JPS60211069A - スパツタリング用タ−ゲツト - Google Patents
スパツタリング用タ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS60211069A JPS60211069A JP6772084A JP6772084A JPS60211069A JP S60211069 A JPS60211069 A JP S60211069A JP 6772084 A JP6772084 A JP 6772084A JP 6772084 A JP6772084 A JP 6772084A JP S60211069 A JPS60211069 A JP S60211069A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- target
- sintered body
- oxide
- nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は被加工面上にスパッタリング薄膜を形成するス
パッタリング用ターゲットに関するものである。
パッタリング用ターゲットに関するものである。
一般にスパッタリング法によ少て被加工面上に形成され
る酸化物、窒化物被膜としては、例えば酸化インジウム
、酸化硅素、窒化硅素等が対象とされることが多い。こ
の場合、材料すなわちターゲット部材としてこれらの物
質の粉末を焼結した粉末焼結体を使用してスパッタリン
グを進行させる非反応性スパッタリング法と、インジウ
ム、硅素等の構成元素のうちの固体要素の溶融体を使用
し酸素、窪素等の構成元素のうちの気体成分を含有する
雰囲気中で反応を進行させながらスパッタリングを進行
させる反応性スパッタリング法とによる場合が＄１１．
この両者にはそれぞれ利害が相半ばすることがある。゛
例えば、酸化物、窒化物をターゲットとして行なう非反
応性スパッタリング法においては、材料が高融点である
ため１例えば構成金属の塩の水溶液から得た酸化物ない
し水酸化物を仮焼して得た酸化物粉末を加圧成形して焼
緒した焼結粉末集合体を使用する。このため、焼結体を
構成する粒子の結合度を高くすることができず充填率が
低く１例えば見掛は比重７０４９度を示す。このような
ターゲットを使用すると、ターゲット消耗の進行ととも
に構成粒子が離脱して被加工面を塵埃汚損することがあ
る。また、ターゲツト体の表面積が大で表面への吸着ガ
スが多く、さらにはラビリンス組織のため、吸蔵ガスが
離脱しに〈＜、真空度上昇に時間を要して作業効率が低
下するという問題をもっている。その反面、非反応性で
あるための形成被膜の電気的、光学的特性が、スパッタ
リング雰囲気を一般にイオン射突によるターゲット構成
体の叩き出しにのみ寄与する不活性ガスのみを使用し、
速度、温度等の作業条件に対して裕度が高くかつ再現性
が大である利点がある。一方１反応性スパッタリングで
は、ターゲットを構成する金属は比較的融点の高い物質
では焼結冶金法によシ作製することもあるが、一般的に
溶融法によシ作製するので、ターゲツト体に空隙がない
ので、ターゲット消耗の進行とともに粒子離脱による塵
埃汚損を起すことがない。しかしながら、酸化物や窒化
物をこのような金属溶融体によ如作製するには、スパッ
タリング雰囲気に酸素や窒素のように目的形成物の一部
を化学反応の結果として構成するガスを使用するので１
反応性ガス濃度や放電雰囲気圧、形成速度、形成温度に
極めて敏感に形成膜質が変化してしまい１作業の再現性
が低くなるという欠点があった。
る酸化物、窒化物被膜としては、例えば酸化インジウム
、酸化硅素、窒化硅素等が対象とされることが多い。こ
の場合、材料すなわちターゲット部材としてこれらの物
質の粉末を焼結した粉末焼結体を使用してスパッタリン
グを進行させる非反応性スパッタリング法と、インジウ
ム、硅素等の構成元素のうちの固体要素の溶融体を使用
し酸素、窪素等の構成元素のうちの気体成分を含有する
雰囲気中で反応を進行させながらスパッタリングを進行
させる反応性スパッタリング法とによる場合が＄１１．
この両者にはそれぞれ利害が相半ばすることがある。゛
例えば、酸化物、窒化物をターゲットとして行なう非反
応性スパッタリング法においては、材料が高融点である
ため１例えば構成金属の塩の水溶液から得た酸化物ない
し水酸化物を仮焼して得た酸化物粉末を加圧成形して焼
緒した焼結粉末集合体を使用する。このため、焼結体を
構成する粒子の結合度を高くすることができず充填率が
低く１例えば見掛は比重７０４９度を示す。このような
ターゲットを使用すると、ターゲット消耗の進行ととも
に構成粒子が離脱して被加工面を塵埃汚損することがあ
る。また、ターゲツト体の表面積が大で表面への吸着ガ
スが多く、さらにはラビリンス組織のため、吸蔵ガスが
離脱しに〈＜、真空度上昇に時間を要して作業効率が低
下するという問題をもっている。その反面、非反応性で
あるための形成被膜の電気的、光学的特性が、スパッタ
リング雰囲気を一般にイオン射突によるターゲット構成
体の叩き出しにのみ寄与する不活性ガスのみを使用し、
速度、温度等の作業条件に対して裕度が高くかつ再現性
が大である利点がある。一方１反応性スパッタリングで
は、ターゲットを構成する金属は比較的融点の高い物質
では焼結冶金法によシ作製することもあるが、一般的に
溶融法によシ作製するので、ターゲツト体に空隙がない
ので、ターゲット消耗の進行とともに粒子離脱による塵
埃汚損を起すことがない。しかしながら、酸化物や窒化
物をこのような金属溶融体によ如作製するには、スパッ
タリング雰囲気に酸素や窒素のように目的形成物の一部
を化学反応の結果として構成するガスを使用するので１
反応性ガス濃度や放電雰囲気圧、形成速度、形成温度に
極めて敏感に形成膜質が変化してしまい１作業の再現性
が低くなるという欠点があった。
したがって本発明は、前述した両者の欠点を補なって高
品位のスパッタリング被膜を再現性９作業性成〈得られ
るスパッタリングターゲットを提供することを目的とし
ている。
品位のスパッタリング被膜を再現性９作業性成〈得られ
るスパッタリングターゲットを提供することを目的とし
ている。
このような目的を達成するために本発明は、比較的融点
の高い酸化物、窒化物粉末の多孔性焼結体の空隙部に、
前記酸化物、窒化物を構成する比較的低融点の陽性元素
を充＃４ｔたは溶融含浸させて該空隙部をうずめてスパ
ッタリング用ターゲットを構成したものである。
の高い酸化物、窒化物粉末の多孔性焼結体の空隙部に、
前記酸化物、窒化物を構成する比較的低融点の陽性元素
を充＃４ｔたは溶融含浸させて該空隙部をうずめてスパ
ッタリング用ターゲットを構成したものである。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
図は本発明によるスパッタリング用ターゲットの一例を
示手耐面構成図である。同図において。
示手耐面構成図である。同図において。
１は酸化インジウム粉末焼結体、２はこの酸化インジウ
ム粉末焼結体１の空隙部に浸透して充填された溶融金属
インジウムである。そして、このような金属インジウム
２を酸化インジウム粉末焼結体１に充填して構成される
ターゲツト体を作製するには、通常このような目的で使
用される真空含浸法によシ容易に形成すゐことができる
。
ム粉末焼結体１の空隙部に浸透して充填された溶融金属
インジウムである。そして、このような金属インジウム
２を酸化インジウム粉末焼結体１に充填して構成される
ターゲツト体を作製するには、通常このような目的で使
用される真空含浸法によシ容易に形成すゐことができる
。
このようにして構成されるターゲットを使用してスパッ
タを行なうには、当然ながら酸素を含有する雰囲気中で
行なう必要がめるが、金属インジウムのみをターゲット
とする場合に比較して極めて安定して電気光学特性の再
現性を得ることができ、また酸化物粒子が金属インジウ
ム２内に埋没しているので、離脱して塵埃となる率は極
めて低く、さらにはターゲット内部に吸蔵されるガスが
ないので、スパッタリング用真空装置の真空度上昇が遅
くなるようなことがない。また、このように構成される
ターゲットを使用するに当っては。
タを行なうには、当然ながら酸素を含有する雰囲気中で
行なう必要がめるが、金属インジウムのみをターゲット
とする場合に比較して極めて安定して電気光学特性の再
現性を得ることができ、また酸化物粒子が金属インジウ
ム２内に埋没しているので、離脱して塵埃となる率は極
めて低く、さらにはターゲット内部に吸蔵されるガスが
ないので、スパッタリング用真空装置の真空度上昇が遅
くなるようなことがない。また、このように構成される
ターゲットを使用するに当っては。
ターゲットの綜合酸素含有率をよシ安定圧するため、随
時酸素量の多い雰囲気中でスパッタリングを行なってタ
ーゲット表面を充分に安定した酸化状態とした後に被膜
形成を目的とする通常のスパッタリングを行なうようＫ
することも有効である。
時酸素量の多い雰囲気中でスパッタリングを行なってタ
ーゲット表面を充分に安定した酸化状態とした後に被膜
形成を目的とする通常のスパッタリングを行なうようＫ
することも有効である。
なお、前述した実施例においては、多孔性焼結体として
酸化インジウム粉末焼結体を用い、陽性元素として金属
インジウムを用いた場合について説明したが、本発明は
これに限定されるものではなく、多孔性焼結体として酸
化インジウム、酸化錫混合粉末焼結体を用い、陽性元素
として金属インジウム、金属錫を用いても前述と同様の
効果が得られることは勿論である。同様に酸化カドミウ
ムを含有する多孔性焼結体に対し、陽性元素として金属
カドずラムを使用する場合も同様の効果がえられる。総
合的に言えば金属インジウム、錫。
酸化インジウム粉末焼結体を用い、陽性元素として金属
インジウムを用いた場合について説明したが、本発明は
これに限定されるものではなく、多孔性焼結体として酸
化インジウム、酸化錫混合粉末焼結体を用い、陽性元素
として金属インジウム、金属錫を用いても前述と同様の
効果が得られることは勿論である。同様に酸化カドミウ
ムを含有する多孔性焼結体に対し、陽性元素として金属
カドずラムを使用する場合も同様の効果がえられる。総
合的に言えば金属インジウム、錫。
カドイウムの如き融点がたかだか３２０度御度の場合、
上記の真空含浸法が、現実的に実施しうる。
上記の真空含浸法が、現実的に実施しうる。
以上説明したように本発明によれば、高品位のスパッタ
リング被膜が再現性９作業性良く得られるという極めて
優れた効果を有する。
リング被膜が再現性９作業性良く得られるという極めて
優れた効果を有する。
図は本発明によるスパッタリング用ターゲットの一例を
示す要部断面構成図である。 １・・・・酸化インジウム粉末焼結体、２・・・骨金属
インジウム。
示す要部断面構成図である。 １・・・・酸化インジウム粉末焼結体、２・・・骨金属
インジウム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、融点の高い酸化物、窒化物粉末の多孔性焼結体の空
隙部に前記酸化物、窒化物を構成する融点の低い陽性元
素を充填もしくは溶融含浸させて該空隙部を埋めること
を特徴としたスパッタリング用ターゲット。 ２、前記多孔性焼結体を酸化インジウム粉末焼結体とし
、前記陽性元素を金属インジウムとしたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のスパッタリング用ターゲ
ット。 ３、前記多孔性焼結体を酸化インジウム、酸化錫混合粉
末焼結体とし、前記陽性元素を金属インジウム、金属錫
の両方又状いずれか一方としたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のスパッタリング用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6772084A JPS60211069A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6772084A JPS60211069A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211069A true JPS60211069A (ja) | 1985-10-23 |
Family
ID=13353070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6772084A Pending JPS60211069A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211069A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6350471A (ja) * | 1986-08-16 | 1988-03-03 | デメトロン・ゲゼルシヤフト・フユア・エレクトロニク−ヴエルクシユトツフエ・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | タ−ゲツトの製法 |
| US5480532A (en) * | 1994-03-09 | 1996-01-02 | Leybold Materials | Sputter target for cathodic atomization to produce transparent, conductive layers |
-
1984
- 1984-04-06 JP JP6772084A patent/JPS60211069A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6350471A (ja) * | 1986-08-16 | 1988-03-03 | デメトロン・ゲゼルシヤフト・フユア・エレクトロニク−ヴエルクシユトツフエ・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | タ−ゲツトの製法 |
| JPH057461B2 (ja) * | 1986-08-16 | 1993-01-28 | Demetoron Gmbh | |
| US5480532A (en) * | 1994-03-09 | 1996-01-02 | Leybold Materials | Sputter target for cathodic atomization to produce transparent, conductive layers |
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