JPS60208035A - イオンビ−ム発生装置 - Google Patents
イオンビ−ム発生装置Info
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- JPS60208035A JPS60208035A JP59066895A JP6689584A JPS60208035A JP S60208035 A JPS60208035 A JP S60208035A JP 59066895 A JP59066895 A JP 59066895A JP 6689584 A JP6689584 A JP 6689584A JP S60208035 A JPS60208035 A JP S60208035A
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- laser
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/24—Ion sources; Ion guns using photo-ionisation, e.g. using laser beam
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- Analytical Chemistry (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体加工装置をはじめ材料改質。
材料合成等に使われるイオンビーム発生装置に関するも
のである。
のである。
従来、イオンビーム発生装置によるイオン発生方法とし
ては、種々の手法が考えられ実用化されて来た。その大
部分は放電を利用したものであったが、近年レーザ光を
使ったイオン源が考え出されて来ている。このレーザ光
等の光を使った方式には２つあり、１つはレーザ光を金
属等の固体に照射してそのプラズマをイオン源として使
ったり、レーザ光を集光して気体、液体に照射してプラ
ズマを作り、これをイオン源としたりするものであり、
他の１つは波長の可変な光源を使い、レーザ光等の単一
波長を対象とするイオン化されるべき物質のエネルギ準
位に共鳴させて該物質をイオン化させるものであり、本
発明は後者に関するものである。
ては、種々の手法が考えられ実用化されて来た。その大
部分は放電を利用したものであったが、近年レーザ光を
使ったイオン源が考え出されて来ている。このレーザ光
等の光を使った方式には２つあり、１つはレーザ光を金
属等の固体に照射してそのプラズマをイオン源として使
ったり、レーザ光を集光して気体、液体に照射してプラ
ズマを作り、これをイオン源としたりするものであり、
他の１つは波長の可変な光源を使い、レーザ光等の単一
波長を対象とするイオン化されるべき物質のエネルギ準
位に共鳴させて該物質をイオン化させるものであり、本
発明は後者に関するものである。
本発明は、上記共鳴光励起、イオン化方式のイオンビー
ム発生装置において、イオン化させる物質の共鳴光励起
にてイオン化させる直前の状態として、該物質のりュー
ドベルグ状Ｑ （ＲｙｄｂｅｒｇＩｅνｅｌ ）を使う
ことにより、従来の共鳴光励起。
ム発生装置において、イオン化させる物質の共鳴光励起
にてイオン化させる直前の状態として、該物質のりュー
ドベルグ状Ｑ （ＲｙｄｂｅｒｇＩｅνｅｌ ）を使う
ことにより、従来の共鳴光励起。
イオン化方式に比べ入力光エネルギに対するイオン化効
率を数桁以上向上でき、かつ選択イオン化における選択
性に優れたイオンビーム発生装置を提供することを目的
としている。
率を数桁以上向上でき、かつ選択イオン化における選択
性に優れたイオンビーム発生装置を提供することを目的
としている。
まず本発明装置におけるイオン化方法をマグネシウムイ
オンビームを発生する場合を例にとって従来の方法と比
較しつつ説明する。第１図はマグネシウム中性原子のエ
ネルギ準位図である。
オンビームを発生する場合を例にとって従来の方法と比
較しつつ説明する。第１図はマグネシウム中性原子のエ
ネルギ準位図である。
従来のイオン化方法は、例えば波長が２８５３人。
５５２８人の２本のレーザビームＢｌ、Ｂ２をイオン化
させたいマグネシウム蒸気に照射する方法であり、即ち
基底状態３ｓ（’Ｓ）にあるマグネシウム原子をまず２
８５３人のレーザビームＢ１により第１励起状態３ｐ
ＣＩ ＰＯ）に共鳴励起し、その後５５２８人のレーザ
ビームＢ２によりエネルギ準位３ｄ （Ｉ Ｄ）に共鳴
励起し、さらに２８５３人のレーザビームＢ１でイオン
化させるものである。
させたいマグネシウム蒸気に照射する方法であり、即ち
基底状態３ｓ（’Ｓ）にあるマグネシウム原子をまず２
８５３人のレーザビームＢ１により第１励起状態３ｐ
ＣＩ ＰＯ）に共鳴励起し、その後５５２８人のレーザ
ビームＢ２によりエネルギ準位３ｄ （Ｉ Ｄ）に共鳴
励起し、さらに２８５３人のレーザビームＢ１でイオン
化させるものである。
本発明装置におけるイオン化方法が上記従来のイオン化
方法と異なる点は、マグネシウム蒸気を第１励起状態３
ｐ（”Ｐ’）からりュードベルグ状恕１３ｄ（ＩＤ）に
例えば波長３８５９人のレーザビームＢ３により共鳴励
起させ、該励起蒸気の該励起状態からのイオン化はガス
放電による電子衝突等でなされる点にある。
方法と異なる点は、マグネシウム蒸気を第１励起状態３
ｐ（”Ｐ’）からりュードベルグ状恕１３ｄ（ＩＤ）に
例えば波長３８５９人のレーザビームＢ３により共鳴励
起させ、該励起蒸気の該励起状態からのイオン化はガス
放電による電子衝突等でなされる点にある。
この発明装置におけるイオン化方法の場合、従来のイオ
ン化方法がエネルギ準位３ｄ（ＩＤ）から直接イオン化
させるのに比べ、イオン化させる衝突断面積が数桁以上
高い。従ってレーザビームの出力エネルギが小さくてす
み、しかも完全に共鳴のみを使うためレーザビームのエ
ネルギ準位。
ン化方法がエネルギ準位３ｄ（ＩＤ）から直接イオン化
させるのに比べ、イオン化させる衝突断面積が数桁以上
高い。従ってレーザビームの出力エネルギが小さくてす
み、しかも完全に共鳴のみを使うためレーザビームのエ
ネルギ準位。
波長を不純物原子のそれらと一致しないように選択すれ
ばイオン化させたい物質のみをイオン化でき、しかも純
度の高いものができる。
ばイオン化させたい物質のみをイオン化でき、しかも純
度の高いものができる。
また上記レーザビームの波長を変えることにより、容易
に他種の物質のイオンビームを発生ずることができ、こ
の場合イオン化される多種の物質を前もってイオンビー
ム発生容器内に導入しておいても良い。このように発生
するイオンビームの種類を容易に変えることができる本
発明の手法は従来の方法にないものであり、イオンビー
ムで処理するイオン種の異なるような２つ以上の行程を
連続して行なうことができる利点がある。
に他種の物質のイオンビームを発生ずることができ、こ
の場合イオン化される多種の物質を前もってイオンビー
ム発生容器内に導入しておいても良い。このように発生
するイオンビームの種類を容易に変えることができる本
発明の手法は従来の方法にないものであり、イオンビー
ムで処理するイオン種の異なるような２つ以上の行程を
連続して行なうことができる利点がある。
次にこの発明の実施例を図について説明する。
第２図は本発明の第１の実施例を示す。図において、１
はイオン化されるべき物質が導入される容器、１ａは上
記物質を該容器１内に導入するためのガス導入孔、１ｂ
はガス排出孔、３ａ、３ｂは図示しないレーザビーム発
生部からのレーザビーＪ、Ｂ１．Ｂ３を上記容器１内に
導入する窓であり、該容器１内のレーザビームＢｌ、Ｂ
３が交差する空間はイオン生成空間４となっている。な
お、上記レーザビーム発生部としては、波長可変レーザ
又は自由電子レーザ等のレーザが用いられる。
はイオン化されるべき物質が導入される容器、１ａは上
記物質を該容器１内に導入するためのガス導入孔、１ｂ
はガス排出孔、３ａ、３ｂは図示しないレーザビーム発
生部からのレーザビーＪ、Ｂ１．Ｂ３を上記容器１内に
導入する窓であり、該容器１内のレーザビームＢｌ、Ｂ
３が交差する空間はイオン生成空間４となっている。な
お、上記レーザビーム発生部としては、波長可変レーザ
又は自由電子レーザ等のレーザが用いられる。
５．６は上記イオン生成空間４を挟んで配置された電極
、５ａ、５ａは上記電極５．６に電圧を印加する端子で
あり、これらは上記イオン生成空間４において高周波ガ
ス放電を生ぜしめるガス放電発生部１５を構成しており
、該ガス放電発生部１５は、上記物質がそのリュードベ
ルグ状態からイオン状態になるに充分なように共鳴する
ような高岡１ｆｆｌｆｆｉ源を有している。なお、上記
イオン化されるべき物質が化合物又は分子状態のガスと
して容器ｌに導入される場合は、上記イオン化のための
ガス放電が上記物質を中性元素状態にするためのガス放
電を兼ねるようにしてもよい。
、５ａ、５ａは上記電極５．６に電圧を印加する端子で
あり、これらは上記イオン生成空間４において高周波ガ
ス放電を生ぜしめるガス放電発生部１５を構成しており
、該ガス放電発生部１５は、上記物質がそのリュードベ
ルグ状態からイオン状態になるに充分なように共鳴する
ような高岡１ｆｆｌｆｆｉ源を有している。なお、上記
イオン化されるべき物質が化合物又は分子状態のガスと
して容器ｌに導入される場合は、上記イオン化のための
ガス放電が上記物質を中性元素状態にするためのガス放
電を兼ねるようにしてもよい。
８は試料、８ａは該試料８を保持する試料台であり、該
試料台８ａと上記電極６との間には直流電圧が印加され
、これによりイオン化された物質をイオンビームとして
引き出すための引き出し電界が発生される。
試料台８ａと上記電極６との間には直流電圧が印加され
、これによりイオン化された物質をイオンビームとして
引き出すための引き出し電界が発生される。
次に動作について説明する。
本実施例装置により、マグネシウムのイオンビームを発
生する場合を考える。まず容器１にガス導入孔１ａより
マグネシウム蒸気ｌＯを導入する。
生する場合を考える。まず容器１にガス導入孔１ａより
マグネシウム蒸気ｌＯを導入する。
そして上記レーザビーム発生部が発振し、これにより波
長２８５３人のレーザビームＢ１が窓３ａを介して上記
容器１に導入され、また３８５９人のレーザビームＢ３
が窓３ｂを介して同様に導入され、両ビームＢｌ、Ｂ３
が容器１内のイオン生成空間４において交差し、これに
より上記マグネシウム蒸気１０は、２８５３人のレーザ
ビームＢ１により基底状態３ｓ（ＩＳ）から第１励起状
態３ｐ（’ＰＯ）に共鳴励起され、さらに３８５９人の
レーザビームＢ３により上記第１励起状態３ｐ（’ＰＯ
）がらりュードヘルグ状態１３ｄ（ＩＤ）に階段状に共
鳴励起される。
長２８５３人のレーザビームＢ１が窓３ａを介して上記
容器１に導入され、また３８５９人のレーザビームＢ３
が窓３ｂを介して同様に導入され、両ビームＢｌ、Ｂ３
が容器１内のイオン生成空間４において交差し、これに
より上記マグネシウム蒸気１０は、２８５３人のレーザ
ビームＢ１により基底状態３ｓ（ＩＳ）から第１励起状
態３ｐ（’ＰＯ）に共鳴励起され、さらに３８５９人の
レーザビームＢ３により上記第１励起状態３ｐ（’ＰＯ
）がらりュードヘルグ状態１３ｄ（ＩＤ）に階段状に共
鳴励起される。
また上記レーザ発振と時間的に同期して電極５と電極６
の各々に端子５ａ、６ａから電圧が印加され、これによ
り、上記リュードベルグ状態１３ｄ（ＩＤ）にあるマグ
ネシウム蒸気１０にガス放電による電子が衝突し、その
結果マグネシウム蒸気１０はイオン化される。また上記
電極６と試料台８ａとの間には直流電圧が印加されてお
り、これにより上記イオン化されたマグネシウム蒸気１
０はマグネシウムのイオンのみからなるイオンビーム９
として引き出され、該イオンビーム９は上記試料８に照
射される。
の各々に端子５ａ、６ａから電圧が印加され、これによ
り、上記リュードベルグ状態１３ｄ（ＩＤ）にあるマグ
ネシウム蒸気１０にガス放電による電子が衝突し、その
結果マグネシウム蒸気１０はイオン化される。また上記
電極６と試料台８ａとの間には直流電圧が印加されてお
り、これにより上記イオン化されたマグネシウム蒸気１
０はマグネシウムのイオンのみからなるイオンビーム９
として引き出され、該イオンビーム９は上記試料８に照
射される。
以上の動作説明における本実施例の特徴を示すと、まず
第１に本実施例は完全に共鳴のみを用いて選択イオン化
を行なうものであるので、上記容器ｌ内にイオン化させ
るべき物質、この場合マグネシウム、以外の不純物、酸
素、窒素、炭素、水素等が含まれていて、しかもその量
がマグネシウムより多くても、レーザビームのエネルギ
準位５波長を上記不純物等のそれらと一致させないよう
にして希望の元素、この場合はマグネシウム、のみがイ
オン化された純粋なマグネシウムイオンビームが得られ
る。
第１に本実施例は完全に共鳴のみを用いて選択イオン化
を行なうものであるので、上記容器ｌ内にイオン化させ
るべき物質、この場合マグネシウム、以外の不純物、酸
素、窒素、炭素、水素等が含まれていて、しかもその量
がマグネシウムより多くても、レーザビームのエネルギ
準位５波長を上記不純物等のそれらと一致させないよう
にして希望の元素、この場合はマグネシウム、のみがイ
オン化された純粋なマグネシウムイオンビームが得られ
る。
第２に本実施例は上述のとおり、選択イオン化を行なう
ものであり、かつ共鳴光励起によるイオン化を行なうも
のであるので、電子や他の元素が励起されたり、エネル
ギ吸収により温度上昇したりすることはなく、その結果
イオンビームを照射する対象試料８、例えば半導体の場
合は基板、の温度を上昇させることはなく、低温処理が
できる。
ものであり、かつ共鳴光励起によるイオン化を行なうも
のであるので、電子や他の元素が励起されたり、エネル
ギ吸収により温度上昇したりすることはなく、その結果
イオンビームを照射する対象試料８、例えば半導体の場
合は基板、の温度を上昇させることはなく、低温処理が
できる。
第３にイオンビームの種類や特性を変える場合はレーザ
ビームの波長及び印加電圧を変えれば良く、従来のよう
な試料を取り出したり、イオン源部を交換するために容
器を開閉したりする必要はなく、従って、イオン注入と
アニーリング等の連続動作が容易にできる。
ビームの波長及び印加電圧を変えれば良く、従来のよう
な試料を取り出したり、イオン源部を交換するために容
器を開閉したりする必要はなく、従って、イオン注入と
アニーリング等の連続動作が容易にできる。
第３図は本発明の第２の実施例を示す。図において、第
２図と同一符号は同−又は相当部分を示し、１３はイオ
ン化させるべき物質１２を収容するオーブン、１３ａは
上記オープン１３の外周に設けられたヒータ、１１はイ
オン化されたマグネシウム蒸気１０を容器１の軸心に集
束せしめるマグネット、１４は上記集束されたマグネシ
ウム蒸気１０をイオンビーム９として引き出す引き出し
電極である。
２図と同一符号は同−又は相当部分を示し、１３はイオ
ン化させるべき物質１２を収容するオーブン、１３ａは
上記オープン１３の外周に設けられたヒータ、１１はイ
オン化されたマグネシウム蒸気１０を容器１の軸心に集
束せしめるマグネット、１４は上記集束されたマグネシ
ウム蒸気１０をイオンビーム９として引き出す引き出し
電極である。
次に動作について説明する。
オーブン１３内にイオン化させる物質であるマグネシウ
ム１２を入れ、ヒータ１３ａによりオーブン１３を加熱
すると上記マグネシウム１２が溶融、気化してマグネシ
ウム蒸気１０が発生し、該蒸気１０はガス導入孔１ａを
通って容器１内に導入される。そして２８５３人のレー
ザビームＢ１と３８５９人のレーザビームＢ３が各々窓
３ａ、３ｂを介して上記容器１内に導入されて上記蒸気
１０に照射され、また同時に電極５，６に電圧が印加さ
れて上記蒸気ｌＯにガス放電による電子が衝突する。
ム１２を入れ、ヒータ１３ａによりオーブン１３を加熱
すると上記マグネシウム１２が溶融、気化してマグネシ
ウム蒸気１０が発生し、該蒸気１０はガス導入孔１ａを
通って容器１内に導入される。そして２８５３人のレー
ザビームＢ１と３８５９人のレーザビームＢ３が各々窓
３ａ、３ｂを介して上記容器１内に導入されて上記蒸気
１０に照射され、また同時に電極５，６に電圧が印加さ
れて上記蒸気ｌＯにガス放電による電子が衝突する。
するとこれにより蒸気１０は基底状態３ｓ（’Ｓ）から
第１励起状態３ｐ（ＩＰＯ）を経てリュードヘルグ状態
１３ｄ（ＩＤ）に階段状に励起され、さらに上記ガス放
電による電子衝突によりリュードベルグ状態１３ｄ（Ｉ
Ｄ）にあるマグネシウム蒸気１０の電子が自由電子とな
り、これによりイオン生成空間４にマグネシウムイオン
が生成され、該マグネシウムイオンはマグネット１１に
より軸心に集束された後、引き出し電極１４によってイ
オンビーム９として放出される。
第１励起状態３ｐ（ＩＰＯ）を経てリュードヘルグ状態
１３ｄ（ＩＤ）に階段状に励起され、さらに上記ガス放
電による電子衝突によりリュードベルグ状態１３ｄ（Ｉ
Ｄ）にあるマグネシウム蒸気１０の電子が自由電子とな
り、これによりイオン生成空間４にマグネシウムイオン
が生成され、該マグネシウムイオンはマグネット１１に
より軸心に集束された後、引き出し電極１４によってイ
オンビーム９として放出される。
第４図は本発明の第３の実施例によるイオンビーム発生
装置におけるレーザ発振装置の構成例である。
装置におけるレーザ発振装置の構成例である。
本発明におけるイオン生成のためのレーザビームとガス
放電とは時間的に同期される必要があり、また階段状に
元素を励起させるためには複数の各々特定周波数のレー
ザビームが必要であり、該複数のレーザビームももちろ
ん同期させる必要がある訳であるが、第４図はその同期
方法の一例を示すものである。
放電とは時間的に同期される必要があり、また階段状に
元素を励起させるためには複数の各々特定周波数のレー
ザビームが必要であり、該複数のレーザビームももちろ
ん同期させる必要がある訳であるが、第４図はその同期
方法の一例を示すものである。
本レーザ発振装置２０は、３台の波長可変のダイレーザ
２２，２３．２４と、咳各ダイレーザ２２〜２４を励起
するための励起源レーザ２１と、ハーフミラ−２５，２
６、全反射ミラー２７とから構成されている。このよう
に励起源を１台のレーザ１で構成したことにより、発振
するレーザビームω１．ω２．ω３は時間的に同期され
たものとなる。そして上記励起源レーザ２１の発振と、
上記電極５．６への電圧印加を同時に行なうことにより
、レーザビームとガス放電とを時間的に同期できること
となる。
２２，２３．２４と、咳各ダイレーザ２２〜２４を励起
するための励起源レーザ２１と、ハーフミラ−２５，２
６、全反射ミラー２７とから構成されている。このよう
に励起源を１台のレーザ１で構成したことにより、発振
するレーザビームω１．ω２．ω３は時間的に同期され
たものとなる。そして上記励起源レーザ２１の発振と、
上記電極５．６への電圧印加を同時に行なうことにより
、レーザビームとガス放電とを時間的に同期できること
となる。
このように、本発明に係るイオンビーム発生装置によれ
ば、イオン化されるべき物質をレーザビームの照射によ
りその基底状態からりュードベルグ状態に共鳴光励起し
、さらに上記物質をガス放電により該励起状態からイオ
ン状態にするようにしたので、イオン化効率及びイオン
の選択性を大きく向上できる効果がある。
ば、イオン化されるべき物質をレーザビームの照射によ
りその基底状態からりュードベルグ状態に共鳴光励起し
、さらに上記物質をガス放電により該励起状態からイオ
ン状態にするようにしたので、イオン化効率及びイオン
の選択性を大きく向上できる効果がある。
第１図はマグネシウム中性原子のシングレット系のエネ
ルギ状態図、第２図は本発明の第１の実施例によるシャ
ワー型イオンビーム発生装置の概略構成図、第３図は本
発明の第２の実施例による集束型イオンビーム発生装置
の概略構成図、第４図は本発明の第３の実施例によるイ
オンビーム発生装置のレーザビーム発振器のブロック図
である。 １・・・容器、１５・・・ガス放電発生部、２０・・・
レーザビームＱ生ｆａ、Ｂ１〜Ｂ３・・・レーザビーム
。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１ 図 を 工 第３図 第４図 手続補正書（自発） ２０発明の名称 イオンビーム発生装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名 称
（６０１）三菱電機株式会社 代表者片山仁八部 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄、及び図面（第１図） ６、補正の内容 （１１明細書第４頁第１４行のｒｌｅｖｅｌ Ｊを［５
ｔａｔｅ Ｊに訂正する。 （２）同第６頁第５〜６行の「レーザビームのエネルギ
準位、波長を不純物原子のそれらと」を「レーザビーム
の波長を不純物原子のエネルギ準位と」に訂正する。 （３） 同第９頁第１９〜２０行の［レーザビームのエ
ネルギ準位、波長を上記不純物等のそれらと」を「レー
ザビームの波長を不純物原子のエネルギ準位と」に訂正
する。 （４）第１図を別紙の通り訂正する。 以 上
ルギ状態図、第２図は本発明の第１の実施例によるシャ
ワー型イオンビーム発生装置の概略構成図、第３図は本
発明の第２の実施例による集束型イオンビーム発生装置
の概略構成図、第４図は本発明の第３の実施例によるイ
オンビーム発生装置のレーザビーム発振器のブロック図
である。 １・・・容器、１５・・・ガス放電発生部、２０・・・
レーザビームＱ生ｆａ、Ｂ１〜Ｂ３・・・レーザビーム
。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１ 図 を 工 第３図 第４図 手続補正書（自発） ２０発明の名称 イオンビーム発生装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名 称
（６０１）三菱電機株式会社 代表者片山仁八部 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄、及び図面（第１図） ６、補正の内容 （１１明細書第４頁第１４行のｒｌｅｖｅｌ Ｊを［５
ｔａｔｅ Ｊに訂正する。 （２）同第６頁第５〜６行の「レーザビームのエネルギ
準位、波長を不純物原子のそれらと」を「レーザビーム
の波長を不純物原子のエネルギ準位と」に訂正する。 （３） 同第９頁第１９〜２０行の［レーザビームのエ
ネルギ準位、波長を上記不純物等のそれらと」を「レー
ザビームの波長を不純物原子のエネルギ準位と」に訂正
する。 （４）第１図を別紙の通り訂正する。 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１イオン化されるべき物質を収容する容器と、該容
器内の上記物質にレーザビームを照射するレーザビーム
発生部と、上記容器内の上記物質雰囲気中でレーザビー
ムと交差するガス放電を発生するガス放電発生部とを備
え、上記物質のイオンビームを発生する装置において、
上記レーザビーム発生部は上記物質をエネルギ準位の基
底状態からリュードヘルグ状態に共鳴光励起するような
波長を有するレーザビームを発生するものであり、上記
ガス放電発生部はガス放電により上記物質をリュードベ
ルグ状態からイオン状態とするものであることを特徴と
するイオンビーム発生装置。 （２）上記レーザビーム発生部は、上記物質を基底状態
から中間状態を経て上記リュードベルグ状態に階段状に
共鳴光励起するような波長の異なる複数のレーザビーム
を発生ずるものであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のイオンビーム発生装置。 （３） 上記レーザビーム発生部として、波長可変レー
ザを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は
第２項記載のイオンビーム発生装置。 （４） 上記レーザビーム発生部として、自由電子レー
ザを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は
第２項記載のイオンビーム発生装置。 （５）上記レーザビーム発生部は、１つの励起源レーザ
と、該励起源レーザからのレーザビームで励起される相
互に時間同期可能な複数の色素レーザとからなることを
特徴とする特許請求の範囲第２項記載のイオンビーム発
生装置。 （６）上記ガス放電発生部は、高周波放電を生ぜしめる
ものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項ない
し第５項のいずれかに記載のイオンビーム発生装置。 （７）上記ガス放電発生部は、上記物質がそのリュード
ベルグ状態からイオン化状態になるよう共鳴するような
高周波電源を有することを特徴とずる特許請求の範囲第
６項記載のイオンビーム発生装置。 （８）上記物質は、化合物又は分子状態のガスとして上
記容器に導入され、上記ガス放電は、上記容器内に導入
された物質を中性元素状態にするためのガス放電を兼ね
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
７項のいずれかに記載のイオンビーム発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59066895A JPS60208035A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | イオンビ−ム発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59066895A JPS60208035A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | イオンビ−ム発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60208035A true JPS60208035A (ja) | 1985-10-19 |
| JPH0527211B2 JPH0527211B2 (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=13329110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59066895A Granted JPS60208035A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | イオンビ−ム発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60208035A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62216135A (ja) * | 1986-03-15 | 1987-09-22 | Shimadzu Corp | イオン銃 |
| US6140656A (en) * | 1995-01-10 | 2000-10-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ion implantation apparatus, ion implantation method and semiconductor device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5022999A (ja) * | 1973-06-28 | 1975-03-12 |
-
1984
- 1984-04-02 JP JP59066895A patent/JPS60208035A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5022999A (ja) * | 1973-06-28 | 1975-03-12 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62216135A (ja) * | 1986-03-15 | 1987-09-22 | Shimadzu Corp | イオン銃 |
| US6140656A (en) * | 1995-01-10 | 2000-10-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ion implantation apparatus, ion implantation method and semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0527211B2 (ja) | 1993-04-20 |
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