JPS60178684A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS60178684A JPS60178684A JP3347284A JP3347284A JPS60178684A JP S60178684 A JPS60178684 A JP S60178684A JP 3347284 A JP3347284 A JP 3347284A JP 3347284 A JP3347284 A JP 3347284A JP S60178684 A JPS60178684 A JP S60178684A
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- Japan
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- clad
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/327—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIBVI compounds, e.g. ZnCdSe-laser
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体レーザの材料および構造に関する。
（従来技術とその問題点）
赤外もしくは赤色可視領域の波長帯の半導体レーザの材
料および構造としてはＩｎｋ−ｘＧａｘＰＨ−、Ａｓ。
料および構造としてはＩｎｋ−ｘＧａｘＰＨ−、Ａｓ。
／ＧａＡｓ、 Ｇａ、−ｘＡｔ、Ａｓ／ＧａＡｓ （０
＜ ｘ ＊ ｙ＜ １ ）等のＩＩＩ−ｖ族化合物半導
体材料より成るダブルへテロ接合構造が用いられている
。しかしながらより短波長の緑色もしくは青色波長帯の
半導体レーザ材料および構造としては上記の系は材料固
有のバンド・ギヤ、プ・エネルギーが小さ過ぎる等の理
由で不適当である。上記の材料に代わるものとして■−
■族化合物半導体が考えられるが、ダブルへテロ接合構
造を作製するための材料および構造とし：Ｃ１ｔｋ適な
構成は確立されるに主っていない。
＜ ｘ ＊ ｙ＜ １ ）等のＩＩＩ−ｖ族化合物半導
体材料より成るダブルへテロ接合構造が用いられている
。しかしながらより短波長の緑色もしくは青色波長帯の
半導体レーザ材料および構造としては上記の系は材料固
有のバンド・ギヤ、プ・エネルギーが小さ過ぎる等の理
由で不適当である。上記の材料に代わるものとして■−
■族化合物半導体が考えられるが、ダブルへテロ接合構
造を作製するための材料および構造とし：Ｃ１ｔｋ適な
構成は確立されるに主っていない。
（発明の目的）
本発明の目的はＪｌ−Ｖｌ族化合物半導体より成る材料
および構造によシ、青色波長帯の半導体レーザを実現す
ることにある。
および構造によシ、青色波長帯の半導体レーザを実現す
ることにある。
（発明の構成）
本発明によれば、基板、第１のクラッド層、活性層およ
び第２のクラ、ド層をそれぞれＧａＡｓまたはＺｎ５ｓ
ｐ ＺｎＴｅ３−、−．５ｓｔＳ、（０≦ｘ（１、０（
ｙく１かつＯ＜ ｘ＋ｙ＜ １ ） ＋ ＺｎＴｅ５−
ｘＩ−，１ｓｅｘ＃ｓ、！（０＜ｘ’≦１．０≦ｙ’＜
１かっ０≦１ ＋ 、ｊ≦１）、およびＺ ｎＴ ＠
３− ｘ、−ｙＩＳ ＠ ｘＩＳ Ｆ＃ （０≦ｘ’
＜ １ ＊ ０ ＜ ｙ’＜ １がっ０ ＜ ｘ’＋ｙ
’＜ １ ）によ多構成し、かつ活性層のバンド・ギヤ
、ブ・エネルギーを第１および第２のクラッド層より小
さく設定し、かつ各層の界面において格子定数をはぼ整
合させた材料および構造を用いることによシ上記の目的
を達することが出来る。
び第２のクラ、ド層をそれぞれＧａＡｓまたはＺｎ５ｓ
ｐ ＺｎＴｅ３−、−．５ｓｔＳ、（０≦ｘ（１、０（
ｙく１かつＯ＜ ｘ＋ｙ＜ １ ） ＋ ＺｎＴｅ５−
ｘＩ−，１ｓｅｘ＃ｓ、！（０＜ｘ’≦１．０≦ｙ’＜
１かっ０≦１ ＋ 、ｊ≦１）、およびＺ ｎＴ ＠
３− ｘ、−ｙＩＳ ＠ ｘＩＳ Ｆ＃ （０≦ｘ’
＜ １ ＊ ０ ＜ ｙ’＜ １がっ０ ＜ ｘ’＋ｙ
’＜ １ ）によ多構成し、かつ活性層のバンド・ギヤ
、ブ・エネルギーを第１および第２のクラッド層より小
さく設定し、かつ各層の界面において格子定数をはぼ整
合させた材料および構造を用いることによシ上記の目的
を達することが出来る。
（本発明の概４Ｊ）
本発明では波長４１０ｎｍ〜４６４ｎｍ （フォトン・
エネルギー２．６７ ｅＶ〜約ａ、ｏ ｅＶ ）の青色
発光を得るためにＺｎ５ｍまたは４元混晶ｚｎＴ・ｌ−
８−ｙｌＳｅｘＩＳアＩ（０＜Ｘ’≦１．０≦ｙ′〈１
かつ０≦ｘ’＋ ｙ’＜ １ ）を活性層とし、これを
バンド・ギヤ、ブ・エネルギーのより広い３元混晶Ｚｎ
Ｔｅ １□Ｓアまたは４元混晶ＺｎＴｅ３．、−．５ｓ
ｘＳ、 （０≦ｘ＜１．０＜ｙ＜１かつ０〈ｘ＋ｙ＜１
）で挾んだ構造を用いている。２元化合物ＺｎＴｅ ＋
Ｚｎ８＊ ＋ Ｚｎ８はいずれも閃亜鉛鉱型の結晶構
造をとりうるために任意の割合で混合し合って混晶を形
成する。Ｚ ｎ Ｔ ｅ １− ｘ −ｙ Ｓ ｅ ｘ
Ｓ ｙの混晶比Ｘ。
エネルギー２．６７ ｅＶ〜約ａ、ｏ ｅＶ ）の青色
発光を得るためにＺｎ５ｍまたは４元混晶ｚｎＴ・ｌ−
８−ｙｌＳｅｘＩＳアＩ（０＜Ｘ’≦１．０≦ｙ′〈１
かつ０≦ｘ’＋ ｙ’＜ １ ）を活性層とし、これを
バンド・ギヤ、ブ・エネルギーのより広い３元混晶Ｚｎ
Ｔｅ １□Ｓアまたは４元混晶ＺｎＴｅ３．、−．５ｓ
ｘＳ、 （０≦ｘ＜１．０＜ｙ＜１かつ０〈ｘ＋ｙ＜１
）で挾んだ構造を用いている。２元化合物ＺｎＴｅ ＋
Ｚｎ８＊ ＋ Ｚｎ８はいずれも閃亜鉛鉱型の結晶構
造をとりうるために任意の割合で混合し合って混晶を形
成する。Ｚ ｎ Ｔ ｅ １− ｘ −ｙ Ｓ ｅ ｘ
Ｓ ｙの混晶比Ｘ。
ｙと格子定数α。、バンド・ギヤ、プ・エネルギーＥ。
および元学的ｒｒｓ鑞率εとの関係は線型近似によシそ
れぞれ α６ ＝ ６．１０（１−ｘ −ｙ ）＋５．６７ｘ＋
５．４１７（Ａ） −（１）Ｅｏ＝２．２６（１−ｘ
ｙ）＋２．６’７ｘ＋３．６６７（ｅＶ）−（２ンε
＝９．１．（１−スーｙ）＋９．２ ズ＋８．９１ ・
・・（３）で与えられる。第１図は以上の関係を図で表
わしたものである。第１図において、実線はそれぞれ印
された値のバンド・ギヤ、プ・エネルギーを有する組成
を表わし、破線はそれぞれ印された僅の光学的誘電率を
有する組成を表わし、また一点鎖線はｚｅｓｔ （格子
定数α、＝５．６７Ｘ）またはＱａＡｓ（格子定数α。
れぞれ α６ ＝ ６．１０（１−ｘ −ｙ ）＋５．６７ｘ＋
５．４１７（Ａ） −（１）Ｅｏ＝２．２６（１−ｘ
ｙ）＋２．６’７ｘ＋３．６６７（ｅＶ）−（２ンε
＝９．１．（１−スーｙ）＋９．２ ズ＋８．９１ ・
・・（３）で与えられる。第１図は以上の関係を図で表
わしたものである。第１図において、実線はそれぞれ印
された値のバンド・ギヤ、プ・エネルギーを有する組成
を表わし、破線はそれぞれ印された僅の光学的誘電率を
有する組成を表わし、また一点鎖線はｚｅｓｔ （格子
定数α、＝５．６７Ｘ）またはＱａＡｓ（格子定数α。
＝１６５＾）にほぼ格子整合する組成を表わす。図より
明らかなようにＺｎ８ｓ ｔたはＧａＡｍ Ｋｌ’ｔは
格子整合する組成のＺｎＴｅ１−１−．５ｓｘ８゜はＺ
ｎＳ＊の２．６７ ｅＶからｚｎＴ’ｅａａｔｓｏ、ｓ
ａの３．１ ｅＶＫ至エネルギーが小さいほど太き（な
っている。従ってこれらの相互に格子定数の一致する組
成を用いて、所望の１色発光波長に相当するバンド・ギ
ャップ・エネルギーを有するものを活性層、それよりバ
ンド、・ギ、ヤケグー・エネルギーの大きいものを第１
および第２のクラ、ド層とし、かつそれぞれの層に適当
な導電型を付与してやればレーザ発振に必要なダブルへ
テロ構造が得られることになる。
明らかなようにＺｎ８ｓ ｔたはＧａＡｍ Ｋｌ’ｔは
格子整合する組成のＺｎＴｅ１−１−．５ｓｘ８゜はＺ
ｎＳ＊の２．６７ ｅＶからｚｎＴ’ｅａａｔｓｏ、ｓ
ａの３．１ ｅＶＫ至エネルギーが小さいほど太き（な
っている。従ってこれらの相互に格子定数の一致する組
成を用いて、所望の１色発光波長に相当するバンド・ギ
ャップ・エネルギーを有するものを活性層、それよりバ
ンド、・ギ、ヤケグー・エネルギーの大きいものを第１
および第２のクラ、ド層とし、かつそれぞれの層に適当
な導電型を付与してやればレーザ発振に必要なダブルへ
テロ構造が得られることになる。
基板としては現在液も高品質のものが得られているＧａ
Ａ−を用いることができる。あるいは基板としてＺｎＳ
＠を用いることも可能である。また第２のクラッド層に
続いて適当な導電型を有するＧａＡｓキャ、プ層を設け
ておけば電極形成に際して従来の１１１−ｖ化合物を用
いた半導体レーザと同様の技術を用いることができる利
点がある。
Ａ−を用いることができる。あるいは基板としてＺｎＳ
＠を用いることも可能である。また第２のクラッド層に
続いて適当な導電型を有するＧａＡｓキャ、プ層を設け
ておけば電極形成に際して従来の１１１−ｖ化合物を用
いた半導体レーザと同様の技術を用いることができる利
点がある。
（実施例１）
以下、本発明の実施例について詳細に説明する。
第１の実施′例における半導体レーザの基本構造を第２
図ＡＫ示した。本実施例では活性層ｌとして第１図中の
Ａ点に相当するＺｎ５ｓ （ＥＧ ＝ ２．６７ ｅＶ
）を用いている。また第１および第２のクラ、ド層３
および４としては第１図中のＢ点に相当するＺｎＴｅ１
−、−、Ｓ＠ｘＳ、 （ｘ’：：０．３０ ＊ ｙ：０
．４４ ）を用いておシ、それぞれｎ型およびｐ型導電
性が付与されている。基板２としてはｒｓｆｊＩＧｍＡ
ｍを用いてお夛、その直上には第１のクラッド層３が２
〜３μｍの厚さに堆積された後、ｎまたはｐ型活性層１
が０．１〜０．２μｍ、さらに第２のクラ、ド層４が２
μ票。
図ＡＫ示した。本実施例では活性層ｌとして第１図中の
Ａ点に相当するＺｎ５ｓ （ＥＧ ＝ ２．６７ ｅＶ
）を用いている。また第１および第２のクラ、ド層３
および４としては第１図中のＢ点に相当するＺｎＴｅ１
−、−、Ｓ＠ｘＳ、 （ｘ’：：０．３０ ＊ ｙ：０
．４４ ）を用いておシ、それぞれｎ型およびｐ型導電
性が付与されている。基板２としてはｒｓｆｊＩＧｍＡ
ｍを用いてお夛、その直上には第１のクラッド層３が２
〜３μｍの厚さに堆積された後、ｎまたはｐ型活性層１
が０．１〜０．２μｍ、さらに第２のクラ、ド層４が２
μ票。
ｐ型ＧａＡｍキャ、プ層５が１μｍ程度堆積されている
。また電流注入によるレーザ発振を得るためのｐ側電極
６および［側電極７が設けられている。
。また電流注入によるレーザ発振を得るためのｐ側電極
６および［側電極７が設けられている。
本実施例１の構造において層厚に沿った方向での格子定
数α。、バンド・ギヤ、プ・エネルギーＥｏ。
数α。、バンド・ギヤ、プ・エネルギーＥｏ。
光学的誘電率εの分布は第２図Ｂ、Ｃ，Ｄに示したグラ
フのようになっている。活性層１と第１および８ｇ２の
クラ、ド層３および４とのバンド・ギヤ、プ・エネルギ
ー差ΔＥｏおよび光学的誘電率差Δεはそれぞれ０．３
３ｅＶおよび０．０５で、あ＃）％ダブルへテロ接合構
造半導体レーザの動作に必要な注入電子および光の活性
層への閉じ込めが行える構造となっていることは明らか
である。
フのようになっている。活性層１と第１および８ｇ２の
クラ、ド層３および４とのバンド・ギヤ、プ・エネルギ
ー差ΔＥｏおよび光学的誘電率差Δεはそれぞれ０．３
３ｅＶおよび０．０５で、あ＃）％ダブルへテロ接合構
造半導体レーザの動作に必要な注入電子および光の活性
層への閉じ込めが行える構造となっていることは明らか
である。
（実施例２）
本発明の第２の実施例における半導体レーザの基本構造
を第３図Ａに示した。又、格子定数α。。
を第３図Ａに示した。又、格子定数α。。
バンドギャップエネルギーＥｏ、誘電率ｅの分布はそれ
ぞれ第２図Ｂ、Ｃ，Ｄに示した。本実施例では活性層１
として第１図中の０点に相当するＺｎＴｅ１−、−、Ｓ
ｅｘＳ、 （ｘ：０．７３ 、 ｙ’：：０．１７ ）
を用いてお９、ＥＧ ＝ ２．８ ｅＶによる発光が可
能である。さらに第１および第２のり２ラド層３および
４としては第１図中のＤ点に相当するＺｎＴｅ ３−ｙ
Ｓｙ （）’ ＝０．６３）を用いておりそれぞれｎ
型およびｐ型導電性を付与しである。他は実施例１と変
わらない。
ぞれ第２図Ｂ、Ｃ，Ｄに示した。本実施例では活性層１
として第１図中の０点に相当するＺｎＴｅ１−、−、Ｓ
ｅｘＳ、 （ｘ：０．７３ 、 ｙ’：：０．１７ ）
を用いてお９、ＥＧ ＝ ２．８ ｅＶによる発光が可
能である。さらに第１および第２のり２ラド層３および
４としては第１図中のＤ点に相当するＺｎＴｅ ３−ｙ
Ｓｙ （）’ ＝０．６３）を用いておりそれぞれｎ
型およびｐ型導電性を付与しである。他は実施例１と変
わらない。
活性層と第１および第２クラ、ド層とのバンド・ギヤ、
プ・エネルギー差ΔＥＧおよび光学的誘電率差Δｅはそ
れぞれ０．３＠Ｖおよび０，１７であシ実施例１と同様
半導体レーザ動作を行える。
プ・エネルギー差ΔＥＧおよび光学的誘電率差Δｅはそ
れぞれ０．３＠Ｖおよび０，１７であシ実施例１と同様
半導体レーザ動作を行える。
（発明の効果）
以上説明したように、基板、第１のクラッド層。
活性層および第２のクラ、ド層をそれぞれＧａＡｓまた
はＺｎＳ＊ 、 ＺｎＴｅ１−ｘ−、Ｓｅ、Ｓ、 （０
≦ｘ＜１．０＜ｙ＜１かつ０ ＜ ｘ ＋ ｙ ＜ １
） ＊ ＺｎＴｅ１−ｘｚ−ｙｓｅｘａｓ、ｔ（０＜
ｘ’＜１ 、 ｏ＜ｙ’＜ｔかつ０≦ｘ’＋ｙ’＜１
） 、およびＺｎＴｅＩ−ｘｚ−、＃Ｓｅｘ＊Ｓ、＃（
０≦ｘ’＜１ 、０＜ｙ’＜１かつ０ ＜ ｘ’＋ｙ’
＜ １ ）によシ構成しかつ各層の界面で格子定数を＃
よぼ整合させた材料および構造を用いることによシ、従
来実現不可能であった青色波長帯の発光が得られる半導
体レーザが実現できる。
はＺｎＳ＊ 、 ＺｎＴｅ１−ｘ−、Ｓｅ、Ｓ、 （０
≦ｘ＜１．０＜ｙ＜１かつ０ ＜ ｘ ＋ ｙ ＜ １
） ＊ ＺｎＴｅ１−ｘｚ−ｙｓｅｘａｓ、ｔ（０＜
ｘ’＜１ 、 ｏ＜ｙ’＜ｔかつ０≦ｘ’＋ｙ’＜１
） 、およびＺｎＴｅＩ−ｘｚ−、＃Ｓｅｘ＊Ｓ、＃（
０≦ｘ’＜１ 、０＜ｙ’＜１かつ０ ＜ ｘ’＋ｙ’
＜ １ ）によシ構成しかつ各層の界面で格子定数を＃
よぼ整合させた材料および構造を用いることによシ、従
来実現不可能であった青色波長帯の発光が得られる半導
体レーザが実現できる。
第１図はＺｎＴｓｌ−ｘ−、Ｓｅ、Ｓ、混晶における組
成と格子定数、バンド・ギャップ・エネルギーおよび光
学的誘電率との関係を示す図、第２図Ａ、Ｂ。 Ｃ，Ｄは本発明の第１の実施例におけるダブルへテロ接
合半導体レーザの構造及びα。ｌｏ、εの分布を示す図
、第３図Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄは本発明の第２の実施列におけ
る同じくダブルへテロ接合半導体レーザの構造及びαＯ
ｙ Ｅｏｌεの分布を示す図である。図において、１・
・・ｎまたはｐ型活性層、２・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、
３・・・ｎ型クラッド層、４・・・ｐ型りラ、トノ−９
５・・・ｐ＃ｌキャップ層、６・・・ｐ側電極、７・・
・ｎ側電極。 ｎ５ ＺｎＴｅ Ｌｎ’５ｅ
成と格子定数、バンド・ギャップ・エネルギーおよび光
学的誘電率との関係を示す図、第２図Ａ、Ｂ。 Ｃ，Ｄは本発明の第１の実施例におけるダブルへテロ接
合半導体レーザの構造及びα。ｌｏ、εの分布を示す図
、第３図Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄは本発明の第２の実施列におけ
る同じくダブルへテロ接合半導体レーザの構造及びαＯ
ｙ Ｅｏｌεの分布を示す図である。図において、１・
・・ｎまたはｐ型活性層、２・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、
３・・・ｎ型クラッド層、４・・・ｐ型りラ、トノ−９
５・・・ｐ＃ｌキャップ層、６・・・ｐ側電極、７・・
・ｎ側電極。 ｎ５ ＺｎＴｅ Ｌｎ’５ｅ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１導電型を有する半導体より成る単結晶基板上に第１
導電型を有する半導体より成るｍｌのクラッド層、第１
もしくは第２の導−ｆｔ型を有する半導体よ構成る活性
層、および第２導電型を有する半導体より成る第２のク
ラッド層を順次形成し、かつ前記第１および第２のクラ
、ド層が前記活性層に比較して大きいバンド・ギヤ、ブ
・エネルギーと小さい光学的誘電率とを有するダブルへ
ゾロ接合構造半導体レーザにおいて、前記基板、第１の
クラッド層、活性層および第２のクラ、ド層をそれぞれ
ＧａＡｓまたはＺｎ５ｓ 、 ＺｎＴｅ１−ｘ−、Ｓｅ
、Ｓ。 （０＜ｘ＜１．０＜ｙ＜１ 、かつＯ＜ｘ＋１＜１ ）
＊Ｚ＊Ｔ ｅ １− 、ｌＩイ５−ｅｘｒｓ、ｚ （０
＜ ｘ’≦１，０≦ｙ’＜ｏ、かり０＜ｘ’＋ｙ’≦１
）、およびＺ ｎ’ｒ ｅ １− ＊Ｉ−ｙ＃Ｓｅ ｘ
ｔ ｂ ｙｚ （０≦ｘ’＜１＊ ０＜ｙ’＜１ ｆか
つ０＜ｃ’＋ｙ’＜１）により構成し、かつ各層の界面
において格子定数をほぼ整合させたことを特徴とする半
導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3347284A JPS60178684A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3347284A JPS60178684A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60178684A true JPS60178684A (ja) | 1985-09-12 |
| JPH0554279B2 JPH0554279B2 (ja) | 1993-08-12 |
Family
ID=12387480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3347284A Granted JPS60178684A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60178684A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6393189A (ja) * | 1986-10-08 | 1988-04-23 | Seiko Epson Corp | 半導体発光素子 |
| JPS63245984A (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-13 | Seiko Epson Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| US4992837A (en) * | 1988-11-15 | 1991-02-12 | Kokusai Denshin Denwa Co., Ltd. | Light emitting semiconductor device |
| US5045897A (en) * | 1990-03-14 | 1991-09-03 | Santa Barbara Research Center | Quaternary II-VI materials for photonics |
| WO1992021170A2 (en) * | 1991-05-15 | 1992-11-26 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Blue-green laser diode |
| EP0523597A2 (en) * | 1991-07-15 | 1993-01-20 | Sony Corporation | Semiconductor laser |
| US5299217A (en) * | 1990-10-11 | 1994-03-29 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor light-emitting device with cadmium zinc selenide layer |
| JPH0684524U (ja) * | 1993-04-09 | 1994-12-02 | 松下電器産業株式会社 | テープカセット検出装置 |
| EP0632510A2 (en) * | 1993-06-08 | 1995-01-04 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
| US5404027A (en) * | 1991-05-15 | 1995-04-04 | Minnesota Mining & Manufacturing Compay | Buried ridge II-VI laser diode |
| US5513199A (en) * | 1991-05-15 | 1996-04-30 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Blue-green laser diode |
-
1984
- 1984-02-24 JP JP3347284A patent/JPS60178684A/ja active Granted
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6393189A (ja) * | 1986-10-08 | 1988-04-23 | Seiko Epson Corp | 半導体発光素子 |
| JPS63245984A (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-13 | Seiko Epson Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| US4992837A (en) * | 1988-11-15 | 1991-02-12 | Kokusai Denshin Denwa Co., Ltd. | Light emitting semiconductor device |
| US5045897A (en) * | 1990-03-14 | 1991-09-03 | Santa Barbara Research Center | Quaternary II-VI materials for photonics |
| US5299217A (en) * | 1990-10-11 | 1994-03-29 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor light-emitting device with cadmium zinc selenide layer |
| WO1992021170A2 (en) * | 1991-05-15 | 1992-11-26 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Blue-green laser diode |
| US5404027A (en) * | 1991-05-15 | 1995-04-04 | Minnesota Mining & Manufacturing Compay | Buried ridge II-VI laser diode |
| US5513199A (en) * | 1991-05-15 | 1996-04-30 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Blue-green laser diode |
| US5538918A (en) * | 1991-05-15 | 1996-07-23 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of fabricating a buried-ridge II-VI laser diode |
| EP0523597A2 (en) * | 1991-07-15 | 1993-01-20 | Sony Corporation | Semiconductor laser |
| JPH0684524U (ja) * | 1993-04-09 | 1994-12-02 | 松下電器産業株式会社 | テープカセット検出装置 |
| EP0632510A2 (en) * | 1993-06-08 | 1995-01-04 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
| EP0632510A3 (en) * | 1993-06-08 | 1995-04-12 | Rohm Co Ltd | Semiconductor light emitting device and manufacturing method. |
| US5548127A (en) * | 1993-06-08 | 1996-08-20 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0554279B2 (ja) | 1993-08-12 |
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