JPS60177539A - 走査型電子顕微鏡 - Google Patents
走査型電子顕微鏡Info
- Publication number
- JPS60177539A JPS60177539A JP59032316A JP3231684A JPS60177539A JP S60177539 A JPS60177539 A JP S60177539A JP 59032316 A JP59032316 A JP 59032316A JP 3231684 A JP3231684 A JP 3231684A JP S60177539 A JPS60177539 A JP S60177539A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- electron microscope
- scanning electron
- secondary electrons
- spin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/266—Measurement of magnetic- or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy
- H01J37/268—Measurement of magnetic- or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy with scanning beams
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、走査型電子顕微鏡に関し、特に磁性体表面近
傍のｆＦｉ化状態の観測に好適な走査型電子顕微鏡に関
するものである。
傍のｆＦｉ化状態の観測に好適な走査型電子顕微鏡に関
するものである。
走査型電子顕微鏡による磁化分布の観察法は、２次電子
が表面近傍の磁場で偏向されることを利用するものＮ）
、Ｃ，ＪＯ）’他、Ｐｈ１１．Ｍａｇ、１７（１９６８
）６１）と、反射電子が試料内部の磁場で偏向されるこ
とを利用するもの（Ｊ、ｐｈｉｌｉｌ）ｅｒｔ他、Ｍｉ
ｃｒｏｎ １ （１９６９） １７４ ）の２櫛類があ
った。
が表面近傍の磁場で偏向されることを利用するものＮ）
、Ｃ，ＪＯ）’他、Ｐｈ１１．Ｍａｇ、１７（１９６８
）６１）と、反射電子が試料内部の磁場で偏向されるこ
とを利用するもの（Ｊ、ｐｈｉｌｉｌ）ｅｒｔ他、Ｍｉ
ｃｒｏｎ １ （１９６９） １７４ ）の２櫛類があ
った。
これらはいずれも、磁区相互の磁化方向の相対的相違は
観察できるものの、その給体方向ヤ、磁化の大きさを知
ることは困難であシ、分解能も１μｍ止シであった。こ
れは以下の理由による。
観察できるものの、その給体方向ヤ、磁化の大きさを知
ることは困難であシ、分解能も１μｍ止シであった。こ
れは以下の理由による。
前者の方法は、試料磁化に起因する表面漏れ磁場を利用
するため、極端な場合、漏れ磁場のない磁区構造は観察
できない。また漏れ磁場があっても、磁化分布が密にな
ると、表面から離れるに従って異なる磁区に起因する磁
場が打ち消しあい、磁場強度が急激に減少する。このた
め漏れ磁場による２次電子の偏向が困難となって磁化分
布の観察ができなくなる。また漏れ磁場から磁化方向を
決めることは容易でなく、ましてや漏れ磁場によって偏
向された２次電子を使って磁化方向を決めるととは不可
能に近い。
するため、極端な場合、漏れ磁場のない磁区構造は観察
できない。また漏れ磁場があっても、磁化分布が密にな
ると、表面から離れるに従って異なる磁区に起因する磁
場が打ち消しあい、磁場強度が急激に減少する。このた
め漏れ磁場による２次電子の偏向が困難となって磁化分
布の観察ができなくなる。また漏れ磁場から磁化方向を
決めることは容易でなく、ましてや漏れ磁場によって偏
向された２次電子を使って磁化方向を決めるととは不可
能に近い。
後者の方法は、臥料内部の磁場による反射電子の偏向を
利用し、特定の方向で検出した反射電子強度を映像信号
として磁区観察するものである。
利用し、特定の方向で検出した反射電子強度を映像信号
として磁区観察するものである。
ところが、磁区に起因するコントラストを鮮明にするた
めには、１次電子線のエネルギーを上げねばならず、エ
ネルギーを上げれば試料内部での反射電子線の広がシが
大きくなって分解能が上らない。結局、との方法による
分解能は１μｍが限界である。
めには、１次電子線のエネルギーを上げねばならず、エ
ネルギーを上げれば試料内部での反射電子線の広がシが
大きくなって分解能が上らない。結局、との方法による
分解能は１μｍが限界である。
２次電子を用いて微小構造を観察する通常の走査型電子
顕微鏡は、１次電子線のグローブ径で分解能が決まるが
、上記方法によって磁化分布を観察する場合は、表面漏
れ磁場の強度や、試料内部での磁場強度、試料内部での
反射電子の広がシが分解能の下限を決めてしまい、それ
以下にプローブを絞っても分解能を高めることはできな
い。
顕微鏡は、１次電子線のグローブ径で分解能が決まるが
、上記方法によって磁化分布を観察する場合は、表面漏
れ磁場の強度や、試料内部での磁場強度、試料内部での
反射電子の広がシが分解能の下限を決めてしまい、それ
以下にプローブを絞っても分解能を高めることはできな
い。
本発明は、か＼る点に着目してなされたものであり、磁
性体試料表面の磁化ベクトルの試料面内任意方向成分や
試料面法線方向成分の２次元分布を、高分解能で観測可
能ならしめる走査型電子顕微鏡を提供することを目的と
するう 〔発す」の概要〕 上記目的を達成するために、本発明によれば、試料を保
持する真空容器と、前記試料の表面を清浄にする手段と
、前記試料面上に収束電子線を照射する手段と、前記収
束電子線を前記試料面上で走査すム手股唱、前貢己献料
≠蔦ちの９次官子を龜める手段と、集められた前記２次
電子のスピン偏極ベクトルを検出する手段と、検出され
た前記偏極ベクトルの試料面内任意方向成分及び又は試
料面法線方向成分を走査電顕像の映像信号に変換する手
厳と、その映像信号を表示する手段とを有する如く構成
したものである。
性体試料表面の磁化ベクトルの試料面内任意方向成分や
試料面法線方向成分の２次元分布を、高分解能で観測可
能ならしめる走査型電子顕微鏡を提供することを目的と
するう 〔発す」の概要〕 上記目的を達成するために、本発明によれば、試料を保
持する真空容器と、前記試料の表面を清浄にする手段と
、前記試料面上に収束電子線を照射する手段と、前記収
束電子線を前記試料面上で走査すム手股唱、前貢己献料
≠蔦ちの９次官子を龜める手段と、集められた前記２次
電子のスピン偏極ベクトルを検出する手段と、検出され
た前記偏極ベクトルの試料面内任意方向成分及び又は試
料面法線方向成分を走査電顕像の映像信号に変換する手
厳と、その映像信号を表示する手段とを有する如く構成
したものである。
最初に、本発明の基本的原理について説明する。
従来、電子線による磁性体観測は、電荷と磁場の間に働
くローレンツ力を利用したものがほとんどであった。と
ころが、近年、磁性体から放出される２次電子のスピン
偏極ベクトルの方向が、その２次電子を放出した場所の
磁化ベクトルの方向と等しいことが発見された。本発明
は、か＼るスピン偏極ベクトルに関する考え方を用いて
、磁性体表面の磁化の強さと方向の２次元分布の観測を
実現したものである。
くローレンツ力を利用したものがほとんどであった。と
ころが、近年、磁性体から放出される２次電子のスピン
偏極ベクトルの方向が、その２次電子を放出した場所の
磁化ベクトルの方向と等しいことが発見された。本発明
は、か＼るスピン偏極ベクトルに関する考え方を用いて
、磁性体表面の磁化の強さと方向の２次元分布の観測を
実現したものである。
すなわち、第１図において、磁性体４に１次宛子ｆｆＭ
ｌを照射したとき発生する２次電子２のスピン偏極ベク
トル３は、その２次電子が放出された場所の磁化ベクト
ルと同じ方向をもつ。従って、１次電子線を試料面上で
走査し、スピン検出器によって２次電子のスピン偏極ベ
クトルの試料面内特定方向成分または試料面法線方向成
分を検出し、それを映像信号としてディスプレイ上に表
示すれば、磁性体表面磁化ベクトルの上記試料面内特定
方向成分または、試料面法線方向成分の２次元分布を観
察することができる。
ｌを照射したとき発生する２次電子２のスピン偏極ベク
トル３は、その２次電子が放出された場所の磁化ベクト
ルと同じ方向をもつ。従って、１次電子線を試料面上で
走査し、スピン検出器によって２次電子のスピン偏極ベ
クトルの試料面内特定方向成分または試料面法線方向成
分を検出し、それを映像信号としてディスプレイ上に表
示すれば、磁性体表面磁化ベクトルの上記試料面内特定
方向成分または、試料面法線方向成分の２次元分布を観
察することができる。
一般に、電子は内部自由贋スピンをもっておシ、である
。今電子線を構成する個々の電子についてと、この電子
線のｉ方向のスピン偏極率Ｐ＋は、次式で与えられる。
。今電子線を構成する個々の電子についてと、この電子
線のｉ方向のスピン偏極率Ｐ＋は、次式で与えられる。
ここで、ｘ、ｙ、ｚ軸からなる直交座標系を考え、各軸
方向について測定したスピン偏極率Ｐ１をそれぞれＰオ
、Ｐア ｐｌとすると、スピン偏極ベクトルＰは Ｐ＝（Ｐ、、Ｐア、Ｐ、） ・・・・・・・・・（２）
で与えられる。ここで、Ｐ；０の電子線を偏極電子線と
呼ぶ。
方向について測定したスピン偏極率Ｐ１をそれぞれＰオ
、Ｐア ｐｌとすると、スピン偏極ベクトルＰは Ｐ＝（Ｐ、、Ｐア、Ｐ、） ・・・・・・・・・（２）
で与えられる。ここで、Ｐ；０の電子線を偏極電子線と
呼ぶ。
か＼るスピン偏極率を測定する方法はいくつかあるが、
ここでは、−例としてＭ ｏ ＊ ｔ 検出器について
第２図によシ説明する。高速の偏極電子線１６が金等の
重原子１１で大角散乱されると（図中、１７は散乱電子
）、スピンに依存する相互作用のために、被測定電子入
射軸のまわシの散乱強要の非対称性を生じる。今ｘ−ｚ
面に対して対称な位置に叙いた２個の電子検出器１２．
１３によって検出した散乱電子の個数をそれぞれＮ Ｉ
ｆや。
ここでは、−例としてＭ ｏ ＊ ｔ 検出器について
第２図によシ説明する。高速の偏極電子線１６が金等の
重原子１１で大角散乱されると（図中、１７は散乱電子
）、スピンに依存する相互作用のために、被測定電子入
射軸のまわシの散乱強要の非対称性を生じる。今ｘ−ｚ
面に対して対称な位置に叙いた２個の電子検出器１２．
１３によって検出した散乱電子の個数をそれぞれＮ Ｉ
ｆや。
Ｎ、！−とすると、偏極ベクトルＰのＸ成分Ｐ８はで与
えられる。ここセＳは標的原子の種類、入射電子のエネ
ルギー、散乱１子の散乱角のみによって決まる足載であ
る。同様に、ｙ−ｚ面に対して対称な位置に２個の電子
検出器１４．１５を置けばＰ２をめることができる。従
って、ｘ−ｙ面内でＸ軸と角度θをなす方向の成分、言
換えれば、今例えばｘ−ｙ面を試料面とすると試料面内
の任意方向成分であるＰ、は、上記Ｐ、、Ｐアを用いて ｐ、＝ｐ、ｃｏｓθ＋Ｐ、ｓｉｎθ −・−・−・−（
４）で与えられる。さらに ｐｌについては、ウィーン
フィルタ等のスピン回転器で、偏極ベクトルをＸ軸又は
Ｙ ｉｌｌ＋の回シに９０°回転することによシ、をめ
ることによ＃）磁性体試料表面の磁化ベクトルの試別面
内任意方向成分や試料面法線方向成分の２次元分布をめ
ることができる。
えられる。ここセＳは標的原子の種類、入射電子のエネ
ルギー、散乱１子の散乱角のみによって決まる足載であ
る。同様に、ｙ−ｚ面に対して対称な位置に２個の電子
検出器１４．１５を置けばＰ２をめることができる。従
って、ｘ−ｙ面内でＸ軸と角度θをなす方向の成分、言
換えれば、今例えばｘ−ｙ面を試料面とすると試料面内
の任意方向成分であるＰ、は、上記Ｐ、、Ｐアを用いて ｐ、＝ｐ、ｃｏｓθ＋Ｐ、ｓｉｎθ −・−・−・−（
４）で与えられる。さらに ｐｌについては、ウィーン
フィルタ等のスピン回転器で、偏極ベクトルをＸ軸又は
Ｙ ｉｌｌ＋の回シに９０°回転することによシ、をめ
ることによ＃）磁性体試料表面の磁化ベクトルの試別面
内任意方向成分や試料面法線方向成分の２次元分布をめ
ることができる。
しかも、この方法の分解能は、２次電子を用いて微小構
造を観察する通常の走査電顕と同様、１次電子線のプロ
ーブ径で決まるため、従来法と比べて、飛躍的な分解能
の向上が期待できる。
造を観察する通常の走査電顕と同様、１次電子線のプロ
ーブ径で決まるため、従来法と比べて、飛躍的な分解能
の向上が期待できる。
次に、本発明の一実施例を第３図によ＃）読切する。イ
オン銃３２によって、例えば試料３３である鉄（００１
）表面を７汀伊にした後、亙界放射型箪子銃３５からの
電子線を１０ｋＶに加速して試料面上で５００Ａに収束
し、走査する。試料３３からの２次電子を引き出し電極
３０で集め、例えばＭｏｔｔ検出器２７へ導く。この検
出器２７内部で加速管２８によｆｉｌｏｏＫｅＶに加速
された電子線は、厚さ５００人の金薄膜２６で散乱され
、このうち例えば散乱角ψ＝１２０°で＋ｘ、 −ｘ。
オン銃３２によって、例えば試料３３である鉄（００１
）表面を７汀伊にした後、亙界放射型箪子銃３５からの
電子線を１０ｋＶに加速して試料面上で５００Ａに収束
し、走査する。試料３３からの２次電子を引き出し電極
３０で集め、例えばＭｏｔｔ検出器２７へ導く。この検
出器２７内部で加速管２８によｆｉｌｏｏＫｅＶに加速
された電子線は、厚さ５００人の金薄膜２６で散乱され
、このうち例えば散乱角ψ＝１２０°で＋ｘ、 −ｘ。
＋ｙ、−ｙ方向に散乱したものをそれぞれ検出器Ｄ３〆
＋ ＤＩ、／ｌ Ｄｔ ＋ Ｄ２１ で検出する。この
うちＤｓ 、 Ｌ）４からの出力パルスをＦ−■変換器
２２によってアナログ信号とし、削代（３）に従いアナ
ログ演算器２３によってスピン偏極ベクトルのＸ方向成
分Ｐ８に相当したアナログ信号を得る。同様にＤＩ ＋
Ｄ２の出力パルスからＰアに相当したアナログ信号を
得る。上記２信号から、試料面内にあって、Ｘ軸と角度
４５°をなす方向の成分を、削代（４）に従いアナログ
演算回路２４によって得る。
＋ ＤＩ、／ｌ Ｄｔ ＋ Ｄ２１ で検出する。この
うちＤｓ 、 Ｌ）４からの出力パルスをＦ−■変換器
２２によってアナログ信号とし、削代（３）に従いアナ
ログ演算器２３によってスピン偏極ベクトルのＸ方向成
分Ｐ８に相当したアナログ信号を得る。同様にＤＩ ＋
Ｄ２の出力パルスからＰアに相当したアナログ信号を
得る。上記２信号から、試料面内にあって、Ｘ軸と角度
４５°をなす方向の成分を、削代（４）に従いアナログ
演算回路２４によって得る。
この信号を輝度信号としてディスプレイ２５上に表示す
ると、磁化ベクトルの、試料面内にあってχ軸と４５°
をなす方向の成分の、２次元分布が見られた。またウィ
ーンフィルタ２９によって偏極ベクトルをｙ軸のまわり
に９０°回転すると、回転後のＸ方向成分は回転前の２
方向成分Ｐ、と等しくなるため、上記Ｐ８をめたと同様
な方法でＰ、に相当する信号をめることができた。こ′
の信号を映像信号としてディスプレイ上に表示すると、
磁化ベクトルの試料面法線方向成分の２次元分布が見ら
れた。この方法により、従来法を大きく上まわる５００
人の分解能で鉄（００１）面上の磁化分布を観移できた
。
ると、磁化ベクトルの、試料面内にあってχ軸と４５°
をなす方向の成分の、２次元分布が見られた。またウィ
ーンフィルタ２９によって偏極ベクトルをｙ軸のまわり
に９０°回転すると、回転後のＸ方向成分は回転前の２
方向成分Ｐ、と等しくなるため、上記Ｐ８をめたと同様
な方法でＰ、に相当する信号をめることができた。こ′
の信号を映像信号としてディスプレイ上に表示すると、
磁化ベクトルの試料面法線方向成分の２次元分布が見ら
れた。この方法により、従来法を大きく上まわる５００
人の分解能で鉄（００１）面上の磁化分布を観移できた
。
試料の吸収電流３４を映像信号とすると、上記磁化分布
を観察したのと同じ視野で試料狭面の幾何学的構造を観
察できた。
を観察したのと同じ視野で試料狭面の幾何学的構造を観
察できた。
２次電子の引き出し’ａ極で得られた２次゛１子電流３
１を映像１１号とすると、上記磁化分布を観察したのと
同じ視野で試料次面の幾何学的構造を観察できた。
１を映像１１号とすると、上記磁化分布を観察したのと
同じ視野で試料次面の幾何学的構造を観察できた。
上記磁化分布像の明るい部分の一点に１次電子線を固定
照射し、２次電子のスピン偏極率の３成分を測定したら
、ｐｘ＝ １６ ％ 、 Ｐｙ＝１６％、ｐ、＝。
照射し、２次電子のスピン偏極率の３成分を測定したら
、ｐｘ＝ １６ ％ 、 Ｐｙ＝１６％、ｐ、＝。
チであった。
なお、上記磁化分布像を得たときに用いたアナログ信号
処理系２１のかわりに、パルスカウンタ。
処理系２１のかわりに、パルスカウンタ。
デジタル演算器路、Ｄ−Ａ変換器より構成される信号処
理系を用いると、４０ｄＢ以上の２次電子電流変動に対
して、同変動の影響を全く受けない磁化分布像を観察で
きた。
理系を用いると、４０ｄＢ以上の２次電子電流変動に対
して、同変動の影響を全く受けない磁化分布像を観察で
きた。
また、上述の電子銃３５に熱電界放射型電子銃を用いる
と、長時間安定に大電流がとれ、２００λの分解能が得
られた。また上述の電子銃１５を熱電子放出型電子銃に
すると、Ｉ Ｗ’Ｔｏｒｒより悪い真空中でも動作でき
た。
と、長時間安定に大電流がとれ、２００λの分解能が得
られた。また上述の電子銃１５を熱電子放出型電子銃に
すると、Ｉ Ｗ’Ｔｏｒｒより悪い真空中でも動作でき
た。
（発明の効果〕
以上詳述したように、本発明によれば、磁性体表面磁化
ベクトルの試料面内任意方向成分や試料面法線方向成分
の２次元分布を高分解能で観測でき、その工業的な価値
は非常に高いものである。
ベクトルの試料面内任意方向成分や試料面法線方向成分
の２次元分布を高分解能で観測でき、その工業的な価値
は非常に高いものである。
第１図は、本発明の基本的原理を説明する図、−第２図
は、Ｍｏｔｔ検出器によるスピン偏極率測定法の一例を
説明する図、第３図は本発明になる走査屋電子顕微鏡の
一実施例を示す図である。 １・・・重原子、２，３，４．５・・・電子検出器、６
・・・被測定電子線、１１・・・１次電子線、１２・・
・２次電子、１３・・・２次電子のスピン偏極ベクトル
、１４・・・磁性体試料、２１・・・信号処理系、２２
・・・Ｆ−Ｖ変換器、２３・・・加減除アナログ演算器
、２４・・・三角関数アナログ演算器、２５′・・・デ
ィスプレイ、２６・・・金薄膜、２７・・・Ｍｏｔｔ検
出器、２８・・・加速管、２９・・・ウィーンフィルタ
、３０・・・引出し電極。 ３１・・・２次電子電流、３２・・・イオン銃、３３・
・・試料、３４・・・試料吸収電流、３５・・・電子銃
。 第 １ 図 煽２Ｏ −ｔＩ １
は、Ｍｏｔｔ検出器によるスピン偏極率測定法の一例を
説明する図、第３図は本発明になる走査屋電子顕微鏡の
一実施例を示す図である。 １・・・重原子、２，３，４．５・・・電子検出器、６
・・・被測定電子線、１１・・・１次電子線、１２・・
・２次電子、１３・・・２次電子のスピン偏極ベクトル
、１４・・・磁性体試料、２１・・・信号処理系、２２
・・・Ｆ−Ｖ変換器、２３・・・加減除アナログ演算器
、２４・・・三角関数アナログ演算器、２５′・・・デ
ィスプレイ、２６・・・金薄膜、２７・・・Ｍｏｔｔ検
出器、２８・・・加速管、２９・・・ウィーンフィルタ
、３０・・・引出し電極。 ３１・・・２次電子電流、３２・・・イオン銃、３３・
・・試料、３４・・・試料吸収電流、３５・・・電子銃
。 第 １ 図 煽２Ｏ −ｔＩ １
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、試料を保持する真空容器と、前記試料の表面を清浄
にする手段と、前記試料面上に収束電子線を照射する手
段と、前記収束電子線を前記試料面上で走査する手段と
、前記試料からの２次電子を集める手段と、集められた
前記２次電子のスピン偏極ベクトルを検出する手段と、
検出された前記偏極ベクトルの試料面内任意方向成分及
び又は試料面法線方向成分を走査電顕像の映像信号に変
換する手段と、その映像信号をディスプレイ上に表示す
る手段とを有することを特徴とする走査型電子顕微鏡。 ２、前記試料からの２次電子電流及び又は試料の吸収電
流を映像信号としてディスプレイ上に表示する手段とを
有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の走
査型電子顕微鏡。 ３、前記試料表面清浄化手段がイオン銃であシ、前記電
子線照射手段が熱電子放出型電子銃または電界放射型電
子銃まだは熱電界放射型電子銃であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の走査型電子顕微鏡。 ４、前記スピン検出器が、試料面と平行な軸のまわシに
、前記スピン偏極ベクトルを９０°回転できるウィーン
フィルタを備え、かつ被測定電“子線の入射軸のまわシ
の４回対称な位置に４個の電子検出器を有し、前記スピ
ン偏極ベクトルの試料面内任意方向成分と、試料面法線
方向成分を検出できる検出器であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の走査型電子顕微鏡。 ５、 前記スピン検出器の出力信号を映像信号に変換す
る手段が、アナログ加算器とアナログ減算器とアナログ
割算器とアナログ三角関数演舞、器を含む回路で構成さ
れるか、または、パルスカウンタとディジタル加算器と
ディジタル減算器とディジタル割算器とディジタル三角
関数演算器と１）−Ａ変換器を含む回路で構成されてな
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の走査型
電子顕微鏡。 ６、前記ディスプレイが、磁化分布像または２次電子電
流像または吸収電流像上で任意の一点を指定し、その点
からの２次電子のスピン偏極率ベクトルの３成分を検出
して表示する如く構成したことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の走査型電子顕微鏡。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59032316A JPS60177539A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 走査型電子顕微鏡 |
| DE19853504720 DE3504720A1 (de) | 1984-02-24 | 1985-02-12 | Abtastelektronenmikroskop |
| FR8502030A FR2560433B1 (fr) | 1984-02-24 | 1985-02-13 | Microscope electronique a balayage |
| US06/702,223 US4658138A (en) | 1984-02-24 | 1985-02-15 | Scanning electron microscope |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59032316A JPS60177539A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 走査型電子顕微鏡 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60177539A true JPS60177539A (ja) | 1985-09-11 |
| JPH0568059B2 JPH0568059B2 (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=12355529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59032316A Granted JPS60177539A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 走査型電子顕微鏡 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4658138A (ja) |
| JP (1) | JPS60177539A (ja) |
| DE (1) | DE3504720A1 (ja) |
| FR (1) | FR2560433B1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0279351A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-19 | Hitachi Ltd | スピン偏極走査電子顕微鏡 |
| JP2010054272A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | スピン偏極走査電子顕微鏡 |
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| JP2680018B2 (ja) * | 1988-02-26 | 1997-11-19 | 株式会社日立製作所 | スピン偏極度検出器 |
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| JP6914438B2 (ja) * | 2018-05-22 | 2021-08-04 | 株式会社日立ハイテク | スピン分析装置 |
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-
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- 1985-02-12 DE DE19853504720 patent/DE3504720A1/de active Granted
- 1985-02-13 FR FR8502030A patent/FR2560433B1/fr not_active Expired
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| JPWO2015029201A1 (ja) * | 2013-08-30 | 2017-03-02 | 株式会社日立製作所 | スピン検出器、及び荷電粒子線装置および光電子分光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0568059B2 (ja) | 1993-09-28 |
| DE3504720C2 (ja) | 1990-06-21 |
| FR2560433B1 (fr) | 1988-12-02 |
| FR2560433A1 (fr) | 1985-08-30 |
| US4658138A (en) | 1987-04-14 |
| DE3504720A1 (de) | 1985-09-05 |
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