアス金属の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4564395A (ja) |
| EP (1) | EP0132907B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6021366A (ja) |
| DE (1) | DE3474969D1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4863810A (en) * | 1987-09-21 | 1989-09-05 | Universal Energy Systems, Inc. | Corrosion resistant amorphous metallic coatings |
| JP2564197B2 (ja) * | 1989-08-22 | 1996-12-18 | トヨタ自動車株式会社 | アモルファス金属膜及びその製造方法 |
| JPH07122120B2 (ja) * | 1989-11-17 | 1995-12-25 | 健 増本 | 加工性に優れた非晶質合金 |
| JP2742631B2 (ja) * | 1990-07-24 | 1998-04-22 | トヨタ自動車株式会社 | 非晶質磁性膜の製造方法 |
| US5369300A (en) * | 1993-06-10 | 1994-11-29 | Delco Electronics Corporation | Multilayer metallization for silicon semiconductor devices including a diffusion barrier formed of amorphous tungsten/silicon |
| US5454886A (en) * | 1993-11-18 | 1995-10-03 | Westaim Technologies Inc. | Process of activating anti-microbial materials |
| JP3449510B2 (ja) * | 1995-12-12 | 2003-09-22 | 日本原子力研究所 | 軽水炉部品 |
| US5808233A (en) * | 1996-03-11 | 1998-09-15 | Temple University-Of The Commonwealth System Of Higher Education | Amorphous-crystalline thermocouple and methods of its manufacture |
| CN101698903B (zh) * | 2009-10-21 | 2012-07-04 | 河海大学 | 金属基非晶/纳米晶复合材料层的制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1486265A (en) * | 1973-10-17 | 1977-09-21 | Hitachi Ltd | Method for producing an amorphous state of a solid material |
| CA1095387A (en) * | 1976-02-17 | 1981-02-10 | Conrad M. Banas | Skin melting |
-
1983
- 1983-07-16 JP JP58128709A patent/JPS6021366A/ja active Granted
-
1984
- 1984-03-02 US US06/585,912 patent/US4564395A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-03-13 DE DE8484301693T patent/DE3474969D1/de not_active Expired
- 1984-03-13 EP EP84301693A patent/EP0132907B1/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0132907A1 (en) | 1985-02-13 |
| JPS6215630B2 (ja) | 1987-04-08 |
| DE3474969D1 (en) | 1988-12-08 |
| EP0132907B1 (en) | 1988-11-02 |
| US4564395A (en) | 1986-01-14 |
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