JPS60176947A - 酸化珪素被膜の製造方法 - Google Patents
酸化珪素被膜の製造方法Info
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- JPS60176947A JPS60176947A JP59031139A JP3113984A JPS60176947A JP S60176947 A JPS60176947 A JP S60176947A JP 59031139 A JP59031139 A JP 59031139A JP 3113984 A JP3113984 A JP 3113984A JP S60176947 A JPS60176947 A JP S60176947A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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- Photovoltaic Devices (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ａ 産業上の利用分野
本発明は基材上に酸化珪素被膜を製造する方法に関し、
更に詳しくは太陽電池基板に適した凹凸形状を有する透
明基板を製造する方法に関する。
更に詳しくは太陽電池基板に適した凹凸形状を有する透
明基板を製造する方法に関する。
ｂ 従来技術
今日、いろいろな材料の表面を酸化珪素膜で被覆するこ
とが広く行なわれている。例えばガラス表面に酸化チタ
ン膜と酸化珪素の交互多層膜を形成することにより、表
面の反射効果を減じることが古くから行なわれている。
とが広く行なわれている。例えばガラス表面に酸化チタ
ン膜と酸化珪素の交互多層膜を形成することにより、表
面の反射効果を減じることが古くから行なわれている。
あるいは金属・合金材料の保護膜としてその表面に酸化
珪素被膜を形成させることも広く行なわれている。更に
は、液晶表示パネル、太陽電池用基板ガラスにソーダラ
イムガラスまたはホウ珪酸ガラスなどアルカリ含有ガラ
スを用いる場合、ガラスからのアルカリ虚分の溶出を防
止する目的で、これらガラスの表面を酸化珪素膜で被覆
することが行なわれる。特にガラスからのアルカリ成分
の溶出防止は、液晶表示あるいは太陽電池の寿命を維持
する上で、欠くことのできない技術となっている。
珪素被膜を形成させることも広く行なわれている。更に
は、液晶表示パネル、太陽電池用基板ガラスにソーダラ
イムガラスまたはホウ珪酸ガラスなどアルカリ含有ガラ
スを用いる場合、ガラスからのアルカリ虚分の溶出を防
止する目的で、これらガラスの表面を酸化珪素膜で被覆
することが行なわれる。特にガラスからのアルカリ成分
の溶出防止は、液晶表示あるいは太陽電池の寿命を維持
する上で、欠くことのできない技術となっている。
ガラスの表面に酸化珪素被膜を形成させるＫは、従来よ
り真空恭着・スパッター・ＣＶＤあるいは浸漬塗布法（
ティッピング法）等の方法が多く用いられてきた。しか
しながら、これらの方法は装置あるいは付帯設備が高価
であるため、酸化珪素被覆に要するコストが高くなる他
、小さなガラスしか処理できないという欠点があった。
り真空恭着・スパッター・ＣＶＤあるいは浸漬塗布法（
ティッピング法）等の方法が多く用いられてきた。しか
しながら、これらの方法は装置あるいは付帯設備が高価
であるため、酸化珪素被覆に要するコストが高くなる他
、小さなガラスしか処理できないという欠点があった。
そこで、これら従来の酸化珪素被膜形成方法の欠点に鑑
み、珪弗化水素酸の酸化珪素飽和水溶液にホウ酸を添加
した処理液を用いた新しい酸化珪素被膜形成方法が提案
されている。（特開昭Ｓ７−／９乙７グゲ）。
み、珪弗化水素酸の酸化珪素飽和水溶液にホウ酸を添加
した処理液を用いた新しい酸化珪素被膜形成方法が提案
されている。（特開昭Ｓ７−／９乙７グゲ）。
又、一方近年シランガスをグロー放電分解することなど
により作製される非晶質シリコン（ａ−３ｊ−）を用い
た太陽電池が低コストで製造可能な光電変換装置の一つ
と１７で注１−１を浴びている。
により作製される非晶質シリコン（ａ−３ｊ−）を用い
た太陽電池が低コストで製造可能な光電変換装置の一つ
と１７で注１−１を浴びている。
しかし、かかるａ−８ｉ太陽電池においては、その光電
変換効率が他の結晶半導体（結晶Ｓｉ、ＧａＡｓなど）
Ｋ比べ極めて低いことが問題となり、（−れを解決する
ため作製方法や電池の構造に対し種々の対策が考案され
ている。特に電池の表面にお（・づる光反射損失を低減
し短絡電流を増大さゼることは重要であり、このため太
陽電池を凹凸構造にして入射光を電池内で多重反射層１
〕１させることにより長波長光に対する収集効率を向上
さセることか考えられている。しかしながら、凹凸の度
合いが大き過ぎるとピンホール等の欠陥か発生したり膜
厚が不均一になりやすく、かえって太陽電池の特性（特
に開放電圧・良品率）が低下する。従って高度に制御さ
れた凹凸の度合か必要とされていた。
変換効率が他の結晶半導体（結晶Ｓｉ、ＧａＡｓなど）
Ｋ比べ極めて低いことが問題となり、（−れを解決する
ため作製方法や電池の構造に対し種々の対策が考案され
ている。特に電池の表面にお（・づる光反射損失を低減
し短絡電流を増大さゼることは重要であり、このため太
陽電池を凹凸構造にして入射光を電池内で多重反射層１
〕１させることにより長波長光に対する収集効率を向上
さセることか考えられている。しかしながら、凹凸の度
合いが大き過ぎるとピンホール等の欠陥か発生したり膜
厚が不均一になりやすく、かえって太陽電池の特性（特
に開放電圧・良品率）が低下する。従って高度に制御さ
れた凹凸の度合か必要とされていた。
Ｃ発明の目的
本発明は、珪弗化水素酸の酸化珪素飽和水溶液にホウ酸
を添加した処理液を用いた酸化珪素被膜製造方法を改良
し、連続的でかつ安価であり、凹凸の形状精度が調整さ
れ、大面積でも製造出来る、凹凸形状を有する太陽電池
基板に適する酸化珪素被膜σ）製造方法を提供すること
にある。
を添加した処理液を用いた酸化珪素被膜製造方法を改良
し、連続的でかつ安価であり、凹凸の形状精度が調整さ
れ、大面積でも製造出来る、凹凸形状を有する太陽電池
基板に適する酸化珪素被膜σ）製造方法を提供すること
にある。
ｄ 発明の構成
本発明は、暴利を珪弗化水素酸の酸化珪素飽和水溶液に
ホウ酸を添加した処理液に浸漬することにより、該暴利
表面」二に酸化珪素被膜を製造する方法において該処理
液中に酸化珪素のかたまりが浮遊し、かつ該処理液が浸
漬した基材表面で０．２〜ｇ。Ｏｃｍ、’ｍｉｎの速度
で流動する状態で該基材を処理液に浸漬させ、該基材表
面に凹凸形状を有する酸化珪素被膜を形成させることを
特徴とする酸化珪素破膜の製造方法である。
ホウ酸を添加した処理液に浸漬することにより、該暴利
表面」二に酸化珪素被膜を製造する方法において該処理
液中に酸化珪素のかたまりが浮遊し、かつ該処理液が浸
漬した基材表面で０．２〜ｇ。Ｏｃｍ、’ｍｉｎの速度
で流動する状態で該基材を処理液に浸漬させ、該基材表
面に凹凸形状を有する酸化珪素被膜を形成させることを
特徴とする酸化珪素破膜の製造方法である。
ここで暴利には酸化珪素を含むガラス、セラミックス、
プラスチック等があげられる。
プラスチック等があげられる。
又、使用する処理液の調整法としては２モル／！−
４の濃度以−にの珪弗化水素酸水溶液匂酸化珪素を飽和
し、しかる復水で希釈し珪弗化水素酸の濃度を一モル／
ｌ以下としたものが望ましい。この様な処理液調整法が
望ましい理由は、被膜形成速度るからである。ここで処
理液として用いる珪弗化水素酸の望ましい濃度は７〜２
モル／ｌであるが、この濃度の珪弗化水素酸水溶液を直
接調整した後酸化珪素を飽和するよりも、本発明のよう
にあらかじめ高濃度の珪弗化水素酸水溶液を調整した後
酸化珪素を飽和し、しかる後珪弗化水素酸の濃度がｌ−
２モル／ｅとなるよう水で希釈した方が酸化珪素被膜の
形成速度が速く、かつ形成される凹凸が大きく、数も多
くなるからである。
し、しかる復水で希釈し珪弗化水素酸の濃度を一モル／
ｌ以下としたものが望ましい。この様な処理液調整法が
望ましい理由は、被膜形成速度るからである。ここで処
理液として用いる珪弗化水素酸の望ましい濃度は７〜２
モル／ｌであるが、この濃度の珪弗化水素酸水溶液を直
接調整した後酸化珪素を飽和するよりも、本発明のよう
にあらかじめ高濃度の珪弗化水素酸水溶液を調整した後
酸化珪素を飽和し、しかる後珪弗化水素酸の濃度がｌ−
２モル／ｅとなるよう水で希釈した方が酸化珪素被膜の
形成速度が速く、かつ形成される凹凸が大きく、数も多
くなるからである。
上記処理液にホウ酸を添加して行くとしだいに酸化珪素
の過飽和状態となって処理液中から酸化珪素の析出が始
まる。本発明の酸化珪素被膜の製造方法は、上記析出酸
化珪素を被膜として得る方法である。
の過飽和状態となって処理液中から酸化珪素の析出が始
まる。本発明の酸化珪素被膜の製造方法は、上記析出酸
化珪素を被膜として得る方法である。
ホウ酸の添力１１速度は、ポウ＃濃ｊ勺かＯ，Ｓモル／
βであり処理液が」１記方法により調整された珪弗化水
素酸の酸化珪素含有水溶液（珪弗化水素酸が／−２モル
／ｌ）である時は、Ｏ，０５〜／ｍｎ／ｍｉ、ｎである
ことが好まれる。ここで添加量がＯ，ＯＳよりＡ＞ ｌ
’ｔ イ、Ｉ−耐什往＊被股が形成されず、ｔｍｒｙｍ
１ｎより多いと、処理液中に大きな酸化珪素の固りが生
じ沈殿となるために凹凸形状を有する、酸化珪素被膜を
安定的に形成することが出来ない。良好な凹凸形状を持
った酸化珪素被膜を得るためには、処理液中に適度な大
きさの酸化珪素の固りが浮遊することが必要である。又
出来上がる酸化珪素被膜の凹凸の大きさおよび数は、処
理液の基材表面ての流動速度、およびホウ酸の添加速度
によって変化させることが出来、一般的には処理液の流
動速度が遅いほど、ホウ酸の添加速度が速いほど凹凸は
大きくなる。
βであり処理液が」１記方法により調整された珪弗化水
素酸の酸化珪素含有水溶液（珪弗化水素酸が／−２モル
／ｌ）である時は、Ｏ，０５〜／ｍｎ／ｍｉ、ｎである
ことが好まれる。ここで添加量がＯ，ＯＳよりＡ＞ ｌ
’ｔ イ、Ｉ−耐什往＊被股が形成されず、ｔｍｒｙｍ
１ｎより多いと、処理液中に大きな酸化珪素の固りが生
じ沈殿となるために凹凸形状を有する、酸化珪素被膜を
安定的に形成することが出来ない。良好な凹凸形状を持
った酸化珪素被膜を得るためには、処理液中に適度な大
きさの酸化珪素の固りが浮遊することが必要である。又
出来上がる酸化珪素被膜の凹凸の大きさおよび数は、処
理液の基材表面ての流動速度、およびホウ酸の添加速度
によって変化させることが出来、一般的には処理液の流
動速度が遅いほど、ホウ酸の添加速度が速いほど凹凸は
大きくなる。
処理液の流動により、酸化珪素の固りが処理液中に浮遊
することが、良好な凹凸形状を持った酸化珪素被膜を形
成するのに必要であるが、こごで＃遊する酸化珪素の固
りには／ｊμｍ以上の大きさを持った酸化珪素の固りが
含まれていることが好まれる。ここで／、５μｍより小
さい酸化珪素の固りだけでは良好な凹凸形状を持った酸
化珪素被膜が得られず、平担な酸化珪素被膜が得られる
（特願昭ｓｇ−／３ｑｒ／７）ためである。
することが、良好な凹凸形状を持った酸化珪素被膜を形
成するのに必要であるが、こごで＃遊する酸化珪素の固
りには／ｊμｍ以上の大きさを持った酸化珪素の固りが
含まれていることが好まれる。ここで／、５μｍより小
さい酸化珪素の固りだけでは良好な凹凸形状を持った酸
化珪素被膜が得られず、平担な酸化珪素被膜が得られる
（特願昭ｓｇ−／３ｑｒ／７）ためである。
析出する酸化珪素の固りを処理液中（で浮遊し、又添加
したホウ酸を処理液に混合するために処理液を流動させ
るが、処理液の浸漬暴利表面での流速が０．２〜ｇ、
Ｏｃｍ／ｍｉｎであることが好まれる。流速がｏ、 ２
ｃｍ７ｍ１ｎ より遅いと、処理液中に酸化珪素の沈殿
が生じやすくなり、望みの凹凸形状を持った酸化珪素被
膜が得られない。又流速がざ、Ｏａｍ／ｍｉｎより早い
と、流れが乱流となりやすく、ムラの多い膜となるので
好ましくない。
したホウ酸を処理液に混合するために処理液を流動させ
るが、処理液の浸漬暴利表面での流速が０．２〜ｇ、
Ｏｃｍ／ｍｉｎであることが好まれる。流速がｏ、 ２
ｃｍ７ｍ１ｎ より遅いと、処理液中に酸化珪素の沈殿
が生じやすくなり、望みの凹凸形状を持った酸化珪素被
膜が得られない。又流速がざ、Ｏａｍ／ｍｉｎより早い
と、流れが乱流となりやすく、ムラの多い膜となるので
好ましくない。
処理液を流動させる方法はどの様な方法であってもかま
わないが、処理液を流出させその後循環ポンプ等で循環
させる方法等が簡哨であり、好まれる。又処理液の流れ
は浸漬した基相面に対して層状に流れる事が好まれる。
わないが、処理液を流出させその後循環ポンプ等で循環
させる方法等が簡哨であり、好まれる。又処理液の流れ
は浸漬した基相面に対して層状に流れる事が好まれる。
これは処理液が乱流て流れる場合には上述の様にムラの
多い膜となるためである。
多い膜となるためである。
以下（で本発明を実施例に基き説明する。
ｅ 実施例
実施例１
大きさが１０（７（ｍｍ）Ｘ１００（ｍｍ） の厚味／
（ｍｍ）のソーダライムガラスをｏ３％濃度（ｆｆｉｉ
ｔ％）のＨＦ水溶液中に１０分間浸漬した後、十分に洗
浄し乾燥し試料ガラスとした。次に試料を浸漬するため
の浸漬槽を用意する。
（ｍｍ）のソーダライムガラスをｏ３％濃度（ｆｆｉｉ
ｔ％）のＨＦ水溶液中に１０分間浸漬した後、十分に洗
浄し乾燥し試料ガラスとした。次に試料を浸漬するため
の浸漬槽を用意する。
浸漬槽は外槽（１）と内槽（２）から成り、内槽と外槽
の間には水（３）が満しである。実験では、この水の温
度が３３”Ｃとなるよう、水はヒーター（ψ）で加熱さ
れ、かつ温度分布均一化のため攪拌器Ｄ）で攪拌されて
いる。内槽は前部（ｇ）、中部（７）、後部（ｇ）から
成り、その内部には２モル／ｌの珪弗化水素酸に酸化珪
素を飽和し、しかる抜水で１モル／βに希釈した３１の
処理液が満たしである。内槽後部（ざ）の処理液は循環
ポンプ（／のによりろ過されることなく内槽前部（乙）
へ戻される。ここで全処理液量に対する７分間当りの処
理液循環量の割合はｇ％に設定した。（ここで全処理液
量は約３４であり処理槽中部の底面積は約１３０ｃｍ２
であるので、浸漬する基材ガラス板表面での液流速は約
１．ｔｃｍ７ｍ１ｎと予想される。）液（／／）を０．
２ｍ ／ ７分で連続的に滴下し、７０時間保持した。
の間には水（３）が満しである。実験では、この水の温
度が３３”Ｃとなるよう、水はヒーター（ψ）で加熱さ
れ、かつ温度分布均一化のため攪拌器Ｄ）で攪拌されて
いる。内槽は前部（ｇ）、中部（７）、後部（ｇ）から
成り、その内部には２モル／ｌの珪弗化水素酸に酸化珪
素を飽和し、しかる抜水で１モル／βに希釈した３１の
処理液が満たしである。内槽後部（ざ）の処理液は循環
ポンプ（／のによりろ過されることなく内槽前部（乙）
へ戻される。ここで全処理液量に対する７分間当りの処
理液循環量の割合はｇ％に設定した。（ここで全処理液
量は約３４であり処理槽中部の底面積は約１３０ｃｍ２
であるので、浸漬する基材ガラス板表面での液流速は約
１．ｔｃｍ７ｍ１ｎと予想される。）液（／／）を０．
２ｍ ／ ７分で連続的に滴下し、７０時間保持した。
その後この反応液に試料（９）を内槽中央部（７）に垂
直状に浸漬・保持する。反応処理液の循環およびホウ酸
水溶液の添加を続けなから１時間保持し、その後試料を
取り出し洗浄乾燥した。
直状に浸漬・保持する。反応処理液の循環およびホウ酸
水溶液の添加を続けなから１時間保持し、その後試料を
取り出し洗浄乾燥した。
得られた被膜の厚みは約１００ｑＡであり、同被膜の電
子顕微鏡観察の結果直径３００〜ｊ；０ＯＯＡ高２図に
示す。
子顕微鏡観察の結果直径３００〜ｊ；０ＯＯＡ高２図に
示す。
凹凸の形状、および栄位面積あたりの数はその総合効果
として、入射光に対する散乱度合（ヘイズ率）として表
わすことができる。ここで得られた試料のへイス率を航
空機用メタクリル樹脂板の曇価測定法（ＪＩＳ、に−６
７／Ｚ（／９７７））により測定したら約２％であり、
表面に凹凸のない５１０２膜をコートした試料のへイス
率０．２％とくらべると大きな値であった。
として、入射光に対する散乱度合（ヘイズ率）として表
わすことができる。ここで得られた試料のへイス率を航
空機用メタクリル樹脂板の曇価測定法（ＪＩＳ、に−６
７／Ｚ（／９７７））により測定したら約２％であり、
表面に凹凸のない５１０２膜をコートした試料のへイス
率０．２％とくらべると大きな値であった。
処理液の循環量を全処理液１ｊＪ： ｖｃ対し７分間当
り＠Ｌ３％（処理液の流速約０．乙Ｃｍ／ｍ１ｎ）とな
る様に変更し、試料の浸漬時間を３時間に変更した以外
は実施例／と同様の方法により試料十に約１０ＯＯＡの
厚さの酸化珪素被膜を形成した。
り＠Ｌ３％（処理液の流速約０．乙Ｃｍ／ｍ１ｎ）とな
る様に変更し、試料の浸漬時間を３時間に変更した以外
は実施例／と同様の方法により試料十に約１０ＯＯＡの
厚さの酸化珪素被膜を形成した。
？；Ｊら、１１だ酸化珪素被膜は厚み約１０ｏｏＸの膜
であり、試料の電子顕Ｒ鏡観察により試料にｉ」実施例
／と同様の直径３００−！；０００Ａ高さ、２００〜３
０００Ａの略おわん形をした多数の凹凸が存在すること
が確Ｊ、をさ才］だ。
であり、試料の電子顕Ｒ鏡観察により試料にｉ」実施例
／と同様の直径３００−！；０００Ａ高さ、２００〜３
０００Ａの略おわん形をした多数の凹凸が存在すること
が確Ｊ、をさ才］だ。
又得ら才また試料のへイス率は７％であ一す、実施例２
（てより得られた試料は実施例／により得られた試料よ
り、深い弧を持つ凹凸の割合または凹凸の数か増力１１
１〜でいることか予想される。
（てより得られた試料は実施例／により得られた試料よ
り、深い弧を持つ凹凸の割合または凹凸の数か増力１１
１〜でいることか予想される。
実施例３
実施例２によ−、て製造された凹凸形状を有する酸化珪
素被膜つき基板カラス（以後ＡＯと呼ぶ）をリン入り酸
化珪素形成液（東京応化−Ｌ業社製ＯＣＤ溶液）（で浸
漬し、その後ｓｏｏ”ｃで焼成を行ない膜厚約１０００
大の酸化珪素被膜を形成した。
素被膜つき基板カラス（以後ＡＯと呼ぶ）をリン入り酸
化珪素形成液（東京応化−Ｌ業社製ＯＣＤ溶液）（で浸
漬し、その後ｓｏｏ”ｃで焼成を行ない膜厚約１０００
大の酸化珪素被膜を形成した。
（以後この基板をＡＩとｌＰｐぶ）へイス率は７％から
３％へと変化した。
３％へと変化した。
又同様にＡＯのカラス基板上にスパンタ法により約２０
ＯＡの膜厚の酸化珪素被＋１！、％を形成１−だ。（以
後この基板をＡ２と呼ぶ）へイス率ｏＪ７％から乙％へ
変化した。
ＯＡの膜厚の酸化珪素被＋１！、％を形成１−だ。（以
後この基板をＡ２と呼ぶ）へイス率ｏＪ７％から乙％へ
変化した。
又別に実施例Ωと同様なカラス基板を珪弗化水素酸の酸
化月未飽和水溶液にホウ酸を添加１〜だ処理液に浸漬１
−平滑度の高い酸化珪素形成液１０００λを作成した比
較用基板Ｂを作成した（特凰１昭５ｇ−７３７２／７） これら基板を用いてアモルファスＳコ−の太１ｍ ’、
’ｌＬＧを作成した。作成手順を以下に示す。
化月未飽和水溶液にホウ酸を添加１〜だ処理液に浸漬１
−平滑度の高い酸化珪素形成液１０００λを作成した比
較用基板Ｂを作成した（特凰１昭５ｇ−７３７２／７） これら基板を用いてアモルファスＳコ−の太１ｍ ’、
’ｌＬＧを作成した。作成手順を以下に示す。
基板Ａ Ｏ＋ Ａ ］、 ＋ Ａ２ ＋Ｂ上にモノフヂ
ル８トリクロライドの然気及びドーパントとしてａｎ：
＼０ＨＦ２カスを用いＣＶＤ法によって、２０００Ａの
酸化錫透明導電膜を形成した。次いてモノシラン（Ｓ］
、Ｈ４）ガスを主成分とする原料カスを用いて１０ＯＰ
ａ程度の圧力下で容量結合型高周波グロー放電装置によ
り （１）Ｐ型半導体層（ホウ素１’ −）（１） ａ−３
ＩＣ’Ｈｒをそれぞれ順番Ｃ（堆積さゼ、最後にＡ／組
電極約５ｏｏＸ）を真空中（約１Ｏ−４Ｐａ）で蒸着法
により作成した。
ル８トリクロライドの然気及びドーパントとしてａｎ：
＼０ＨＦ２カスを用いＣＶＤ法によって、２０００Ａの
酸化錫透明導電膜を形成した。次いてモノシラン（Ｓ］
、Ｈ４）ガスを主成分とする原料カスを用いて１０ＯＰ
ａ程度の圧力下で容量結合型高周波グロー放電装置によ
り （１）Ｐ型半導体層（ホウ素１’ −）（１） ａ−３
ＩＣ’Ｈｒをそれぞれ順番Ｃ（堆積さゼ、最後にＡ／組
電極約５ｏｏＸ）を真空中（約１Ｏ−４Ｐａ）で蒸着法
により作成した。
得らねた太陽電池ＫＡ、Ｍ／の１００ｍＷ／Ｃｍ２（１
’）光を照射し、負荷を無限大とした時の起電圧（開放
電圧。
’）光を照射し、負荷を無限大とした時の起電圧（開放
電圧。
■）および負荷をＯとした時の太陽電池単位表面積あた
りの電流値（短絡電流；ｍ４／Ｃｍ２）を測定した。
りの電流値（短絡電流；ｍ４／Ｃｍ２）を測定した。
第１表に得られた測定結果を示す。表より明らかな様に
、凹凸形状を持つ酸化珪素被膜を用いた基板Ａ Ｏ、Ａ
、 ｌ ＋ Ａ、 ２が平滑な酸化珪素被膜を用いた基
板Ｂよりも大きな短絡電流値を示し、性能が向上してい
ることかわかる。
、凹凸形状を持つ酸化珪素被膜を用いた基板Ａ Ｏ、Ａ
、 ｌ ＋ Ａ、 ２が平滑な酸化珪素被膜を用いた基
板Ｂよりも大きな短絡電流値を示し、性能が向上してい
ることかわかる。
ここで上記実施例では基材として酸化珪素を含むカラス
を用い、又形状も１００ｍｍ×１００ｍｍとし、々几皿
■−扁≠、断賂酊■に９斤な。たが、【の酔什柱去姑第
／ 表 膜は、付着被膜であるので着色カラスをはじめとするそ
の他の力゛ラス板、プラスザック析、七うミックス飯な
どあらゆる材料を使用することができる。又形状も／
００ ｍ’ｍ Ｘ ／ ００ ｍｍに限らず大板化出来
、ヌ処理工程も酸化珪素の飽和状態が続く限り連続的Ｋ
Ｍ材を浸漬することかできる。
を用い、又形状も１００ｍｍ×１００ｍｍとし、々几皿
■−扁≠、断賂酊■に９斤な。たが、【の酔什柱去姑第
／ 表 膜は、付着被膜であるので着色カラスをはじめとするそ
の他の力゛ラス板、プラスザック析、七うミックス飯な
どあらゆる材料を使用することができる。又形状も／
００ ｍ’ｍ Ｘ ／ ００ ｍｍに限らず大板化出来
、ヌ処理工程も酸化珪素の飽和状態が続く限り連続的Ｋ
Ｍ材を浸漬することかできる。
ｆ 発明の効果
本発明によれば、大板形状の基材に簡単に凹凸の精度の
調整された凹凸形状を有する戯・化珪素被膜を形成する
ことができる。この様にして形成された凹凸形状を有す
る酸化珪素被服体は、基材が透明材料である場合は太陽
電池基板として、その第２図 特許庁長官殿 ／ 事件の表示 特願昭５９−３／／３９号 →’ＭＨｊ酬−□−一−シ ー 発明の名称 酸化珪素被膜の製造方法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪府大阪市東区道修町４丁目８番地名 称
（ｇｏｏ） 日本板硝子株式会社代表者 刺 賀 信
雄 グ代理人 ２ 補正の対象 明細、−１＝１２Ｎや簡単な説明」の
欄。
調整された凹凸形状を有する戯・化珪素被膜を形成する
ことができる。この様にして形成された凹凸形状を有す
る酸化珪素被服体は、基材が透明材料である場合は太陽
電池基板として、その第２図 特許庁長官殿 ／ 事件の表示 特願昭５９−３／／３９号 →’ＭＨｊ酬−□−一−シ ー 発明の名称 酸化珪素被膜の製造方法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪府大阪市東区道修町４丁目８番地名 称
（ｇｏｏ） 日本板硝子株式会社代表者 刺 賀 信
雄 グ代理人 ２ 補正の対象 明細、−１＝１２Ｎや簡単な説明」の
欄。
７ 補ｆｌヨの内容
明細占第１Ｓ頁７〜ざ行目に「第、２図は・−・電子顕
微鏡写真である。」とあるのを［第２図は実施例／によ
り得られた酸化珪素被膜に生成している略おわん形粒子
の構造を示す図面に代る電子顕微鏡写真である。１と補
正する。
微鏡写真である。」とあるのを［第２図は実施例／によ
り得られた酸化珪素被膜に生成している略おわん形粒子
の構造を示す図面に代る電子顕微鏡写真である。１と補
正する。
Claims (3)
- （１）基材を、珪弗化水素酸の酸化珪素飽和水溶液にホ
ウ酸を添加した処理液に浸漬することにより、該基材表
面上に酸化珪素被膜を製造する方法において、該処理液
中に酸化珪素のかたまりが浮遊し、かつ該処理液が浸漬
した基材表面で０．２〜ｇ、ＯＣｍ／ｍｉｎの速度で流
動する状態で該基材を処理液に浸漬させ、該基材表面に
凹凸形状を有する酸化珪素被膜を形成させることを特徴
とする酸化珪素被膜の製造方法。 - （２）該処理液の流動が浸漬した基材面に対して平行な
層流である特許請求の範囲第１項記載の酸化珪素被膜の
製造方法。 - （３）該処理液の流動が、処理液の流出操作および循環
操作によるものである特許請求の範囲第７項又（４）該
凹凸形状を有する酸化珪素被膜が直径３００〜５ｏｏｏ
Ｘｙ高さ２００〜３ｏｏｏＡの多数の凸部を有ず〜る膜
である特許請求の範囲第１項ないし第３項記載の酸化珪
素被膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59031139A JPS60176947A (ja) | 1984-02-21 | 1984-02-21 | 酸化珪素被膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59031139A JPS60176947A (ja) | 1984-02-21 | 1984-02-21 | 酸化珪素被膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60176947A true JPS60176947A (ja) | 1985-09-11 |
| JPH0413301B2 JPH0413301B2 (ja) | 1992-03-09 |
Family
ID=12323103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59031139A Granted JPS60176947A (ja) | 1984-02-21 | 1984-02-21 | 酸化珪素被膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60176947A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5114760A (en) * | 1989-04-01 | 1992-05-19 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method for manufacturing layer-built material with silicon dioxide film containing organic colorant and the layer-built material manufactured thereby |
| US5232781A (en) * | 1989-04-01 | 1993-08-03 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method for manufacturing layer-built material with silicon dioxide film containing organic colorant and the layer-built material manufactured thereby |
| US5326720A (en) * | 1990-10-25 | 1994-07-05 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method for producing silicon dioxide film which prevents escape of Si component to the environment |
| JP2005500702A (ja) * | 2001-08-23 | 2005-01-06 | パシフィック ソーラー ピー ティ ワイ リミテッド | ガラスビーズのコーティング方法 |
| JP2009515328A (ja) * | 2005-11-04 | 2009-04-09 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | ゲートに近接したコンタクト・ホールを有する半導体トランジスタ |
| JP2016528149A (ja) * | 2013-07-29 | 2016-09-15 | エージェンシー フォー サイエンス，テクノロジー アンド リサーチ | 超親水性コーティング |
-
1984
- 1984-02-21 JP JP59031139A patent/JPS60176947A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5114760A (en) * | 1989-04-01 | 1992-05-19 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method for manufacturing layer-built material with silicon dioxide film containing organic colorant and the layer-built material manufactured thereby |
| US5232781A (en) * | 1989-04-01 | 1993-08-03 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method for manufacturing layer-built material with silicon dioxide film containing organic colorant and the layer-built material manufactured thereby |
| US5326720A (en) * | 1990-10-25 | 1994-07-05 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method for producing silicon dioxide film which prevents escape of Si component to the environment |
| JP2005500702A (ja) * | 2001-08-23 | 2005-01-06 | パシフィック ソーラー ピー ティ ワイ リミテッド | ガラスビーズのコーティング方法 |
| JP2009515328A (ja) * | 2005-11-04 | 2009-04-09 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | ゲートに近接したコンタクト・ホールを有する半導体トランジスタ |
| US7985643B2 (en) | 2005-11-04 | 2011-07-26 | International Business Machines Corporation | Semiconductor transistors with contact holes close to gates |
| JP2016528149A (ja) * | 2013-07-29 | 2016-09-15 | エージェンシー フォー サイエンス，テクノロジー アンド リサーチ | 超親水性コーティング |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0413301B2 (ja) | 1992-03-09 |
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