JPS60161621A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS60161621A JPS60161621A JP59017591A JP1759184A JPS60161621A JP S60161621 A JPS60161621 A JP S60161621A JP 59017591 A JP59017591 A JP 59017591A JP 1759184 A JP1759184 A JP 1759184A JP S60161621 A JPS60161621 A JP S60161621A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、凹凸の大きな半導体基板上に微細なレジスト
パターンを寸法精度良く形成するだめの多層構造レジス
トプロセスの下層有機層の形成に関するものである。
パターンを寸法精度良く形成するだめの多層構造レジス
トプロセスの下層有機層の形成に関するものである。
従来例の構成とその問題点
凹凸の大きな半導体基板上に微細なレジストパターンを
形成するため、有機層を回転塗布し、下地の凹凸を平坦
化した後、低温形成可能な無機薄膜を形成し、その後前
記無機薄膜並びに前記有機層に対し、それぞれ、通常の
リソグラフィ一工程を行う、いわゆる、多層構造レジス
トプロセスが用いられる。下地の凹凸を平坦化するだめ
の有機層として、フェノールノボラック樹脂系のホトレ
ジストが良く用いられるが、下地の凹凸を完全に平坦化
することは難しく、特に下地パターンの密度が小さい場
合、熱処理だけでは完全な平坦化は不可能であった。
形成するため、有機層を回転塗布し、下地の凹凸を平坦
化した後、低温形成可能な無機薄膜を形成し、その後前
記無機薄膜並びに前記有機層に対し、それぞれ、通常の
リソグラフィ一工程を行う、いわゆる、多層構造レジス
トプロセスが用いられる。下地の凹凸を平坦化するだめ
の有機層として、フェノールノボラック樹脂系のホトレ
ジストが良く用いられるが、下地の凹凸を完全に平坦化
することは難しく、特に下地パターンの密度が小さい場
合、熱処理だけでは完全な平坦化は不可能であった。
発明の目的
本発明は、上記の問題点の解決を図ったものであり、下
層有機層にたとえばフェノールノボラック樹脂系のホト
レジストを用い、回転塗布した後、紫外線を全面に照射
し、感光基を十分反応させることで耐熱性を低下させ、
この性質を利用して、半導体基板上の凹凸を完全に平坦
化することの可能な半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
層有機層にたとえばフェノールノボラック樹脂系のホト
レジストを用い、回転塗布した後、紫外線を全面に照射
し、感光基を十分反応させることで耐熱性を低下させ、
この性質を利用して、半導体基板上の凹凸を完全に平坦
化することの可能な半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
発明の構成
本発明の多層構造レジストプロセスは、半導体基板上の
凹凸部を平坦化するだめ、まず、たとえばフェノールノ
ボラック樹脂系のホトレジストを回転塗布し、その後、
これに紫外光を全面照射し、たとえば２００°Ｃ以上の
熱処理を施こして、同面の凹凸を完全に平坦化した後、
無機薄膜を低温形成する工程をそなえたものであり、し
かる後、通常のホトリソグラフィ一工程を行うことによ
り、ｌ構造レジストプロセスで、高精度、微細パターン
形成を達成するものである。
凹凸部を平坦化するだめ、まず、たとえばフェノールノ
ボラック樹脂系のホトレジストを回転塗布し、その後、
これに紫外光を全面照射し、たとえば２００°Ｃ以上の
熱処理を施こして、同面の凹凸を完全に平坦化した後、
無機薄膜を低温形成する工程をそなえたものであり、し
かる後、通常のホトリソグラフィ一工程を行うことによ
り、ｌ構造レジストプロセスで、高精度、微細パターン
形成を達成するものである。
実施例の説明
本発明による多層構造レジストプロセスの下層となると
ころの有機層の形成方法を実施例をもって以下に説明す
る。第１図は下地凹凸パターンの密度が異なる基板１上
に、フェノールノボラック樹脂系のホトレジスト２を約
２μ〃ｚの厚さになるよう回転塗布する。この時点では
パターン密度が小さい部分での完全な下地凹凸の平坦化
はできていない。
ころの有機層の形成方法を実施例をもって以下に説明す
る。第１図は下地凹凸パターンの密度が異なる基板１上
に、フェノールノボラック樹脂系のホトレジスト２を約
２μ〃ｚの厚さになるよう回転塗布する。この時点では
パターン密度が小さい部分での完全な下地凹凸の平坦化
はできていない。
この後、波長域が３９０〜４５０ｎｍの紫外光を全面照
射し、ホトレジスト２中の感光基を十分反応させた後、
２ｏｏ°Ｃ３０分の加熱処理を施こし、同レジスト２を
十分フローさせ、下地凹凸を平坦化した後の断面構造を
第２図に示しだ。
射し、ホトレジスト２中の感光基を十分反応させた後、
２ｏｏ°Ｃ３０分の加熱処理を施こし、同レジスト２を
十分フローさせ、下地凹凸を平坦化した後の断面構造を
第２図に示しだ。
このように、フェノールノボラック樹脂系のホトレジス
ト２に紫外光を全面照射することで、レジストの耐熱性
を低下させ、後に熱処理を加えることで、下地の凹凸部
は、パターン密度に関係なく平坦化でき、これを多層構
造レジストプロセスの下層有機層に用いることで、上層
レジストからのパターン転写を、非常に精度良く行うこ
とが可能になる。
ト２に紫外光を全面照射することで、レジストの耐熱性
を低下させ、後に熱処理を加えることで、下地の凹凸部
は、パターン密度に関係なく平坦化でき、これを多層構
造レジストプロセスの下層有機層に用いることで、上層
レジストからのパターン転写を、非常に精度良く行うこ
とが可能になる。
発明の効果
以上、本発明によると、多層構造レジストプロセスの下
層有機層に、たとえばフェノールノボランク樹脂系のホ
トレジストを用いて、下地凹凸のパターン密度に関係な
く、その表面の平坦化が可能となり、安定した多層構造
レジストプロセスを提供し得るものである。
層有機層に、たとえばフェノールノボランク樹脂系のホ
トレジストを用いて、下地凹凸のパターン密度に関係な
く、その表面の平坦化が可能となり、安定した多層構造
レジストプロセスを提供し得るものである。
第１図および第２図は本発明実施例の工程順断面図であ
る。 １・・・・・凹凸のある半導体基板、２・・・・・・フ
ェノールノボラック樹脂系ホトレジスト。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
る。 １・・・・・凹凸のある半導体基板、２・・・・・・フ
ェノールノボラック樹脂系ホトレジスト。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
Claims (3)
- （１）半導体基板上に多層構造レジストプロセスの下層
として、ホトレジスト層を回転塗布で形成した後、前記
半導体基板主表面全領域に紫外光を照射し、しかる後、
２００°Ｃ以上の熱処理を加える工程をそなえた半導体
装置の製造方法。 - （２）下層ホトレジスト層が、フェノールノボラック樹
脂系のポジ型ホトレジストであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項に記載の半導体装置の製造方法。 - （３）下ｔジスｂ照射する紫外光が３９０〜４６０ ｎ
ｍの範囲であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
もしくは第２項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59017591A JPS60161621A (ja) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59017591A JPS60161621A (ja) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60161621A true JPS60161621A (ja) | 1985-08-23 |
| JPH0244140B2 JPH0244140B2 (ja) | 1990-10-02 |
Family
ID=11948137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59017591A Granted JPS60161621A (ja) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60161621A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6266630A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6286823A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 微細パタ−ン形成方法 |
| JPH05210243A (ja) * | 1991-09-27 | 1993-08-20 | Siemens Ag | ボトムレジストの製造方法 |
| US6514663B1 (en) | 1999-04-28 | 2003-02-04 | Infineon Technologies Ag | Bottom resist |
| US8220654B2 (en) | 2008-01-31 | 2012-07-17 | Aisan Kogyo Kabushiki Kaisha | Fuel tank structure |
-
1984
- 1984-02-01 JP JP59017591A patent/JPS60161621A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6266630A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6286823A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 微細パタ−ン形成方法 |
| JPH05210243A (ja) * | 1991-09-27 | 1993-08-20 | Siemens Ag | ボトムレジストの製造方法 |
| US6514663B1 (en) | 1999-04-28 | 2003-02-04 | Infineon Technologies Ag | Bottom resist |
| US8220654B2 (en) | 2008-01-31 | 2012-07-17 | Aisan Kogyo Kabushiki Kaisha | Fuel tank structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0244140B2 (ja) | 1990-10-02 |
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