JPS60160181A - アモルフアス太陽電池 - Google Patents
アモルフアス太陽電池Info
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- JPS60160181A JPS60160181A JP59016211A JP1621184A JPS60160181A JP S60160181 A JPS60160181 A JP S60160181A JP 59016211 A JP59016211 A JP 59016211A JP 1621184 A JP1621184 A JP 1621184A JP S60160181 A JPS60160181 A JP S60160181A
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- solar cell
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- amorphous
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 3
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
- H01L31/076—Multiple junction or tandem solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はアモルファス太陽電池に関するものである。
一般に太陽電池は単体の１１で使用さ５れることはなく
、複数のセルを直列または直並列に接続したモジュール
の形態で使用されるのが通常である。
、複数のセルを直列または直並列に接続したモジュール
の形態で使用されるのが通常である。
これは１つのセルの出力電圧が、セルの材質によっても
異なるが、０．４〜１．０Ｖ程度であって低く、単体の
ままでは使用しにくいからである。そしてこの直列接続
されたモジュールにおいて、これを構成するところの個
々のセルはダイオードであるから、次に述べるような問
題点を有する。
異なるが、０．４〜１．０Ｖ程度であって低く、単体の
ままでは使用しにくいからである。そしてこの直列接続
されたモジュールにおいて、これを構成するところの個
々のセルはダイオードであるから、次に述べるような問
題点を有する。
すなわち、モジュールが部分的に遮光されて、雪の部分
のセルが発電を停止したとき、他の遮光されずに発電し
ているセルの全電圧が単バイアスとなって、この発電を
停止したセルに掛かつてくる。具体的に述べると、１０
個直列でＩＯＶの出力電圧をもつモジュールの１０個の
セルのうちの１個が遮光された場合、この遮光されたセ
ルに９Ｖの逆バイアスがかかるととに１ｋＤ、同セルの
逆方向耐圧が９ｖ以下であれば破壊されてしまう。
のセルが発電を停止したとき、他の遮光されずに発電し
ているセルの全電圧が単バイアスとなって、この発電を
停止したセルに掛かつてくる。具体的に述べると、１０
個直列でＩＯＶの出力電圧をもつモジュールの１０個の
セルのうちの１個が遮光された場合、この遮光されたセ
ルに９Ｖの逆バイアスがかかるととに１ｋＤ、同セルの
逆方向耐圧が９ｖ以下であれば破壊されてしまう。
そとでこの問題点を解決するために、第１図に示すよう
に、直列接続される個々のセル（１）に対して、保護ダ
イオード（２）を逆並列に接続する手段があシ、シかも
との保護ダイオードを太陽電池セルに自薦させた構成が
提案されている。この従来構成は第２図に示すように、
同一基板（３）上に相互に逆方向のダイオードを形成さ
せて、面積の大きな一方を光ダイオード、つｔｂ太陽電
池セル（１）とし、面積の小さな他方を保護ダイオード
（２）とし、これらをリード線（４）Ｋよシその保護ダ
イオード（２）の表面が覆われるようＫして逆並列に接
続させ、前記＃Ｉ１図に示す回路を実現させている。そ
してこの場合、光ダイオードは表面側から勧形層ａｌｅ
ｓ形層（ｔＬｐ形層ＩＯ各アモルファス層の順に形成さ
せて、光を表面側から入射できるようにし、また保護ダ
イオードは表面側から反対Ｆｃｐ形層ａυ、ｌ形層Ｄａ
ｔａ形層０の各アモルファス層の順に形成させて、リー
ドｌ！（４）によ）表面側からの光の入射をさえぎるよ
うｋしている。
に、直列接続される個々のセル（１）に対して、保護ダ
イオード（２）を逆並列に接続する手段があシ、シかも
との保護ダイオードを太陽電池セルに自薦させた構成が
提案されている。この従来構成は第２図に示すように、
同一基板（３）上に相互に逆方向のダイオードを形成さ
せて、面積の大きな一方を光ダイオード、つｔｂ太陽電
池セル（１）とし、面積の小さな他方を保護ダイオード
（２）とし、これらをリード線（４）Ｋよシその保護ダ
イオード（２）の表面が覆われるようＫして逆並列に接
続させ、前記＃Ｉ１図に示す回路を実現させている。そ
してこの場合、光ダイオードは表面側から勧形層ａｌｅ
ｓ形層（ｔＬｐ形層ＩＯ各アモルファス層の順に形成さ
せて、光を表面側から入射できるようにし、また保護ダ
イオードは表面側から反対Ｆｃｐ形層ａυ、ｌ形層Ｄａ
ｔａ形層０の各アモルファス層の順に形成させて、リー
ドｌ！（４）によ）表面側からの光の入射をさえぎるよ
うｋしている。
従ってこの従来例による保護ダイオード内蔵型アモルフ
ァス太陽電池の構成においては、ｐ−１−１形とｎ −
ｌ −ｐ形とのアモルファス層をそれぞれ個別に２回に
分けて形成しなければならず、その製造工程が複雑にな
るという欠点があった。
ァス太陽電池の構成においては、ｐ−１−１形とｎ −
ｌ −ｐ形とのアモルファス層をそれぞれ個別に２回に
分けて形成しなければならず、その製造工程が複雑にな
るという欠点があった。
この発明は従来のこのような欠点に鑑み、多層構造太陽
電池の製造工程を利用することＫよシ、光ダイオードと
保護ダイオードとの両者を同一基板上に同時に形成させ
るようｋしたものである。
電池の製造工程を利用することＫよシ、光ダイオードと
保護ダイオードとの両者を同一基板上に同時に形成させ
るようｋしたものである。
以下、この発明に係るアモルファス太陽電池の一実施例
につき、第３図を参照して詳細に説明する。
につき、第３図を参照して詳細に説明する。
この第３図実施例において、光ダイオードからなる太陽
電池セル（１）は、表面側から”＋”ｓＰ形の各アモル
ファス層が３層、つまｂａｉ、ｏａ、ｏυと、（ハ）、
（２）、ＣＩ！１）と、ａ１劃り、ａυとが順次に積層
された構成からなっており、この多層構造セルはよく知
られているように、光を吸収する眉を波長によって分割
し、全体としての光電変換効率を向上させている。そし
て一方、保護ダイオード（２）については、これに対応
してｐ、ｉ、ｎ形の各アモルファス層０υ、（至）、ａ
３が順次に積層された構成とし、これらを同時に同一基
板（３）上に形成するのである。
電池セル（１）は、表面側から”＋”ｓＰ形の各アモル
ファス層が３層、つまｂａｉ、ｏａ、ｏυと、（ハ）、
（２）、ＣＩ！１）と、ａ１劃り、ａυとが順次に積層
された構成からなっており、この多層構造セルはよく知
られているように、光を吸収する眉を波長によって分割
し、全体としての光電変換効率を向上させている。そし
て一方、保護ダイオード（２）については、これに対応
してｐ、ｉ、ｎ形の各アモルファス層０υ、（至）、ａ
３が順次に積層された構成とし、これらを同時に同一基
板（３）上に形成するのである。
次にこのように同時に成形し得る製造工程を述べる。ま
ず同一の金属基板（３）上に、第１のマスクを用いてセ
ル（１）側のｐ形アモルファス層ａ１をプラズマＣＶＤ
法によ層成長させ、ついで同一マスクを用いて同様にセ
ル（１）側の１形アモルファス層ａａを成長させる。続
いてマスクを第２のマスクに変更してセル（１）側とダ
イオード（２）側とのｎ形アモルファス層ａ３を同時に
成長させる。こζでこのマスク変更工程はそれなど困難
ではない。すなわち、例えば各層成長のための専用の反
応室を使う多室分離成長装置を利用すれに、各反応室毎
にマスクを固定しておき、ζこに移動してくる基板をセ
ットするようＫすればよい。そして前記工程から、また
第１のマスクに戻してセル（１）のｐ形アモルファス層
シυ、ついで第２のマスクに戻してセル（１）とダイオ
ード（２）のｌ形アモルファス層（２）、さらに第１の
マスクに戻してセル（１）のｎ形アモルファス層（至）
、第２のマスクに戻してセル（１）とダイオード（２）
のｐ形アモルファス層０υ、第１のマスクに戻してセル
（１）の１形アモルファス層（至）、最後に同マスクで
セル（１）の動形アモルファス層（至）をそれぞれに成
長させれけよく、このように製造の途中でマスクを入れ
替えることによシ、同一基板上に同時に所望の太陽電池
セル（１）と保護ダイオード（２）とを逆並列に一一鍼
鴫−―■−■− 接続し得るのである。
ず同一の金属基板（３）上に、第１のマスクを用いてセ
ル（１）側のｐ形アモルファス層ａ１をプラズマＣＶＤ
法によ層成長させ、ついで同一マスクを用いて同様にセ
ル（１）側の１形アモルファス層ａａを成長させる。続
いてマスクを第２のマスクに変更してセル（１）側とダ
イオード（２）側とのｎ形アモルファス層ａ３を同時に
成長させる。こζでこのマスク変更工程はそれなど困難
ではない。すなわち、例えば各層成長のための専用の反
応室を使う多室分離成長装置を利用すれに、各反応室毎
にマスクを固定しておき、ζこに移動してくる基板をセ
ットするようＫすればよい。そして前記工程から、また
第１のマスクに戻してセル（１）のｐ形アモルファス層
シυ、ついで第２のマスクに戻してセル（１）とダイオ
ード（２）のｌ形アモルファス層（２）、さらに第１の
マスクに戻してセル（１）のｎ形アモルファス層（至）
、第２のマスクに戻してセル（１）とダイオード（２）
のｐ形アモルファス層０υ、第１のマスクに戻してセル
（１）の１形アモルファス層（至）、最後に同マスクで
セル（１）の動形アモルファス層（至）をそれぞれに成
長させれけよく、このように製造の途中でマスクを入れ
替えることによシ、同一基板上に同時に所望の太陽電池
セル（１）と保護ダイオード（２）とを逆並列に一一鍼
鴫−―■−■− 接続し得るのである。
なお前記実施例をあられした第、３図においては、両ダ
イオード（１） 、 （２）の厚さに大きな差のあるよ
うに見えるが、実際上セル（１）側にあってすらその厚
さはせいぜい１ミクロン程度に過ぎず、前記第２図従来
例と同様のリード！！接続に何ら問題はない。
イオード（１） 、 （２）の厚さに大きな差のあるよ
うに見えるが、実際上セル（１）側にあってすらその厚
さはせいぜい１ミクロン程度に過ぎず、前記第２図従来
例と同様のリード！！接続に何ら問題はない。
以上詳述しえようにこの発明によれに１表面側からｎ＊
１ｓＰ形３層１組のアモルファス層を、さらに少なくと
も３組の多層に積層して太陽電池セルを構成するアモル
ファス太陽電池において、基板上への”ＡｅＰ層各組の
多層積層によるセル形成時に、同一基板上に同時Ｋ ｎ
、 ｊ 、 ｐ各層を選択して、Ｐｅ’ｓ”形３層の
アモルファス層からなる保護ダイオードを逆並列に形成
させるようにして、太陽電池セル内に保護ダイオードを
内蔵させたから、従来のように別途工程によ〕保護ダイ
オードを形成させるものとＪ！なハ極めて簡略化された
製造工程で所望のアモルファス太陽電池を得ることがで
き、太陽電池モジュールとしてのコスト低下に役立つ特
長がある。
１ｓＰ形３層１組のアモルファス層を、さらに少なくと
も３組の多層に積層して太陽電池セルを構成するアモル
ファス太陽電池において、基板上への”ＡｅＰ層各組の
多層積層によるセル形成時に、同一基板上に同時Ｋ ｎ
、 ｊ 、 ｐ各層を選択して、Ｐｅ’ｓ”形３層の
アモルファス層からなる保護ダイオードを逆並列に形成
させるようにして、太陽電池セル内に保護ダイオードを
内蔵させたから、従来のように別途工程によ〕保護ダイ
オードを形成させるものとＪ！なハ極めて簡略化された
製造工程で所望のアモルファス太陽電池を得ることがで
き、太陽電池モジュールとしてのコスト低下に役立つ特
長がある。
第１図は一般的な太陽電池セルと保護ダイオードとの接
続態様を示す回路図、第２図は従来例による保護ダイオ
ードを内蔵したアモルファス太陽電池の構成を示す断面
模式図、第３図はこの発明の一実施例による保護ダイオ
ードを内蔵したアモルファス太陽電池の構成を示す断面
模式図である。 （１）・・・・太陽電池セル、（２）・・・・保護ダイ
オード、（３）・・・・基板、（４）・・・・リード線
、ａυ、Ｑυ、Ｃ１υ・・・・ｐ形アモルファスｍ、ａ
ｓ、（社）、６邊・・・・ｌ形アモルファス層、餞、＠
、ａ３・・・・口形アモルファス層。 截゛理人 大岩 １晟 第１図 第２図 第３図 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願昭６９−１６ｆｆｉｌ１号２、発
明の名称 アモルファス太ＩＩ電だ ３、補正をする者 代表者片山仁へ部 ４、代理人 ご ５、補正の対象 （１）明細書の特許請求の範囲の欄 （２）明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙の通り補正する。 （２ン同書第６頁第９行の「問題はない。」の後に次の
文を加入する。「また、本実施例において太陽電池セル
（１）は表面側から” ｅ ｉｅ ｐ形の各アモルファ
ス層を積層するものとしたが、表面側からｐ、ｉ 、ｎ
形としても同一方法で保護ダイオード（２）を同一基板
上に同時に形成することができる。」 （３）同書同頁第１２行の「ｐ形」の後に「またはｐ、
ｉ、ｎ形」を加入する。 以上 特許請求の範囲 電形層が順次形成された８層１組のアモルファス面側か
ら第２導電形層、ｉ層および第１導電形層が順次形成さ
れたアモルファス層を上記基板上に形成された保護ダイ
オードとを偏えたことを特徴とするアモルファス太陽電
池。
続態様を示す回路図、第２図は従来例による保護ダイオ
ードを内蔵したアモルファス太陽電池の構成を示す断面
模式図、第３図はこの発明の一実施例による保護ダイオ
ードを内蔵したアモルファス太陽電池の構成を示す断面
模式図である。 （１）・・・・太陽電池セル、（２）・・・・保護ダイ
オード、（３）・・・・基板、（４）・・・・リード線
、ａυ、Ｑυ、Ｃ１υ・・・・ｐ形アモルファスｍ、ａ
ｓ、（社）、６邊・・・・ｌ形アモルファス層、餞、＠
、ａ３・・・・口形アモルファス層。 截゛理人 大岩 １晟 第１図 第２図 第３図 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願昭６９−１６ｆｆｉｌ１号２、発
明の名称 アモルファス太ＩＩ電だ ３、補正をする者 代表者片山仁へ部 ４、代理人 ご ５、補正の対象 （１）明細書の特許請求の範囲の欄 （２）明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙の通り補正する。 （２ン同書第６頁第９行の「問題はない。」の後に次の
文を加入する。「また、本実施例において太陽電池セル
（１）は表面側から” ｅ ｉｅ ｐ形の各アモルファ
ス層を積層するものとしたが、表面側からｐ、ｉ 、ｎ
形としても同一方法で保護ダイオード（２）を同一基板
上に同時に形成することができる。」 （３）同書同頁第１２行の「ｐ形」の後に「またはｐ、
ｉ、ｎ形」を加入する。 以上 特許請求の範囲 電形層が順次形成された８層１組のアモルファス面側か
ら第２導電形層、ｉ層および第１導電形層が順次形成さ
れたアモルファス層を上記基板上に形成された保護ダイ
オードとを偏えたことを特徴とするアモルファス太陽電
池。
Claims (1)
- 表面側からｎ、ｌ、ｐ形３層１組のアモルファス層を、
さらに少なくとも３組の多層に積層して太陽電池セルを
構成するアモルファス太陽電池において、基板上へのｎ
、１．ｐ層各組の多層積層によるセル形成時に、同一基
板上に同時ｉｃｎ、１．ｐの各層を個々に選択して、ｐ
、ｉ、ｎ形３層のアモルファス層からなる保護ダイオー
ドを逆並列に形成させたことを特徴とするアモルファス
太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59016211A JPS60160181A (ja) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | アモルフアス太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59016211A JPS60160181A (ja) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | アモルフアス太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60160181A true JPS60160181A (ja) | 1985-08-21 |
Family
ID=11910187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59016211A Pending JPS60160181A (ja) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | アモルフアス太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60160181A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5155565A (en) * | 1988-02-05 | 1992-10-13 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for manufacturing an amorphous silicon thin film solar cell and Schottky diode on a common substrate |
| WO2000044052A1 (en) * | 1999-01-25 | 2000-07-27 | Marconi Applied Technologies Limited | Solar cell arrangements |
| US6864414B2 (en) * | 2001-10-24 | 2005-03-08 | Emcore Corporation | Apparatus and method for integral bypass diode in solar cells |
| US7071407B2 (en) | 2002-10-31 | 2006-07-04 | Emcore Corporation | Method and apparatus of multiplejunction solar cell structure with high band gap heterojunction middle cell |
| US7115811B2 (en) * | 1998-05-28 | 2006-10-03 | Emcore Corporation | Semiconductor body forming a solar cell with a bypass diode |
| WO2011011184A3 (en) * | 2009-07-21 | 2011-04-28 | Sears James B | System and method for making a photovoltaic unit |
| US8513518B2 (en) | 2006-08-07 | 2013-08-20 | Emcore Solar Power, Inc. | Terrestrial solar power system using III-V semiconductor solar cells |
| US8536445B2 (en) | 2006-06-02 | 2013-09-17 | Emcore Solar Power, Inc. | Inverted metamorphic multijunction solar cells |
| US8686282B2 (en) | 2006-08-07 | 2014-04-01 | Emcore Solar Power, Inc. | Solar power system for space vehicles or satellites using inverted metamorphic multijunction solar cells |
| US8895342B2 (en) | 2007-09-24 | 2014-11-25 | Emcore Solar Power, Inc. | Heterojunction subcells in inverted metamorphic multijunction solar cells |
| US9806215B2 (en) | 2009-09-03 | 2017-10-31 | Suncore Photovoltaics, Inc. | Encapsulated concentrated photovoltaic system subassembly for III-V semiconductor solar cells |
| US9923112B2 (en) | 2008-02-11 | 2018-03-20 | Suncore Photovoltaics, Inc. | Concentrated photovoltaic system modules using III-V semiconductor solar cells |
| US10153388B1 (en) | 2013-03-15 | 2018-12-11 | Solaero Technologies Corp. | Emissivity coating for space solar cell arrays |
-
1984
- 1984-01-30 JP JP59016211A patent/JPS60160181A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5155565A (en) * | 1988-02-05 | 1992-10-13 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for manufacturing an amorphous silicon thin film solar cell and Schottky diode on a common substrate |
| US7115811B2 (en) * | 1998-05-28 | 2006-10-03 | Emcore Corporation | Semiconductor body forming a solar cell with a bypass diode |
| WO2000044052A1 (en) * | 1999-01-25 | 2000-07-27 | Marconi Applied Technologies Limited | Solar cell arrangements |
| US6864414B2 (en) * | 2001-10-24 | 2005-03-08 | Emcore Corporation | Apparatus and method for integral bypass diode in solar cells |
| US7759572B2 (en) * | 2001-10-24 | 2010-07-20 | Emcore Solar Power, Inc. | Multijunction solar cell with a bypass diode having an intrinsic layer |
| US7071407B2 (en) | 2002-10-31 | 2006-07-04 | Emcore Corporation | Method and apparatus of multiplejunction solar cell structure with high band gap heterojunction middle cell |
| US8536445B2 (en) | 2006-06-02 | 2013-09-17 | Emcore Solar Power, Inc. | Inverted metamorphic multijunction solar cells |
| US10553740B2 (en) | 2006-06-02 | 2020-02-04 | Solaero Technologies Corp. | Metamorphic layers in multijunction solar cells |
| US10026860B2 (en) | 2006-06-02 | 2018-07-17 | Solaero Technologies Corp. | Metamorphic layers in multijunction solar cells |
| US8513518B2 (en) | 2006-08-07 | 2013-08-20 | Emcore Solar Power, Inc. | Terrestrial solar power system using III-V semiconductor solar cells |
| US8686282B2 (en) | 2006-08-07 | 2014-04-01 | Emcore Solar Power, Inc. | Solar power system for space vehicles or satellites using inverted metamorphic multijunction solar cells |
| US8895342B2 (en) | 2007-09-24 | 2014-11-25 | Emcore Solar Power, Inc. | Heterojunction subcells in inverted metamorphic multijunction solar cells |
| US9231147B2 (en) | 2007-09-24 | 2016-01-05 | Solaero Technologies Corp. | Heterojunction subcells in inverted metamorphic multijunction solar cells |
| US9923112B2 (en) | 2008-02-11 | 2018-03-20 | Suncore Photovoltaics, Inc. | Concentrated photovoltaic system modules using III-V semiconductor solar cells |
| CN102473793A (zh) * | 2009-07-21 | 2012-05-23 | 詹姆斯·B·西尔斯 | 制造光电元件的***和方法 |
| WO2011011184A3 (en) * | 2009-07-21 | 2011-04-28 | Sears James B | System and method for making a photovoltaic unit |
| US9806215B2 (en) | 2009-09-03 | 2017-10-31 | Suncore Photovoltaics, Inc. | Encapsulated concentrated photovoltaic system subassembly for III-V semiconductor solar cells |
| US10153388B1 (en) | 2013-03-15 | 2018-12-11 | Solaero Technologies Corp. | Emissivity coating for space solar cell arrays |
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