JPS60178735A - 発光素子駆動回路 - Google Patents
発光素子駆動回路Info
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- JPS60178735A JPS60178735A JP59033995A JP3399584A JPS60178735A JP S60178735 A JPS60178735 A JP S60178735A JP 59033995 A JP59033995 A JP 59033995A JP 3399584 A JP3399584 A JP 3399584A JP S60178735 A JPS60178735 A JP S60178735A
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/501—Structural aspects
- H04B10/502—LED transmitters
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Signal Processing (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、光通信システムにおいて、電気信号を光信号
に変換する発光素子の駆動回路に関するものである。
に変換する発光素子の駆動回路に関するものである。
従来技術
半導体レーザあるいは発光ダイオードのような発光素子
をパルス駆動する方法として、第１図（ａ）に示すよう
にトランジスタ１のコレクタ負荷として発光素子２を接
続してそのトランジスタ１のベースに駆動パルス３を供
給する方法や、第１図（ｂ）に示すようにトランジスタ
１のエミッタ負荷として発光素子２を接続して同様にそ
のトランジスタ１のベースに駆動パルス３を供給する方
法が広く知られている。
をパルス駆動する方法として、第１図（ａ）に示すよう
にトランジスタ１のコレクタ負荷として発光素子２を接
続してそのトランジスタ１のベースに駆動パルス３を供
給する方法や、第１図（ｂ）に示すようにトランジスタ
１のエミッタ負荷として発光素子２を接続して同様にそ
のトランジスタ１のベースに駆動パルス３を供給する方
法が広く知られている。
しかしながら、上記の方法においては、トランジスタを
飽和状態まで駆動するために、トランジスタ内の少数キ
ャリアの蓄積時間が影響し、発光素子を高速駆動するに
は適していない。
飽和状態まで駆動するために、トランジスタ内の少数キ
ャリアの蓄積時間が影響し、発光素子を高速駆動するに
は適していない。
そこで、高速パルス駆動の場合には、第２図に示すよう
に、互いにエミッタを共通結合された２つのトランジス
タＴＲＩ及びＴＲ２からなる電流切換え型スイッチ回路
が一般的に用いられている。
に、互いにエミッタを共通結合された２つのトランジス
タＴＲＩ及びＴＲ２からなる電流切換え型スイッチ回路
が一般的に用いられている。
第２図の電流切換え型スイッチ回路において、一方のト
ランジスタＴＲＩのコレクタは発光ダイオードのような
発光素子２を介して電圧源に接続し、他方のトランジス
タＴＲ２のコレクタは抵抗Ｒ１を介して同一の電圧源に
接続し、共通接続されたエミッタは、等測的な電流源４
と抵抗Ｒ２を介して接地されている。そして、２つのト
ランジスタのベースには、互いに反転した関係にある駆
動人力パルス３及び５が供給されて、発光素子２が駆動
される。
ランジスタＴＲＩのコレクタは発光ダイオードのような
発光素子２を介して電圧源に接続し、他方のトランジス
タＴＲ２のコレクタは抵抗Ｒ１を介して同一の電圧源に
接続し、共通接続されたエミッタは、等測的な電流源４
と抵抗Ｒ２を介して接地されている。そして、２つのト
ランジスタのベースには、互いに反転した関係にある駆
動人力パルス３及び５が供給されて、発光素子２が駆動
される。
このような電流切換え型スイッチ回路においては、２つ
のトランジスタＴＲＩ及びＴＲ２は、共に飽和状態に入
ることなく、能動領域で動作するために、トランジスタ
内の少数キャリアの蓄積効果は無視でき、高速動作が可
能である。
のトランジスタＴＲＩ及びＴＲ２は、共に飽和状態に入
ることなく、能動領域で動作するために、トランジスタ
内の少数キャリアの蓄積効果は無視でき、高速動作が可
能である。
しかしながら、半導体レーザあるいは発光ダイオードの
ような半導体発光素子は、それ自体に並列に寄生容量を
有している。このため、電流切換え型スイッチ回路を用
いて高速駆動をしようとしても、第３図（ａ）に示すよ
うに、駆動人力パルスの立上り時には、半導体発光素子
の寄生容量Ｃｄを充電する間は、発光素子に流れる電流
は減ぜられ、光出力の立上りが遅れる。一方、駆動人力
パルスの立下り時には、第３図ら）に示すように、トラ
ンジスタＴＲＩはオフ状態になっているにもかかわらず
、寄生容量Ｃｄに蓄えられた電荷が発光素子を流れるた
めに、光出力が速やかに消えずに、すそ引き現象を呈す
ることになる。上記した駆動人力パルスと実際の光出力
との関係を示すと、第４図の如きである。
ような半導体発光素子は、それ自体に並列に寄生容量を
有している。このため、電流切換え型スイッチ回路を用
いて高速駆動をしようとしても、第３図（ａ）に示すよ
うに、駆動人力パルスの立上り時には、半導体発光素子
の寄生容量Ｃｄを充電する間は、発光素子に流れる電流
は減ぜられ、光出力の立上りが遅れる。一方、駆動人力
パルスの立下り時には、第３図ら）に示すように、トラ
ンジスタＴＲＩはオフ状態になっているにもかかわらず
、寄生容量Ｃｄに蓄えられた電荷が発光素子を流れるた
めに、光出力が速やかに消えずに、すそ引き現象を呈す
ることになる。上記した駆動人力パルスと実際の光出力
との関係を示すと、第４図の如きである。
一般に、高速駆動に適した発光素子の寄生容量Ｃｄは、
５０ピコフアラドから１０００ピコフアラドにも及ぶ。
５０ピコフアラドから１０００ピコフアラドにも及ぶ。
一方、発光素子の立下り時の動的抵抗値Ｒｄは、数百オ
ーム以上になるため、発光素子の寄生容量に起因する立
下り時の時定数Ｃｄ−Ｒｄは数ナノ秒から数百ナノ秒と
なる。従って、電流切換え型スイッチ回路を用いた駆動
回路でも、毎秒数百メガビット以上で発光素子を駆動す
ることは困難であった。
ーム以上になるため、発光素子の寄生容量に起因する立
下り時の時定数Ｃｄ−Ｒｄは数ナノ秒から数百ナノ秒と
なる。従って、電流切換え型スイッチ回路を用いた駆動
回路でも、毎秒数百メガビット以上で発光素子を駆動す
ることは困難であった。
発明の目的
そこで、本発明は、上記した発光素子自体の寄生容量の
影響を実質的になくして、毎秒数百メガビット以上の高
速で発光素子を駆動することかで 。
影響を実質的になくして、毎秒数百メガビット以上の高
速で発光素子を駆動することかで 。
きる発光素子駆動回路を提供せんとするものである。
発明の構成
すなわち、本発明によるならば、互いにエミッタを共通
結合された２つのトランジスタから構成される電流切り
換え型スイッチ回路と、該電流切り換え型スイッチ回路
の一方のトランジスタのコレクタと電源との間に接続さ
れた発光素子とを備え、前記２つのトランジスタのベー
スに互いに反転した駆動入力パルスが供給されるように
なされた発光素子駆動回路において、前記発光素子と並
列に、抵抗とインダクタとからなる直列回路を接続し、
前記一方のトランジスタが非導通状態にされたとき、前
記発光素子の寄生容量に蓄えられた電荷を前記抵抗とイ
ンダクタとの直列回路を介して速やかに解放せしめるこ
とを特徴とする発光素子駆動回路が提供される。
結合された２つのトランジスタから構成される電流切り
換え型スイッチ回路と、該電流切り換え型スイッチ回路
の一方のトランジスタのコレクタと電源との間に接続さ
れた発光素子とを備え、前記２つのトランジスタのベー
スに互いに反転した駆動入力パルスが供給されるように
なされた発光素子駆動回路において、前記発光素子と並
列に、抵抗とインダクタとからなる直列回路を接続し、
前記一方のトランジスタが非導通状態にされたとき、前
記発光素子の寄生容量に蓄えられた電荷を前記抵抗とイ
ンダクタとの直列回路を介して速やかに解放せしめるこ
とを特徴とする発光素子駆動回路が提供される。
以上のように、発光素子と並列に、抵抗とインダクタと
の直列回路を接続することにより、発光素子の消光時に
、発光素子の寄生容量Ｃｄに蓄えられた電荷の放電路を
確保することができる。従って、消光時速やかに寄生容
量Ｃｄの電荷が解放され、光出力のすそ引き現象は実質
的に抑制され、発光素子の立下り特性を著しく改善する
ことができる。
の直列回路を接続することにより、発光素子の消光時に
、発光素子の寄生容量Ｃｄに蓄えられた電荷の放電路を
確保することができる。従って、消光時速やかに寄生容
量Ｃｄの電荷が解放され、光出力のすそ引き現象は実質
的に抑制され、発光素子の立下り特性を著しく改善する
ことができる。
実施例
以下、添付図面を参照して本発明による発光素子駆動回
路の実施例を説明する。
路の実施例を説明する。
第５図は、本発明による発光素子駆動回路の一つの実施
例を示す回路図である。２つのＮＰＮ型トランジスタＴ
ＲＩ及びＴＲ２が、互いにエミッタを共通接続されて電
流切換え型スイッチ回路を構成している。第５図の電流
切換え型スイッチ回路において、一方のトランジスタＴ
ＲＩのコレクタは、順方向に接続された発光ダイオード
のような発光素子２を介して電圧源に接続し、他方のト
ランジスタＴＲ２のコレクタは、抵抗Ｒ１を介して同一
の電圧源に接続し、共通接続されたエミッタは、等測的
な電流源４と抵抗Ｒ２を介して接地されている。
例を示す回路図である。２つのＮＰＮ型トランジスタＴ
ＲＩ及びＴＲ２が、互いにエミッタを共通接続されて電
流切換え型スイッチ回路を構成している。第５図の電流
切換え型スイッチ回路において、一方のトランジスタＴ
ＲＩのコレクタは、順方向に接続された発光ダイオード
のような発光素子２を介して電圧源に接続し、他方のト
ランジスタＴＲ２のコレクタは、抵抗Ｒ１を介して同一
の電圧源に接続し、共通接続されたエミッタは、等測的
な電流源４と抵抗Ｒ２を介して接地されている。
更に、発光素子２と並列に、抵抗ＲとインダクタＬとか
らなる直列回路が接続されている。
らなる直列回路が接続されている。
上記した回路構成において、トランジスタＴＲＩのベー
スに駆動人力パルスが入力されると、そのパルスの立上
り時（発光時）には、トランジスタＴＲＩのベースは、
順バイアスとなり、トランジスタＴＲＩは導通し、その
瞬間、インダクタしは大抵抗と作用するので、トランジ
スタＴＲ２のコレクタ電流の大部分は、発光素子２を流
れ、光出力は速やかに立上る。
スに駆動人力パルスが入力されると、そのパルスの立上
り時（発光時）には、トランジスタＴＲＩのベースは、
順バイアスとなり、トランジスタＴＲＩは導通し、その
瞬間、インダクタしは大抵抗と作用するので、トランジ
スタＴＲ２のコレクタ電流の大部分は、発光素子２を流
れ、光出力は速やかに立上る。
その後の定常発光状態においては、インダクタしは短絡
状態に等しいため、コレツ゛り電流は、発光素子２と抵
抗Ｒとに分割され、所定の一定先出力が得られる。
状態に等しいため、コレツ゛り電流は、発光素子２と抵
抗Ｒとに分割され、所定の一定先出力が得られる。
反対に、駆動入力パルスの立下り時（消光時）には、ト
ランジスタＴＲＩのベースは、逆バイアスとなり、トラ
ンジスタＴＲＩはオフとなる。その際、発光素子２の寄
生容量Ｃｄに蓄えられた電荷は、抵抗ＲとインダクタＬ
から成る直列回路を通って速やかに放電され、発光素子
２へは、はとん゛ ど流れない。換言するならば、抵抗
ＲとインダクタＬとからなる直列回路は、発光素子２の
消光時、発光素子２の寄生容量Ｃｄに蓄積された電荷の
放電路として機能する。
ランジスタＴＲＩのベースは、逆バイアスとなり、トラ
ンジスタＴＲＩはオフとなる。その際、発光素子２の寄
生容量Ｃｄに蓄えられた電荷は、抵抗ＲとインダクタＬ
から成る直列回路を通って速やかに放電され、発光素子
２へは、はとん゛ ど流れない。換言するならば、抵抗
ＲとインダクタＬとからなる直列回路は、発光素子２の
消光時、発光素子２の寄生容量Ｃｄに蓄積された電荷の
放電路として機能する。
次に、上記発光素子駆動回路の動作を説明する。
第５図に示すように、トランジスタＴＲＩ及びＴＲ２の
ベースには、互いに反転した駆動入力パルス３及び５が
供給される。トランジスタＴＲ２は、駆動入力パルス５
の立上り及び立下りに従ってオン及びオフして、通常の
電流切り換え型スイッチ回路の場合と同様の動作を示す
。
ベースには、互いに反転した駆動入力パルス３及び５が
供給される。トランジスタＴＲ２は、駆動入力パルス５
の立上り及び立下りに従ってオン及びオフして、通常の
電流切り換え型スイッチ回路の場合と同様の動作を示す
。
一方、駆動人力パルス３の立上り時は、トランジスタＴ
ＲＩがオンして導通し、その瞬間、インダクタＬは大抵
抗と作用するので、トランジスタＴＲＩのコレクタ電流
の大部分は、発光素子を流れ、光出力が速やかに立上っ
て発光素子２は発光する。
ＲＩがオンして導通し、その瞬間、インダクタＬは大抵
抗と作用するので、トランジスタＴＲＩのコレクタ電流
の大部分は、発光素子を流れ、光出力が速やかに立上っ
て発光素子２は発光する。
しかし、駆動人力パルス３の立下り時には、トランジス
タＴＲＩはオフとなり、コレクタ電流は遮断され、それ
と同時に、発光素子２の寄生容量Ｃｄｊ、７蓄えられた
電荷は、抵抗ＲとインダクタＬから成る直列回路を介し
て速やかに解放されて発光素子２は消光する。その結果
、発光素子が発する光出力パルスの立下り時間は著しく
短縮され、毎秒数百メガビット以上の高速パルス駆動が
可能となる。
タＴＲＩはオフとなり、コレクタ電流は遮断され、それ
と同時に、発光素子２の寄生容量Ｃｄｊ、７蓄えられた
電荷は、抵抗ＲとインダクタＬから成る直列回路を介し
て速やかに解放されて発光素子２は消光する。その結果
、発光素子が発する光出力パルスの立下り時間は著しく
短縮され、毎秒数百メガビット以上の高速パルス駆動が
可能となる。
上記したように、抵抗ＲとインダクタＬとからなる直列
回路は、発光素子２の消光時、発光素子２の寄生容量Ｃ
ｄに蓄積された電荷の放電路として機能するので、抵抗
Ｒは、発光素子２の消光時の抵抗値数百オームに対して
十分低い抵抗値、例えば数十オームが有効である。また
、電荷を引き込む働きをするインダクタＬの値は、寄生
容量［ｄの大きさに関係するが、ｌＯナノヘンリー乃至
１０マイクロヘンリーが適している。
回路は、発光素子２の消光時、発光素子２の寄生容量Ｃ
ｄに蓄積された電荷の放電路として機能するので、抵抗
Ｒは、発光素子２の消光時の抵抗値数百オームに対して
十分低い抵抗値、例えば数十オームが有効である。また
、電荷を引き込む働きをするインダクタＬの値は、寄生
容量［ｄの大きさに関係するが、ｌＯナノヘンリー乃至
１０マイクロヘンリーが適している。
実施例の一つとして、寄生容量Ｃｄが約２００ピコフア
ラドのインジウム・ガリウム・ヒ素・リンからなる発光
ダイオード（波長１．３μｍ帯）を駆動するとき、Ｒ−
５０オーム、Ｌ＝２５０ナノヘンリーとした場合、抵抗
Ｒ１インダクタしがないときの光出力の立上り時間が２
．８ナノ秒、立下り時間が４．６ナノ秒であったに対し
て、立上り時間・立下り時間共２．６ナノ秒となった。
ラドのインジウム・ガリウム・ヒ素・リンからなる発光
ダイオード（波長１．３μｍ帯）を駆動するとき、Ｒ−
５０オーム、Ｌ＝２５０ナノヘンリーとした場合、抵抗
Ｒ１インダクタしがないときの光出力の立上り時間が２
．８ナノ秒、立下り時間が４．６ナノ秒であったに対し
て、立上り時間・立下り時間共２．６ナノ秒となった。
このとき、発光素子の駆動電流の最大値は、いずれの場
合も８０ミリアンペアであった。特に立下り時間の改善
効果が著しいことがわかろう。
合も８０ミリアンペアであった。特に立下り時間の改善
効果が著しいことがわかろう。
第６図は、上記した本発明による発光素子駆動回路の変
形例を示すものである。そこで、第５図の回路と同一の
回路素子については、同一の参照番号を付して説明を省
略する。
形例を示すものである。そこで、第５図の回路と同一の
回路素子については、同一の参照番号を付して説明を省
略する。
第６図の回路は、電流切り換え型スイッチ回路に供給さ
れる駆動人力パルスが、パルス幅伸縮回路を介して供給
されている点で、第５図の回路と異なっている。
れる駆動人力パルスが、パルス幅伸縮回路を介して供給
されている点で、第５図の回路と異なっている。
第５図に示した発光素子駆動回路を用いて、特に発光素
子の立下り特性を改善して、立上り特性とのバランスを
向上した場合、発光素子が本質的に有する非線形性のた
めに、パルス幅が変化することがある。すなわち、一定
パルス幅を有する駆動入力パルスが人力しても、光出力
パルスは、オン（発光）状態のパルスの幅の方が狭くな
ってしまう。そこで、第６図に示すパルス幅伸縮回路６
を用いて、あらかじめ、駆動入力パルスのパルス幅を逆
方向に変化させてから、電流切換え型スイッチ回路の各
人力ベース端子に印加する。このようにすることによっ
てパルス幅が発光時、消光時とも一定の光パルス出力が
得られる。なお、パルス幅伸縮回路６は、一般に用いら
れるパルス整形回路において、基準電圧Ｖｒｅｆを入力
パルス信号の中心値から少しずらすことによって得られ
る。
子の立下り特性を改善して、立上り特性とのバランスを
向上した場合、発光素子が本質的に有する非線形性のた
めに、パルス幅が変化することがある。すなわち、一定
パルス幅を有する駆動入力パルスが人力しても、光出力
パルスは、オン（発光）状態のパルスの幅の方が狭くな
ってしまう。そこで、第６図に示すパルス幅伸縮回路６
を用いて、あらかじめ、駆動入力パルスのパルス幅を逆
方向に変化させてから、電流切換え型スイッチ回路の各
人力ベース端子に印加する。このようにすることによっ
てパルス幅が発光時、消光時とも一定の光パルス出力が
得られる。なお、パルス幅伸縮回路６は、一般に用いら
れるパルス整形回路において、基準電圧Ｖｒｅｆを入力
パルス信号の中心値から少しずらすことによって得られ
る。
具体的に述べるならば、パルス幅伸縮回路６に駆動入力
パルス３を供給し、そのパルス幅伸縮回路６により、ハ
イレベル期間が広げられたパルス７をトランジスタＴＲ
Ｉのベースに印加し、反対に、ハイレベル期間が狭めら
れたパルス８をトランジスタＴＲ２のベースに印加する
。
パルス３を供給し、そのパルス幅伸縮回路６により、ハ
イレベル期間が広げられたパルス７をトランジスタＴＲ
Ｉのベースに印加し、反対に、ハイレベル期間が狭めら
れたパルス８をトランジスタＴＲ２のベースに印加する
。
その結果、第６図の回路の場合は、第５図の回路と異な
り、駆動人力パルス３のパルス幅とほぼ同じパルス幅を
持ち且つすそ引きのない光パルスを発光素子２は発する
ことができる。それ故、光出力パルスが駆動入力パルス
のパルス幅とほぼ同じパルス幅を持ち且つすそ引きを生
ずることなく発光素子を毎秒数百メガビット以上の高速
パルスで駆動するが可能となる。
り、駆動人力パルス３のパルス幅とほぼ同じパルス幅を
持ち且つすそ引きのない光パルスを発光素子２は発する
ことができる。それ故、光出力パルスが駆動入力パルス
のパルス幅とほぼ同じパルス幅を持ち且つすそ引きを生
ずることなく発光素子を毎秒数百メガビット以上の高速
パルスで駆動するが可能となる。
なお、上記実施例において、トランジスタＴＲＩとＴＲ
２がＮＰＮ型であるが、トランジスタＴＲＩとＴＲ２を
ＰＮＰ型とてもよいことは、当業者には明らかであろう
。また、発光素子２としても、発光ダイオードだけでな
く、半導体レーザも使用できることも明らかであろう。
２がＮＰＮ型であるが、トランジスタＴＲＩとＴＲ２を
ＰＮＰ型とてもよいことは、当業者には明らかであろう
。また、発光素子２としても、発光ダイオードだけでな
く、半導体レーザも使用できることも明らかであろう。
発吠の効果
以上説明したように、本発明による発光素子駆動回路に
おいては、発光素子と並列に接続された、抵抗とインダ
クタとからなる直列回路の働きにより、発光素子の消光
時に発光素子の寄生容量に蓄えられた電荷の放電路を作
ることができる。かくして、発光素子に寄生する容量に
蓄えられた電荷を速やかに解放し、光出力パルスの立下
り特性を改善することができる。併せて、発光素子の発
光時にはコレクタ電流を大部分発光素子に流すことがで
き、光出力パルスの立上り特性を多少改善することがで
きる。従って、毎秒数百メガビット以上の高速パルス駆
動が可能となった。
おいては、発光素子と並列に接続された、抵抗とインダ
クタとからなる直列回路の働きにより、発光素子の消光
時に発光素子の寄生容量に蓄えられた電荷の放電路を作
ることができる。かくして、発光素子に寄生する容量に
蓄えられた電荷を速やかに解放し、光出力パルスの立下
り特性を改善することができる。併せて、発光素子の発
光時にはコレクタ電流を大部分発光素子に流すことがで
き、光出力パルスの立上り特性を多少改善することがで
きる。従って、毎秒数百メガビット以上の高速パルス駆
動が可能となった。
また、本発明においては、パルス幅伸縮回路を用いて、
駆動人力パルスのパルス幅をあらかじめ歪ませてから発
光素子を駆動することにより、発光素子の持つ非線形性
に起因するパルス幅歪みを補正することができる。
駆動人力パルスのパルス幅をあらかじめ歪ませてから発
光素子を駆動することにより、発光素子の持つ非線形性
に起因するパルス幅歪みを補正することができる。
第１図（ａ）及び（ｂ）並びに第２図は、従来の発光素
子駆動回路の回路図、第３図（ａ）及び（ｂ）は、第２
図の発光素子駆動回路の動作説明図、第４図は、従来の
発光素子駆動回路における駆動入力パルスと実際の光出
力とを示す波形図、第５図は、本発明による発光素子駆
動回路の回路図、そして、第６図は、第５図の発光素子
駆動回路の変形例を示す回路図である。 〔主な参照番号〕 １・・トランジスタ、２・・発光素子、３．５・・駆動
入力パルス ４・・電流源、６・・パルス幅伸縮回路ＴＲ１，、ＴＲ
２・・トランジスタ Ｒ１，Ｒ２・・抵抗、 電源電圧 第２図
子駆動回路の回路図、第３図（ａ）及び（ｂ）は、第２
図の発光素子駆動回路の動作説明図、第４図は、従来の
発光素子駆動回路における駆動入力パルスと実際の光出
力とを示す波形図、第５図は、本発明による発光素子駆
動回路の回路図、そして、第６図は、第５図の発光素子
駆動回路の変形例を示す回路図である。 〔主な参照番号〕 １・・トランジスタ、２・・発光素子、３．５・・駆動
入力パルス ４・・電流源、６・・パルス幅伸縮回路ＴＲ１，、ＴＲ
２・・トランジスタ Ｒ１，Ｒ２・・抵抗、 電源電圧 第２図
Claims (5)
- （１）互いにエミッタを共通結合された２つのトランジ
スタから構成される電流切り換え型スイッチ回路と、該
電流切り換え型スイッチ回路の一方のトランジスタのコ
レクタと電源との間に接続された発光素子とを備え、前
記２つのトランジスタのベースに互いに反転した駆動入
力パルスが供給されるようになされた発光素子駆動回路
にして、前記発光素子と並列に、抵抗とインダクタとか
らなる直列回路が接続され、前記一方のトランジスタが
非導通状態にされたとき、前記発光素子の寄生容量に蓄
えられた電荷が前記抵抗とインダクタとの直列回路を介
して速やかに解放され、光出力パルスの立下がり特性を
改善したことを特徴とする発光素子駆動回路。 - （２）前記駆動人力パルスは、パルス幅伸縮回路に送ら
れて、該パルス幅伸縮回路の働きにより、発光素子の駆
動人力パルス−光出力間の非線形性に起因する光出力パ
ルスのパルス幅歪みを補正する所定のパルス幅のパルス
列に変換したのち、前記電流切換え型スイッチ回路の前
記２つトランジスタのペースにそれぞれ供給されること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の発光素子駆動
回路。 - （３）前記抵抗は、前記発光素子の消光時の抵抗値に対
して十分低い抵抗値を有していることを特徴とする特許
請求の範囲第２項記載の発光素子駆動回路。 - （４）前記抵抗は、１０オームから２００オームの範囲
内の抵抗値を有しており、前記インダクタは、１０ナノ
ヘンリーからｌＯマイクロヘンリーの範囲内のインダク
タンスを有していることを特徴とする特許請求の範囲第
３項記載の発光素子駆動回路。 - （５）前記発光素子は、半導体レーザ又は発光ダイオー
ドであることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第
４項までのいずれかに記載の発光素子駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59033995A JPS60178735A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 発光素子駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59033995A JPS60178735A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 発光素子駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60178735A true JPS60178735A (ja) | 1985-09-12 |
Family
ID=12402053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59033995A Pending JPS60178735A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 発光素子駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60178735A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1984
- 1984-02-24 JP JP59033995A patent/JPS60178735A/ja active Pending
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