JPS60196986A - Magnetoresistance element and manufacture thereof - Google Patents
Magnetoresistance element and manufacture thereofInfo
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- JPS60196986A JPS60196986A JP59053731A JP5373184A JPS60196986A JP S60196986 A JPS60196986 A JP S60196986A JP 59053731 A JP59053731 A JP 59053731A JP 5373184 A JP5373184 A JP 5373184A JP S60196986 A JPS60196986 A JP S60196986A
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
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- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 （発明の属する技術分野） 本発明は強磁性材料を用いた磁気抵抗素子に関する。[Detailed description of the invention] (Technical field to which the invention pertains) The present invention relates to a magnetoresistive element using a ferromagnetic material.
（従来技術）
磁気抵抗素子は半導体材料を使用したものと薄膜化した
強磁性材料を使用したものとの二種類がある。前者はホ
ール効果を利用したものでｓｂ、磁気抵抗素子として機
能させる場合には５００ガウス以上の磁界強度が必要で
ある。これに対し、後者の強磁性材料（Ｎｉ Ｐｅまた
はＮ １−ｃｏ等）を使用した磁気抵抗素子は磁界によ
シミ子のエネルギーバンドが変化することを利用してお
シ、半導体材料を使用したものよシ小さな磁界強度で機
能する。(Prior Art) There are two types of magnetoresistive elements: those using semiconductor materials and those using thin ferromagnetic materials. The former uses the Hall effect and requires a magnetic field strength of 500 Gauss or more to function as a magnetoresistive element. On the other hand, the latter magnetoresistive element using ferromagnetic material (NiPe or N1-co, etc.) takes advantage of the fact that the energy band of the shimiko changes depending on the magnetic field. It works with extremely small magnetic field strengths.
第１図（ａ）〜（Ｃ）は強磁性材料を用いた従来の磁気
抵抗素子を示す断面図、斜視図および主要部断面図であ
る。これらの図面を参照して製造方法について説明する
。まず、ガラス板等の絶縁基板あるいはＳｉ（シリコン
）基板５上に８ｉ０．膜４を形成して絶縁基板上にＮｉ
Ｃｏ薄膜１を真空蒸着法によシ形成する。次に、フォト
エツチングにょシ所定のパターンに形成後、電極金屑と
してＡＵ（金）膜を、Ｎｅ Ｃｏ薄膜上に真空蒸着法ま
だはスパッタリング法により形成する。さらに、フォト
エツチング法によシボンディング用電極２を形成する。FIGS. 1A to 1C are a cross-sectional view, a perspective view, and a cross-sectional view of a main part of a conventional magnetoresistive element using a ferromagnetic material. The manufacturing method will be explained with reference to these drawings. First, 8i0. Ni film 4 is formed on the insulating substrate.
A Co thin film 1 is formed by vacuum evaporation. Next, after forming a predetermined pattern by photo-etching, an AU (gold) film is formed as electrode gold scraps on the Ne Co thin film by vacuum evaporation or sputtering. Furthermore, a bonding electrode 2 is formed by a photoetching method.
次に、保護膜３として５ｉ０２をスパッタリング法によ
シ基板全面に付着せしめ、再匿、フォトエツチング法に
よシを極部２のみ５ｉ０２ｔ−除去する。Next, as a protective film 3, 5i02 is deposited on the entire surface of the substrate by sputtering, and then 5i02t is removed from only the extreme portions 2 by re-hiding and photo-etching.
さらに、所定寸法に切断後、リードフレーム７を接着し
、ボンディングワイヤー６にょシミ極２とリードフレー
ム７とを接続する。最後に、表面にバッファーコート用
樹脂８を塗布・乾燥後、トランスファーモールド法にょ
多熱硬化性樹脂９からなる外装が施される。このような
従来方法において、ＡＵのエツチング液としてＫＩ（ヨ
ウ化カリウム）＋Ｌ（ヨウ素）＋Ｈ２０（水）溶液が使
用されるが、このエツチング液はＮｉ Ｃｏ膜も多少エ
ツチングすをため膜厚が薄くなるとともにその表面に反
応物を生成する。このため、各素子の電気特性にバラツ
キが生じるという欠点がある。Furthermore, after cutting to a predetermined size, the lead frame 7 is bonded, and the bonding wire 6 connects the stain electrode 2 and the lead frame 7. Finally, after applying and drying the buffer coating resin 8 on the surface, an exterior made of a polythermosetting resin 9 is applied by transfer molding. In such a conventional method, a solution of KI (potassium iodide) + L (iodine) + H20 (water) is used as an etching solution for AU, but this etching solution also etches the NiCo film to some extent, so the film thickness is thin. At the same time, reactants are generated on the surface. Therefore, there is a drawback that variations occur in the electrical characteristics of each element.
（発明の目的）
本発明の目的は上述の欠点を除去した磁気抵抗素子およ
びその製造方法を提供することにある。(Objective of the Invention) An object of the present invention is to provide a magnetoresistive element and a manufacturing method thereof that eliminate the above-mentioned drawbacks.
（発明の構成）
本発明の磁気抵抗は、絶縁基板と、該基板上に形成され
たニッケルーコバルト薄膜と、該ニッケルーコバルト薄
膜上に形成されたニッケルー鉄薄膜と、該ニッケルー鉄
薄膜上の予め定めた部分に形成した金属電極と、少なく
とも該金属電極が露出するよう前記ニッケルー鉄薄膜上
に形成した保護膜とを備えている。(Structure of the Invention) The magnetic resistance of the present invention includes an insulating substrate, a nickel-cobalt thin film formed on the substrate, a nickel-iron thin film formed on the nickel-cobalt thin film, and a nickel-iron thin film formed on the nickel-iron thin film. The device includes a metal electrode formed on a predetermined portion, and a protective film formed on the nickel-iron thin film so that at least the metal electrode is exposed.
また、本発明の磁気抵抗素子の製造方法は、絶縁基板上
に真空蒸着法またはスパッタリング法によシニッケルー
コバルト薄膜る形成する第１の工逼と、賦ニッケルーコ
バルト薄膜上に真空蒸着法またはスパッタリング法によ
シニッケルー鉄薄膜を形成する第２の工程と、該ニッケ
ルー鉄薄膜上に真空蒸着法またはスパッタリング法によ
シ金属膜を形成する第３の工程と、該金属膜の不要部分
をフォトエツチング法によシ除去する第４の工程と、該
第４の工程で除去された部分の少なくとも一部に保護膜
を形成する第５の工程とを含む。The method for manufacturing a magnetoresistive element of the present invention includes a first step of forming a nickel-cobalt thin film on an insulating substrate by vacuum evaporation or sputtering, and a vacuum evaporation method on the nickel-cobalt thin film. Alternatively, a second step of forming a nickel-iron thin film by a sputtering method, a third step of forming a metal film on the nickel-iron thin film by a vacuum evaporation method or a sputtering method, and removing unnecessary portions of the metal film. It includes a fourth step of removing by photoetching, and a fifth step of forming a protective film on at least a portion of the portion removed in the fourth step.
（実施例） 次に本発明について図面を参照して詳細に説明する。(Example) Next, the present invention will be explained in detail with reference to the drawings.
第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の詳細な説明するための
断面図、斜視図および主要部断面図である。絶縁基板と
しては、従来と同様に、ガラス板あるいはＳｉ基板１６
に８ｉ０２絶縁膜１５を形成した平滑基板が使用される
。まず、この絶縁基板上にＮ１−Ｃ。FIGS. 2(a) to 2(C) are a sectional view, a perspective view, and a sectional view of main parts for explaining the present invention in detail. As the insulating substrate, a glass plate or a Si substrate 16 is used as in the conventional case.
A smooth substrate on which an 8i02 insulating film 15 is formed is used. First, N1-C is placed on this insulating substrate.
薄膜１１を真空蒸着法によシ〜ｘｏｏｏＡ程度の厚さに
形成し、このあと、このＮ１−Ｃ，薄膜１１上にＮｉ−
Ｆｅ薄膜１２を真空蒸着法またはスパッタリング法で〜
２ｏｏＡ程度の厚さに形成する。このときの基板温度は
３００℃以上が必要である。A thin film 11 is formed by vacuum evaporation to a thickness of about 1~xoooA, and then Ni-
Fe thin film 12 is formed by vacuum evaporation method or sputtering method.
It is formed to a thickness of about 2ooA. The substrate temperature at this time needs to be 300° C. or higher.
１２０℃以下基板冷却後、ＡＵをＮｅ−Ｆ、薄膜１２上
全１面に蒸着し、次に、フォトエツチング法によシ所定
の電極形状のボンディング用電極１３を形成する０仄に
、保護膜１４としてｉ（ｉｏ、 ｉスパッタリング法に
よシ基板全面に付崩せしめ、内庭、フォトエツチング法
によシミ極部１３の享８ ｉｏ、を除去する。さらに、
所定寸法に切断後、リードフレーム１８を接着し、ボン
ディングワイヤー１７によりｔ極１３とリードフレーム
１８とを接続する。最後に、チップ表面にバッファーコ
ート用樹脂１９を塗布・乾燥後、トランスファーモール
ド法によ多熱硬化性樹脂２０からなる外装を施す。After cooling the substrate below 120° C., AU is deposited on the entire surface of the thin film 12 using Ne-F, and then a protective film is applied to form the bonding electrode 13 having a predetermined electrode shape by photo-etching. As step 14, the entire surface of the substrate is broken down using a sputtering method, and the inner layer and the stain pole portion 13 are removed using a photoetching method.Furthermore,
After cutting to a predetermined size, the lead frame 18 is bonded, and the t-pole 13 and the lead frame 18 are connected by a bonding wire 17. Finally, a buffer coating resin 19 is applied to the chip surface and dried, and then an exterior made of a polythermosetting resin 20 is applied by transfer molding.
本実施例で用いるＮｉ Ｆｅ薄膜はＡＵのエツチング溶
液ＫＩ＋１．＋Ｈ，０によシエッチングされないため、
本発明の方法によりｉ造される各素子の電気的特性は全
て均一になる。また、本発明の方法では、Ｎｉ−Ｃｏ薄
膜の形成からＡＵ膜の形成までを同一真空中で行えるた
め、工程が簡単、となる゛。The NiFe thin film used in this example was prepared using AU etching solution KI+1. Since it is not etched by +H,0,
The electrical characteristics of each element manufactured by the method of the present invention are all uniform. Furthermore, in the method of the present invention, the steps from forming the Ni--Co thin film to forming the AU film can be performed in the same vacuum, which simplifies the process.
（発明の効果）
以上、本発明には、簡単な製造工程で電気的特性のバラ
ツキが少ない磁気抵抗素子金製竜できるという効果がめ
る。(Effects of the Invention) As described above, the present invention has the advantage that a gold magnetoresistive element with less variation in electrical characteristics can be produced through a simple manufacturing process.
第１図ｔａ）〜ｉｃ）はそれぞれ従来の熟気抵抗素子を
示す断面図、斜視図および主要部所面Ｉ７１ならびに第
２図（ａ）〜ｉｃ）はそれぞれ本発明の一実施例を示す
断面図、斜視図および主−央部断面図で、らる。
図において、１・・・・・・Ｎｉ−Ｃ０薄腺、２・・・
・・・ボンディング用電極、３・・・・・・保姓膜、４
・・・・・５ｉ０２博膜、５・・・・・・Ｓｉ基板、６
・・・・・・ボンディングワイヤー、７１０１０１、リ
ードフレーム、８゛−−−−°バッファー１−ト樹脂、
９・・・・・・熱鋏化性樹脂、１１・・・・・・Ｎｉ
Ｃ。
薄膜、１２・・・・・・Ｎｉ−Ｆｅ薄膜、１３・・・・
・・ボンディング用電極、１４・・・・・・保護膜、１
５・・・・・・８ｉ０ｚ薄膜、１６・・・・・・Ｓｉ基
板、 １７・パ・・・ボンディングワイヤー、１８・・
・・・・リードフレーム、１９・・・・・・バッファー
コート樹脂、２０・・・・・・熱硬゛化性樹脂。
Ｃ山）
第１図
ｃ山）
第２図FIGS. 1(a) to ic) are sectional views, perspective views, and main parts I71 showing a conventional resistor element, and FIGS. 2(a) to ic) are sectional views showing an embodiment of the present invention, respectively. Figures, perspective views and main-center sectional views. In the figure, 1...Ni-C0 thin gland, 2...
... Bonding electrode, 3 ... Protection film, 4
...5i02 Hakumei, 5...Si substrate, 6
・・・・・・Bonding wire, 710101, lead frame, 8゛----° buffer 1-to resin,
9...Thermal scissors-forming resin, 11...Ni
C. Thin film, 12...Ni-Fe thin film, 13...
...Bonding electrode, 14...Protective film, 1
5...8i0z thin film, 16...Si substrate, 17.Pa...bonding wire, 18...
... Lead frame, 19 ... Buffer coat resin, 20 ... Thermosetting resin. Mt. C) Fig. 1 Mt. C) Fig. 2
Claims (2)
鉄薄膜）薄Ｕと、Ｕニッケルーコバルト薄膜上に形成さ
れたニッケルー鉄薄膜と、該ニッケルー鉄薄膜上の予め
定めた部分に形成した金属電極と、少なくとも該金属電
極が露出するよう前記ニッケルー鉄薄膜上に形成した保
護膜とを備えたことを特徴とする磁気抵抗素子。(1) An insulating substrate, a nickel-iron thin film formed on the substrate) a thin U, a nickel-iron thin film formed on the U nickel-cobalt thin film, and a nickel-iron thin film formed on a predetermined portion of the nickel-iron thin film. A magnetoresistive element comprising a metal electrode and a protective film formed on the nickel-iron thin film so that at least the metal electrode is exposed.
法によシニッケルーコバルト薄膜を形成する第１の工程
と、該ニッケルーコバルト薄膜上に真空蒸着法またはス
パッタリング法によシニックルー鉄薄膜を形成する第２
の工程と、該ニッケルー鉄薄膜上に真壁蒸着法またはス
パッタリング法によシ金属膜を形成する第３の工程と、
該金属膜の不要部分゛をフォトエツチング法によシ除去
する第４の工程と、該第４の工程で除去された部分の少
なくとも一部に保護膜を形成する第５の工程とを含むこ
とを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。(2) A first step of forming a cynickel-cobalt thin film on an insulating substrate by vacuum evaporation or sputtering, and forming a cynickel-iron thin film on the nickel-cobalt thin film by vacuum evaporation or sputtering. Second
a third step of forming a metal film on the nickel-iron thin film by a true wall evaporation method or a sputtering method;
A fourth step of removing unnecessary portions of the metal film by photoetching, and a fifth step of forming a protective film on at least part of the portions removed in the fourth step. A method for manufacturing a magnetoresistive element characterized by:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59053731A JPS60196986A (en) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | Magnetoresistance element and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59053731A JPS60196986A (en) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | Magnetoresistance element and manufacture thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60196986A true JPS60196986A (en) | 1985-10-05 |
Family
ID=12950971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59053731A Pending JPS60196986A (en) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | Magnetoresistance element and manufacture thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60196986A (en) |
-
1984
- 1984-03-21 JP JP59053731A patent/JPS60196986A/en active Pending
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