JPS60201531A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS60201531A JPS60201531A JP5661084A JP5661084A JPS60201531A JP S60201531 A JPS60201531 A JP S60201531A JP 5661084 A JP5661084 A JP 5661084A JP 5661084 A JP5661084 A JP 5661084A JP S60201531 A JPS60201531 A JP S60201531A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- evaporation
- evaporation source
- sputtering method
- perpendicularly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は垂直記録方式に適した磁気記録媒体の製造方法
に関する。
に関する。
従来例の構成とその問題点
短波長記録特性の優れた記録方式として、垂直記録方式
がある。この方式においては媒体の膜面に垂直方向が磁
化容易軸である垂直記録媒体が必要となる。このような
媒体に信号を記録すると残留磁化は媒体の膜面に垂直方
向を向き、従って信号が短波長になる程媒体内反磁界は
減少し、優れた再生出力が得られる。
がある。この方式においては媒体の膜面に垂直方向が磁
化容易軸である垂直記録媒体が必要となる。このような
媒体に信号を記録すると残留磁化は媒体の膜面に垂直方
向を向き、従って信号が短波長になる程媒体内反磁界は
減少し、優れた再生出力が得られる。
現在用いられている垂直記録媒体は、非磁性基板上に直
接に、あるいはパーマロイ等の軟磁性薄膜を介して、Ｃ
ＯとＯｒを主成分とし、垂直方向に磁化容易軸を有する
磁性層をスパッタリング法により形成したものである。
接に、あるいはパーマロイ等の軟磁性薄膜を介して、Ｃ
ＯとＯｒを主成分とし、垂直方向に磁化容易軸を有する
磁性層をスパッタリング法により形成したものである。
しかしスパッタリング法は磁性薄膜の形成速度が遅いの
で、低コストで垂直磁化膜を得るのけ困難であシ、かか
る点に鑑み、高速での垂直磁化膜の生産を可能にする真
空蒸着法（イオンブレーティング法のように、蒸発原子
の一部をイオン化する方法も含む）の検討が進み、数千
オングストローム７秒という速い形成速度でＧｏ−Ｏｒ
垂直磁化膜が得られることが知られ期待されている。し
かし現在知られている範囲では、スパッタリング法で得
られる膜に比して垂直磁化膜としての性能の目安である
Ｃ軸配向性の点で劣゛り改良が望まれている。
で、低コストで垂直磁化膜を得るのけ困難であシ、かか
る点に鑑み、高速での垂直磁化膜の生産を可能にする真
空蒸着法（イオンブレーティング法のように、蒸発原子
の一部をイオン化する方法も含む）の検討が進み、数千
オングストローム７秒という速い形成速度でＧｏ−Ｏｒ
垂直磁化膜が得られることが知られ期待されている。し
かし現在知られている範囲では、スパッタリング法で得
られる膜に比して垂直磁化膜としての性能の目安である
Ｃ軸配向性の点で劣゛り改良が望まれている。
このＣ軸配向性は、六方稠密構造のＸ線回折パターンの
（００２）面のＸ線ロッキング曲線の半値幅Δθ５０の
値の大小で判定されるもので、ディジタル記録の高密度
化で充分な信号対雑音吐を得るのにΔθ６０は１ｏ度以
下、更に好ましくは５°以下が必要であるが、真空蒸着
法では、かかる性能の垂直磁化膜は得られていないから
である。
（００２）面のＸ線ロッキング曲線の半値幅Δθ５０の
値の大小で判定されるもので、ディジタル記録の高密度
化で充分な信号対雑音吐を得るのにΔθ６０は１ｏ度以
下、更に好ましくは５°以下が必要であるが、真空蒸着
法では、かかる性能の垂直磁化膜は得られていないから
である。
発明の目的
本発明は、回転支持体に沿って移動する基板上にＣ軸配
向性の良好な垂直磁化膜を真空蒸着法により高速で形成
する方法を提供するものである。
向性の良好な垂直磁化膜を真空蒸着法により高速で形成
する方法を提供するものである。
発明の構成
本発明は、回転支持体に沿って移動する基板に垂直磁化
膜を真空蒸着する際、蒸発源が電子ビーム蒸発源であシ
、この蒸発源からの該電子ビームが６０ ＫＷ ／ ｃ
７Ｊ以上に集束され、かつ蒸発面にほぼ垂直に照射され
るもので、Ｃ軸配向性の良好な垂直磁化膜を高速で得る
ことができるものである。
膜を真空蒸着する際、蒸発源が電子ビーム蒸発源であシ
、この蒸発源からの該電子ビームが６０ ＫＷ ／ ｃ
７Ｊ以上に集束され、かつ蒸発面にほぼ垂直に照射され
るもので、Ｃ軸配向性の良好な垂直磁化膜を高速で得る
ことができるものである。
実施例の説明
以下本発明の実施例について、図面を参照しながら説明
する。
する。
第１図は本発明を実施するのに用いた磁気記録媒体の製
造装置の基本構成を示す図である。
造装置の基本構成を示す図である。
基板１は円筒状キャン２に沿って矢印Ａの向きに走行す
る。蒸発源６と円筒状キャン２との間にはマスク６が配
置されており、蒸発原子（イオンを含むこともある。）
はスリットＳを通って、基板１に付着する。３，４はそ
れぞれ基板１の供給ロール及び巻取りロールである。
る。蒸発源６と円筒状キャン２との間にはマスク６が配
置されており、蒸発原子（イオンを含むこともある。）
はスリットＳを通って、基板１に付着する。３，４はそ
れぞれ基板１の供給ロール及び巻取りロールである。
蒸発源６は、蒸発源容器８と、蒸発材料７から成り、蒸
発材料７の加熱は、電子ビーム９で行われるもので第２
図に示すように蒸発面りにほぼ垂直に照射される。
発材料７の加熱は、電子ビーム９で行われるもので第２
図に示すように蒸発面りにほぼ垂直に照射される。
実際は、照射部Ｖは、平面ではないが、模式的に第２図
に示したように定義するものとする。
に示したように定義するものとする。
本発明は、電子ビームの照射条件として前記した照射角
度と、その電子ビームが照射位置で、６ＱＫｗ／ｃ−以
上になるように集束された状態に保持されることを特徴
とするものである。
度と、その電子ビームが照射位置で、６ＱＫｗ／ｃ−以
上になるように集束された状態に保持されることを特徴
とするものである。
本発明が蒸着速度でなくて電子ビームの集束された直径
に臨界値の存在することについては、明確ではないが、
垂直磁化膜の材料がＣｏを約８Ｑチ含む合金であシ、Ｇ
ｏの場合ｓ ＯＫＷ ／ ｃ！以上に集束された電子ビ
ームの圧力によシ、蒸発面が凹部を構成し、蒸発原子の
配向性が良化することが大いに関係しているものと推察
される。ただし上限については、湯がはね上シ、膜にピ
ンホール等の欠陥を作ることのないように、Ｃｏ系の場
合は、実験的には、２２．ＯＫＷ／ｃＡ以下にするのが
好ましいが、これは本質的ではなく、電子ビームのスポ
ット径によっても異なるものである。
に臨界値の存在することについては、明確ではないが、
垂直磁化膜の材料がＣｏを約８Ｑチ含む合金であシ、Ｇ
ｏの場合ｓ ＯＫＷ ／ ｃ！以上に集束された電子ビ
ームの圧力によシ、蒸発面が凹部を構成し、蒸発原子の
配向性が良化することが大いに関係しているものと推察
される。ただし上限については、湯がはね上シ、膜にピ
ンホール等の欠陥を作ることのないように、Ｃｏ系の場
合は、実験的には、２２．ＯＫＷ／ｃＡ以下にするのが
好ましいが、これは本質的ではなく、電子ビームのスポ
ット径によっても異なるものである。
通常の蒸着で用いられるビームスポット径が２ｃｍ以下
であれば、前述の数値を一応の目安にすることができる
。
であれば、前述の数値を一応の目安にすることができる
。
本発明に用いられる垂直磁化膜形成のだめの蒸着材料は
、Ｃｏ −Ｏｒ 、Ｃｏ−Ｎｉ−０ｒ 、Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｒｈ。
、Ｃｏ −Ｏｒ 、Ｃｏ−Ｎｉ−０ｒ 、Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｒｈ。
Ｇｏ−Ｔｉ 、 Ｃｏ −Ｖ 、 Ｇｏ−Ｍｇ 、 Ｇ
ｏ−Ｍｏ 、 Ｃｏ −Ｗ 、 Ｃｏ −Ｒｕ等である
。
ｏ−Ｍｏ 、 Ｃｏ −Ｗ 、 Ｃｏ −Ｒｕ等である
。
尚蒸発源の形状としては、基板の幅により適宜工夫する
ものとするが、電子ビームの前述した電力密度は、電子
ビームスポットを動かさなかったと仮定した時の値で、
現実には、スポットを動かす、通常スキャンニングと呼
ばれる操作は行われるのが普通である。
ものとするが、電子ビームの前述した電力密度は、電子
ビームスポットを動かさなかったと仮定した時の値で、
現実には、スポットを動かす、通常スキャンニングと呼
ばれる操作は行われるのが普通である。
又蒸発源容器としては、ＺｒＯ２，ＭｇＯ，ＣａＯ等の
セラミック製が用いられる。
セラミック製が用いられる。
又、長尺の媒体を得るのに蒸着、材料の供給を行うのは
勿論であるが、前記した材料は、お互いに蒸発速度が異
なるので、供給割合、経時的操作などは適宜工夫される
ものとする。
勿論であるが、前記した材料は、お互いに蒸発速度が異
なるので、供給割合、経時的操作などは適宜工夫される
ものとする。
又、電子ビーム投入の総電力は、ＣＯ系合金のに９で表
わしだ重量当り、４ＫＷ以上になるよう実施されるもの
とする。この値が４ＫＷより小さくなると、本発明の効
果を安定に得るのに、電子ビームのスキャンニングに工
夫を必要とし繁雑になるからである。
わしだ重量当り、４ＫＷ以上になるよう実施されるもの
とする。この値が４ＫＷより小さくなると、本発明の効
果を安定に得るのに、電子ビームのスキャンニングに工
夫を必要とし繁雑になるからである。
以下に本発明のさらに具体的な一実施例を説明する。
円筒状キャンの直径を５．０ Ｃｌｎとし、蒸発源容器
をｚｒｏ２製の容器で、内容積を６ Ｃｍ Ｘ ６ Ｃ
＃ＩＸ ２３ＣＴｎの６ｇｏ（Ｃ，ｎ）とし、蒸発面と
、基板の距離を３８Ｃａｎとし、電子ビームは加速電圧
３ Ｑ ＫＶ とし、蒸発源容器の上面部に基板の移動
方向と直交する方向に、磁界をかけて、偏向し、はぼ垂
直に照射するようにし、ビームスポット径は、集束磁界
と、電子ビーム発生部の形状を変えて制御した。尚比較
例として、斜め４０°（蒸発面からの立ち上沙角）から
照射した場合を示しだ。
をｚｒｏ２製の容器で、内容積を６ Ｃｍ Ｘ ６ Ｃ
＃ＩＸ ２３ＣＴｎの６ｇｏ（Ｃ，ｎ）とし、蒸発面と
、基板の距離を３８Ｃａｎとし、電子ビームは加速電圧
３ Ｑ ＫＶ とし、蒸発源容器の上面部に基板の移動
方向と直交する方向に、磁界をかけて、偏向し、はぼ垂
直に照射するようにし、ビームスポット径は、集束磁界
と、電子ビーム発生部の形状を変えて制御した。尚比較
例として、斜め４０°（蒸発面からの立ち上沙角）から
照射した場合を示しだ。
基板として１２μｍのポリエチレンテレフタレートを用
い、ｃｒを２０多含有するＧｏ−Ｃ１を蒸着材料として
選んだ。
い、ｃｒを２０多含有するＧｏ−Ｃ１を蒸着材料として
選んだ。
他の例として基板にあらかじめ高周波マグネトロンスパ
ッタリング法により８０％Ｎｉ−２０％Ｆｅの薄膜を０
．４８μｍ形成した厚み２０μｍのポリアミドフィルム
を用いた場合も実施した。真空度は３Ｘ１０−８Ｔｏｒ
ｒから６ Ｘ １Ｏ−８ＴＯｒｒ（７）範囲で行った。
ッタリング法により８０％Ｎｉ−２０％Ｆｅの薄膜を０
．４８μｍ形成した厚み２０μｍのポリアミドフィルム
を用いた場合も実施した。真空度は３Ｘ１０−８Ｔｏｒ
ｒから６ Ｘ １Ｏ−８ＴＯｒｒ（７）範囲で行った。
本発明の構成要件及び効果を次表にまとめて示した。
（以下余白）
表よシ明らかなように本発明によれば、真空蒸着法によ
りΔθ６０の値が６度以下にできるもので、実施例での
蒸着速度は平均して６０００ ｋ猿であったから、従来
のスパッタリング法の１００．Ａ／５１３Ｃの６０倍の
高速で、スパッタリング法で得られたのと同程度のＣ軸
配向性が得られているもので、量産性がいかに優れてい
るかが理解できる。
りΔθ６０の値が６度以下にできるもので、実施例での
蒸着速度は平均して６０００ ｋ猿であったから、従来
のスパッタリング法の１００．Ａ／５１３Ｃの６０倍の
高速で、スパッタリング法で得られたのと同程度のＣ軸
配向性が得られているもので、量産性がいかに優れてい
るかが理解できる。
尚本実施例以外にも、本発明に用いることのできる前述
の他の材料についても同様の効果を有することを確認し
た。
の他の材料についても同様の効果を有することを確認し
た。
発明の効果
以上のように本発明は電子ビーム蒸発源を用い、該電子
ビームを蒸発面にほぼ垂直に５０ＫＷ／ｃＩＡ以上の電
力密度条件で照射することで垂直磁化膜を形成すること
で、Ｃ軸配向性の良好な垂直磁化膜をスパッタリング法
の１桁以上の高速で得られるもので、実用的効果は極め
て大きい。
ビームを蒸発面にほぼ垂直に５０ＫＷ／ｃＩＡ以上の電
力密度条件で照射することで垂直磁化膜を形成すること
で、Ｃ軸配向性の良好な垂直磁化膜をスパッタリング法
の１桁以上の高速で得られるもので、実用的効果は極め
て大きい。
第１図は本発明を実施するのに用いた蒸着装置の基本構
成を示す図で、第２図は蒸発源部分の拡大断面図、であ
る。 １・・・・・・基板、２・・・・・・円筒状キャン、６
・・・・・・蒸発源、９・・・・・・電子ビーム。
成を示す図で、第２図は蒸発源部分の拡大断面図、であ
る。 １・・・・・・基板、２・・・・・・円筒状キャン、６
・・・・・・蒸発源、９・・・・・・電子ビーム。
Claims (1)
- 回転支持体に沿って移動する基板に垂直磁化膜を真空蒸
着する際、蒸発源が電子ビーム蒸発源であシ、この蒸発
源からの電子ビームが５０ ＫＷ／ｃｙｊ以上に集束さ
れかつ、蒸発面にほぼ垂直に照射されることを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5661084A JPS60201531A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5661084A JPS60201531A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60201531A true JPS60201531A (ja) | 1985-10-12 |
Family
ID=13032012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5661084A Pending JPS60201531A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60201531A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04147433A (ja) * | 1990-10-11 | 1992-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS576440A (en) * | 1980-06-11 | 1982-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of magnetic recording medium |
-
1984
- 1984-03-23 JP JP5661084A patent/JPS60201531A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS576440A (en) * | 1980-06-11 | 1982-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of magnetic recording medium |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04147433A (ja) * | 1990-10-11 | 1992-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60201531A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS6339124A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH0334614B2 (ja) | ||
| JPS59175037A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH02137126A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS61187127A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS60217531A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS60214426A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS59175036A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH04315818A (ja) | 磁気記録媒体の製造法 | |
| JPS58125236A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2548239B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0687306B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS59148139A (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH03225621A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS63244412A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS58139338A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0334611B2 (ja) | ||
| JPS5922235A (ja) | 垂直磁気記録用媒体の製造装置 | |
| JPH0334620B2 (ja) | ||
| JPH0121534B2 (ja) | ||
| JPH04188433A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS6037531B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS59141210A (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JPH05128513A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 |