JPS60165527A - 温度計測回路 - Google Patents
温度計測回路Info
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- JPS60165527A JPS60165527A JP2321884A JP2321884A JPS60165527A JP S60165527 A JPS60165527 A JP S60165527A JP 2321884 A JP2321884 A JP 2321884A JP 2321884 A JP2321884 A JP 2321884A JP S60165527 A JPS60165527 A JP S60165527A
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- JP
- Japan
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- temperature
- circuit
- linearizer
- thermistors
- bridge circuit
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
- G01K1/02—Means for indicating or recording specially adapted for thermometers
- G01K1/026—Means for indicating or recording specially adapted for thermometers arrangements for monitoring a plurality of temperatures, e.g. by multiplexing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
- G01K7/24—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor in a specially-adapted circuit, e.g. bridge circuit
- G01K7/25—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor in a specially-adapted circuit, e.g. bridge circuit for modifying the output characteristic, e.g. linearising
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はサーミスタのような温度抵抗変化素子を抵抗
変化検出用のブリッジ回路に対して順次切り換え接続し
ながら、ブリ・ンジ回路力瓢らの出力をリニアライザで
線形化させて温度を測定する温度計測回路に関するもの
である。
変化検出用のブリッジ回路に対して順次切り換え接続し
ながら、ブリ・ンジ回路力瓢らの出力をリニアライザで
線形化させて温度を測定する温度計測回路に関するもの
である。
従来のこの種の計測回路として、第１図に示すものがあ
った。図において、（１） 、 （２） 、 Ｃ１１）
は温度センサとしてのサーミスタであり、それぞれ集積
回路で構成されたマルチプレクサ（４）の入力側に接続
されており、またマルチプレクサ＋４＞の出力側は一括
して抵抗変化検出用ブリッジ回路（ロ）に接続されてい
る。上記ブリッジ回路−は、互に直列接続された固定抵
抗器（５）、可変抵抗！！Ｓ ｆ６］および固定抵抗器
（７）で構成される一辺と、上記サーミスタ（１）〜（
８）のうちいづれか１個と固定抵抗器（８）とで構成さ
れる他辺とでブリッジを構成している。
った。図において、（１） 、 （２） 、 Ｃ１１）
は温度センサとしてのサーミスタであり、それぞれ集積
回路で構成されたマルチプレクサ（４）の入力側に接続
されており、またマルチプレクサ＋４＞の出力側は一括
して抵抗変化検出用ブリッジ回路（ロ）に接続されてい
る。上記ブリッジ回路−は、互に直列接続された固定抵
抗器（５）、可変抵抗！！Ｓ ｆ６］および固定抵抗器
（７）で構成される一辺と、上記サーミスタ（１）〜（
８）のうちいづれか１個と固定抵抗器（８）とで構成さ
れる他辺とでブリッジを構成している。
上記ブリッジ回路−のブリッジ中間点（可変抵抗器（６
）の中点およびサーミスタ（１１〜（８）と固定抵抗器
（８）の接続点）はプリアンプ（９）の入力端子に接続
され、またプリアンプ（９）の出力端子はりニアライザ
叫を介してアナログ／ディジタｌしく以下、Ａ／Ｄと略
称する）変換器（１１）に接続されている。興は制御装
置、たとえばマイクロコンピュータで、上記Ａ ／ Ｄ
変換器（１１）とマルチプレクサ（４）に接１洸されて
いる。なお、上記ブリツレ回路−の各抵抗器（５）〜（
８）には、抵抗変化な゛電圧変化に変換するために供給
電圧ｖＢが印加されている。
）の中点およびサーミスタ（１１〜（８）と固定抵抗器
（８）の接続点）はプリアンプ（９）の入力端子に接続
され、またプリアンプ（９）の出力端子はりニアライザ
叫を介してアナログ／ディジタｌしく以下、Ａ／Ｄと略
称する）変換器（１１）に接続されている。興は制御装
置、たとえばマイクロコンピュータで、上記Ａ ／ Ｄ
変換器（１１）とマルチプレクサ（４）に接１洸されて
いる。なお、上記ブリツレ回路−の各抵抗器（５）〜（
８）には、抵抗変化な゛電圧変化に変換するために供給
電圧ｖＢが印加されている。
つぎ［動作について説明する。
マイタロコンピュータ図１４フルチプレクサ（４）にサ
ーミスタ（１）〜（３）のスキャニング信号を順次出力
する。温度センサーであるサーミスタ（１）〜（８）の
抵抗変化はマルチプレクサ（４）を介して抵抗変化検出
用ブリッジ回路帆時に伝達され、該ブリッジ回路（ロ）
で電圧信号に変換された後、プリアンプ（９）に差動入
力として入力される。サーミスタ（１）〜（３）の温度
−抵抗変化は非線形であるために・プリアンプ（９）の
出力をりニアライザα旬が線形化してＡ／Ｄ変換器１ｉ
ｌｌ Ｇこ入力する。マイクロコンピュータ１１２Ｈｄ
マルチプレクサ（４）にスキャニング信号を出力した後
、Ａ ／ Ｄ変換器（１１）にスタート信号を出し、Ａ
／ Ｄ変換器 （１Ｆ１ ＆こよってディジタル値に
変換された数値を取り込む。
ーミスタ（１）〜（３）のスキャニング信号を順次出力
する。温度センサーであるサーミスタ（１）〜（８）の
抵抗変化はマルチプレクサ（４）を介して抵抗変化検出
用ブリッジ回路帆時に伝達され、該ブリッジ回路（ロ）
で電圧信号に変換された後、プリアンプ（９）に差動入
力として入力される。サーミスタ（１）〜（３）の温度
−抵抗変化は非線形であるために・プリアンプ（９）の
出力をりニアライザα旬が線形化してＡ／Ｄ変換器１ｉ
ｌｌ Ｇこ入力する。マイクロコンピュータ１１２Ｈｄ
マルチプレクサ（４）にスキャニング信号を出力した後
、Ａ ／ Ｄ変換器（１１）にスタート信号を出し、Ａ
／ Ｄ変換器 （１Ｆ１ ＆こよってディジタル値に
変換された数値を取り込む。
従来の温度計測回路は以上のように構成されているため
、同種類のサーミスタを順次スキャニング１−で多点温
度計測を行なう場合には正常に動作するが、異種類のサ
ーミスタを使用して広範囲な温度を測定しようとすると
、１つのりニアライザ１１０）では対応できず−したが
って広範囲の温度幅の測定は不可能であるという欠点を
有していた。
、同種類のサーミスタを順次スキャニング１−で多点温
度計測を行なう場合には正常に動作するが、異種類のサ
ーミスタを使用して広範囲な温度を測定しようとすると
、１つのりニアライザ１１０）では対応できず−したが
って広範囲の温度幅の測定は不可能であるという欠点を
有していた。
而して、一般に、１梱傾のサーミスタで測定で色る温度
範囲は約１５０℃である。市販のサーミスタを例にとる
と、６にΩ（０℃）のサーミスタは使用温度範囲が一５
０℃〜＋１００℃、６にΩ（１００℃）のサーミスタは
使用温度範囲が＋５０℃〜＋２００℃であり、それぞれ
使用温度範囲が異なる。このため異種類のサーミスタを
組み合わせ使用しなければ広範囲な温度幅の測定は不可
能である。
範囲は約１５０℃である。市販のサーミスタを例にとる
と、６にΩ（０℃）のサーミスタは使用温度範囲が一５
０℃〜＋１００℃、６にΩ（１００℃）のサーミスタは
使用温度範囲が＋５０℃〜＋２００℃であり、それぞれ
使用温度範囲が異なる。このため異種類のサーミスタを
組み合わせ使用しなければ広範囲な温度幅の測定は不可
能である。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、温度抵抗変化素子の種類が変って
もリニアライザに入力する信号幅を一定にして、線形化
した後に温度抵抗変化素子のｍｔｌＱ：＆こ異なったバ
イアス補正を行なうことにより、１つのプリアンプと１
つのりニアライザで異種類の温度抵抗変化素子を混在し
て使用することが可能となり、測定レンジを拡大できる
温度計測回路を提供することを目的としている。
めになされたもので、温度抵抗変化素子の種類が変って
もリニアライザに入力する信号幅を一定にして、線形化
した後に温度抵抗変化素子のｍｔｌＱ：＆こ異なったバ
イアス補正を行なうことにより、１つのプリアンプと１
つのりニアライザで異種類の温度抵抗変化素子を混在し
て使用することが可能となり、測定レンジを拡大できる
温度計測回路を提供することを目的としている。
第２図はこの発明に係る温度計測回路の一例を示すもの
である。
である。
同図において、 ｉｌ＋ 、（２）、（３）は温度抵抗
変化素子たとえばサーミスタであり、それぞれ第１の切
換手段、たとえばマルチプレクサ（４）の入力側（に接
続されており、ま？：［１のマルチプレクサ（４）の出
力画は一括して抵抗変化検出用ブリッジ回路ｒ２００）
に接続されている。上記ブリッジ回路（２００）は、互
に直列接続された固定抵抗器（５）、可変抵抗１１ ［
６）および固定抵抗器（７）で構成される一辺と、サー
ミスタ（１）〜（８）のうちのいづれか１個と複数の固
定抵抗１ｌ（８１）〜（８，）のいづれか１個とで構成
される他辺とでブリッジを構成している。上記各固定抵
抗器（８，）〜（＆）の他端は第２の切換手段、たとえ
ばマｌレチプレクサ（１Ｂ）を介して接地されている。
変化素子たとえばサーミスタであり、それぞれ第１の切
換手段、たとえばマルチプレクサ（４）の入力側（に接
続されており、ま？：［１のマルチプレクサ（４）の出
力画は一括して抵抗変化検出用ブリッジ回路ｒ２００）
に接続されている。上記ブリッジ回路（２００）は、互
に直列接続された固定抵抗器（５）、可変抵抗１１ ［
６）および固定抵抗器（７）で構成される一辺と、サー
ミスタ（１）〜（８）のうちのいづれか１個と複数の固
定抵抗１ｌ（８１）〜（８，）のいづれか１個とで構成
される他辺とでブリッジを構成している。上記各固定抵
抗器（８，）〜（＆）の他端は第２の切換手段、たとえ
ばマｌレチプレクサ（１Ｂ）を介して接地されている。
上記ブリッジ回路（２００１のブリッジ中間点（可変抵
抗器（６）の中点およびサーミスタ（１） −＝ （ａ
）と固定抵抗器（８ｔ）〜（８Ｓ）の接続点）はプリア
ンプ（９）の入力端子に接続され、またプリアンプ（９
）の出力端子はプログラムゲインアンプ（２）を介して
リニアライ−ｔＰ＋ｎに接続されている。リニアライザ
（１０）の出力端子はバイアス補正回路（１５）を介し
てＡ、 ／ ｐ変換Ｈｇ ｔＪｌｔへ接続されている。
抗器（６）の中点およびサーミスタ（１） −＝ （ａ
）と固定抵抗器（８ｔ）〜（８Ｓ）の接続点）はプリア
ンプ（９）の入力端子に接続され、またプリアンプ（９
）の出力端子はプログラムゲインアンプ（２）を介して
リニアライ−ｔＰ＋ｎに接続されている。リニアライザ
（１０）の出力端子はバイアス補正回路（１５）を介し
てＡ、 ／ ｐ変換Ｈｇ ｔＪｌｔへ接続されている。
Ｑ２）は制御装置、たとえばマイクロコンピュータであ
り、マルチプレクサ（４）、（至）、プログラムゲイン
了ンブ圓、バイアス補正回路１１５＞およびＡ ／ Ｄ
変換′＃ｒｔａに接続されている。なお、王妃ブリッジ
回路（２００）の各抵抗器（５）〜（７）ならびに抵抗
器（８１）〜（８３）には、抵抗変化を′邂圧変化Ｇこ
変換するために供給電圧ｖＢが印加されている。
り、マルチプレクサ（４）、（至）、プログラムゲイン
了ンブ圓、バイアス補正回路１１５＞およびＡ ／ Ｄ
変換′＃ｒｔａに接続されている。なお、王妃ブリッジ
回路（２００）の各抵抗器（５）〜（７）ならびに抵抗
器（８１）〜（８３）には、抵抗変化を′邂圧変化Ｇこ
変換するために供給電圧ｖＢが印加されている。
つぎに動作について説明する。
マイクロコンピュータ（至）は第１のマルチブレクサ（
４）にサーミスタ（１）〜（Ｂ）のスキャニング信号を
順次出力するが、このスキャニング信号は同時に第２の
マμチプレクサｔｌ場にも入力されて抵抗変化検出用ブ
リッジ回路（２００）の抵抗器（８１）〜（８１）を切
り換える。この抵抗変化検出用ブリッジ回路（２００）
の抵抗１１！（８＋）〜（８ｍ）を切り換える理由は−
サーミスタの種類が変っても温度−出力特性曲線が七ン
タでクロスするように、各サーミスタの特性曲線を同一
にし１つのりニアライザで直線化可能にするためである
。
４）にサーミスタ（１）〜（Ｂ）のスキャニング信号を
順次出力するが、このスキャニング信号は同時に第２の
マμチプレクサｔｌ場にも入力されて抵抗変化検出用ブ
リッジ回路（２００）の抵抗器（８１）〜（８１）を切
り換える。この抵抗変化検出用ブリッジ回路（２００）
の抵抗１１！（８＋）〜（８ｍ）を切り換える理由は−
サーミスタの種類が変っても温度−出力特性曲線が七ン
タでクロスするように、各サーミスタの特性曲線を同一
にし１つのりニアライザで直線化可能にするためである
。
固定抵抗器（８１）〜（８３）の定数決定はっぎのよう
にしてめられる。
にしてめられる。
サーミスタの抵抗値Ｒは温度の関数となり〜一般に（１
）式で示される。
）式で示される。
Ｒ−＝ＲｏｅｘｐＢ（１／Ｔ ｊ／Ｔｏ）−（１）Ｒ：
任意の温度ＴＣＫ〕における抵抗値Ｔ：任意の温度〔Ｋ
〕 Ｒｏ二二基色なる温度ＴｏＣＫ）における抵抗値Ｔｏ＝
基準となる温度［Ｋ’） Ｂ：定数 ここで、基本回路を第５図体）に示す。これは、電圧ｖ
ｂの直流電源０呻とサーミスタα７）、抵抗器（至）が
直列に接続された回路である。この回路においては、温
度が上昇すると、サーミスタ０ηの抵抗値カ減少し、出
力電圧１６ｕＴは上昇する特性になる。
任意の温度ＴＣＫ〕における抵抗値Ｔ：任意の温度〔Ｋ
〕 Ｒｏ二二基色なる温度ＴｏＣＫ）における抵抗値Ｔｏ＝
基準となる温度［Ｋ’） Ｂ：定数 ここで、基本回路を第５図体）に示す。これは、電圧ｖ
ｂの直流電源０呻とサーミスタα７）、抵抗器（至）が
直列に接続された回路である。この回路においては、温
度が上昇すると、サーミスタ０ηの抵抗値カ減少し、出
力電圧１６ｕＴは上昇する特性になる。
たとえばサーミスタ毎つとして、Ｊ工Ｓ規格の素子互換
形！１０にΩ（０℃）を使用し、０〜１００℃の温度幅
で具体的に検討してみると、凡。ＨＴ＝ＶｂＸＲ１１／
（Ｔｈ＋Ｒ８）となるａ（Ｔｈはサーミスタαηの抵抗
値、Ｒｇは抵抗器（ホ）の抵抗値を示す）しかし・温度
とサーミスタαηの抵抗値との間には、（１）式で示し
たような非線影特性があるので、直線性の改善を図るた
めに第４図に示す温度−出力特性曲線がθ℃、５０℃、
１ｏｏ℃の３点をとおるような抵抗器（２））の抵抗値
Ｒｓをめる。
形！１０にΩ（０℃）を使用し、０〜１００℃の温度幅
で具体的に検討してみると、凡。ＨＴ＝ＶｂＸＲ１１／
（Ｔｈ＋Ｒ８）となるａ（Ｔｈはサーミスタαηの抵抗
値、Ｒｇは抵抗器（ホ）の抵抗値を示す）しかし・温度
とサーミスタαηの抵抗値との間には、（１）式で示し
たような非線影特性があるので、直線性の改善を図るた
めに第４図に示す温度−出力特性曲線がθ℃、５０℃、
１ｏｏ℃の３点をとおるような抵抗器（２））の抵抗値
Ｒｓをめる。
ｘＯＵＴｅ４ｘ ２ ＝ ＢｏａＴ■）十１ＯＵＴ−の
関係から・上記抵抗値Ｒ１は（２）式となる。
関係から・上記抵抗値Ｒ１は（２）式となる。
２ Ｔｈ１４−Ｔｈ＠ｌ−Ｔｈ （０）上式にサーミス
タ（ロ）の抵抗値Ｔｈを代入すると、Ｒｔｒ＝５．５２
２にΩ となる。０℃の値がＯｖとなるようなバイアス
電圧を発生させるため、第５図（Ｂ）の回路を使用し、
抵抗器（至）の抵抗値Ｒｓ とサーミスタ０ηの抵抗値
Ｔｈ（Ｑ）の比率と同じ２本の抵抗器（ロ）。
タ（ロ）の抵抗値Ｔｈを代入すると、Ｒｔｒ＝５．５２
２にΩ となる。０℃の値がＯｖとなるようなバイアス
電圧を発生させるため、第５図（Ｂ）の回路を使用し、
抵抗器（至）の抵抗値Ｒｓ とサーミスタ０ηの抵抗値
Ｔｈ（Ｑ）の比率と同じ２本の抵抗器（ロ）。
（財）を使用して、出力電圧ＥｉＯＵＴ を取り出すと
、第４図に示した温度−出力特性曲線となる。
、第４図に示した温度−出力特性曲線となる。
上記の計算方法により・サーミスタの種類毎に抵抗器（
財）の抵抗値をめて第２図の抵抗変化検出用ブリッジ回
路（２００）・における抵抗器（８＋、）、（８ｚ）・
・・、 （３，３として使用する。
財）の抵抗値をめて第２図の抵抗変化検出用ブリッジ回
路（２００）・における抵抗器（８＋、）、（８ｚ）・
・・、 （３，３として使用する。
第２図において、抵抗愛化険出用ブリッジ回路（２００
）の出力はプリアンプ（９）に入力され、ここで増幅さ
れてプログラムゲインアンプＱ４に入力すれる。サーミ
スタ（１）〜（８）と抵抗器（８Ｉ）〜（８８）を組み
合わせた場合のスパン幅（サーミスタの使用温度幅１５
０℃の変化幅によってプリアンプ（９）の出力がいくら
変化するか）が組み合わせ毎に異なるので、同一のスパ
ン幅にしてリニアライザ叫へ入力するために、プログラ
ムゲインアンプ−が必要トなる。
）の出力はプリアンプ（９）に入力され、ここで増幅さ
れてプログラムゲインアンプＱ４に入力すれる。サーミ
スタ（１）〜（８）と抵抗器（８Ｉ）〜（８８）を組み
合わせた場合のスパン幅（サーミスタの使用温度幅１５
０℃の変化幅によってプリアンプ（９）の出力がいくら
変化するか）が組み合わせ毎に異なるので、同一のスパ
ン幅にしてリニアライザ叫へ入力するために、プログラ
ムゲインアンプ−が必要トなる。
リニアライザ叫で線形化された出力電圧はバイアス補正
回路（至）へ入力される。バイアス補正回路Ｏ均はサー
ミスタ（１）〜（８）の使用最下限温度毎のバイアス値
を補正してその出力をＡ／Ｄ変換器Ｕυへ入力する。た
とえば、Ａ ／ Ｄ変換器（１１）が−１００℃〜＋５
００℃まで測定できるとすると、サーミスタとして、Ｔ
Ｉ８規格素子互換形３０にΩ（０℃）を使用すると、使
用範囲がＤ℃〜＋１５０℃であるので、使用する場合に
際しては、１００℃に相当する電圧値をバイアス補正し
てＡ ／ Ｄ変換器αｌ）へ入力する。これはＡ ／
Ｄ変換器（１）への入力がＯｖの場合、−１００℃と変
換するので、０℃〜＋１５０℃のサーミスタを使用する
と、抵抗変化検出用ブリッジ回路（２００）の出力がＯ
Ｖの時０℃としなければならないので、−１００℃と０
℃の差１００℃分のバイアス補正を行なうものである。
回路（至）へ入力される。バイアス補正回路Ｏ均はサー
ミスタ（１）〜（８）の使用最下限温度毎のバイアス値
を補正してその出力をＡ／Ｄ変換器Ｕυへ入力する。た
とえば、Ａ ／ Ｄ変換器（１１）が−１００℃〜＋５
００℃まで測定できるとすると、サーミスタとして、Ｔ
Ｉ８規格素子互換形３０にΩ（０℃）を使用すると、使
用範囲がＤ℃〜＋１５０℃であるので、使用する場合に
際しては、１００℃に相当する電圧値をバイアス補正し
てＡ ／ Ｄ変換器αｌ）へ入力する。これはＡ ／
Ｄ変換器（１）への入力がＯｖの場合、−１００℃と変
換するので、０℃〜＋１５０℃のサーミスタを使用する
と、抵抗変化検出用ブリッジ回路（２００）の出力がＯ
Ｖの時０℃としなければならないので、−１００℃と０
℃の差１００℃分のバイアス補正を行なうものである。
このようにして使用温度範囲の異なるサーミスタを混在
して使用してもサーミスタ毎に抵抗値（８１）〜（８ｍ
）の値を切り換え、プログラムゲインアンプ（２）でス
パン幅を同一にし、バイアス補正回路（５）で使用最下
限温度のバイアス補正をすると、広い温度範囲に渡って
計測することが可能となる。
して使用してもサーミスタ毎に抵抗値（８１）〜（８ｍ
）の値を切り換え、プログラムゲインアンプ（２）でス
パン幅を同一にし、バイアス補正回路（５）で使用最下
限温度のバイアス補正をすると、広い温度範囲に渡って
計測することが可能となる。
なお・上記実施例では、マイクロコンピュータ（（２）
からの信号による多点切換え手段としてマｌレチブレク
サ（４）ａ （’３）を使用しているが、これに限定さ
れるものではなく、たとえばリレー接点を用いても同じ
効果を有する。また、上記温度抵抗変化素子は上記サー
ミスタ（１）〜（３）に限定されるものではなく−さら
にその数も適宜変更できるものである。
からの信号による多点切換え手段としてマｌレチブレク
サ（４）ａ （’３）を使用しているが、これに限定さ
れるものではなく、たとえばリレー接点を用いても同じ
効果を有する。また、上記温度抵抗変化素子は上記サー
ミスタ（１）〜（３）に限定されるものではなく−さら
にその数も適宜変更できるものである。
以上のようにこの発明によれば・温度抵抗変化素子の種
類が変わっても抵抗変化検出用ブリッジ回路の抵抗値を
“切り換えて温度−出力特性曲線を同一傾向にし、スパ
ン幅調整の後に線形化するために、１個のりニアライザ
で対応でき、しかも、バイアス補正回路で上記温度抵抗
変化素子毎の使用最下限温度のバイアス補正を行なうか
ら、測定温度範囲の広い１個のＡ ／ Ｄ変換器でもっ
て、各種の温度抵抗変化素子を切換えて温度計測でき、
したがって安価で精度のよい温度計測回路を提供するこ
とができる。
類が変わっても抵抗変化検出用ブリッジ回路の抵抗値を
“切り換えて温度−出力特性曲線を同一傾向にし、スパ
ン幅調整の後に線形化するために、１個のりニアライザ
で対応でき、しかも、バイアス補正回路で上記温度抵抗
変化素子毎の使用最下限温度のバイアス補正を行なうか
ら、測定温度範囲の広い１個のＡ ／ Ｄ変換器でもっ
て、各種の温度抵抗変化素子を切換えて温度計測でき、
したがって安価で精度のよい温度計測回路を提供するこ
とができる。
第１図は従来の温度計測回路の構成図、第２図はこの発
明に係る温度計測回路の一例を示す構成図、第６図（４
）はサーミスタの直線化のためにサーミスタと直例に挿
入する抵抗の値を算出するための原理説明用の電気回路
図、第６図（Ｂ）は同図（Ａ）の応用回路で・サーミス
タが任意の温度においてブリッジの出力電圧１０σＴが
Ｏｖとなる様にする回路であり、また第４図は第６図（
Ｂ）に示す回路の温度−出力特性図である。 （１） 、 （２１、（８）・・・温度抵抗変化素子、
＋４） 、 （１８）・・・切換手段、叫・・・リニア
ライザ、（２）・・・プログラムゲインアンプ、（至）
・・・バイアス補正回路、（２００）・・・抵抗変化検
出用ブリッジ回路。 なお、図中同一符号は同一もしくは相当部分を示す。 代理人大岩増雄
明に係る温度計測回路の一例を示す構成図、第６図（４
）はサーミスタの直線化のためにサーミスタと直例に挿
入する抵抗の値を算出するための原理説明用の電気回路
図、第６図（Ｂ）は同図（Ａ）の応用回路で・サーミス
タが任意の温度においてブリッジの出力電圧１０σＴが
Ｏｖとなる様にする回路であり、また第４図は第６図（
Ｂ）に示す回路の温度−出力特性図である。 （１） 、 （２１、（８）・・・温度抵抗変化素子、
＋４） 、 （１８）・・・切換手段、叫・・・リニア
ライザ、（２）・・・プログラムゲインアンプ、（至）
・・・バイアス補正回路、（２００）・・・抵抗変化検
出用ブリッジ回路。 なお、図中同一符号は同一もしくは相当部分を示す。 代理人大岩増雄
Claims (1)
- （１）、複数の温度抵抗変化素子の抵抗変化検出用のブ
リッジ回路に対して上記複数の温度抵抗変化素子を順次
的に切換接続し、上記ブリッジ回路からの出力をリニア
ライザで線形化して温度を測定する温度計測回路におい
て、上記ブリッジ回路の抵抗比とともに温度抵抗変化素
子の種類毎に増幅率が切換えられて上記リニアライザへ
の入力信号を一定にさせるプログラムゲインアンプを上
記ブリッジ回路とりニアライザとの間に介挿接続し・上
配温度抵抗変化素子毎の鰻下限温度のバイアス補正を行
なうバイアス補正向路を上記リニアライザの後段に接続
したことを特徴とする温度計測回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2321884A JPS60165527A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 温度計測回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2321884A JPS60165527A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 温度計測回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60165527A true JPS60165527A (ja) | 1985-08-28 |
Family
ID=12104514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2321884A Pending JPS60165527A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 温度計測回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60165527A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63152222A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-24 | Ikegai Gosu Kk | 自動感度切換計数回路 |
| US5224777A (en) * | 1991-04-23 | 1993-07-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cryogenic measurement equipment |
| JPH05296853A (ja) * | 1992-04-21 | 1993-11-12 | Shimadzu Corp | 温度測定回路 |
| EP0710823A1 (en) * | 1991-04-23 | 1996-05-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cryogenic measurement equipment |
| JP2007085798A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 温度の測定装置 |
| US7661879B2 (en) * | 2005-11-09 | 2010-02-16 | Hynix Semiconductor Inc. | Apparatus for detecting temperature using transistors |
-
1984
- 1984-02-08 JP JP2321884A patent/JPS60165527A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63152222A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-24 | Ikegai Gosu Kk | 自動感度切換計数回路 |
| US5224777A (en) * | 1991-04-23 | 1993-07-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cryogenic measurement equipment |
| EP0710823A1 (en) * | 1991-04-23 | 1996-05-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cryogenic measurement equipment |
| JPH05296853A (ja) * | 1992-04-21 | 1993-11-12 | Shimadzu Corp | 温度測定回路 |
| JP2007085798A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 温度の測定装置 |
| US7661879B2 (en) * | 2005-11-09 | 2010-02-16 | Hynix Semiconductor Inc. | Apparatus for detecting temperature using transistors |
| US8210744B2 (en) | 2005-11-09 | 2012-07-03 | Hynix Semiconductor Inc. | Apparatus for detecting temperature using transistors |
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