JPS60199229A - フアジイ対等回路 - Google Patents

フアジイ対等回路

Info

Publication number
JPS60199229A
JPS60199229A JP59057123A JP5712384A JPS60199229A JP S60199229 A JPS60199229 A JP S60199229A JP 59057123 A JP59057123 A JP 59057123A JP 5712384 A JP5712384 A JP 5712384A JP S60199229 A JPS60199229 A JP S60199229A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current
circuit
fuzzy
output
input
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59057123A
Other languages
English (en)
Inventor
Fumio Ueno
文男 上野
Retsu Yamakawa
烈 山川
Yuji Shirai
白井 雄二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Tateisi Electronics Co
Omron Tateisi Electronics Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tateisi Electronics Co, Omron Tateisi Electronics Co filed Critical Tateisi Electronics Co
Priority to JP59057123A priority Critical patent/JPS60199229A/ja
Priority to US06/714,809 priority patent/US4694418A/en
Publication of JPS60199229A publication Critical patent/JPS60199229A/ja
Priority to US07/041,696 priority patent/US4860243A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/0611Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
    • H01L27/0617Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type
    • H01L27/0629Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type in combination with diodes, or resistors, or capacitors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/094Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 この発明はファジィ対等回路に関する。
ファジィ論理はファジネスすなわち「あいまいさ」を取
扱う論理である。人間の思考や行動にはあいまいさがつ
きまとっている。そこで、このようなあいまいさを故山
化したり理論化できれば、交通管1.IJ、緊急、応用
医療体制等の社会システム、人聞を模倣してつくられる
ロボット等の設計に応用できる筈である。1965年に
り、 A、 Zadehによってファジィ集合の概念が
提唱されて以来、このような観点から[あいまいさ」を
取扱う一つの手段としてファジィ論理の研究が行なわれ
てきた。しかしながらこのような研究の多くがディジタ
ル計算機を用いたソフトウェア・システムへの応用に向
けられているのが現状である。ディジタル計算機はOと
1とからなる2値論理に基づく演算を行なうものであり
、その演算処理はきわめて厳密ではあるが、アナログ量
の入力にはA/D変換回路を(=l加する必要があり、
このために膨大な情報を処理させようとすると最終結果
が得られるまでに長い時間を要するという問題がある。
また、ファジィ論理の応用のためのプログラムはきわめ
て複雑にならざるを得ず、複雑な処理のためには大型デ
ィジタル計算機が必蟹となり経済的でない。
そもそもファジィ論理はOから1までの区間の連続的な
値(0,1)を扱う論理であるから、2値論理を基礎と
するディジタル計算機にはなじまないという面をもって
いる。またフ7・シイ論理は巾のあるあいまいな邑を取
扱うもの(”あるから、ディジタル計算機による演算は
どの厳密性は要求されない。そこで、ファジィ論理を取
扱うのに適した回路、システムの実現が望まれている。
発明の概要 この発明は、ファジィ論理のための基本な回路であるフ
ァジィ対等回路を提供することを目的とする。
この発明によるファジィ対等回路は、演算の変数を表わ
す2つの電流を入力とづるWllのファジィ限界差回路
、2つの入力電流が、第1のファジィ限界差回路のそれ
らとは逆の関係になっている第2の)7ジイ限界差回路
、上記両ファジィ限界差回路の出力電流を加算するワイ
ヤードOR1およびワイA7−ドORの出力電流とファ
ジィ論理で1を表わす電流とを入力とし、その出力がフ
ァジィ対等演算結果を表わす第3のファジィ限界差回路
からなることを特徴とする。ここで上記ファジィ限界差
回路は、FETにより構成される電流ミラーと、その出
力側に接続されたワイヤードORと、出力電流の向きに
対して順方向に接続されたダイオードとからなる。
この発明におりるファジィ対等回路はWi流モードで動
作するから、この回路を、3つのファジィ限界差回路と
1つのワイヤードORとの組合せにより構成することが
可能となる。したがって、ファジィ対等回路の構成がき
わめて簡素であり、IC(集積回路)化に最適である。
ファジィ対等回路の基本要素であるファジィ限界差回路
においては、FETを用いて電流ミラーが構成されてい
るから、ミラ一定数を常に1に保つことが可能であり、
正確なファジィ論理演算ができるとともに、演算速度の
高速化が可能である。
実施例の説明 ファジィ集合Xはメンバーシップ関数μXによって特性
づけられる。メンバーシップ関数とはその変数が′ファ
ジィ集合Xに属している度合いを表わすものであり、こ
の度合いはOがら1までの区間の連続的な値(0,1)
によって表わされる。したがって、メンバーシップ関数
はその変数を(0,1)に変換するものであるというこ
とができる。ファジィ集合Yも同様にメンバーシップ関
数μVによって特性づけられる。
ファジィ論理とは、あいまいさをファジィ集合の形で表
わし、これを用いて、通常の論理をあいまいさを取扱う
ことができるように拡張したものである。ファジィ対等
も、またファジィ論理の基本演算の1つである。
この発明にお番ノるファジィ対等回路は電流モードで動
作する。そこでN流の入出力形態を簡単に説明してJ3
 <。第1図において、ファジィ論理回路(10)の入
力電流が■1で、出力電流がIOでそれぞれ表わされて
いる。(A)は、入力電流1iが回路(10)に向って
流れ込み、出力電流IOが回路(10)から流出する入
出力形態を示している。これを、吸い込み入力、吐き出
し出力と名付ける。(B)は、入力ff1il!Eli
が回路り10)から流出し、出力電流■0が回路(10
)に流入する吐き出し入力、吸い込み出力の形態を示し
ている。同様にして、(C)は吸い込み入力、吸い込み
出力を、(D)は吐き出し入力、吐き出し出力をそれぞ
れ示している。
ファジィ論理回路を多段(カスケード)に接続する場合
には、第1図(A)または(B)の形態を採用すること
が好ましい。第1図は1人力、1出力の例であるが、多
入力、多出力の回路においても電流の入出力形態は変わ
らない。
ファジィ対等演算を実行する回路は、ファジィ限界差演
算を実行する回路とワイヤーFORとの組合ゼによって
構成される。したがって、まずファジィ限界差回路につ
いて説明し、その後、ファジィ対等回路について述べる
以下に述べる実施例は、上記のファジィ論理演算回路を
PチャネルMO8形FET (電界効果トランジスタ)
(P−MOS FET)で実現したものであり、吐き出
し入力、吸い込み出力のM流入出力形態が採用されてい
る。ファジィ論理回路はP−MOS FETのみならず
、NチャネルMO3形FET(N−MOS FET)、
相補形MO8(C−MOS)FETによっても実現でき
るのはいうまでもない。
ファジィ集合X、Yに対して、限界差は、それらのメン
バーシップ関数μ×、μyにより次のように定義される
XθY#μにev 三μxeμy −〇■(μX−μy) ・・・(1) ここでθは限界差、■は論理和(1ax ) (大きい
方を選択すること)、−は算術上の引算(算術差)をそ
れぞれ表している。ファジィ論理では負の値は使用しな
いから、第(1)式にJ3いて、(μX−μy)が負の
値になった場合には論理和■によって限界差はOとなる
。すなわち、第(1)式は具体的には次の関係を表わし
ている。
・・・(2) 第2図に限界差回路が示されている。限界差回路は、P
−MOS FEI−により構成される電流ミラー(1)
、ワイヤードOR,ダイオード(2>、2つの入力端子
(3)(4>および1つの出力端子(5)からなる。電
流ミラー(1)は2つのP−MOS FETからなる電
流ミラーと等価である。第4図において、(A>は第2
図における電流ミラー(1)を、(B)は2つのP−M
OS FET(11)(12)からなる電流ミラーをそ
れぞれ示している。
第4図(B)において、2つのFET(11)(12)
のソース(S)が接地されている。またこれらのゲート
(G)が互いに接続され、かつこれらのゲート(G)が
一方のFET(11)のドレイン(D)に接続されてい
る。一方のFET(11)のドレイン(D)に吐き出し
入力電流Iiを与えると、他方のFET(11)のトレ
イン(D)から1i−1oとなる吐き出し出力電流10
が得られる。これは、FET(11)のドレイン電流が
liに等しくなるようにゲート電圧(ゲート/ソース間
電圧)が加わるからであり、このゲート電圧は他方のF
ET(12)にも作用してFET(12)のドレイン電
流も(iに等しくなるからである。ただし、2つのFE
T(11) <12)の構造およびSt −8! 02
界面物性が等しいことが条件である。ゲート(G)と一
方のFET<11)のドレイン(D)との間の短絡路に
はm流t、tmれない。
2つのFETの構造およびSi 5tO2界面物性が等
しければ、入力電流の大きさに関係なく入力電流■1に
等しい出力電流IOが得られるというのはFETを用い
たII電流ミラー大きな特徴である。バイポーラ素子、
たとえば通常の接合トランジスタを用いた電流ミラーで
は、電流増幅率βが非常に大きい場合にのみli −I
Oが成立する。入力m流11が小さい場合には電流増幅
率βも小さくなるので上記の等式が成立しなくなる。第
4図(B)の電流ミラーを、以下第4図(A)の記号で
表現する。
第2図に戻って、電流ミラー(1)の入力用ドレイン(
ゲート)側の入力端子(4)に吐き出し入力?li!l
yを与えれば、その出力用トレインにはこれと等しいI
lyの吐き出し電流が得られることは、上述の説明から
明らかであろう。この出力用ドレインに、吐き出し入力
電流lxを与える入力端子(3)と、吐き出し方向に対
して逆方向となるダイオード(2)を介して出力端子(
5)とを接続しておく。端子(3)に接続された電流源
によって工×の値の電流が引っばられるので、lx>I
yの場合にのみ■z−1x−IVの出力電流が端子(5
)からダイオード(2)を通して吸い込まれることにな
る。■×≦EVの場合にはIy−1xの出力電流が吐き
出されようとするが、ダイオード(2)によってl止さ
れるので、端子(5)に流れる出力電流は零となる。以
上の関係をまとめると、次のようになる。
・・・(3) メンバーシップ関数μX、μyをそれぞれ入力N流1x
、Iyに6、限界差μxeyを出力ffi流[2にそれ
ぞれ対応させれば、第(3)式は第(2)式と全く同じ
関係を表わしている。第2図の回路が限界差の基本演算
回路であることが理解できよう。
第3図は、入力m流の一方IVをパラメータとした場合
における、他方の入力電流lxと出力電流1zとの関係
を示している。ここで、人、出力m*はいずれも、最大
値が1となるように正規化されている。
第5図は、第2図に示される限界差回路を1C(集積回
路)によって実現した場合のICの4M造の一例を示し
ている。(A>は平面パターン図、(B)はb−b線に
そう断面図、(C)はC−C線にそう断面図であり、い
ずれも図式的に示されている。また、リブストレート(
第2ゲート)は省略されている。この回路は、0形基板
(30)上に通常のP−MO8製造プロセスによってつ
くることができる。
ffi流ミラー(1)におけるソースとなるA/(8i
体)パターン(61)はn領域(41)にオーミック接
触している。入力側のドレインとなるA’/パターン(
62)はp 1blL(42)に接続されている。出力
側のドレインとなるA/パターン(63)もまたn領域
(43)に接続されている。
2つのFETのチャネル111、チャネル長、ゲート酸
化膜厚はそれぞれ等しくなるように製作されている。n
領域(41)と(42) (43)との間にのぞむよう
に、ゲートとなる多結晶Si ([3ドープ、p形)(
50)がS!02絶縁牧(51)を介して設けられてい
る。この多結晶3i (50)はA/パターン(62)
に接続されているが、AIパターン(63)とはSi 
02 (51)を介し′(絶縁されている。n領域<4
4)とn領域(45)とによりダイオード(2)が構成
されている。
A/パターン(63)がカソード側となるn領域(45
)上までのばされ、このn領域(45)に接続されてい
る。出力端子(5)に接続されるAIパターン(64)
はn領域(44)に接続されている。
第6図は、N−MOS FETにより桝或された限界差
回路を示している。吸い込M−吐き出し出力の電流入出
力形伊′ る。
また2つのドレインが設けられ、一方がゲートに接続さ
れ、他方は出力側に接続されている。
ソースは接地されている。ダイオード(2)は1F12
図に示すものとは当然のことながら向きが逆である。こ
のような回路においても第(3)式の演算が達成される
のはいうまでもない。
ファジィ対等論理の説明に入る前に、ファジィ含意論理
について簡単に述べておく。
ファジィ集合X、Yに対して、含意はそれらのメンバー
シップ関数μX、μyにより次のように定義される。
X→Yψμx−’>y 三1Δ(1−μ×十μy) ・・・(4)μXは集合X
に属している度合を表わずから、(1−μ×)は集合X
に属していない度合を表わすことになる。また論理積(
1n)Δはいずれか小さい方を選択するものである。以
上を考慮すると、含意とは、集合Xに属していない度合
と集合Y&−属している度合との算術和を表わし、この
算術和が1よりも大きい場合には結果を1とすることを
意味している。第(4)式をより分りやすく表現すると
次のようになる。
1△(1−μ×十μy) ・・・(5) ファジィ集合X、Yに対して、対等Gj1ぞれらのメン
バーシップ関数μ×、μyにより次のように定龜される
x、−’r’eμw#y 三μXうjへμ、□8 ・・・(6) 対等はこのように2つの含意μx、y +μy−+xの
いずれか小さい方によって表わされるので、上述の含意
の定義(第(5)式)を利用すると、次のように表現す
ることもできる。
・・・(7) 第(6)式は次のように変形することが可能である。
μXs’7 一1θ((μ×θμy)十(μyθμX))・・・(8
) 第(8)式は次のようにして証明される。
gY 三(X−Y)Δ(Y−X) =(X I=tY ) V (Y tdX )1x−y
l 干1−1x−yl −1−((x θy)+(y θ×))−1θ ((x
ey)+(yclx)) ・・・ (9)第(8)式よ
り、対等の演算は3つの限界差回路と1つのワイヤード
ORとにより実現できることが分る。第7図は対等回路
を示している。
電流ミラー(1)とダイオード(2)とからなる第1の
限界差回路と、電流ミラー(21)とダイオード(22
)とからなる第2の限界差回路とが並列に接続されてい
る。第1の限界差回路の出力1!流Iaは次式で与えら
れる。
・・・(10) 第2の限界差回路においては、その人ツノW1流1Xと
1yとが第1の限界差回路の入力電流と交換されている
ので、その出力ri流1bは次式で与えられる。
・・・(11) これらの2つの出力電流1aとIbとがワイヤーFOR
によって加算されているので、ワイヤードORの出ツノ
電流10は次式で表わされる。
・・・(12) 第3の限界差回路は、電流ミラー(31)とダイオード
(32)とからIM成され、その一方の入力電流は上記
出力電流lc、他方の入力電流は1の値の電流である。
しかって、この第3の限界差回路の出力電流1zは次式
で与えられる。
・・・(13) 第(13)式を第(7)式に対応させることにより対等
の演算が実行されていることが分るであろう。
第(13)式において、1x−1yの場合には(lx−
1v )−(Iy−lx )−0となるから、Iz =
1である。すなわち、2つの入力電流l×とIyが等し
いときには出力電流IXi、t1の値をとり、それ以外
の場合にはIzジブ−となる。したがって、出力電流1
zが1かどうかという点のみに着眼ずれば、対等回路は
一致回路と考えることかできる。
第(12)式から分るように、電流1cは■×とIyと
の差を表わしている。1x−IVの場合にはICQ−0
である。また、電流ミラー(31)において、短絡路(
34)を開放した場合にはこの素子は単なる1個のFE
Tとなる。このFE流が与えられているから12−1と
なる。FETがオンの場合には(Ic≠0)、入力端子
(33)の吐き出し入力電流はFETから流れてしまう
のでIz−0となる。第7図の回路は、短絡路(34)
をU0放すると、2m出力の一致回路となることが理解
されよう。
また、電流ミラー(31)の出力側ドレインから流出す
る電流(Ic に等しレリは、端子(33)の入力ff
i流1よりも大きくなることはあり得ないから、ダイオ
ード(32)を省略することが可能である。
第8図は、第7図の回路をIC化した場合の平面パター
ンを示している。ダイオード(32)は省略されている
。IC基板上に、電流ミラーとダイオードとからなる第
1および第2の限界差回路ともう1つの電流ミラーとが
設けられていることが第5図(A)との対応から容易に
理解されよう。ワイヤードORはAIパターンによって
構成されている。b−b@g、面およびC−CliA1
gi面は、第5図(B)(C)に示すものと同じである
上述の対等回路(第7図)においては、入力電流lxと
IVの電流源が2つ必要となる。このように同じ値の電
流が必薮な場合にはm流分配回路を用いるとよい。電流
分配回路は電流ミラーの考え方を拡張して容易に作成で
きる。づなわち、第4図(A)に示すWi電流ミラー、
第5図のICをみても分るように、基板上に2つのドレ
イン、共通のソースおよび共通のゲートを設け、一方の
トレインをゲートに接続したものである。3つ以上のド
レインを基板上に設けそのうちの1つをゲートに接続す
れば(マルチ出力電流ミラー)、ゲート電流(入カドレ
イン側1に等しい値の電流を、他の2つ以上のトレイン
から同時に得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は′IIi流の入出力形態の説明図、第2図は限
界差回路を示す回路図、第3図はその入出力特性を示づ
グラフ、第4図は等価な2つの電流ミラーの回路図、第
5図は、限界差回路をIC化した場合のその構造を示す
もので、(A)は平面パターン図、(B)は(A>のb
−b線にそう断面図、(C)は(A)のC−C線にそう
断面図、第6図はN−MOS FETにより構成された
限界差回路を示す回路図、第7図は対等回路の回路図、
第8図はそのIC平面パターン図である。 (1) (21) (31)・・・電流ミラー、(2)
(22) (32)・・・ダイオード、(3) (4)
 (23)(24)・・・入力端子、(5)(25)・
・・出力端子。 以 上 外4名 (A) (B) に) (D) 第ε図 第3図 第4図 (A)CB) 第5図 フ 第G1・叉1 ←Iz 第7図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 演舞の変数を表わす2つの1!流を入力とする第1のフ
    ァジィ限界差回路、 2つの入力電流が、第1のファジィ限界差回路のそれら
    とは逆の関係になっている第2のファジィ限界差回路、 上記両ファジィ限界差回路の出力電流を加算するワイヤ
    ードOR,および ワイヤードORの出力Wl流とファジィ論理で1を表わ
    す電流とを入力とし、その出力がファジィ対等演算結果
    を表わす第3のファジィ限界差回路からなり、 上記ファジィ限界差回路が、FETにより構成されるl
    !流ミラーと、その出力側に接続されたワイヤードOR
    と、出力電流の向ぎに対して順方向に接続されたダイオ
    ードとからなる、ファジィ対等回路。
JP59057123A 1984-03-23 1984-03-23 フアジイ対等回路 Pending JPS60199229A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59057123A JPS60199229A (ja) 1984-03-23 1984-03-23 フアジイ対等回路
US06/714,809 US4694418A (en) 1984-03-23 1985-03-22 Fuzzy logic basic circuit and fuzzy logic integrated circuit operable in current mode
US07/041,696 US4860243A (en) 1984-03-23 1987-04-23 Fuzzy logic semifinished integrated circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59057123A JPS60199229A (ja) 1984-03-23 1984-03-23 フアジイ対等回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60199229A true JPS60199229A (ja) 1985-10-08

Family

ID=13046776

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59057123A Pending JPS60199229A (ja) 1984-03-23 1984-03-23 フアジイ対等回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60199229A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5825695A (en) Semiconductor device for reference voltage
US5442209A (en) Synapse MOS transistor
GB2290642A (en) Operational transconductance amplifier and MOS multiplier
Opris Analog rank extractors
KR0155210B1 (ko) Mos 4상한 멀티플라이어
JPS60199229A (ja) フアジイ対等回路
US5617052A (en) Transconductance-variable analog multiplier using triple-tail cells
US3980897A (en) Logic gating system and method
Yamakawa et al. A programmable fuzzifier integrated circuit—synthesis, design, and fabrication
US4906873A (en) CMOS analog four-quadrant multiplier
US10679123B2 (en) Implementation of sigmoid function using non-complementary transistors
JPS6120428A (ja) 多機能フアジイ論理回路
US4652777A (en) CMOS programmable logic array
JPS60199225A (ja) フアジイ含意回路
JPS6120430A (ja) 多機能フアジイ論理回路
JPS60199230A (ja) フアジイ論理集積回路
Baysoy et al. Subthreshold MOS fuzzy max/min neuron circuits
JPS60199228A (ja) フアジイ論理回路
US20230198520A1 (en) Tunable homojunction field effect device-based unit circuit and multi-functional logic circuit
Gupta et al. On the performance analysis of a class of neuron circuits
JPS60199231A (ja) フアジイ論理回路
JPS6165526A (ja) フアジイ激烈積回路
JPS6295676A (ja) プログラマブル・マルチ・メンバ−シツプ関数回路
LaMotte On limits of uniquely best linear estimators
JPH10145224A (ja) 閾値論理回路