JPS60202886A - １―置換カルバペネム―３―カルボン酸誘導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般式 〔式中、Ｒ１およびＲ２は同一または異なる水素原子、
（ただしＲおよびＲがともに水素原子のものを除く）、
炭素数１〜１０個の未置換もしくは置換アルキル、アル
ケニル、アルキニル、アルコΦシ、アルキルチオ、シク
ロアルキル、アリール、もしくはＲとＲが一緒になって
３〜６員猿を形成する基、またはハロゲン原子を、Ｒ３
は環炭素原子に１〜３個の同一または異なる窒素、酸素
、硫黄原子、スルフィニル、スルホニル、もしくはカル
ボニル基が介在してもよい未置換または置換４〜８員項
を、Ｒ４は水素原子またはカルボキシ基の保護基を、お
よびＲ５は水素原子または炭素数１〜６個の未置換もし
くは置換アルキル基、またはアルコキシ基を示す。〕を
有するカルバペネム誘導体およびその薬理上許容される
塩ならびにそれらの製法に関するものである。

一般式（１）における　Ｒ１およびＲ２は同一または異
なる水素原子（ただしＲ１およびＲ２がともに水素の場
合を除く）、ハロゲン原子（たとえば弗素、塩素または
臭素原子）、またはアルキル基（たとえばメチル、エチ
ル、プロピルまたはイソプロピルなど）、アルケニル基
（たとえばビニルまたはアリルまど）、アルキニル基（
たとえばエチンルまたはプロパルギルなど）、アルコキ
シ基（たとえばメトキシ、エトキシ、プロポキシまたは
イソプロポキシなど）、アルキルチオ基（たとえばメチ
ルチオ、エチルチオ、プロピルチオまたはイソプロピル
チオなど）、シクロアル中〃基（シクロプロピル、シク
ロブチル、シクロヘンチルまたはシクロヘキシ／１４６
ど）、アリール基（たとえばフェニルなど）もしくはＲ
とＲが一緒になって環を形成する基（たとえば−（ＣＨ
２）２　ａ　（ＣＨ２）５　ｍ　（”２）４−または−
（ＣＨ２）５−など）でありこれらの基は以下の置換基
を１〜３個有してもよいハロゲン原子（たとえば弗素、
塩素または臭素など）、ハロゲン化メチル（たとえばフ
ルオルメチル、クロルメチルまたはブロムメチルなど）
、アルキル基（たとえばメチルまたはエチルなど）、ア
ルコキシ基（たとえばメトキシまたはエトキシ）。

水酸基、アルキルチオ基（たとえばメチルチオまたはエ
チルチオ基など）またはフェニル基。

Ｒ３は、環炭素原子に１〜３個の同一または異なる窒素
、酸素、硫黄原子、スルフィニル、スルホニルもしくは
カルボニル基が介在してもよい４〜８員環（たとえば２
−アゼチジニル、３−アゼチジニル、２−ピロリジニル
、３−ビロリシニ＃、２−ピペリジル、３−ピペリジル
、４−ピペリジル、ヘキサヒドロ−１Ｈ−アゼピン−４
−イル、オクタヒドロアゾシン−５−イル、２−オキソ
ピロリジン−３−イル、５−オキサゾリジニル、５−チ
アゾリジニル、２−モルホリニル、１，４−チアサン−
２−イル、ヘキサヒドロピリミジン−５−イル、または
へキサヒドロピリダジン−４−イルなど）であり、これ
らの猿は以下に示す置換基を有しても良い。

環炭素原子に結合する置換基は例えばメチル、エチル、
ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル
、８ｅＱ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、
イソペンチルのような直鎖状若しくは分枝鎖状の低級ア
ルキル基、例えばメトキシメチル、エトキシメチル、ｎ
−プロポキシメチル、インプロポキシメチル、ｎ−ブト
キシメチル、メトキシエチル、３−メトキシプロピル、
２−メトキシプロピル、４−エトキシブチルのような低
級アルコキシアルキル基、例えばシアノメチル、シアノ
エチル、３−シアノプロピル、２−シアノプロピル、４
−シアノブチルのようなシアノ低級アルキル基、例えば
トリフルオロメチル、２−フルオロエチル、２，２゜２
−）ＩＪフルオロエチル、２−クロロエチル１．２−ブ
ロモエチル、３−フルオロプロピル、２−フルオロプロ
ピル、４−１０ロブチル、３−フルオロブチルのような
ノーロゲノ低級アルキル基、例えばメトキシ、エトキシ
、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、イ
ソブトキシ、５ｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシの
ような直鎖状若しくは分枝鎖状の低級アルコキシ基、水
酸基、アミン基、例えば弗素、塩素、臭素、沃素のよう
なノ・ロゲン原子、例えばアセトキシ、プロピオニルオ
キシ、ｎ−ブチリルオキシ、イアミノ、イソブチリルア
ミノのような低級脂肪族アシルアミノ基、シアノ基、ア
ジド基、カルボキシル基、例えばメトキシカルボニル、
エトキシカルボニル、ｎ−プロポキシカルボニル、イン
プロボキシカルボニ、＋ｐ、ｎ−ブトキシカルボニル、
イソブトキシカルボニル、５ｅｃ−ブトキシカルボニル
、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルのような低級アルコキ
シカルボニル基、カルノくそイル基、例えばメチルチオ
、エチルチオ、ｎ　−プロピルチオ、イソプロピルチオ
、ｎ−ブチルチオ、インブチルチオのような直鎖状若し
くは分校鎖状の低級アルキルチオ基、例えばメチルスル
フィニル、エチルスルフィニル、ｎ−プロピルスルフィ
ニル、イソプロピルスルフィニル、ｎ−ブチルスルフィ
ニル、イソブチルスルフィニルのような直鎖状若しくは
分枝鎖状の低級アルキルスルフィニル基、例ｔばメチル
スルホニル、エチルスルホニル、ｎ−プロピルスルホニ
ル、イソプロピルスルホニル、ｎ−ブチルスルホニル、
インブチルスルホニルのような直鎖状若しくは分校鎖状
の低級アルキルスルホニル基またはニトロ基からなる群
から選択されたものであり、その環窒素原子に結合する
置換基は例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプ
ロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、　５ｅＣ−ブチル、
ｔａｒｔ−７’チル、ｎ−ペンチル、イソペンチルのよ
うな直鎖状若しくは分枝鎖状の低級アルキル基、例、ｌ
ｆビニル、アリル、１−プロペニル、イソプロペニル、
２−ブテニル、２−ペンテニルのような低級アルケニル
基、例えばエチニル、２−プロビニ／ｌ／、２−フチニ
ル、４−ペンチニルのような低級アルキニル基、例えば
シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シク
ロヘキシル、シクロへブチルのようなシクロ低級アルキ
ル基、例えばシクロプロピルメチル、シクロブチルメチ
ル、シクロペンチルメチル、シクロヘキシルメチル、シ
クロへブチルメチル、２−シクロペンチルエチル、２−
シクロヘキシルエチル、３−シクロペンチルプロピル、
２−シクロペンチルプロピル、３−シクロへキシルプロ
ピル、２−シクロへキシルプロピル、４−シクロベンチ
ルブチル、３−シクロへキシルブチルのような低級シク
ロアルキルアルキル基、例、ｔ　ハフェニル、ナフチル
のようなアリール基、例工ばベンジル、フェナシル、９
３−フェニルプロピルのようなアラルキル基、例えばホ
ルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチ
リル、アクリロイル、メタアクリロイル、クロトノイル
−イソクロトノイル、プロピオロイル、メチルプロピオ
ロイルのような低級脂肪族アシル基、例エバシクロプロ
パンカルボニル、シクロブタンカルボニル、シクロペン
タンカルボニル、シクロヘキサンカルボニルのような低
級シクロアルカンカルボニル基、例えばシクロフロピル
アセチル、シクロブチルアセチル、シクロペンチルアセ
チル、シクロへキシルアセチル、３−シクロペンチルプ
ロピオニル、３−シクロへキシルプロピオニル、４−シ
クロブチルブｆすｙｖ、４−シクロへキシルブチリルの
ような低級シクロアルキルアルカノイル基、例えばベン
ゾイル、１−ナフトイル、２−ナフトイルのような芳香
族アシル基、例えばフェニルアセチル、１−ナフチルア
セチル、３−フェニルプロピオニル、ヒドラトロボイル
、シンナモイル、フェニルプロピオロイルのような芳香
脂肪族アシル基、例えばフロイル、テノイル、ニコチノ
イル、イソニコチノイル、４−チアゾールカルボニル、
５−ピリミジンカルボニル、２−ピラジンカルボニルの
ような複素環アシル基、例えば２−チェニルアセチル、
３−（２−チェニル）プロピオニル、４−チアゾリルア
セチル、２−ピリジルアセチル、４−ピリジルアセチル
、５−ピリミジルアセチルのような複素環脂肪族アシル
基、例えば１−アジリジンカルボニル、１−アゼチジン
カルボニル、３−アゼチジンカルボニル、１−ピロリジ
ンカルボニル、２−ピロリジンカルボニル、３−ピロリ
ジンカルボニル、１−ピペリジンカルボニル、２−ピペ
リジンカルボニル、４−ピペリジンカルボニル、１−モ
ルホリンカルボニルのようなヘテロシクリルカルボニル
基若しくは例えば１−アジリジニルアセチル、１−アゼ
チジニルアセチル、３−アゼチジニルアセチル、１−ピ
ロリジニルアセチル、２−ピロリジニルアセチル、３−
ピロリジニルアセチル、３−（２−ピロリジニル）プロ
ピオニル、ヒヘリジノアセテル、２−ピペリジニルアセ
チル、４−ピペリジニルアセチル、モルホリノアセチル
のようなヘテロシクリル脂肪族アシル基等のアシル基、
フェナシル基、スルフォ基、例、ｔばメトキシスルホニ
ル、エトキシスルホニル、ｎ−７’ロボキシスルホニル
、インプロポキシスルホニルのような低級アルコキシス
ルホニル基、側光ばメチルスルホニル、エチルスルホニ
ル、ｎ−プロピルスルホニル、イソプロピルスルホニル
、ｎ−ブチルスルホニル、インブチルスルホニルのよう
な直鎖状若しくは分枝鎖状の低級アルキルスルホニル基
、例えばアリールスルホニル、イソプロペニルスルホニ
ル、２−ブテニルスルホニルのような低級アルケニルス
ルホニル基、例えばエチニルスルホニル、２−プロビニ
ルスルホニル、２−ブチニルスルホニルのような低級ア
ルキニルスルホニル基、例、ｔ　ハシクロプロピルスル
ホニル、シクロブチルスルホニル、シクロペンチルスル
ホニル、シクロへキシルスルホニルのような低級シクロ
アルキルスルホニル基、例えばシクロプロピルメチルス
ルホニル、シクロブチルメチルスルホニル、シクロペン
チルメチルスルホニル、シクロヘキシルメチルスルホニ
ル、２−シクロペンチルエチルスルホニル、２−シクロ
へキシルエチルスルホニル、３−シクロペンチルプロピ
ル、２−シクロペンチルプロピルのような低級シクロア
ルキルアルキル基、例、ｔばフェニルスルホニル、１−
ナフチルスルホニル、２−ナフチルスルホニルのような
アリールスルホニル＆、例エバベンジルスルホニル、フ
ェネチルスルホニル、３−フェニルプロピルスルホニル
、２−フェニルプロピルスルホニルのようなアラルキル
スルホニル基、例、ｔば２−チェニルスルホニル、４−
チアゾリルスルホニル、２−ピリジルスルホニル、４−
ピリジルスルホニルのようなヘテロアリールスルホニル
基、例、ｔｉｊ２−チェニルメチルスルホニル、３−（
２−チェニル）フロビルスルホニル、４−チアゾリルメ
チルスルホニル、２−ピリジルメチルスルホニル、４−
ピリジルメチルスルホニルのようなヘテロアラルキルス
ルホニル基、 １５ 嘔 式　−〇−Ｎ−Ｒ基（式中、ＲおよびＲは同一または異
なって水素原子、例えばメチル、エチル、プロピル、イ
ソプロピルのような低級アルキル基、たとえばメトキシ
メチル、エトキシメチルのような低級アルコキシアルキ
ル基、たとえばシアノメチル、シアノエチルのようなシ
アノアルキル基、たとえばピリジン、フラン、チオフェ
ンなどの芳香族複素環基、フェニル基、ベンジル基また
はたとえばクロルメチル、フルオルメチルのようなハロ
ゲノアルチル基を示す。）、−または異なって水素原子
または例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロ
ピルのような低級アルキル基を示し、２は酸素原子、硫
黄原子または例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イ
ソプロピルのような低級アルキル基で置換されていても
よいイミノ基を示す。）、例えばメトキシカルボニル、
エトキシカルボニル、ｎ　−ブトキシカルボニル、イン
ブトキシカルボニルのような低級アルコキシカルボニル
基または例えばベンジルオキシカルボニル、フェネチル
オキシカルボニルのようなアラルキルオキシカルボニル
基からなる群から選択されたものであって、上記の窒素
原子に結合する置換基は好適には例えばメチル、エチル
、ｎ−プロピル、イソプロピルのような低級アルキル基
、例えばメトキン、エトキシ、ｎ−プロポキシ、インプ
ロポキシのような低級アルコキシ基、水酸基、アミノ基
、例えば弗素、塩素、臭素のようなノーロゲン原子、例
えばアセトキシ、プロピオニルオキシ、ｎ−ブチリルオ
キシ、インブチリルオキシのような低級脂肪族アシルオ
キシ基、例えばアセチルアミノ、プロピオニルアミノ、
ｎ−ブチリルアミノ、インブチリルアミノのような低級
脂肪族アシルアミノ基、シアン基、アジド基、カルボキ
シル基、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニ
ル、ｎ−プロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボ
ニルのような低級アルコキシカルボニル基、カルバモイ
ル基、例えばメチルチオ、エチルチオ、ｎ−プロピルチ
オ、イソプロピルチオのような低級アルキルチオ基、例
えばメチルスルフィニル、エチルスルフィニル、ｎ−プ
ロピルスルフィニル、イソプロピルスルフィニルのよう
な低級アルキルスルフイニ”　基、側光ｔｆメチルスル
ホニル、エチルスルホニル、ｎ−７’口ピルスルホニル
、イソプロピルスルホニルのような低級アルキルスルホ
ニル基、ニトロ基または は同一または異なって水素原子、例えばメチル、エチル
、プロピル、イソプロピルのような低級アルキル基、た
とえばメトキシメチル、エトキシメチルのような低級ア
ルコキシアルキル基、たとえばシアノメチル、シアノエ
チルのようなシアノアルキル基、ベンジル基またはたと
えばクロルメチル、フルオルメチルのようなハロゲノア
ルチル基を示す。）、または ７ メチル基、エチル基を表わし、Ｒ９は水素原子または例
えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ
−ブチル、イソブチｙ、５ｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブ
チルのような低級アルキル基であり、Ｒは水素原子；例
えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ
−ブチル、イソブチル、５ｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブ
チルのような低級アルキル基：例えばシクロプロピル、
シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シク
ロヘプチルのような低級シクロアルキル基；例えばメト
キシメチル、エトキシメチル、ｎ−プロポキシメチル１
、イソプロポキシメチル、１−メトキシエチル、２−メ
トキシエチルのような低級アルコキシ置換低級アルキル
基：例えばシアノメチル、１−シアノエチル、２−シア
ノエチル、２−シアノプロピル、１−メチ／ｌ／−２−
シアノエチルのようなシアノ置換低級アルキル基；例え
ばメトキシカルボニルメチル、エトキシカルボニルメチ
ル、２−エトキシカルボニルメチル、２−エトキシカル
ボニルプロピルのような低級アルコキシカルボニル置換
低級アルキル基、例えばクロルメチル、フルオルメチル
、２−フルオロエチル、２−フルオロプロピル、１−メ
チル−２−フルオロエチル、トリフルオロメチル、２，
２．２−）リフルオロエチルのようなハロゲン置換低級
アルキル基、たとえばピリジル、チアゾリル、チェニル
またはオキサシリルのような窯素、酸素もしくは硫黄原
子を１〜３個を有する芳香族複素環基またはフェニル基
である。ｍ、およびｎは１または２である。）で表わさ
れる基である。

Ｒ４は水素原子；カルボキシ基の保護基例えばメチル、
エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イ
ソブチル、ｔｅｒｔ−ブチルのような直鎖状若しくは分
校鎖状の低級アルキル基；例、ｔｌｄ：２−ヨードエチ
＃、２．２−ジブロモエチル、２，２．２−トリクロロ
エチルのヨリナノ１０ゲノ低級アルキル基：例えばメト
キシメチル、ｎ−プロポキシメチル、インプロポキシメ
チル、ｎ−ブトキシメチル、インブトキシメチルのよう
な低級アルコキシメチル基；例えばアセトキシメチル、
プロピオニルオキシメチル、ｎ−ブチリルオキシメチル
、インブチリルオキシメチル、ピバロイルオキシメチル
のような低級脂肪族アシルオキシメチル基；例えば１−
メトキシカルボニルオキシエチル、１−エトキシカルボ
ニルオキシエチル、１−　ｎ−フロボキシヵルボニルオ
キシエチル、１−インプロポキシカルボニルオキシエチ
ル、１−ｎ−ブトキシカルボニルオキシエチル、１−イ
ソブトキシカルボニルオキシエチルのような１−低級ア
ルコキシカルボニルオキシエチル基；例えばベンジル、
ｐ−メトキシベンジル、０−ニトロベンジル、ｐ−ニト
ロベンジルのようなアラルキル基；ベンズヒドリル基＝
（５−メチル−２−オキソ−１，３−ジオキ゛イレンー
４−イル）メチル基またはフ１　タリジル基である。

Ｒ５は、水素原子、アルコキシ基（たとえば、メトキシ
、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、
インブトキシまたはｔｓｒｔ−ブトキシなど）またはア
ルキル基（たとえば、メチル、エチル、プロピル、イソ
プロピル、ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペ
ンチルまたはイソペンチルなど）であり、上ｌ己のアル
コキシもしくはアルキル基は以下の置換基を有していて
も良い。アルキル基（たとえばメチル、エチル、または
イソプロピル基）、水酸基（保護された水酸基でもよい
。その保護基は、通常の水酸基の保護基である。たとえ
ばベンジルオキシカルボニル、４−ニトロベンジルオキ
シカルボニル、アリルオキシカルボニル、２，２．２−
）リブロムエトキシカルボニル、２，２．２−）リブロ
ムエトキシカルボニル、アリルオキシカルボニル、トリ
）メチルシリル、またはｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリ
ル基など）、アルコキシ基（たとえばメトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、またはインプロポキシなど）、アシル
オキシ基（たとえばアセトキシまたはプロピオニルオキ
シなどλスルホニルオキシ基（たとえばメタンスルホニ
ルオキシ、エタンスルホニルオキシ、フロパン　。

スルホニルオキシ、ベンゼンスルホニルオキシまたはｐ
　−）エタンスルホニルオキシなト）、メルカプト基、
アル−キルチオ基（たとえばメチルチオ、エチルチオ、
プロピルチオ、またはイソプロピルチオなど）、アミノ
基、またはアシルアミノ基（たとえばアセチルアミノ、
プロピオニルアミノ、ブチリルアミノまたはインブチリ
ルアミノなど）である。

前記一般式（Ｉ）における特に好適な化合物としては、
Ｒがメチル基、エチル基、ヒドロキシメチル基、メトキ
シメチル基、メチルチオメチル基、フルオロメチル基、
クロロメチル基、メトキシ基、メチルチオ基、トリフル
オロメチル基弗素原子、塩素原子、臭素原子であり、Ｒ
２は水素原子、メチル基、エチル基、ヒドロキシメチル
基、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、フルオロ
メチル基、クロロメチル基、トリフルオロメチル基、弗
素原子、塩素原子、臭素原子、２ ＲとＲが一緒になって環を形成する基−（ＣＨ２）２−
もしくは−（ＣＨ２）５−基であり、 Ｒ３が式−（≦−Ｙ基 ｃ式中、へ）は２−Ｔｏるいは３−アゼチジニル、２−
あるいは３−ピロリジニル、２−オキソピロリジン−３
−イル、２　ａｓ　ｈるいは４−ピペリジニル、２−モ
ルホリニル、Ｓ　−チアソリシニル、１．４−ｆアザン
ー２−イル、ヘキサヒドロピリミジン−５−イル、ヘキ
サヒドロピリダジン−４−イルのような炭素鎖に窒素原
子、酸素原子、硫黄原子またはカルボニル基が介在して
いてもよい４乃至６員環状脂肪族アミン残基な示し、Ｘ
は水素原子、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロ
ピルのような低級アルキル基、メトキシメチル、エトキ
シメチル、ｎ−７’ロボキシメチル、イソプロポキシメ
チル、ｎ−ブトキシメチル、メトキシエチル、３−メト
キシプロピル、２−メトキシプロピル、４−エトキシメ
チルのような低級アルコキシアルキル基、シアノメチル
、シアノエチル、３−シアノプロピル、２−シアノプロ
ピル、４−シアノブチルのようなシアノ低級アルキル基
、トリフルオロメチル、２−フルオロエチル、２，２．
２−トリフルオロエチルのようなハロゲノ低級アルキル
基、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、インプロポ
キシのような低級アルコキシ基、水酸基、弗素原子、ア
セトキシ、プロピオニルオキ−／のような低級脂肪族ア
シルオキシ基、メチルチオ、エテルチオ、ｎ−プロピル
チオ、イソプロピルチオのような低級アルキルチオ基、
メチルスルホニル、エチルスルホニル、ｎ−プロピルス
ルホニル、イソプロピルスルホニルのような低級アルキ
ルスルホニル基を示し、Ｙは水素原子、２−ヒドロキシ
エチル、３−ヒドロキシプロピル、２−ヒドロキシプロ
ピルのようなヒドロキシ低級アルキル基、トリフルオロ
メチル、２−フルオロエチル、２，２．２−トリフルオ
ロエチルのようなハロゲノ低級アルキル基、ホルミル、
アセチル、プロピオニル、ｎ−ブチリル、インブチリル
、グリシル、アラニル、β−アラニルのような低級脂肪
族アシル基、フェニルアセチル、シンナモイルのような
芳香脂肪族アシル基、フェナシル基、スルフォ基、メチ
ルスルホニル、エチルスルホニル、ｎ−プロピルスルホ
ニル、イソプロピルスルホニルのような低級アルキルス
ルホニル基、 １５ 式−〇　−Ｎ　−Ｒ基（式中、ＲおよびＲは同−ｔ　タ
は異なって水素原子またはメチル、エチルのような低級
アルキル基、フェニル基、ピリジン、フランなどの芳香
族複素環基、メトキシメチル基、シアノメチル基、ベン
ジル基、フルオロメチル、クロロメチルを示す。）また
はカルバモイル基を示す。〕で表わされる置換基または 子またはメチル基、Ｒが水素原子、メチル、エチル、ｎ
−プロピル、イソプロピルのような低級アルキル基、シ
クロプロピル、シクロブチルのような低級シクロアルキ
ル基またはメトキシメチル、エトキシメチルのような低
級アルコキシ置換低級アルキル基、シアノメチル基、ク
ロルメチル基、フルオロメチル基、ベンジル基であり、
Ｒは水素原子、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプ
ロピルのような低級アルキル基、シクロプロピル、シク
ロブチルのような低級シクロアルキル基、メトキシメチ
ル、エトキシメチルのような低級アルコキシ置換低級ア
ルキル基、シアノメチル、シアノエチルのようなシアン
基置換低級アルキル基、フェニル基、またはピリジン−
２−イル、ピリジン−３−イルのような芳香族複素環基
であり、ｍ唇よびｎが１または２を示す〕で表わされる
置換基であり、Ｒ４が水Ｘ原子、ピバロイルオキシメチ
ル基または（５−メチル−２−オキソ−１，３−ジオキ
ソレン−４−イル）メチル基であり、Ｒが水素原子、エ
チル基、α−ヒドロキシエチル、α−アセトキシエチル
、α−プロピオニルオキシエチル　α−η−ブチ１１ル
ナギシェ手ル　α−了タノエチル、α−アセチルアミノ
エチル、α−プａピオニルアミノエチル、α−ｎ−ブチ
リルアミノエチルのようなα位が水酸基、アミノ基、低
級脂肪族アシルオキシ基若し、くは低級脂肪族アシルア
ミノ基で置換されたエチル基、１−ヒドロキシ−１−メ
チルエチル、１−アセトキシ−１−メチルエチル、１−
−ｙ’ロビオニルオキシ−１−メチルエチル、１−ｎ−
ブチリルオキシ−１−メチルエチル、１−アミノ−１−
メチルエチル、１−アセチルアミノ−１−メチルエチル
、１−プロピオニルア１ミノ−１−メチルエチル、１−
ｎ−ブチリルアミノ−１−メチルエチルのようなα位が
水酸基、アミン基、低級脂肪族アシルオキシ基若しくは
低級脂肪族アシルアミノ基で置換されたイソプロピル基
またはメトキシ基である。さらに最も好適な化合物とし
ては、Ｒがメチル、エチル、トリフルオルメチル、フル
オルメチル、クロルメチル、メトキシメチル、メチルチ
オまたはヒドロキシメチル基、フェニル基、ベンジル基
、弗素原子、塩素原子または臭素原子であり、Ｒ２が水
素原子、メチル基、弗素原子、塩素原子であり、ＲとＲ
が一緒になって環を形成する−（ＯＨ）−基であり、　
２ Ｒ３が　ピーＹ（式中、−〇は３−ピロリジニルまたは
２−アゼチタニル基を示し、Ｘは゛水素原子、メチル基
、Ｖトキシ基、弗素原子、メチルチオ基、メチルスルフ
ィニル基、メチルスルホニル基、ヒドロキシメチル基、
アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アシルオキ
シメチル基を示し、Ｙは水素原子、ホルミル基、アセチ
ル基、グリシル基、アラニル基、ホルムイミドイル基、
アセトイミドイル基、プロピオイミドイル基、またはメ
トキシアセトイミドイル基を示す。）で表わされる基ま
たは 、　Ｒ９ メチル基、Ｒは水素原子、メチル基、エチル基、イソプ
ロビル基、メトキシメチル基、シアノメチル基、フルオ
ロメチル基、ピリジル基またはベンジル基を示す）で表
わされる基であり、Ｒ４が水素原子であり、Ｒがα−ヒ
ドロキシエチル基である化合物をあげることができる。

本発明に係る一般式ＣＩ）を有する化合物は新規化合物
であり、チェナマイシンに比して広範囲チェナマイシン
に比して安定である。以上の点から一般式（１）を有す
る化合物はチェナマイシンよりもすぐれた抗菌剤である
ことが明らかとなり本発明を完成した。

なお、前記一般式（１）を有する化合物においては不斉
炭素原子に基く光学異性体および立体異性体が存在し、
これらの異性体およびその混合物がすべて単一の式で示
されているが、これによって本発明の記載の範囲は限定
されるものではない。しかしながら、好適には５位の炭
素原子がチェナマイシンと同一配位すなわちＲ配位を有
する化合物を選択することができる。

また、前記一般式（ｒ）において、Ｒ５が水素原子であ
るカルボン酸化合物は必要に応じて薬理上許容される塩
０形にすることができる。そのような塩としては、リチ
ウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウ
ムのような無機金属の塩、リジン、アルギニンのような
塩基性アミノ酸の垣あるいはアンモニウム、シクロヘキ
シルアンモニウム、ジイソプロピルアンモニウム、トリ
エチルアンそニウムのようなアンモニウム塩類をあげる
ことができるが、好適にはナトリウム塩およびカリウム
塩である。

さらに、Ｒがカルボキシル基の保護基であるカルボン酸
エステル化合物は必要に応じて酸付加塩の形にすること
ができる。そのような塩としては＃ｉｍ、臭化水素数の
ような鉱敵の塩あるいはシュウ酸、酒石絃、クエン酸の
ような有機誠Ｏ塩をめげることができるが、好適には塩
酸塩である。なお、上記の本発明の化合物（りおよびそ
の薬理上許容される塩は、必要に応じて水オロ物の形に
することもできる。

本発明の前記一般式（１）を有する化合物は、チェナマ
イシン誘導体であり、その１位に置換基を有する新規な
化合物の一群であり、これらの化合物は優れた抗菌活性
を表わし医薬として有用な化合物であるか、あるいはそ
れらの活性を表わす化合物の重要合成中間体である。

本発明によって得られる前記一般式（１）を有する化合
物としては例えば以下の表に記載する化合物があげられ
る。

本例示化合物においては上述したように立体異性体が存
在するが、それらの異性体で好適なものとしては、（５
Ｒ，６８）配位および（ＳＲ，６Ｒ）配位を有する化合
物並びに６位置換基のα位に水酸基、アセトキシ基、ア
ミン基、アセトアミド基のような置換分を有する場合は
その配位がＲ配位である化合物をあげることができる。

本発明による新規化合物（１）はμ下に示すいくつかの
方法によって装造することができる。

（１）Ａ法 ■　００＠ 上記式中、ａ　１　、　Ｒ２、ＲＲ、Ｒ４，およびＲ５
は前述したものと同意義を示し、Ｒは水素原子、アルキ
ル基、アルコキシ基またはＲＡ−基（式中、Ｒ２２は水
酸基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アラキルスルホ
ニル基Φシ基、アリールスルホ１　ニルオキシ基、トリ
アルキルシリルオキシ基、アシルチオ基、アルキルチオ
基、アシルアミノ基またはアラルキルアミノ基を示し、
Ａはトリフルオロメチル基若しくはフェニル基で置換さ
れてもよいアルキレン基を示す。）を表わし、Ｒ１９は
カルボキシル基の保護基を表わし、Ｒ６はアルカンスル
ホニル基、アリールスルホニル基、ジアルキルホスホリ
ル基またはジアリールホスホリル基を表わし、Ｒは環炭
素鎖に保護された窒素原子、酸素原子、硫黄原子、スル
フィニル基、スルホニル基またはカルボニル基が介在し
ていてもよい置換若しくは非置換の４員項乃至８員環を
形成する環状脂肪族アミン残基、〔その環炭素原子に結
合する置換基はアルキル基、アルコキシアル中ル基、シ
アノアルキル基、ハロゲノアルキル基、アルコキシ基、
保ｍ　された水酸基、保護されたアミノ基、）為ロゲン
原子、アシルオキシ基、アシルアミノ基、シアノ基、ア
ジド基、保護されたカルボキシル基、アルコキシカルボ
ニル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アルキルス
ルフィニル基、アルキルスルホニル基またはニトロ基か
らなる群から選択されたものであり、その環窒素原子は
アミノ基の保護基で置換されているかあるいはアルキル
基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、
シクロアルキルアルキル基、アリール基、アラルキル基
、アシル基、フェナシル基、保護されたスルフオ基、ア
ルコキシスルホニル基、アルキルスルホニル基、アルケ
ニルスルホニル基、アルキニルスルホニル基、シクロア
ルキルスルホニル基、シクロアルキルアルキルスルホニ
ル基、アリールスルホニル基、アラルキルスルホニル基
、ヘテロアリールスルホニル基、ヘテロアラルキルスル
ホニル基、式 ベーＮ−Ｒ１４基（式中、Ｒは水素原子、ハロゲン原子
、低級アルコキシ基、シアノ基、アリール基で置換され
ていてもよい低級アルキル基、フェニル基またはピリジ
ル基を示し、Ｒ１′°は低級アルキル基または窒素原子
の保護基を示す。）、同一または異カつて水素原子また
は低級アルキル基を示し、２は酸素原子、硫黄原子また
は低級アルキル基で置換されていてもよいイミノ基を示
ス。）、アルコキシカルボニル基またはアラルキルオキ
シカルボニル基からなる群から選択されたもので置換さ
れており、上記の窒素原子に結合する置換基は低級アル
キル基、低級アルコキシ基、保護された水酸基、保護さ
れたアミノ基、ハロゲン原子、低級脂肪族アシルオキシ
基、低級脂肪族アシルアミノ基、シアノ基、アジド基、
保護されたカルボキシル基、低級アルコキシカルボニル
基、カルノくモイル基、低級アルキルチオ基、低級アル
キルスルフィニル基、１．７ たは低級アルキル基を示し、Ｒ１８°ヲマ低級アル中ル
基または窒素原子の保護基を示す。）からなる群から選
択されたものでさらに置換されてし１てもよい。〕 または式 Ｒ９ 子またはアルキル基を表わし、Ｒは水素原子、アルキル
基、シクロアルキル基または低級アルコキシ基、シアノ
基、アルコキシカルボニル基若しくはハロゲン原子で置
換されたアルキル基を表わし、Ｒはアミノ基の保睦基を
表わし、ｍは１または２を表わし、ｎは１または２を示
す。）で表わされる基を示す。

本合成法は一般式ωを有する化合物に塩基存在下、無水
アルカンスルホン酸、無水アリールスルホン酸、ジアル
キルホスホリルハライドまたはジアリールホスホリルハ
ライドを反応させて一般式■）を有する化合物を製造し
、得られた化合物■を単離することなく塩基存在下一般
式（至）を有するメルカプタンを反応させて一般式（Ｘ
１１′）を有する化合物を製造し、次いで所望に応じて
得られた化合物をカルボキシル基の保護基Ｒ１９の除去
反応並びにＲ２０およびＲ２１に含まれるそれぞれ対応
する保護基を除去して水酸基、アミン基、環状アミン基
、環状アミジン基、スル７オ基およびメルカプト基を復
元する反応に付し、さらに必要ならば得られた化合物の
２位側鎖にＣ式中、Ｒ１３およびＲ１４は前述したもの
と同意義を示す。）に変換する反応若しくはアシルアミ
ノ基に変換する反応に適宜組合せて付して、一般式（１
）を有する本発明の目的化合物を製造する反応である。

本発明の方法を実施するに当って、前記一般式船を有す
る化合物を無水アルカンスルホン酸、無水アリールスル
ホン酸、ジアルキルホスホリルハライドまたはジアリー
ルホスホリルハライドと反応させて前記一般式（ト）を
有する化合物を製造し、次いで得られた化合物（ト）に
前記一般式（至）を有するメルカプタン化合物を反応さ
せて、一般式（ＸＴＤを有する化合物を製造する反応は
、不活性溶剤中塩基共存下で好適に行なわれる。

前記化合物ωから前記化合物ωを得る反応において使用
される無水アルカンスルホン酸としては例えば無水メタ
ンスルホン酸、無水エタンスルホン酸、無水アリールス
ルホン酸としては例えば無水ベンゼンスルホン酸、無水
ｐ−）ルエンスルホン酸、ジアルキルホスホリルハライ
ドとしては例えばジメチルホスホリルクロライド、ジエ
チルホスホリルクロライド、ジアリールホスホリルハラ
イドとしては例えばジフェニルホスホリルクロライド、
ジフェニルホスホリルブロマイドなどをあげることがで
きるが、これらの試剤のうちでは特に無水トＡ・エソス
ルホン酸マタハジフェニルホスホリ・ンクロライドが好
適である。使用される浴剤と１〜ては本反応に関与しな
ければ特に限定はなく、例えば塩化メチレン、１．２−
ジクロロエタン、クロロホルムのようなハロゲン化炭素
類、アセトニトリルのようなニトリル類またはＮ、Ｎ−
ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド
のようなアミド類があげられる。ま次使用される塩基と
しては化合物の他の部分、特にβ−ラクタム項に影響を
与えないものであれば特に限定はないが、好適にはトリ
エチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、４−ジメ
チルアミノピリジンのような有機塩基があげられる。

反応温度には特に限定はないが、副反応を抑えるために
は比較的低温で行なうのが望ましく、通常は一２０℃乃
至４０℃位で行なわれる。反応時間は主に反応温度、反
応試薬の種類によって異なるが１０分乃至５時間である
０ かくして得られた前記化合物ωは単離することなく反応
混合液を塩基存在下前記一般式（至）を有するメルカプ
タンと処理することができる。

本工程において使用される塩基としてはトリエチルアミ
ン、ジイノプロビルエテルアンンのような有機塩基また
は炭酸カリウム、炭酸ナトリウムのような無機塩基があ
げられる◇ 反応温度には特に限定はないが、通常は一２０℃乃至室
温で行なわれる。反応時間は３０分乃至８時間である。

反応終了後１本反応の目的化合物（至）は常法に従って
反応混合物から採取される。例えば反応混合液または反
応混合物の溶剤を留去して得られる残渣に水と混和しな
い有機溶剤を加え、水洗後、溶剤を留去することによっ
て得られる。

得られた目的化合物は必要彦らは常法、例えば再結晶、
再沈澱またはクロマトグラフィーなどによって更に精製
することができる。

次いで、得られた化合物（２）は必要に応じて常法に従
ってカルボキシル基の保護基、１９の除去処理を行って
、カルボン酸誘導体に変換することができる。保護基の
除去はその種類によって異なるが、一般にこの分野の技
術で知られている方法によって除去される。好適には反
応は前記一般式（ＸＩＤを有する化合物のうちの置換基
Ｒ１９がハロゲノアルキル基、アラルギル基、ベン　′
ズヒドリル基などのＲ光処理によって除去し得る保護基
である化合物を還元剤と接触させることによって達成さ
れる。本反応に使用される還元剤としてはカルボキシル
基の保岐基が例えば２．２−ジブロモエチル、２，２．
２−）リクロロエチルのようなハロゲノアルキル基であ
る場合には亜鉛および酢酸が好適であり、保護基が例え
ばベンジル、ｐ−ニトロベンジルのよウナアラルキル基
またはベンズヒドリル基である場合には水素および酸化
白金ま九はパラジウム−炭素のような接触還元触媒若し
くは硫化ナトリウム若しくは硫化カリウムのようなアル
カリ金属硫化物が好適である。反応は溶剤の存在下で行
なわれ、使用される溶剤としては本反応に関与しないも
のであれば特に限定はないが、メタノール、エタノール
のようなアルコール類、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ンのようなエーテル類、酢酸のような脂肪酸およびこれ
らの有機溶剤と水との混合溶剤が好適である。反応温度
は通常は０℃乃至室温付近であり、反応時間は原料化合
物および還元剤の種類によって異なるが、通常は５分間
乃至１２時間である。

反応終了後、カルボキシル基の保護基の除去反応の目的
化合物は常法に従って反応混合物から採取される。例え
ば反応混合物よシ析出し九不溶物をＦ去して後、有機溶
剤層を水洗、乾燥し溶剤を留去することによって得るこ
とができるＯ このようにして得られた目的化合物は、必要ならば常法
例えば再結晶法、分取用薄層クロマトグラフィー、カラ
ムクロマトグラフィーなどによって精製することができ
る。

また、化合物（ＸＩ）において置換基Ｒ２Ｇがアシルオ
キシ基、トリアルキルシリルオキシ基、アシルアミノ基
またはアラルキルアミノ基を有する時・あるいは置換基
Ｒ２１に含まれる窒素原子がアシル基またはアラルキル
オキシカルボニル基のような保護基を有する時には所望
に応じて、以下に記載するように常法に従ってそれぞれ
の保護基を除去して対応する水酸基またはアミノ基であ
る化合物に変換し、さらにこのようにして得られ之化合
物を上述したカルボキシル基の保護基Ｒの除去反応に付
することかできる。すなわち、前記一般式（９）を有す
る化合物から、一般式（１＞を有する化合物の置換基Ｒ
５が水酸基を有する化合物を製造する反応は、一般式（
６）を有する化合物のうちのＲ２０がアシルオキシ基あ
るいはトリアルキルシリルオキシ基を有する化合物よ）
水酸基のアシルあるいはトリアルキルシリル保護基を除
去することによって達成される。

Ｒ２０がアセ）−？シのような低級脂肪族アシルオキシ
基を有する場合には、反応は和尚する化合物（至）を水
性溶剤の存在下で塩基で処理することにより実施するこ
とができる。使用される浴剤としては通常の加水分等反
応に使用される溶剤であれば特に限定はないが、水ある
いは水とメタノール、エタノール、ｎ−グロパノールの
ようなアルコール類若しくはテトラヒドロフラン、ジオ
キサンのようなエーテル類などの有機溶剤との混合溶剤
が好適である。また、使用される塩基としては化合物の
他の部分、特にβ−ラクタム壌に影響を与えないもので
あれば特に限定はないが、好適には炭酸す）　ＩＪウム
、炭酸カリウムのようなアルカリ金属炭酸塩を用いて行
なわれる。反応温度は特に限定はないが、副反応を抑制
するために０℃乃至室温付近が好適である。反応に要す
る時間は原料化合物の種類および反応温度などによって
異なるが、通常は１乃至６時間である。

さらに上記の置換基Ｒ２Ｄがベンジルオキシカルボニル
オキシあるいはｐ−ニトロベンジルオキシカルボニルオ
キシのようなアラルキルオキシカルボニルオキシ基を有
する場合には、反応に相当する化合物（至）を還元剤と
接触させることによって実施することができる。本反応
に使用される還元剤の種類および反応条件は前述したカ
ルボキシル基の保護基Ｒ１９であるアラルキル基を除去
する場合と同様であり、従ってカルボキシル基の保護基
Ｒ１９も同時に除去することができる。なお、本還元反
応によって、前記一般式（ＸＩＤを有する化合物のうち
の置換基Ｒ２０およびＲがアミノ基の保護基であるベン
ジルオキシカルボニル若しくはｐ−ニトロベンジルオキ
シカルボニルのよう表アラルキルオキシカルボニル基あ
るいはジフェニルメチルのようなアラルキル基を有する
化合物よりこれらの保護基を除去して相当するアミン化
合物に変換することかできる。

また、上記の置換基Ｒ２０がｔａｒｔ−ブチルジメチル
シリルオキシのようなトリ低級アルキルシリルオキシ基
を有する場合には、反応は相当する化合物（至）をフッ
化テトラブチルアンモニウムで処理することによシ実施
することができる。

使用される溶剤としては特に限定はないが、テトラヒド
ロフラン、ジオキサンのようなエーテル類が好適である
。反応は室温付近において１０乃至１８時間処理するこ
とによって好適に行なわれる。

また、前記一般式（至）を有する化合物のうちの置換基
Ｒ２０および／またはＲ２１がアミノ基の保護基である
トリフルオロアセチルあるいハトリクロロアセチルのよ
うなハロゲノアセチル基を有する場合には、その除去反
応は相当する化合物（ＸＪＤを水性溶剤の存在下で塩基
で処理することにより実施することができる。本反応に
使用される塩基の種類および反応条件は前述した置換基
Ｒ２０における水酸基の低級脂肪族アシル保護基を除去
する場合上同様である。

前記一般式（１）を有する化合物のうち、置換基Ｃ式中
、Ｒ１３およびＲ１４は前述したものと同意義を示す。

）を表わす化合物を製造する反応は前−述した反応によ
って得られる一般式（１）を有する化合物（Ｒ１′が環
状脂肪族アミン残基であり、′；ＭＨ基を有するもの）
を一般式 （式中、Ｒ１３およびＲ１４は前述したものと同意義を
示し、　ＡＥＫは例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル
、イングロビルのような低級アルキル基を示す。）を有
するイミドエステルと接触させることによって達成され
る。反応に使用される溶剤としては特に限定はないが、
ｐＨ８付近に保たれたリン酸緩衝液の使用が好適である
。反応温度は０℃乃至室温付近の比較的低温が望ましく
、反応時間は通常１０分乃至２時間である。

以上の各種の反応を実施した後、各反応の目的化合物は
常法に従って反応混合物から採取され、必要人らば常法
例えば再結晶法、分取用薄膚クロマトグラフィー、カラ
ムクロマ“トゲラフイーなどによってさらに精製するこ
とができる。

前記一般式（１＞を有する化合物のうち、置換基Ｒ１１
の環状アミノ基がアシルアミノ基を表わす化金物を製造
する反応は前述した反応に゛よって得ン酸あるいはその
反応性誘導体である酸ハライド、酸無水物または活性エ
ステル等と反応させることによって達成される。

反応に使用される酸ハライドとしては、例えば酢酸クロ
リド、プロピオン酸クロリドのような酸クロリドが好適
であり、酸無水物としては例えば無水酢酸のようなカル
ボン酸無水物若しくは例えばカルボン酸とクロル炭酸エ
チルとの混合酸無水物が好適であり、活性エステルとし
ては例えばカルボン酸のｐ−ニトロベンジルエステル、
２．４．５−トリクロルフェニルエステル、シアノメチ
ルエステル％　Ｎ−７タロイルイミドエステル、Ｎ−オ
キシコハク酸イミドエステル等が好適である。なお、カ
ルボン酸を使用スる！　場合には、常法に従って例えば
ジシクロへキシルカルボジイミド、カルボニルジイミダ
ゾールのような脱水剤あるいはジメチルホルムアミドと
オキシ塩化リン若しくは塩化チオニルなどから調製され
るビルスマイヤー試薬等が好適であるＯ 本反応は常法に従って上記のアシル化剤を使用して緩衝
溶液中または不活性有機溶剤中塩基共存下で好適に行な
われる。使用される溶剤としては例えばリン酸緩衝溶液
（ｐＨ−８，０〜８．５）、塩化メチレン％１１２−ジ
クロロエタン、クロロホルムのようなハロゲン化炭素類
、アセトニトリルのようなニトリル類、エーテル、テト
ラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテル類、Ｎ、
Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトア
ミドのようなアミド類があげられる。

また使用される塩基としては化合物の他の部分、特にβ
−ラクタム順に影響を与えないものであれば特に限定は
ないか、好適にはトリエチルアミン、ジイソプロピルエ
チルアミン、ピリジン、２．６−ルチジンのような有機
塩基があげられる。

反応温度には特に限定は、ないが、副反応を抑えるため
には比較的低温で行なうのが望ましく。

通常は一２０℃乃至室温で行なわれる。反応時間は主に
反応温度、反応試薬の種類によって異表るが、１０分乃
至５時間である。

反応終了後、本反応の目的化合物（１）は常法に従って
反応混合物から採取される。例えば緩衝溶液中より目的
化合物（■、）を得る場合には反応混合液をダイアイオ
ンＨＰ−２０ＡＧ（三菱化成工業製）のようなカラムク
ロマトを使用することができる。有機溶剤中より目的化
合物（１）を得る場合には水と混和しない有機溶剤の溶
液を水洗後、溶剤を留去する。得られた目的化合物は必
要ならば常法、例えば再結晶、再沈澱またはクロマトグ
ラフィーなどによって更に精製することが出一般式（２
）を有する化合物の別途合成法圓　α） 上記式中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ９
，誉１Ｇ、Ｒ１２゜Ｒ１９およびＲ２０は前述したもの
と同意義を示し、Ｒ８およびＲ１０は同一ま念は異なる
アミノ基の保護基（たとえばベンジルオキシカルボニル
、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル、ジ７工二ルメ
チルオキシカルボニル基のようなアラルキルオキシカル
ボニル基、アリルオキシカルボニル基、ジフェニルメチ
ルのようなアラルキル基、トリフルオロアセチルあるい
はトリクロロアセチルのような）飄ロゲノアセチル基を
あられす）およびＲ１１は、アルキル基（たとえばメチ
ル、エチル、プロピルのような低級アルキル基、ベンジ
ルのようなアラルキル基をあられす）を示す０ 本合成法は一般弐〇を有する化合物よシ前述の方法によ
り一般式■を有する化合物を製造し、ついで一般式Ｍを
有するメルカプタンと反応させて一般式（■）を有する
化合物を製造する０この工程は前述の一般式（至）を有
する化合物を製造する工程と全く同様の反応、処理によ
って行われる。

次に得られた一般式（ＸＩ）を有する化合物のアミノ基
の保護基（Ｒ８及びＲ１０）を除去し、得られるジアミ
ノ化合物を前記一般式（Ｖｆｆ）を有する化合物と反応
させて、前記一般式（ＸＩＶ）を有する化合物を製造す
る反応は、水性溶剤中で好適に行われる。

化合物（ＸＩ）から（ＸＩＶ）へ導く反応においてアミ
ノ基の保護基の除去反応は常法に従って実施することが
できるが、例えば保護基がベンジルオキシカルボニル若
しくはｐ−ニトロベンジルオキシカルボニルのようなア
ラルキルオキシカルボニル基である場合には、水素およ
び白金若しくはパラジウム−炭素のような接触還元触媒
を用いる方法が好適であシ、同時にＲ１９および／ま友
はｕ２０における水酸基、アミノ基およびカルボキシル
基の保護基が除去されることもある。

ここで得られた化合物を単離することなくイミノエーテ
ル化合物（至）と反応せしめるが、反応に使用される水
性溶剤としては特に限定はなく、ｐＨ８付近に保たれた
リン酸緩衝液の使用が好適である。反応温度は０℃乃至
室温付近の比較的低温が望ましく、反応時間は通常１０
分乃至２時間である。

以上の反応を実施した後、目的化合物は常法に従って反
応混合物から採取され、必要ならば常法例えば再結晶法
、分取用薄層クロマトグラフィー、カラムクロマトグラ
フィー々どによってさらに精製することができる。

次いで、得られた化合物（３）は必要に応じて常法に従
ってカルボキシル基の保護基Ｒ１９の除者処理を行なっ
て、カルボン酸誘導体に変換することができる。保護基
の除去はその種類によって異なるが、一般にこの分野の
技術で知られている方法によって除去される。好適には
反応は前記一般式（Ｘ［Ｖ）を有する化合物のうちの置
換基Ｒ１９がハロゲノアルキル基、アラルキル基、ベン
ズヒドリル基などの還元処理によって除去し得る保護基
である化合物を還元剤と接触させることによって達成さ
れろ。本反応に使用される還元剤としてはカルボキシル
基の保護基が例、ｔば２，２−ジブロモエチル、Ｚ２，
２−）リクロロエチルのようなハロゲノアルキル基であ
る場合には亜鉛および酢酸が好適であり、保護基がｆｌ
エバベンジル、ｐ−ニトロベンジルのよウナアラルキル
基またはベンズヒドリル基である場合には水素およびパ
ラジウム−炭素のような接触還元触媒または硫化ナトリ
ウム若しくは硫化カリウムのようなアルカリ金属硫化物
が好適である。反応は溶剤の存在下で行なわれ、使用さ
れる溶剤としては本反応に関与しないものであれば特に
限定は々いが、メタノール、エタノールのようなアルコ
ール類、テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエー
テル類、酢酸のような脂肪酸およびこれらの有機溶剤と
水との混合溶剤が好適である。反応温度は通常は０℃乃
至室温付近でちゃ、反応時間は原料化合物および還元剤
の種類によって異なるが、通常は５分間乃至１２時間で
ある。

反応終了後、カルボキシル基の保護基の除去反応の目的
化合物は常法に従って反応混合物から採取される。例え
ば反応混合物より析出した不溶物を戸去して後、水層を
水に不溶の有機溶剤で洗浄し溶剤を留去することによっ
て得ることができる。

このようにして得られた目的化合物は、必要々らば常法
例えば再結晶法、分収用薄層クロマトグラフィー、カラ
ムクロマトグラフィー彦どによって精製することができ
る。

また、化合物（ＸＩＶ）において置換基Ｒ２０がアシル
オキシ基、トリアルキルシリルオキシ基、アシルアミノ
基またはアラルキルアミノ基を有する時には所望に応じ
て、以下に記載するように常法に従ってそれぞれの保護
基を除去して対応する水酸基またはアミノ基である化合
物に変換し、さらにこのようにして得られ念化合物を上
述したカルボキシル基の保護基Ｒ１９の除去反応１　に
付することかできる。すなわち、前記一般式（ＸＩＶ）
を有する化合物から、一般式（２）を有する化合物の置
換基Ｒ５が水酸基を有する化合物を製造する反応は、一
般式（ＸＩＶ）を有する化合物のうちのＲ２０がアシル
オキシ基あるいはトリアルキルシリルオキシ基を有する
化合物よシ水酸基のアシルあるいはトリアルキルシリル
保護基を除去゛することによって達成される。Ｒ２０が
アセトキシのような低級脂肪族アシルオキシ基を有する
場合には、反応は相当する化合物（ｘＩｖ）を水性溶剤
の存在下で塩基で処理することにょ９実施することがで
きる。使用される溶剤としては通常の加水分解反応に使
用される溶剤であれば特に限定はないが、水あるいは水
とメタノール、エタノール、ｎ−グロパノールのような
アルコール類若しくはテトラヒドロフラン、ジオキサン
のようなエーテル類などの有機溶剤との混合溶剤が好適
である。また、使用される塩基としては化合物の他の部
分、特にβ−ラクタム環に影響を与えないものであれば
特に限定はないが、好適には炭酸ナトリウム、炭酸カリ
ウムのようなアルカリ金属炭酸塩を用いて行なわれる。

反応温度は特に限定はないが、副反応を抑制するために
０℃乃至室温付近が好適である。反応に要する時間は原
料化合物の種類および反応温度などによって異なるが、
通常は１乃至６時間である。

さらに上記の置換基ｕ２Ｇがベンジルオキシカルボニル
オキシあるいはｐ−ニトロベンジルオキシカルボニルオ
キシのようなアラルキルオキシカルボニルオキシ基を有
する場合には、反応に相当する化合物（Ｘ１％１）を還
元剤と接触させることによって実施することができる。

本反応に使用される還元剤の種類および反応条件は前述
したカルボキシル基の保護基Ｒ１９であるアラルキル基
を除去する場合と同様であり、従ってカルボキシル基の
保護基Ｒ１９も同時に除去することができる。なお、本
還元反応によって、前記一般式（ＸＩＶ’）を有する化
合物のうちの置換基ｕ２０がアミノ基の保護基であるベ
ンジルオキシカルボニル若しくはｐ−ニトロベンジルオ
キシカルボニルのようなアラルキルオキシカルボニル基
するいはジフェニルメチルのようなアラルキル基を有す
る化合物よりこれらの保護基を除去して相当するアミノ
化合物に変換することができる。

また、上記の置換基ｕ２０がｔａｒｔ−ブチルジメチル
シリルオキシのようなトリ低級アルキルシリルオキシ基
を有する場合には１反応は相当すル化合物（ＸｒＶ）を
フッ化テトラブチルアンモニウムで処理することにより
実施することができる。

使用される溶剤としては特に限定はないが、テトラヒド
ロフラン、ジオキサンのようなエーテル類が好適である
。反応は室温付近において１゜乃至１８時間処理するこ
とによって好適に行なわれる。

また、前記一般式（３）を有する化合物のうちの置換基
Ｒがアミノ基の保護基であるトリフルオロアセチルある
いはトリクロロアセチルのよ・うなハロゲノアセチル基
を有する場合には、その除去反応は相当する化合物（Ｍ
Ｙ）を水性溶剤の存在下で塩基で処理することによ）実
施することができる。本反応に使用される塩基の種類お
よび反応条件は前述した置換基Ｒ２Ｇにおける水酸基の
低級脂肪族アシル保護基を除去する場合と同様である。

以上の各種の反応を実施した後、各反応の目的化合物は
常法に従って反応混合物から採取され、必要ならば常法
例えば再結晶法、分取用薄層クロマトグラフィー、カラ
ムクロマドグ５フイーなどによってさらに精製すること
ができる。

本発明の前記一般式（１）を有するカルバペネム−３−
カルボン酸誘導体は、すぐれ之抗菌作用を示すものであ
るかあるいはそれらの抗菌作用を示す化合物の重要合成
中間体である。そのうちの抗菌作用を示す化合物につい
てその活性を寒天平板希釈法により測定したところ、例
えば黄色ブドウ状球菌、枯草菌などのグラム陰性菌およ
び大腸菌、赤痢菌、肺炎桿菌、変形菌、セラチア、エン
テロバクタ−１緑膿菌などのグラム陰性菌を包含する広
範囲な病原菌に対して強力な活性を示した。

従ってこのような化合物はこれらの病原菌による細菌感
染症を治療する抗菌剤として有用である。その目的のた
めの投与形態としては、例えば錠剤、カプセル剤、顆粒
剤、散剤、シロップ剤などによる経口投与あるいは静脈
内注射剤、筋肉内注射剤などによる非経口投与があげら
れる。投与量は年令、体重、症状など並びに投与形態お
よび投与回数によって異なるが１通常は成人に対して１
日約２００乃至３０００１ｎ９を１回または数回に分け
て投与する。以下に実施例をあげ本発明の実施に関して
具体的に示す。

実施例１ （１Ｂ、ＳＲ，６Ｂ、８Ｒ）−１−メチル−６−（１−
ヒドロキシエチル）−２−オキソカルバベナム−３−カ
ルボン酸ｐ−ニトロベンジルエステル（３６３Ｔｖ＋）
のアセトニトリル溶液（５ｗｔｌ）に水冷窒素雰囲気下
、ジイソプロピルエチルアミン（０，１７４Ｉｎｌ）と
ジフェニルホスホリルクロライド（０，２４５ｍＡ）を
加える。同温で２時間攪拌した後、ジイソプロピルエチ
ルアミン（０，２１ｆｉＪ）とｓ　−（Ｒ）−メルカプ
ト−１−（Ｎ−ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニルア
セトイミドイル）ピロリジン（３３１ｙ）を加え、更に
１時間攪拌する。反応液を酢酸エチルで希釈した後、水
、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥する
。溶媒を留去し、得られる残渣をシリカゲルを充填した
短いカラムを用いて不純物を除去すると目的化合物（４
５０ｒｒｖ；１　）が一部結晶化した油状物として得ら
れた。

核磁気共鳴スペクトル（ｓｏＭａｚ、ｏＤＣ）ｓ　＋０
ＤｓＯＤ）δｐｐｍ　： １．３（３Ｈ，ａ）＋　１．４（３Ｈ，（１）。

１、ａ−２，４（ｓＨｔ　ｍ）、２．３（３ＨＩ　５）
ｔ３．１４３（８Ｈ，ｍ）。

５．１５（２’Ｈ，ｉｉ＋）１　５．３２（２Ｈ，ＡＢ
　）。

７＝５ｅ　８−　ｆ　（Ａ２Ｂ２　）　、７−Ｌ　８１
　（Ａ２Ｂ２　）実施例２ 実施例１で得られた（１Ｂ、ＳＲ，６Ｂ、８Ｒ）−１−
メチル−２−［（Ｒ）−１−（Ｎ−ｐ−ニトロベンジル
オキシカルボニルアセトイミドイル）ピロリジン−３−
イルチオ）−８−（１−ヒドロキシエチル）−２−カル
バペネム−３−カルボンｒｌＲｐ−ニトロベンジルエス
テル（４５０〜）のテトラヒドロフラン（５００溶液に
水（８０ｄ）、１０’１６パラジウム炭素１．６ｇを加
え、水素雰囲気下２時間攪拌する。触媒をＦ去した後減
圧下テトラヒドロフランを留去し、酢酸エチルで洗浄す
る。水層を減圧下濃縮し、液量的５０ｄとし、ダイアイ
オン０ＨＰ−２０Ｆ（三菱化成工業製）のカラムクロマ
トに付す　５％アセトン水で溶出される両分より目的化
合物（６２１ｖ）が得られた。

核磁気共鳴スペクトル（９０ＭＨｚ　Ｔ　Ｄ２０　）δ
ｐｐｍ　；１、＋２（３ｎ、ａ）、ｔｏｓ（３Ｈ，ａ）
２．０３（３Ｈ，ｓ）、１．８−２．３（２）１．ｍ）
。

３．０−４．．２（９Ｈ，ｍ） ＫＢｒ　−１。

赤外線吸収スペクトル　ｖｍａｘ鋼。

３４００、　１７６０．　１７５ 実施例３ チオ］−６−（１−ヒドロキシエチル）−２−カルバペ
ネム−３−カルボン酸ｐ−ニトロベンジルエステル （１８，ＳＲ，６８，８Ｒ）−１−メチル−６−（１−
ヒドロキシエチル）−２−オキソカルバベナム−３−カ
ルボン酸ｐ−ニトロベンジルエステル（３８５ダ）と３
−（Ｓ）−メルカプト−１−（Ｎ−ｐ−ニトロベンジル
オキシカルボニルアセトイミドイル）ピロリジン（３９
ｏｑ）から実施例１と同様の反応処理によシ目的化合物
（３６０Ｆりを得た〇 核磁気共鳴スペクト／’　（６０ＭＨｇ　＊　０ＤＯＩ
３＋δｐｐｍ）　：１．３　（３Ｈ，ｄ　）、　１．４
　（３Ｈ，ｃｌ　）１２．２９（３Ｈ，８）、１．６−
２．５（３Ｈ，ｍ）。

２　Ｇ−４，５（８Ｈ，ｍ）ｅ　５．２１（２Ｈ，ａ）
１５．２８．５．４４　（２Ｈ，ＡＢ　）１？、　５９
，８．２０　（４Ｈｅ　Ａ２Ｂ２）　＋７．６７．８．
２４　（４Ｈ，Ａ２Ｂ２）実施例４ 実施例３で得られた（１８，５Ｒ＊　ａｓ、ＩＩＲ）−
１−メチル−ｚ−［（ｓ）−１−（ｒ−ｐ−ニトロベン
ジルオキシカルボニルアセトイミドイル）ピロリジン−
３−イルチオ）−６−（１−ヒドロキシエチル）−２−
カルバペネム−３−カルボン酸ｐ−ニトロベンジルエス
テル（３６０１ｖ）を実施例２と全く同様の接触還元処
理によシ目的化合物〔６０叩）を得た。

核磁気共鳴スペクトル（４００ｎａｍ、Ｄ２ｏ）δｐｐ
ｍ　＋ｔｏ　ｅ（３Ｈ，ａ、、Ｔ−６，４Ｈ２）ｗｌ、
１６　（３Ｈ，ｄ、Ｊ−６，８Ｈｚ　）。

１−７−２．０　（Ｉ　Ｈ＋　ｍ　）＋２．０　？、　
２．０８　（各ｊ、５Ｈ＠Ｂ）＋２．１−２．３（ＩＨ
，ｍ）、３．１−３．９５（８Ｉ（、ｍ）。

４．０−４．２（ＩＨ，ｍ） 紫外線吸収スペクトル　λＨ２０ｎｍ（ｇ）　。

ａｘ ２８９（４７９０） ＫＢｒ　−１、 赤外線吸収スペクトル　νｍａｘ　（ｍ　−３４００、
１７６０，１６７５ 夾施例５ （ＩＲ，ＳＲ，６８，８Ｒ）−［−メチル−６−（１−
とドロキシエチル）−２−オキソカルバベナム−３−カ
ルボン酸ｐ−ニトロベンジルエステル（３６３１Ｑ）と
３−（殉−メルカブト−１−（Ｎ−ｐ−二トロベンジル
オキシカルボニルアセトイミドイル）ピロリジン（４３
０〜）から実施例１と同様の反応処理により目的化合物
（４３０ｍ９）を得た。

核磁気共鳴スペクトル（６０ＭＨｚ　、　０ＤＯ１３＋
０Ｄ３０Ｄ）δｐｐｍ　： Ｌ３（３Ｈ，ｄ）、１．４（３Ｈ，ｄＬｌ、８−２．４
（３Ｈ，ｍ）＊　２．３（３Ｈ，８）１３．０−４．３
（ＢＨ，ｍ）、５．２Ｑ（２Ｈ＊　８）。

５．３５　（２Ｈ，Ａ、Ｂ）、　７．５．８．２　（４
Ｈ，Ａ２Ｂ２）。

７．６．８．２　（４Ｈ，Ａ２Ｂ２） 実施例６ 実施例５で得られた（ＩＲ，ＳＲ，６Ｂ、８Ｒ）　−１
−メチル−２−（（Ｒ）　−１−（Ｎ　−ｐ−ニトロベ
ンジルオキシカルボニルアセトイミドイル）ピロリジン
−３−イルチオ］−６−（１−ヒドロキシエチル）−２
−カルバペネム−３−カルボン酸ｐ−ニトロベンジルエ
ステル（４３０■）を実施例２と全く同様の接触還元処
理により目的化合物（１１０１ｎ９）を得た。

核磁気共鳴スペクトル（４ｏｏＭｕｚ、Ｄ２ｏ）δｐｐ
ｍ　：１．０４（３Ｈ，ａ、　Ｊ＝６．８Ｈｚ　）　。

１．１０（３Ｈ，（１，、Ｔ−６，４Ｈｚ　）。

１．８５−２．０５（ＩＨ，ｍ）、２．０８（１，５Ｈ
，ｓ）。

２．０９　（１−５Ｈｅ　Ｓ　）＊　２．２−２．３５
（ＩＨ１ｍＬ＆２−３．７５（６Ｈ，ｍ）。

３−８−３．９５　（Ｉ　Ｈ＋　ｍ　）　＋４、ｏ−ｔ
ｚｓ（ｚＨ，ｍ） ２０ 紫外線吸収スペクトル　λ　ｎｍ（ｇ）：ａｘ ２９Ｂ（７９６０） 赤外線吸収スペクトル　シＫＢｒ−１ ｍａｘｃ′ＩＩＬ ３４００、　１７６０．　１６７５ 出願人　三共株式会社 代理人　弁理士樫出庄治 第１頁の続き ［相］発明者　柴　１）　智　之　東京部品用区広町所
内 ■発明者　岩　１）　正　之　東京部品用区広町所内 １丁目２番田号　三共株式会社化学研究１丁目２番田号
　三共株式会社生物研究手続補正書（自発） 昭和５９年５月２日 特許庁長官若　杉　和　夫　殿 １、事件の表示 昭和５９年特許願第５９２７９　号 ２、発明の名称 １−置換カルバペネム−３−カルボン酸誘導体及びその
製造法３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住所　〒１０３東京都中央区日本橋本町３丁目１番地の
６名称　（１８５）三共株式会社 代表者　取締役社長　河村喜典 ４、代理人 居所　〒１４０東京部品川区広町１丁目２番５８号三共
株式会社内 ５、補正によシ増加する発明の数　なし６、補正の対象 １、　明細書第８５頁第４行と第５行の間に以下の字句
を追加する。

「実施例Ｔ （ＩＲ ２−（（８） シカルボ− ６−（１ ネムー３ チル ↓・・ ＣＨ，↓− ０″ （ＩＲ，ＳＲ，１１８，８Ｒ）−５１−（１−？：エチ
ル）−２−オキソカルバペナム− ボンｆｌｉｔｐ−ニトロベンジルエステル（１，３５ｆ
　）と３−（８）−メルカプト−１−（ｐ−゛　−−ン
ジルオキシカルボニル）ピロリジン）より実施例１と同
様の反応処理によ り目的化合物（ｆ、　８　ｆ　）を得た。

核磁気共鳴スペクトル（ＣＤＣｔ、）δｐｐｍ　’１．
３０（３Ｈ，ｄ、、７”（ｌＨｚ）？、３８（３Ｈ，ｄ
、Ｊ−６Ｈ２） １．６〜２．５（２Ｈ，ｍ） ３．１〜４．４　（ｆ　ＯＨ、ｍ） ５．１７（ＩＨ，ｄＪＪ−１５Ｈｚ） ５．２０（２Ｈ，ｓ） ５．５２（ｔＨ，ｄ、、Ｔ−１５！（ｚ）７．４７（２
Ｈ，ａｊｚ、ｙ−ｇＨｚ）７．６２（２Ｈｊａ、Ｊ−９
Ｈｚ） ８．２０（４Ｈ，ｄ、、ｙ−９Ｈシ） 赤外線吸収スペクトル　νＫＢ−「１：ａｘ ３４００、ｆ７７０．１７０５ 実施例８ （ＩＲ，５ａ、６ｓ、ａＲ）−１−メチル−２−［：（
８）　１−（ｐ−二トロペンジルオキシカルボニル）ピ
ロリジン−３−イルチオ））−６＝（１−ヒドロキシエ
チル）−２−カルバペネム−３−カルボン酸ｐ−ニトロ
ベンジルエステル（０，８？　）を実施例２と同様に反
応処理し目的化合物（０，２５Ｆ　）を得た。

核磁気共鳴スペクトル　（Ｄ２０）δｐｐｍ　’１．０
３（３Ｈ，ｄ、Ｊ−７Ｈｚ） １．１０（３Ｈ，ｄｊＪ−ＧＨｚ） １．７〜１．９（ＩＨ，ｍ） ２．２〜２．４　（Ｉ　Ｈ、ｍ　） １０〜４．１　（９Ｈ，ｍ） 赤外線吸収スペクトル　νＫＢ”１１；ｅＬＸ ３４００．１７６０．１５９０ 紫外線吸収スペクトル　λＨ２°　ｎｍ（ｇ）：２９６
゜８（８４６０） 実施例９ 一ヒドロヤシエチル）−２−１ルハヘネム−３−カルボ
ン酸（１００〜）を燐酸緩衝液（ｐＨ−７，１，１２ｍ
Ａ’）に溶解し、水冷下１Ｎ−力性ソーダ水溶液でｐＨ
８，５に調節する。エチルアセトイミデート塩酸塩（ｚ
ｏｏｌｎｇ）を加え再び１Ｎ−力性ソーダ水溶液でｐＨ
ａ、　５に調節し水冷下３０分間攪拌する。稀塩酸でｐ
Ｈ７とし、ダイアイオン（ＨＰ　２０　ＡＧ）のカラム
を用い精製し３チアセトン水で溶出される画分を凍結乾
燥し目的化合物（１０２ｍ９）を得た。

核磁気共鳴スペクトル　（Ｄ２０）δｐｐｍ　’１０４
　（３Ｈ、ｄ　、　Ｊ−７Ｈｚ　）１１Ｇ（３Ｈ，ｄ、
Ｊ−ＧＨｚ） １．１３〜２．０（１Ｈ，ｍ） ２．０５（１，５Ｈ，ｇ） ２．０９（１５Ｈ，ｓ） ２．２〜２．４　（Ｉ　Ｈ、ｍ　） ３．１〜４．２（９Ｈ，ｍ） −１。

赤外線吸収スペクトル　νＫＢｒ３　。

ａｘ ３４００．１７５５，１６８０．１６３５，１５９Ｇ２
９７．２Ｎｍ　（８６６０）　Ｊ Ｊ？人　Ｉ 手続補正書（自発） 昭和５９年１２月７日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第５９２７９号 ２、発明の名称 １−置換カルバペネム−３−カルボン酸誘導体及びその
事件との関係　、特許出願人 住所　〒１０３東京都中央区日本橋本町３丁目１番地の
６名称　（１８５）三共株式会社 代表者　取締役社長　河村喜典 ４、代理人 居所　〒１４０東京部品川区広町１丁目２番５８号三共
株式会社内 ６、補正の対象 １、ｆＪＡ細書第４６頁第４行と第５行の°間に次の字
句を追加する。

「 □ ２　明細書第６６頁第１行と第２行の間に「Ｂ法」を追
加する。

龜　昭和５９年５月２日付の手続補正書第６頁第１７行
以下に次の字句を追加する。

一実施例１０ （ＩＲ，ＳＲ，６８，８Ｒ）　−１−メチル−６−（１
−ヒドロキシエチル）−２−オキソカルハヘナムー３−
カルボン酸ｐ−ニトロベｙａ）ルエステル（１ｆ）と（
２８ａ　４　Ｅｌ　）　１　ｐ−＝　）　Ｏヘンシルオ
キシカルボニル−４−メルカプト−２−カルバモイルピ
ロリジン（ａｓｓｍ９）より実施例１と同様の反応処理
により目的化合物（３８５叩）を得た。

核磁気共鳴スペクトル（ＣＤ５（！ＯＣＤ、）δｐｐｍ
　”１．２５（６Ｈ，ｄ、Ｊ−７Ｈｚ） ２．９０（２Ｈ，８） １．７〜４．７（１１Ｈ） ５．２２（２Ｈ，ｓ） ｓ、ａｏ、ｓ、４ｓ（ｚｎ、ＡＢ−ｑｚＪ＝１４ａｚ）
７．６０．８−１３（２Ｈ，ＡＢ−ｑ　、Ｊ−８Ｈｚ）
７．７６　、８．２０　（２Ｈ、ＡＢ　−ｑ　、Ｊ−８
ＨＺ）赤外線吸収スペクトル　シＫＢｒｃｒｎ−１；ａ
ｘ ３４５０．３３５０，１７７０．１７００実施例１１ ジエチル）−２−カルバペネム−３−カルボン（ＩＲ，
ＳＲ，６Ｂ、８Ｒ）−１−メチル−２−［（２８、４８
）−１−（Ｎ−Ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル）
−２−カルバモイルピロリジン−４−イルチオ］−６−
（１−ヒドロキシエチル）−２−カルバペネム−３−カ
ルボン酸ｐ−ニトロベンジルエステル（２２５■）を実
施例２と同様に反応処理し目的化合物（５１ｍ９）を得
た。

核磁気共鳴スペクトル（４００ＭＨｚ　ｊＤ　２０　）
δｐｐｍ　’１．０２（３Ｈ，（１，Ｊ−７，３Ｈｚ）
１．１０（３Ｈ，（Ｌ、Ｊ−６，３Ｈｚ）１、６２　（
Ｉ　Ｈ、ｍ　） ２．５５（ＩＨ，ｍ） ２．８５（ＩＨ，ｑ） ３．１７〜３．２５（２Ｈ，ｍ） ３．５６〜３．６４（ＩＨ，ｍ） ３．７８（ＩＨ，ｔ、Ｊ−８Ｈｚ） ４．００〜４゜１Ｇ（２Ｈ，ｍ） 赤外線吸収スペクトル　−ＨＨＨｆｆｉ　’　：３２７
０．３２００，１７５０，１６７０，１５９０実施例１
２ （ＳＲ，６８，８Ｒ）−１−メトキシ−６−（１−ヒド
ロキシエチル）−２−オキソカル７くベナム−３−カル
ボン酸ｐ−ニトロベンジルエステル（１１）と（ａｓ）
−１−（ｐ−ニトロベンジル）オヤシカルボニルー３−
メルカプトピロソジン（８２０〜）より実施例１と同様
の反応処理により目的化合物（３９２ｍｙ　）を得た。

核磁気共鳴スペクトル（６０ＭＨｚ、ＣＤ（ｔ、）δｐ
ｐｍ”１．３５（３Ｈ，（Ｌ、Ｊ−ＧＨｚ） ３、４０　、３．４５　（３Ｈ、６％２　）３．２〜４
．４　（９Ｈ、ｍ　） ５．１８（２Ｈ，ｓ） ５．１Ｂ、５．４６（２Ｈ，ＡＢ、Ｊ−１４Ｈｚ）７．
４６．８．１３（４Ｈ，Ａ２Ｂ２．、Ｔ−９Ｈｚ）Ｔ、
５７，８．１３（４Ｈ，Ａ２Ｂ２．Ｊ−９Ｈｚ）１．８
〜２．４（２Ｈ，ｍ） 実施例１８ ００〇五 （ＳＲ，８Ｂ、ｆｌＲ）−１−メトキシ−２−（（８）
　−１−（ｐ−二トロペンジルオキシカルボニル）ピロ
リジン−３−イルチオ）−８−（１−ヒ）’ｏキシエチ
ル）−２−１ｙルバペ＄Ａ−３−カルボン酸ｐ−ニトロ
ベンジルエステル（ｌｓｏＩＲ９）を実施例２と同様に
反応処理し目的化合物（１３ｗｐ）を得た。

核磁気共鳴スペクトル（４００Ｍ）ｈ、　Ｄ　Ｏ）δ　
：２　ｐｐｍ １．０４，１．１６（３Ｈ，ｄＸ２．Ｊ−６，４Ｈｚ）
１．１１５〜１．１１５（２Ｈ，ｍ） ２．２〜２．３５（４Ｈ，ｍ） ３．１３〜＆５　（２Ｈ、ｍ　） ３．３１（３Ｈ，ｓ） ３．８〜３．９　（Ｉ　Ｈ、ｍ　） ４、Ｏ５，４，０７（ＩＨ，ｄＸ２．Ｊ−３，４Ｈｚ）
４．０８〜４．１８　（ＩＨ、ｍ） 赤外線吸収スペクトル　ν　Ｇ　； ａｘ ３４５０．１７６５．１６１０ 紫外線吸収スペクトル　λＨ２°　（６）：ｍ＆ｘ ２７８ｎｍ（７３２０） 実施例１４ （ＳＲ，６８，８Ｒ）−１−メトキシ−６−（１−ヒド
ロキシエチル）−２−オキソカルバペナム−３−カルボ
ン酸ｐ−ニトロベンジルエステル（２７０ＷＩ９）と３
−〇−メルカプトー１−（Ｎ−Ｐ−ニトロベンジルオキ
シカルボニルアセトイミドイル）ピロリジン（２９２８
９）より実施例１と同様の反応処理により目的化合物（
６１０〜）を得た。

核磁気共鳴スペクトル（ＣＤＣｊ、）δｐｐｍ　”１．
２〜１．５（３Ｈ，ｍ）。

２．３６（３Ｈｊｓ）　ｌ　ａ、４ｙ（ｓａ、ａ）’。

３．０〜４．４　（９Ｈ、ｍ）　、　２．Ｂ　〜３．５
（２”＊”Ｌ５．２５（２Ｈｊａ）。

５．２０，５．４６（２Ｈ，ＡＢ、Ｊ−１３Ｈｚ）１．
４〜８．２　（８Ｈ，Ａ２Ｂ２Ｘ２）実施例１５ 実施例１４で得られた化合物（ｓｙｏｑ）を実施例２と
同様に反応処理し目的化合物（７４１９）を得た。

核磁気共鳴スペクトル（４００ＭＨｖａ　ｓ　Ｄ　２０
　）δｐｐｍ　”１．１３〜１．１８（３Ｈ，ｍ） １．８７〜２．０２　（ＩＨ、ｍ　） ２．０５，２．０７，２．０９，３．００（３Ｈ，５Ｘ
４）３．２９，３．３１（３Ｈ，５Ｘ２） ３．４〜４．１５　（ｉｌＨ、ｍ　） 赤外線吸収スペクトル　ν　国　： ａｘ ３３３０．１７６５．１６’７５．１５９０紫外線吸収
スペクトルλ工工ｎｍ（ｇ）　：２０２．１１（１６８
，９０）、２９６．６（５４９０）実施例１６ ＣＯＯＣＨ２−Ｑ−Ｎ０２ （５Ｉ（，６８，８Ｒ）−１−７にオＯ−６−（１−ヒ
ドロキシエチル）−２−オキソカルバベナム−３−カル
ボン酸ｐ−ニトロベンジルエステ、（ａｏｏａ９）と３
　（８）　−７１ルー）３ブドー１−（Ｎ−Ｐ−ニトロ
ベンジルオキシカルボニルアセトイミドイル）ピロリジ
ン（７５６ｒｎ９）よす実施例１と同様の反応処理によ
り目的化合物（１，：ｆ）を得た。

核磁気共鳴スペクトル（ＣＤＣｌ２）δｐｐｍ　’Ｌｌ
〜１．３（３Ｈ，ｍ） ２．２５（３Ｈ，ｓ） ２、θ〜２．３（２Ｈ，ｍ） ３．０〜４．４（９Ｈ，ｍ） ５．１５（２Ｈｊｓ） ５．２２，５．４２（２Ｈ，ＡＢ、Ｊ−１５Ｈｚ）γ、
３〜Ｂ、３（８Ｈ，Ａ２Ｂ２Ｘ２）実施例１フ イルチオ）−６−（１−ヒドロキシエチＡ／）−一２−
カルバペネム−３−カルＭ　ン酸’ｎ葺 （５Ｒ，６８，８Ｒ）−１−フルオロ−２−［（８）　
−１−（Ｎ　−１）−二トロペンジルオキシヵルボニル
アセトイミドイルピ口リジン−３−イルチオ）−６−（
１−ヒドロキシエチル）−２−カルバペネム−３−カル
ボン酸ｐ−ニトロベンジルエステル（６１０〜）を実施
例２と同様に反応処理し目的化合物（ｆ　６り）を得た
。

赤外線吸収スペクトル　νＫＢｒ　、、−１。

ａｘ ３２５０．１７５０，１１５８０゜ 」 以上 手続補正書（自発） 昭和６０年２月シロ日 特許庁長官　志　賀　学　殿 １、事件の表示 昭和５９年特許願第５９２７９号 ２、発明の名称 １−置換力ルバベネム−３〜力ルボン酸誘導体及びその
製造法３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住所　〒１０３東京都中央区日本橋本町３丁目１番地の
６名称　（１８５）三共株式会社 代表者　取締役社長　河村喜典 ４、代理人 居所　〒１４０東京部品川区広町１丁目２番５８号三共
株式会社内 ５、補正により増加する発明の数　なし１、　昭和５９
年１２月１日付手続補正書第１４頁第１を行以下に次の
字句を追加する。

「実施例１８゜ ステル （ＩＲ，ＳＲ，６８，８Ｒ）−ｆ−メチル−〇−（１−
ヒドロキシエチル）−２−オキソカルバベナム−３−カ
ルボン酸ｐ−ニトロベンジルエステル（２６４ｍ９）と
（２８，４８）　ｌ　（Ｎ−ｐ−二トロペンジルオキシ
ヵルボニルアセトイミドイル）−２−カルバモイル−４
−メルカプトピロリジン（３１１即）より実施例１と同
様の反応処理により目的化合物の粗生成物（ａｓｓＩｎ
９）を得た。こへに得られた粗生成物を精製することな
〈実施例１９の反応に用いた。

実施例１９゜ ｃｏＯＭ　ＣＨ。

（ＩＲ，，５Ｒ，６８ｊ８Ｒ）−１−メチル−２−（（
２Ｂ　、　４８　）　−Ｌ−（Ｎ−ｐ−二トロペンジル
オ中ジカルボニルアセトイミドイル）−２−カルバモイ
ルピロリジン−４−イルチオ〕−６−（１−ヒドロキシ
エチル）−２−カルノイベネムー３−カルボン酸ｐ−ニ
トロベンジルエステル（８３９■）を実施例２と同様に
反応処理し目的化合物（６７＃　）を得た。

核磁気共鳴スペクトル（２７０ＭＨｚ　ａ　Ｄ　２０　
）δｐｐｍ　’１．００（３Ｈ，ｄ、Ｊｍ６Ｈｚ）。

１．０９（３Ｈ，（Ｌ、Ｊ−（ｉ、０Ｈｚ）ｊ２．０６
，２．１７（合せて３Ｈ，各ｓ）。

１．９Ｔ〜２．２５（ＩＨ，ｍ）。

２．５８〜２．８６（２Ｈ，ｍ）。

３．０６〜３．２２（ＩＨ，ｍ）１ ３．２４〜３．４０　（２Ｈ、ｍ　）　。

３．７７〜３．９４（２Ｈ，ｍ）。

３．９６〜３．９４　（２Ｈ、ｍ　） 赤外？ｍｅ、収スヘク）　ルｖＫＢ”　ｃｍ　’：　１
７　ｓ　ｓ　。

ａｘ １６９０．１５９０ 紫外ＮＭＩＪｌｔ、Ｉ’にスヘ／　）　ｙ　λＨ２°ｎ
ｍ：２９１１ａｘ 実施例２０゜ ベネム−３−カルボン酸ｐ−ニトロベンジルエステル （ＩＲ，ＳＲ，６８，８Ｒ）−１−メチル−６−（１−
ヒドロキシエチル）−２−オキソカルバベナム−３−カ
ルボン醒ｐ−ニトロベンジルエステル（１、ａｔ）と１
．３−ジー（ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニルアミ
ノ）−２−メルカプトプロパン（２，Ｏｆ）より実施例
１と同様の反応処理により目的化合物（１，７ｔ　）を
得た。

核磁気共鳴スペクトル（６０ＭＨｚ　、　（！　ＤＣｉ
ｓ　）δｐｐｍ　’１．３（６Ｈ，（１）。

２、　ｓ　〜ａ、８（７Ｈ，ｍ）。

５．１（４ＨｊＳ）１ ５．１　’、　５．４　（２Ｈ、ＡＢ−Ｑ　）　ａ７．
４　、　ａｌ（ＪＨＩ　Ａ２Ｂ２）　＃？、５　、８．
１　（４Ｈ、Ａ２Ｂ２）ＫＢｒ　−１。

赤外線吸収スペクトル　νｍａｘ（１’ｌｌ＋　。

３４００．１７７０．１７０５ 実施例２１゜ （ＩＲ，５，Ｒ，６８，８Ｒ）−１−メチル−２−［１
，３−ジー（ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニルアミ
ノ）プロパン−２−イルチオ〕−６−（１−ヒドロキシ
エチル）−２−カルノくペネム−３−カルボン酸ｐ−ニ
トロベンジルエステル（ｏ、　ａ　ｔ　）　ｔナト２ヒ
ドロフ、ｙン（８０ｄ）に溶解し、リン酸緩衝液（ｐＨ
（１，Ｏ＃　ＩＩ口０及び酸化白金（０，４５ｔ　）を
加え水素気流下２．５時間攪拌する。触媒を沢去した後
、２０℃以下で溶剤を留去し、酢酸エチルで２＠抽出洗
浄する。水層をｒ過し不溶物を除去した後、Ｐ液を氷冷
し、水酸化プ）　ＩＪウム水溶液でｐＨ９，５とする。

エチルメトヤシ了セトイミデート塩酸塩（１、７？　）
を加え、ｐＨ１１，５に爵調整した後、同温度で２０分
間攪拌する。ついで希塩酸でＩ）Ｒ７，０とし、２０℃
以下で約７０ｍまで減圧濃縮する。

これをダイヤイオンＣＨＰ−２０Ｆ（三菱化成工業製）
のカラムクロマトに付し、１０％アセトン水で溶出され
るフラクションを凍結乾燥し、目的化合物（０，１Ｆ　
）を得友。

赤外線吸収スペクトル　ν　ｃＩｎ＝ ａｘ ３３５０．１７５５．１６Ｂ０．１５８０　Ｊ以上 手続補正書（自発） 昭和６０年６月７日 特許庁長官　志　賀　学　殿 ２、発明の名称 事件との関係　特許出願人 住所　〒１０３東京都中央区日本橋本町３丁目１番地の
６名称　（１８５’）三共株式会社 代表者　取締役社長　河村喜典 ４、代理人 居所　〒１４０東京部品川区広町１丁目２番５８号三共
株式会社内 ６、補正の対象　明細書の特許請求の範囲の欄及び発明
の詳細な説明の欄 ７、補正の内容　別紙の通シ １、　特許請求の範囲 〔式中、Ｒ１およびＲ２［同一または異なる水素原子、
（ただしＲ１およびＲ２がともに水素原子のものを除く
）、炭素数１〜１０個の未置換もしくは置換アルキル、
アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルキルチオ、
シクロアルキル、アリー土ユニしくはＲ１とＲ２が一緒
になって３〜６員環を形成する基、またにハロゲン原子
を、Ｒ３は環炭素原子に１〜３個の同一まｆｃは異なる
窒素、酸素、硫黄原子、スルフィニル、スルホニル、も
しくはカルボニル基が介在してもよい未置換または置換
４〜８員環を　Ｒ４は水素原子またはカルボキシ基の保
護基を、およ、びＲ５は水素原子または炭素数１〜６個
の未置換もしくは置換アルキル基またはアルコキシ基を
示す。〕を有するカルバペネム誘導体およびそのの薬理
上許容さ扛る塩。

（２）　一般式 〔式中　Ｒ１およびＲ２は同一または異なる水素原子、
（ただしＲ１およびＲ２がともに水素原子のものを除り
）、炭素数１〜１０個の未置換もしくは置換アルキル、
アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルキルチオ、
シクロアルキル、アリール、もしくはＲ１とＲ２が一緒
になって３〜６員環な形成する基、またはハロゲン原子
を　Ｒ４に水素原子またはカルボキシル基の保設基を、
およびＲ５は水素原子または炭素数１〜６個の未置換も
しくは置換アルキル基またはアルコキシ基な示す。〕を
有する化合物な〔式中、ｕｌ、　Ｒ２，Ｒ４およびＲ５
は前述したものと同意義な　Ｒ６はアルカンスルホニル
、アｙ　−ルスルホニル、ジアルキルホスホリルまたは
ジアリールホスホリル基を示す。〕を有する化合物に導
き、こ扛に一般式 ％式％（） 〔式中Ｒ５は環炭素原子に１〜３個の同一または異なる
窒素、酸素、硫黄原子、スルフィニル、スルホニル、も
しくはカルボニル基が介在してもよい未置換または置換
４〜８員環な示す。〕を有する化合物を反応させること
を特徴とする〔式中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ’およびＲ
５は前述したものと同意義を示す。〕を有する化合物の
製造方法。

（３）一般式 〔式中　Ｒ１およびＲ２は同一または異なる水素原子、
（ただしＲ１およびＲ２がともに水素原子のものを除り
）、炭素数１〜１０個の未置換もしくＦｉ置換アルキル
、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルキルチオ
、シクロアルキル、アリール、もしくはＲ１とＲ２が一
緒になって３〜６員環を形成する基、またはハロゲン原
子な　Ｒ４は水素原子またはカルボキシ基の保護基を、
およびＲ５は水素原子または炭素数１〜６個の未置換も
しくは置換アルキル基またはアルコキシ基を、およびＲ
６はアルカンスルホニル、了り−ルスルホニル、ジアル
キルホスホリルまたはジアリールホスホリル基を示す。

〕を有する化合物に一般式 〔式中　１７は水素原子または炭素数１〜４個ｎは１〜
３およびＲ８およびＲ１０ｒｉ同一まｆｃは異なるアミ
ノ基の保護基を示す。〕を有する化合物を反応させ、一
般式 〔式中、Ｈｌ、　Ｒ２，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ７，Ｂｅ、　Ｒ
９およびＲ′。

は前述したものと同意義を示す。〕を有する化　コ金物
に導き、アミノ基の保護基Ｒ８およびＲ９を除去しこの
化合物に一般式 ％式％（ 〔式中、Ｒ１１は炭素数１〜４個のアルキル基す。〕を
有する化合物を反応させることを特徴とする一般式 〔式中、Ｒ＋、　Ｒ２，Ｈ４，１５，Ｒ７，Ｒ９および
Ｒ１２，およびｍ、ｎは前述したものと同意義を示す。

〕を有する化合物の製造法。

、　明細書第８頁第５行乃至第６行の 「フルオルメチル、クロルメチルまたはブロムメチル」
を「フルオルメチル、クロルメチル、プｐモメチル」と
訂正する。

１、　明細誉第１０頁ｗＪ１行乃至第２行の「ヘキサヒ
ドロピリミジン−５−イル」を「テトラヒドロピリミジ
ン−５−イル」と訂正する。

３、　明細書第１０頁第１行乃至第２行の「ヘキサヒド
ロビリーミジン−５−イル」を［テトラヒドロピリミジ
ン−５−イル」と訂正する。

４、　明細誓男１７頁第２行乃至第４行の「３−シクロ
ペンチルプ買ビル、２−シクロベンチルグロビルのよう
な低級シクロアルキルアルキル基、」を［３−シクロペ
ンチルプロピルスルホニル、２−シクロペンチルプロピ
ルスルホニルのような低級シクロアルキルアルキルスル
ホニル基、」と訂正する。

５、　明細書第１８頁第８行乃至第９行の「クロルメチ
ル、フルオルメチルのようなハロゲノアルチル基」ｔ「
クロロメチル、フルオロメチルのようなハロゲノアルキ
ル基」と訂正する。

６、　明細書第１８頁第３行乃至第２０頁下から第２行
の 「選択さｎたものであって、上記の鷺素鳳子に結合する
・・・・・・・・・ハロゲノアセチル基を示す。）、ま
ｆｃは」を「選択さｎ念ものである。一方Ｒ５が２ケ枢
上の窒素原子を有する基としてはたとえば」と訂正する ７、　明細書第２１頁第５行の 「であり、」を「、例えばシクロプロピル、シクロブチ
ルのような低級シクロアルキル基。

例えはメトキシメチル、エトキシメチルのような低級ア
ルコキシ置換低級アル午ル基、シアノメチル、クロロメ
チル、フルオロメチルまたはベンジル基でアク、」と訂
正する。

８、　明細書第２２頁第２行の 「クロルメチル、フルオルメ」を「クロロメチル、フル
オロメ」と訂正する。

８、　明ａ曹第２４頁第１２行乃至第１３行の「リクロ
ルエトキシカルボニル、２．λ２−トリブロムエトキシ
カルボニルｓＪ＊ｒｖり田ロエトキシカルボニル、２．
λ２−１！Ｊノロモエトキシ力ルボニル、」と訂正する
。

１０、明細書第ｚｓｊｊ第６行乃至第７行の「ヘキサヒ
ドロピリミジン−６−イル」を「テトラヒドロピリミジ
ン−５−イル」と訂正する。

１１、明細書第２７頁第４行の 「低級アルコキシ基、水」す「低級アルコキシ基、カル
バモイル基、シアノ基、水」と訂正する。

１２、明細：ｇ！ｌ：第２８頁第１１行乃至第１２行の
「で表わされる置換基または」を「である。

まｆｃ、はＲ５が」と訂正する。

１３、明細書第２９貞第１４行の 「で表わされる置換基であり、」を「であり、」と「」
正する。

１４、明細書部ａＯＸ下から第４行乃至下から第３行の 「トリフルオルメチル、フルオルメチル、クロルメチル
、」を「トリフルオロメチル、フルオロメチル、り日ロ
メチル、」と訂正する。

１５、明細書第３３頁第１行の 「Ｒ６が水嵩原子」を「Ｒ４が水素原子」と訂正する。

１住　明細書第４２頁第５行の １７、明細書第５４頁第１行の 「ハロゲン化炭素類」を［ハロゲン化炭化水素類］と訂
正する。

１８、明細書第５１頁第１１行の 「よフ析出した」を「に含まｎる」と訂正する。

１θ、　明＃Ｉ誉第６４頁第８行の 「ハロゲン化炭素類」を「ハロゲン化炭化水素類」と訂
正する。

２０、明細書第６７頁第１２行乃至第１３行の「低級ア
ルキル基、ベンジルのようなアラルキル基をあられす）
」を［低級アルキル基をあられす。）」と訂正する。

２ｔ　昭和６０年２月２６日付提出の手続補正書第７頁
第１５行以下に次の字句を追加する。

［核磁気共鳴スペクトル（２７０ＭＨｆｆ、　Ｄ２すδ
ｐｐｍ：　ＬＯ３（３Ｈ，ｄ、　、Ｔ＝７．３Ｈ２）、
　１．０９　（３Ｈ，＋１．　、Ｔ＝６．２Ｈ２）。

１２１１　（ｊＨ，８）、　３．２〜３．４　（４Ｈ，
ｍ）、　１８−１７°（ｓｕ、ｍ）＋４．０〜４．１　
（２Ｈ，！＋１）、　４．１５　（２Ｈ，Ｓ）紫外線吸
収スペクトルスＨ２０ｅ　２・ｓ、ｏ（ｓ＠ｏｏ）」ｍ
ａＸ　ｎｍ 以上

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 〔式中　ａｌおよびＲ２は同一または異なる水素原子、
   （ただしＲ１およびＲ２がともに水素原子のものを除く
   ）、炭素数１〜１０個の未置換もしくは置換アルキル、
   アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルキルチオ、
   シクロアルキル、アリール、アラルキル、アラルケニル
   、アラルケニルもしくはＲとＲが一緒になって３〜６員
   猿を形成する基、またはハロゲン原子を、Ｒ３は環炭素
   原子に１〜３個の同一または異なる窒素、酸素、硫黄原
   子、スルフィニル、スルホニル、もしくはカルボニル基
   が介在してもよい未置換または置換４〜８員猿を、Ｒ４
   は水素原子またはカルボキシ基の保護基を、およびＲ５
   は水素原子または炭素数１〜６個の未置換もしくは置換
   アルキル基またはアルコキシ基を示す。〕を有するカル
   バペネム誘導体およびその薬理上許容される塩。
2. （２）一般式 〔式中、Ｒ１およびＲ２は同一または異なる水素原子、
   （ただしＲ１およびＲ２がともに水素原子のものを除く
   ）、炭素数１〜１０個の未置換もしくは置換アルキル、
   アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルキルチオ、
   シクロアルキル、アリール、アラルキル、アラルケニル
   、７　ラ／Ｉ／キニルもしくはＲ１とＲ２が一緒になっ
   て３〜６員環を形成する基、またはハロゲン原子を、Ｒ
   ４は水素原子または′カルボ中シル基の保護基を、およ
   びＲ５は水素原子または炭素数１〜６個の未置換もしく
   は置換アルキル基またはアルコキシ基を示す。〕を有す
   る化合物を　一般式 〔式中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ４およびＲ５は前述したものト
   同意義を　Ｒ６はアルカンスルホニル、アリールスルホ
   ニル、ジアルキルホスホリルまたはジアリールホスホリ
   ル基を示す。〕を有する化合物に導き、これに一般式 ％式％） 〔式中、Ｒ３は環炭素原子に１〜３個の同一または異な
   る窒素、酸素、硫黄原子、スルフィニル、スルホニル、
   もしくはカルボニル基が介在してもよい未置換または置
   換４〜Ｂ員猿を示す。〕を有する化合物を反応させるこ
   とを特徴とする一般式 〔式中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ５，Ｒ４およびＲ５は前述した
   ものと同意義を示す。〕を有する化合物の製造方法。
3. （３）一般式 〔式中、Ｒ１およびＲ２は同一または異なる水素原子、
   （ただしＲおよびＲがともに水素原子のものを除く）、
   炭素数１〜１０個の未置換もしくは置換アルキル、アル
   ケニル、アルキニル、アルコキシ、アルキルチオ、シク
   ロアルキル、アリール、アラルキル、アラルケニル、ア
   ラルケニルもしくはＲとＲが一緒になって３〜６員環を
   形成する基、またはノ・ログン原子を、Ｒｔ水素原子ま
   たはカルボキシ基の保護基を、およびＲ５は水素原子ま
   たは炭素数１〜６個の未置換もしくは置換アルキル基ま
   たはアルコキシ基を、およびＲ６はアルカンスルホニル
   、アリールスルホニル、ジアルキルホスホリルまたはジ
   アリールホスホリル基を示す。〕を有する化合物に一般
   式 〔式中、ＲおよびＲは同一または異なる水素原子または
   炭素数１〜４個のアルキル基、ｍはＤ〜３、ｎは１〜３
   およびＲ８およびＲ１０は同一または異なるアミノ基の
   保護基を示す。〕を有する化合物を反応させ、一般式 〔式中、Ｒ’、　Ｒ２，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ’
   およびＲ１０は前述したものと同意義を示す。〕を有す
   る化合物に導き、アミノ基の保護基ＲおよびＲ９を除去
   しこの化合物に一般式 〔式中、Ｒは炭素数１〜４個のアルキル基およびＲは炭
   素数１〜４個の未置換もしくは置換アルキル基、アリー
   ル基又は芳香族複素環基を示す。〕を有する化合物を反
   応させることを特徴とする一般式 〔式中、Ｒ，Ｒ，Ｒ，Ｒ，Ｒ，ＲおよびＲ。 およびｍ、ｎは前述したものと同意義を示す。〕を有す
   る化合物の製造法。