JPS60193144A - 光メモリデイスク - Google Patents
光メモリデイスクInfo
- Publication number
- JPS60193144A JPS60193144A JP59048796A JP4879684A JPS60193144A JP S60193144 A JPS60193144 A JP S60193144A JP 59048796 A JP59048796 A JP 59048796A JP 4879684 A JP4879684 A JP 4879684A JP S60193144 A JPS60193144 A JP S60193144A
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- Japan
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- disk
- thin film
- memory medium
- optical memory
- original memory
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の分野）
不発明は元ディスクに関し、特にレーザ光の熱エネルギ
ーにより光学特性の変化する光メモリ媒体を用いた元メ
モリディスクに関するものである。
ーにより光学特性の変化する光メモリ媒体を用いた元メ
モリディスクに関するものである。
（従来技術ル
レーザ光の熱エネルギー等を用いて屈折率あるいは反射
率等の光学特性を変化させることにより情報が書き込′
ｆ、ワ、光学効果により情報が読み出される記録媒体丁
なわち元メモリ媒体が知られている。
率等の光学特性を変化させることにより情報が書き込′
ｆ、ワ、光学効果により情報が読み出される記録媒体丁
なわち元メモリ媒体が知られている。
このような元メモリ媒体は、これまでＴｅ 。
Ｔｅ化合物、熱可塑性樹脂、環元性酸化物、カルコゲン
化物等の物質からなる薄膜を、ガラス、ポリメチルメタ
クリレート（ＰＭＭＡ）、。
化物等の物質からなる薄膜を、ガラス、ポリメチルメタ
クリレート（ＰＭＭＡ）、。
ポリカーボネー）（ＰＣＪ等の可撓性のない硬質基板上
に積層して形成さｔてきた。このようにして形成された
元メ牟すディスクは高速アクセスの可能な高密度記録媒
体として優れたものと考えられている。
に積層して形成さｔてきた。このようにして形成された
元メ牟すディスクは高速アクセスの可能な高密度記録媒
体として優れたものと考えられている。
しかしながら、このような元メモリディスクヶ製造する
際には、予め最終形状に成形したガラス等の基板葡洗浄
処理し、バッチ式蒸着法５反応性高周阪イオンブレーテ
ィング法あるいはスピンコード法によって１枚ずつ薄膜
形成しなければならず、大量生産が不可能である。％に
、下地処理層もしくは保護層管ケ薄層に設けて多層構造
とした場合あるいはトラッキング制ｒｌ［ｌＩやアドレ
スケ容易にするために薄層に溝を形成した場合には生産
性が悪（、製作費が非常に高いものとなる。
際には、予め最終形状に成形したガラス等の基板葡洗浄
処理し、バッチ式蒸着法５反応性高周阪イオンブレーテ
ィング法あるいはスピンコード法によって１枚ずつ薄膜
形成しなければならず、大量生産が不可能である。％に
、下地処理層もしくは保護層管ケ薄層に設けて多層構造
とした場合あるいはトラッキング制ｒｌ［ｌＩやアドレ
スケ容易にするために薄層に溝を形成した場合には生産
性が悪（、製作費が非常に高いものとなる。
（発明の目的］
不発明は上記従来技術の問題点に鑑み、生産性が良く、
製作費の安い元メモリディスクを提供すること？目的と
するものである。
製作費の安い元メモリディスクを提供すること？目的と
するものである。
（発明の構成および主たる作用）
不発明による元メモリディスクは、可撓性ｋＷする基板
の少な（とも片面上にレーザ光の熱エネルギーにより光
学特性が変化する記録薄膜全積層して光メモリ媒体全形
成し、こ、）ヵ７工１）媒４゜ヵ、ウウ、。枚。ユ。１
持デイスク（これらのうち、少なくとも前記記録薄膜上
に密着されるものは光透過性全有する）ｋ密着してなる
ものである。
の少な（とも片面上にレーザ光の熱エネルギーにより光
学特性が変化する記録薄膜全積層して光メモリ媒体全形
成し、こ、）ヵ７工１）媒４゜ヵ、ウウ、。枚。ユ。１
持デイスク（これらのうち、少なくとも前記記録薄膜上
に密着されるものは光透過性全有する）ｋ密着してなる
ものである。
不発明において、「可撓性？有する基板」とはポリエチ
レンテレフタレート、ポリイミドの如きプラスチック等
、可撓性のある素材全て？意味するものであり、これら
の素材のうち、特にガラス転移温度が７０℃以上のもの
？使用すると表面性が優れ、好ましい。
レンテレフタレート、ポリイミドの如きプラスチック等
、可撓性のある素材全て？意味するものであり、これら
の素材のうち、特にガラス転移温度が７０℃以上のもの
？使用すると表面性が優れ、好ましい。
不発明において、記録薄膜はＴｅ 、 Ｔｅ化合物。
熱可塑性樹脂、環元性酸化物、カルコゲン化物等、元メ
モリ媒体として従来使用さ扛ていた物質で形＃：するこ
とができる。光メモリ媒体はレーザ光の熱エネルギーに
より光学術性が感度良く変化するものでなげればならな
い。
モリ媒体として従来使用さ扛ていた物質で形＃：するこ
とができる。光メモリ媒体はレーザ光の熱エネルギーに
より光学術性が感度良く変化するものでなげればならな
い。
したがって、記録薄膜は均一かつ衣面性艮（形成する必
要がある。このためには、室温近傍以下の温度において
、十分な張力で保持さ匙た可撓性基板上に記録薄膜ケ真
空蒸着法。
要がある。このためには、室温近傍以下の温度において
、十分な張力で保持さ匙た可撓性基板上に記録薄膜ケ真
空蒸着法。
スパッタリング法１反応性高周波イオンブレーティング
法等により成膜する方法が適している。
法等により成膜する方法が適している。
このようにして得に元メモリ媒体ケ硬質支持ディスクで
表裏両側から挾むことにより不発明の光メモリディスク
が得らする。不発明において、「硬質支持ディスク」と
は光メモリ媒体ケ支持するに十分な硬さケ有し、最終製
品のディスク状形状に対応するように成形され定材質を
意味し、ガラスまたは可撓性のないプラスチック（たと
えば、ＰＭＭＡ等〕がこｎに含まれる。
表裏両側から挾むことにより不発明の光メモリディスク
が得らする。不発明において、「硬質支持ディスク」と
は光メモリ媒体ケ支持するに十分な硬さケ有し、最終製
品のディスク状形状に対応するように成形され定材質を
意味し、ガラスまたは可撓性のないプラスチック（たと
えば、ＰＭＭＡ等〕がこｎに含まれる。
また不発明において、「溝付きディスク」とは、元メモ
リ媒体に形成されるべき記録および再生用の溝（トラツ
クノに対応する溝が前記媒体と蜜Ｎする面に形成されて
いる硬質支持ディスク全意味″′ｆるものである、これ
らの硬質支持ディスクのうち、元メモリ媒体の記録薄膜
に＠看さ扛るディスクは元透過性金石する必要がある。
リ媒体に形成されるべき記録および再生用の溝（トラツ
クノに対応する溝が前記媒体と蜜Ｎする面に形成されて
いる硬質支持ディスク全意味″′ｆるものである、これ
らの硬質支持ディスクのうち、元メモリ媒体の記録薄膜
に＠看さ扛るディスクは元透過性金石する必要がある。
本発明において、「光透過性」とは記録時において記録
薄膜の光学特性ケ変化させるに十分な熱エネルギー全有
するレーザ光を透過し、かつ再生時において記録薄膜に
おける光学特性の差異ケ顕現させるに十分な読取光全透
過する性質を意味する。ここで用いられるレーザ光およ
び読取光は従来の元メモリディスクに用いられるものと
同様のものである。
薄膜の光学特性ケ変化させるに十分な熱エネルギー全有
するレーザ光を透過し、かつ再生時において記録薄膜に
おける光学特性の差異ケ顕現させるに十分な読取光全透
過する性質を意味する。ここで用いられるレーザ光およ
び読取光は従来の元メモリディスクに用いられるものと
同様のものである。
溝付き支持ディスクを使用し、元メモリ媒体に溝ｒ形成
する場合には元メモリ媒体の可撓性音高めるため、可撓
性基板の厚さ全２０μｍ以下とし、真空圧漕法により表
裏両側からディスクを挾むことが望ましいが、他の場合
にはディスクの使用上支障のない程度に元メモリ媒体が
支持される限りにおいて、いかなる方法で支持ディスク
全密着させてもよい。
する場合には元メモリ媒体の可撓性音高めるため、可撓
性基板の厚さ全２０μｍ以下とし、真空圧漕法により表
裏両側からディスクを挾むことが望ましいが、他の場合
にはディスクの使用上支障のない程度に元メモリ媒体が
支持される限りにおいて、いかなる方法で支持ディスク
全密着させてもよい。
可撓性基板の両面に記録薄膜を形成し、光透過性を有す
る２枚の硬質支持ディスクで両側から挾むことにより、
両面において記録および再生が可能な両面ディスク全製
造することもできる。
る２枚の硬質支持ディスクで両側から挾むことにより、
両面において記録および再生が可能な両面ディスク全製
造することもできる。
（発明の効果）
不発明の元メモリディスクは、基板を可撓性とした元メ
モリ媒体と硬質支持ディスフケ組み合わせて使用してい
るので、従来のように硬質ディスクに１枚ずつ薄膜形成
することなく、大量生産することか可能である。
モリ媒体と硬質支持ディスフケ組み合わせて使用してい
るので、従来のように硬質ディスクに１枚ずつ薄膜形成
することなく、大量生産することか可能である。
また、不発明に使用される元メモリ媒体は基板が可撓性
？Ｍするため、必要とされるディスクの形状゛に応じて
容易に成形することが可能である。したがって、不発明
の光メモリディスクは生産性ケ損なうことな（、様々な
形状とすることかできる。％に溝付きディスクは、薄い
基板？用いた元メモリ媒体？溝付ぎ支持ディスクに真空
圧着することにより、極めて容易に製造することが可能
である。
？Ｍするため、必要とされるディスクの形状゛に応じて
容易に成形することが可能である。したがって、不発明
の光メモリディスクは生産性ケ損なうことな（、様々な
形状とすることかできる。％に溝付きディスクは、薄い
基板？用いた元メモリ媒体？溝付ぎ支持ディスクに真空
圧着することにより、極めて容易に製造することが可能
である。
（実施態様〕
以下、図面および実施例によって不発明の実施態様を説
明する。
明する。
第１図は不発明の一実施態様による元メモリディスク分
水す側断面図である。
水す側断面図である。
この図面に示す元メモリディスク１は可撓性基板２人に
記録薄膜２Ｂｉ積層してなる元メモリ媒体２に硬質支持
ディスク３Ａおよび３Ｂ１に密着してなるものであり、
記録薄膜２ＢＫ密看される硬質支持ディスク３Ａは光透
過性金石している。
記録薄膜２Ｂｉ積層してなる元メモリ媒体２に硬質支持
ディスク３Ａおよび３Ｂ１に密着してなるものであり、
記録薄膜２ＢＫ密看される硬質支持ディスク３Ａは光透
過性金石している。
このような元メモリディスクに情報を記録する際にはレ
ーザ光４を照射し、その熱エネルギーによって記録薄膜
２Ｂの光学特性全情報に応じて変化させる。このように
して記録さ匙た情報は読取光ビーム５’ｉ記録薄膜２Ｂ
に照射し、その際に得られる光学特性（例えば反射率）
の変化音読取ることにより再生される。
ーザ光４を照射し、その熱エネルギーによって記録薄膜
２Ｂの光学特性全情報に応じて変化させる。このように
して記録さ匙た情報は読取光ビーム５’ｉ記録薄膜２Ｂ
に照射し、その際に得られる光学特性（例えば反射率）
の変化音読取ることにより再生される。
第２図は不発明の別の実施態様全示す側断面図である。
この図面に示す溝付き光メモリディスク１１は可撓性基
板１２Ａに記録薄膜１−ｚＢ２゜積層してなる元メモリ
媒体１２に溝付き硬質支持ディスク１３Ａ（光透過性う
および１３Ｂケ真空圧看してなるものである。このディ
スクはレーザ光１４および読取光ビーム１５の照射によ
って、第１図に示したディスクと同様に情報の記録およ
び再生を行なうことができる。
板１２Ａに記録薄膜１−ｚＢ２゜積層してなる元メモリ
媒体１２に溝付き硬質支持ディスク１３Ａ（光透過性う
および１３Ｂケ真空圧看してなるものである。このディ
スクはレーザ光１４および読取光ビーム１５の照射によ
って、第１図に示したディスクと同様に情報の記録およ
び再生を行なうことができる。
第３図は不発明のも５１つの実施態様を示す側断面図で
ある。
ある。
この図面に示す光メモリディスク２１は可撓性基板２２
Ａの表面および裏面に記録薄膜２２Ｂおよび２２Ｃ’ｉ
槓層してなる元メモリ媒体２２に光透過性硬質支持ディ
スク２３Ａおよび２３Ｂｉ密着し°てなるものである。
Ａの表面および裏面に記録薄膜２２Ｂおよび２２Ｃ’ｉ
槓層してなる元メモリ媒体２２に光透過性硬質支持ディ
スク２３Ａおよび２３Ｂｉ密着し°てなるものである。
このディスクは表裏両面に記録薄膜上膜けた元メモリ媒
体を使用し℃いるため、レーザ光２４Ａ、２４Ｂおよび
読取光ビーム２５Ａ。
体を使用し℃いるため、レーザ光２４Ａ、２４Ｂおよび
読取光ビーム２５Ａ。
２５Ｂの照射により、表裏両ｉｌＩ］］において情報′
の記録および再生が可能である。ま定前記支持ディスク
２３Ａおよび２３Ｂ’に溝付ぎデイスフとすれば両面溝
付きディスクが得られる。
の記録および再生が可能である。ま定前記支持ディスク
２３Ａおよび２３Ｂ’に溝付ぎデイスフとすれば両面溝
付きディスクが得られる。
以下、不発明の詳細な説明する。
実施例１
真空蒸着装置において、１００ ｍｍ幅、８０μｍ厚の
ポリエチレンテレフタレートフィルム７基板とし、蒸層
源としてＴｅＯ２とタングステン粉末（環元剤）との混
合’ｍ’ｉ石英製るつぼに入れ、これ全タングステンコ
イルヒータで約８００℃まで通電加熱した。装置内の真
空度はＩ Ｘ ｌ Ｏ””５Ｔｏｒｒ 程度に維持した
。
ポリエチレンテレフタレートフィルム７基板とし、蒸層
源としてＴｅＯ２とタングステン粉末（環元剤）との混
合’ｍ’ｉ石英製るつぼに入れ、これ全タングステンコ
イルヒータで約８００℃まで通電加熱した。装置内の真
空度はＩ Ｘ ｌ Ｏ””５Ｔｏｒｒ 程度に維持した
。
基板フィルム會冷却キャンに沿って４ＱｃＩｒＬ／ｍｉ
ｎの速度で搬送すると表面性の良好な膜厚１０００″ｉ
の連続した薄膜が基板上に形成された。この薄膜の組成
はＴｅＯ□、□であった。この薄膜の形成された基板す
なわち元メモリ媒体を円状に打抜き、２枚の円形ＰＭＭ
Ａ硬質支持ディスクで挾んで元メモリディスク？得た。
ｎの速度で搬送すると表面性の良好な膜厚１０００″ｉ
の連続した薄膜が基板上に形成された。この薄膜の組成
はＴｅＯ□、□であった。この薄膜の形成された基板す
なわち元メモリ媒体を円状に打抜き、２枚の円形ＰＭＭ
Ａ硬質支持ディスクで挾んで元メモリディスク？得た。
この元メモリディスクは、パイレックス■あるいはＰＭ
ＭＡ等の硬質支持ディスクに記録薄膜を直接形成し、保
護基板で封止した′従来の元メモリディスクと同等に反
射率変化記録媒体として使用できるものであった。
ＭＡ等の硬質支持ディスクに記録薄膜を直接形成し、保
護基板で封止した′従来の元メモリディスクと同等に反
射率変化記録媒体として使用できるものであった。
実施例２
ポリエチレンテレフタレートフィルムの厚さｔ２０μｍ
とした他は実施例１と同様にしてＴｅＯ□、１の薄膜
をＭする円形元メモリ媒体會樽、２枚の溝付さ円形ＰＭ
ＭＡ使質叉持ディスクを表裏両面に真空圧着して溝付き
光メモリディスクを得た。支持ディスクの溝形状は記録
薄膜に良好に転写されており、配録および再生時にトラ
ッキング？容易に行なうことができた。また、他の特性
は実施例１のディスクと同等であった。
とした他は実施例１と同様にしてＴｅＯ□、１の薄膜
をＭする円形元メモリ媒体會樽、２枚の溝付さ円形ＰＭ
ＭＡ使質叉持ディスクを表裏両面に真空圧着して溝付き
光メモリディスクを得た。支持ディスクの溝形状は記録
薄膜に良好に転写されており、配録および再生時にトラ
ッキング？容易に行なうことができた。また、他の特性
は実施例１のディスクと同等であった。
他の記録薄膜材料、例えばＧｅＯｘ 、 ＰｂＯｘ 。
５ｂＯｘ 、 ＭｏＯｘ等の環元性酸化物あるいは他の
カルコゲン化物等を可撓性基板上に谷棟の方法で成膜し
て得た元メモリ媒体２使用した元メモリディスクも、実
施例１および実施例２と同様に、各材料を硬質支持ディ
スクに直接成膜した従来の光メモリディスクと同等に使
用することができた。
カルコゲン化物等を可撓性基板上に谷棟の方法で成膜し
て得た元メモリ媒体２使用した元メモリディスクも、実
施例１および実施例２と同様に、各材料を硬質支持ディ
スクに直接成膜した従来の光メモリディスクと同等に使
用することができた。
第１図〜第３図は不発明−のそｔぞれ異なった一実施態
様を示す側断面図である。 １．１１，２１・・・元メモリディスク２．１２．２２
・・・元メモリ媒体 ２Ａ’、１２Ａ、２２Ａ・・・可撓性基鈑２Ｂ、１２Ｂ
、２２Ｂ、２２Ｃ・・・記録薄膜３Ａ、３Ｂ、２３Ａ、
２３Ｂ・・・硬質支持ディスク１３Ａ、１３Ｂ・・・溝
付き硬質支持ディスク４．１４．２４Ａ、２４Ｂ・・・
レーザ元５．１５，２５Ａ、２５Ｂ・・・読取光ビーム
ｉＪ１図 ｉＩ ２ 図 第３図
様を示す側断面図である。 １．１１，２１・・・元メモリディスク２．１２．２２
・・・元メモリ媒体 ２Ａ’、１２Ａ、２２Ａ・・・可撓性基鈑２Ｂ、１２Ｂ
、２２Ｂ、２２Ｃ・・・記録薄膜３Ａ、３Ｂ、２３Ａ、
２３Ｂ・・・硬質支持ディスク１３Ａ、１３Ｂ・・・溝
付き硬質支持ディスク４．１４．２４Ａ、２４Ｂ・・・
レーザ元５．１５，２５Ａ、２５Ｂ・・・読取光ビーム
ｉＪ１図 ｉＩ ２ 図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 υ 可撓性を有する基板と、この基板の少な（とも片面
上に積層された、レーザ元の熱エネルギーによって光学
特性が変化する記録薄膜とからなる元メモリ媒体、およ
びこの元メモリ媒体の表裏両面全体ＫＷ着さｎた２枚の
硬質支持ディスクからなり、前記２枚の硬質支持ディス
クのうち少な（とも前記記録薄膜の上に＠看された硬質
支持ディスクが光透過性であること営特徴とする光メモ
リディスク。 ２）前記基板のガラス転移温度が７０℃以上であること
ｔ％′徴とする特許請求の範囲第１項記載の元メモリデ
ィスク。 ３）前記基板の厚さが２０μｍ以下であり、前記硬質支
持ディスクが溝付きディスクであって前記元メモリ媒体
に真兜圧着さｔていること’（ｌ−特徴とする特許請求
の範囲第１項もしくは第２項記載の元メモリディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59048796A JPS60193144A (ja) | 1984-03-14 | 1984-03-14 | 光メモリデイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59048796A JPS60193144A (ja) | 1984-03-14 | 1984-03-14 | 光メモリデイスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60193144A true JPS60193144A (ja) | 1985-10-01 |
| JPH0477971B2 JPH0477971B2 (ja) | 1992-12-09 |
Family
ID=12813187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59048796A Granted JPS60193144A (ja) | 1984-03-14 | 1984-03-14 | 光メモリデイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60193144A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6243845A (ja) * | 1985-08-21 | 1987-02-25 | Hitachi Ltd | 光デイスク |
| FR2606198A1 (fr) * | 1986-10-31 | 1988-05-06 | Seiko Epson Corp | Support d'enregistrement optique et son procede de fabrication |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5766538A (en) * | 1980-10-08 | 1982-04-22 | Toshiba Corp | Information storage medium |
| JPS5963039A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-10 | Toshiba Corp | 情報記憶媒体 |
| JPS6099697A (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-03 | Ricoh Co Ltd | 光学的記録媒体 |
-
1984
- 1984-03-14 JP JP59048796A patent/JPS60193144A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5766538A (en) * | 1980-10-08 | 1982-04-22 | Toshiba Corp | Information storage medium |
| JPS5963039A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-10 | Toshiba Corp | 情報記憶媒体 |
| JPS6099697A (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-03 | Ricoh Co Ltd | 光学的記録媒体 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6243845A (ja) * | 1985-08-21 | 1987-02-25 | Hitachi Ltd | 光デイスク |
| FR2606198A1 (fr) * | 1986-10-31 | 1988-05-06 | Seiko Epson Corp | Support d'enregistrement optique et son procede de fabrication |
| US4990208A (en) * | 1986-10-31 | 1991-02-05 | Seiko Epson Corporation, A Japanese Corporation | Method of manufacturing an optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0477971B2 (ja) | 1992-12-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |