JPS60196644A - 付着力評価方法 - Google Patents

付着力評価方法

Info

Publication number
JPS60196644A
JPS60196644A JP59052312A JP5231284A JPS60196644A JP S60196644 A JPS60196644 A JP S60196644A JP 59052312 A JP59052312 A JP 59052312A JP 5231284 A JP5231284 A JP 5231284A JP S60196644 A JPS60196644 A JP S60196644A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
adhesion
area
stage
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59052312A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuyuki Takahashi
高橋 光之
Takashi Sato
隆 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP59052312A priority Critical patent/JPS60196644A/ja
Publication of JPS60196644A publication Critical patent/JPS60196644A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N19/00Investigating materials by mechanical methods
    • G01N19/04Measuring adhesive force between materials, e.g. of sealing tape, of coating

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 の程度から付着力を評価する付着力評価方法に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
薄膜の基板に対する付着力は、薄膜の耐久性。
耐摩耗性に大きく影響するために従来から付着力のいろ
いろな評価方法が試みられている。たとえば、粘着性の
接着テープを薄膜の表面に貼シつけ。
テープをはがしたときに薄膜が基板に残るかまたはテー
プにくっつくかをみて、薄膜の基板に対する付着の強さ
の程度を調べる引きはがし法がある。
また、薄膜の表面に平らな円板を接着し、基板を固定し
た上でその円板を面に垂直方向に引張って薄膜をはく離
させ、そのときに加えられた力を測定する引張り法があ
る。また、硬い小さな圧子を薄膜に押しつけ、いろいろ
々荷重によって圧子を動かし、薄膜にはく離を生じたと
きの荷重を測定するひっかき法がある。
しかるに、接着テープをはがしたときに、薄膜が基板に
残るかテープにくっつくかをみて付着力の強さの程度を
調べる引きはがし法は、きわめて簡便で広く用いられて
いるが、いわゆる付着力のおおざっばな合否の判定がで
きるのみであり、正確な評価は困難である。また、薄膜
に接着した円板を垂直方向に引張って付着力を評価する
引張り法は1円板と薄膜の確実な接着が難しく、また薄
膜を基板から引きはがすのに要した力以外に、薄膜が円
板の縁のところから裂けてしまうことが多いため、測定
値に大きなばらつきを生じ、すこぶる不便である。まだ
、薄膜のはく離したときのひっかき荷重を測定すること
により付着力を評価するひっかき法は、異なる大きさの
荷重により数多くのひっかきを必要とするだめすこぶる
不便であシ、シかもはく離したか否かの判定が難しく、
また、はく離時のひっかき荷重を検出するための専用装
置が必要となり、容易にかつ安価に試験機を製作できな
い不都合があった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上記事情を参酌してなされたもので、
ひっかき法によって薄膜を基板からはく離させ、そのは
く離した面積の大きさから薄膜の付着力の強さの程度を
高能率かつ高精度で評価することの可能な付着力評価方
法を提供することにある。
〔発明の概要〕 本発明は、基板に付着した薄j■迄のある一定面積内を
錐状の圧子により、疎部から密部へ連続的に変化する格
子状にひつかき、」二記一定面積とはく離した面積との
割合に基づいて薄膜の基板に対する付着力の強さの程度
を評価しようとしたものである。
〔発明の実施例〕
以下1本発明を図面を参照して、実施例に基づいて詳述
する。
第1図は、本発明の一実施例の付着力評価方法に用いら
れる付着力評価装置を示している。Xステージ(1)は
、このXステージ(1)に連設されたXマイクロメータ
(2)のつまみ(2a)の回動によりX方向(第1図紙
面垂直方向)に移動できるように設けられている。この
Xステージ(1)上には、Xステージ(3)が、とのX
ステージ(3)に連設されたXマイクロメータ(4)の
つまみ(4a)の回動によ!ll第1図矢印(5)のY
方向に摺接して移動できるように載設されている。そし
てXステージ(1)とXステージ(3)とは。
基板(6a)と薄M (6b)とから成る試料(6)を
載置するためのXXステージ(7)を構成している。一
方、このXXステージ(7)の上方には、レバー(8)
がレバー軸(9)に軸支され、矢印(ioa)、 (t
ab)方向に回動自在となっている。そして、レバー(
8)の一端部には。
先端がダイヤモンド製の円錐状の圧子(II)が取材け
られている。また、圧子(11)の上面には円環状の周
壁部αりに載置したおもり(13)が設けられている。
このおもり(I3)の重さを任意に設定することにより
、圧子(1υによるひりかき条痕の大きさを変化させる
ことができる。0・っかき条痕の大きさ及びはく離面積
は、薄膜(6b)の表面に対して任意に傾いた光軸(1
つをもつ顕微鏡(1(1)によって観61すされる。
つぎに、上fQ 4’4′成の付着力評価装置を力]い
た付着力評価方法について説明する。まず、XXステー
ジ(7)上面上に基板(6a)と薄膜(6b)とから成
る板状試料(6)を載置する。つぎに、圧子(It)加
圧用の任意のおもり(131を周壁部(14に裁置し、
レバー軸(9)を矢印(10a)の方向に回転させるこ
とにより、圧子αυを?!7−膜(6b)の第2図に示
す顕微鏡視野部((6)の始点σ優に押しつける。つぎ
に、Xマイクロメータ(4)のつまみ(4a)を一定速
度、例えばO,1111m7秒で回動し。
Xステージ(3)を第1図の左から右方向に120μm
移動させ、条痕(i7a)をN膜(6b)の表面に形成
する。
条痕(17a)形成後、第1図のレバー軸(9)を矢印
(10b)の方向に回転させることによシ、圧子(11
)を薄膜(6b)の条痕(17a)の終点(2@から離
間させる。つぎK。
Xマイクロメータ(2)のつ1み(2a)の回動によシ
X方向第1図紙面の裏から表方向に30μm(100μ
m x Lop2)移動させ、前と同様にして条痕(1
7a)に平行な条痕(17b)を形成する。以下同様に
して、始点(11からX方向に100μmxLoyn 
(ここでnは、ひっかきの本数)の間隔で10本の条痕
(17C)、 (17d)、・・・を形成する。ついで
、Y方向の条痕(17a)、〜、(17j)と同様の手
順により、100μ+nxJoyn(ここで、nはひっ
かきの本数)間隔でX方向の条痕(18a)、〜、(1
8j)を10本形成する。このようKして得られたXY
方向の条痕(17a)、・・・、(17j )、 (1
8a)、・・・、(Isj )は、第2図の顕微鏡視野
部αQに示すように、100μmX100μmの面積の
簿膜(6b)表面を81区画に分割している。この場合
、格子面積の小さな部分は格子面積の大きな部分よりも
、ひっかきによって生じた内部応力の影響により、薄膜
にはく離が生じ易い傾向をもっている。また、このよう
なはく離の大きさは。
付着力の強い薄膜では、はく離面積が小さく、逆に、弱
い薄膜では、はく離面積が大きくなる。したがって、付
着力の強さの程度を比較するだめのはく離面積比aを次
式で定義することができる。
a = A / Ao ただし、この式において、Aは、はくh11面積(μm
2)。
及び、Aoは、格子総面積(μn]2)である。ちなみ
に、本実施例においては、Aoは、100μm x 1
00μm= 10000μm2である。かくして、はく
離面積比aが小さい場合は、付着力が強く、逆に、大き
い場合は、付着力が弱いと評価する。
以上のように、本実施例の(=J着力評価方法t」、。
条痕(17a)、・・・、(17j )、 (18a)
、・・・、(1sj )を両対数目盛状に形成したので
、はく離の生じた部分と生じていない部分の見分けが容
易につくとともに1面積計数が容易となり、はく離した
面積の大きさから薄膜の付着力の程度を、能率的にしか
も関精度で評価することが可能となる。
なお、上記実施例においては、圧子αυの先端形状を円
錐状としたが、四角錐状であってもよい。
また、格子間隔は、上記実施例では対数目盛間隔とした
が、その間隔に制約されることはなく、要するに、ある
一定面積内においてはく離の生じた部分と生じていない
部分の見分けがつくように格子間隔を疎部から密部へ連
続的に変化させたものであればよく、例えば等比間隔で
もよい。のみならず、XY方向の条痕は必ずしも1ケ交
の必要はなく、格子内部形状が菱形、つ寸りX方向とY
方向の交差角が鋭角であってもよい。さらに、と記党施
例においては、顕微鐘(14)をはく離面積の測定用に
用いたが、 ITVカメラを用いた画像解析装置を用い
るとよシ便利である。
〔発明の効果〕
発明の付着力評価方法は、高能率かつ高1’i7度で付
着力の評価が可能となり、測定能率及び測定精度が向上
する。また、はく離時のひっかき荷重測定法に比べて、
安価に、かつ簡便に装置を製作できる利点を有している
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の付着力評価方法に用いられ
る付着力評価装置の要部構成図、第2図は第1回に示す
fづ着力計測装置を用いたけ漬方評価方法の説明図であ
る。 (6):試料(被測定物) 、 (6b) :薄膜。 α1):圧子。 (17a)、・・・、(17j)、 (18a)、・・
・、(IU) :条痕。 代理人 弁理士 則 近 憲 (h (I−1か1名) 第 1 図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)薄膜が付着した被測定物の測定域内に錐状の圧子
    によシ間隔を規則的に変動させてひっかき、疎部から密
    部へ連続的に変化する格子状の条痕を形成する方法と、
    上記測定域の面積に対する上記ひっかきにより発生した
    上記薄膜の上記被測定物からのはく雌部分の割合に基づ
    き上記薄膜の上記被測定物に対する付着力を評価する方
    法とを具備することを特徴とする付着力評価方法。
  2. (2)条痕を両対数目盛状に形成することを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の付着力評価方法。
JP59052312A 1984-03-21 1984-03-21 付着力評価方法 Pending JPS60196644A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59052312A JPS60196644A (ja) 1984-03-21 1984-03-21 付着力評価方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59052312A JPS60196644A (ja) 1984-03-21 1984-03-21 付着力評価方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60196644A true JPS60196644A (ja) 1985-10-05

Family

ID=12911260

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59052312A Pending JPS60196644A (ja) 1984-03-21 1984-03-21 付着力評価方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60196644A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02120645A (ja) * 1988-10-28 1990-05-08 Shimadzu Corp 表面特性測定装置
JPH0475952U (ja) * 1990-11-16 1992-07-02
WO2003008938A3 (de) * 2001-07-16 2003-05-22 Siemens Ag Verfahren zum bestimmen der haftfestigkeit einer beschichtung auf einem bauteil
FR2848723A1 (fr) * 2002-12-16 2004-06-18 Soitec Silicon On Insulator Outil pour la desolidarisation de plaques dans le domaine des substrats semiconducteurs, ensemble de tels outils et procedes associes
US7187162B2 (en) 2002-12-16 2007-03-06 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. Tools and methods for disuniting semiconductor wafers
WO2009040999A1 (ja) * 2007-09-27 2009-04-02 Daikin Industries, Ltd. 碁盤目試験方法及び碁盤目試験装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02120645A (ja) * 1988-10-28 1990-05-08 Shimadzu Corp 表面特性測定装置
JPH0549944B2 (ja) * 1988-10-28 1993-07-27 Shimadzu Corp
JPH0475952U (ja) * 1990-11-16 1992-07-02
WO2003008938A3 (de) * 2001-07-16 2003-05-22 Siemens Ag Verfahren zum bestimmen der haftfestigkeit einer beschichtung auf einem bauteil
FR2848723A1 (fr) * 2002-12-16 2004-06-18 Soitec Silicon On Insulator Outil pour la desolidarisation de plaques dans le domaine des substrats semiconducteurs, ensemble de tels outils et procedes associes
US7187162B2 (en) 2002-12-16 2007-03-06 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. Tools and methods for disuniting semiconductor wafers
US7740735B2 (en) 2002-12-16 2010-06-22 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Tools and methods for disuniting semiconductor wafers
WO2009040999A1 (ja) * 2007-09-27 2009-04-02 Daikin Industries, Ltd. 碁盤目試験方法及び碁盤目試験装置
EP2204644A4 (en) * 2007-09-27 2015-08-05 Daikin Ind Ltd QUADRILLAGE TEST METHOD, AND QUADRILLAGE TEST DEVICE

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8186210B2 (en) Surface evaluation employing orthogonal force measurement
JPS60196644A (ja) 付着力評価方法
CN101206195A (zh) 超声波检测近表层缺陷埋藏深度的方法
Diakhate et al. Probabilistic improvement of crack propagation monitoring by using acoustic emission
JP2006284453A (ja) 薄膜密着性評価方法
JPH01316632A (ja) 薄膜の機械的特性を評価する装置並びに評価方法
He et al. Experimental determination of crack driving forces in integrated structures
CN114577717A (zh) 一种可控牵拉角度的涂膜附着力测试装置
Oroshnik et al. Threshold adhesion failure: An approach to aluminum thin-film adhesion measurement using the stylus method
JP2006294904A (ja) 剥離特性評価方法
Mizumachi et al. Rolling motion of a ball on pressure sensitive adhesives
KR100298598B1 (ko) 강판상에도금된도금막밀착력측정방법및그장치
JPH01185430A (ja) 薄膜付着力評価方法
US3504552A (en) Particle contact counter and method
Qi et al. Influence factors of film adhesion criterion of the nondestructive CZM-SAW technique
US2984101A (en) Tape method for detecting fatigue cracks
CN209841251U (zh) 一种新型透明材料的应力检测仪器
JPH0442003A (ja) 電気抵抗ひずみゲージの固定方法
JPS61162737A (ja) 異物検査装置の性能チエツク方法
JPH0555317A (ja) 半導体検査装置
US3186094A (en) Non-wringing anvil
JPH07146230A (ja) 硬質薄膜の密着性評価方法及び密着性評価試験装置
JP2602263B2 (ja) 付着力測定装置
US3738011A (en) Thickness-scratch testing device
JPS63231240A (ja) 薄膜コ−テイングのクラツク発生限界歪検出法