JPS60158619A - Thin film evaporating device - Google Patents
Thin film evaporating deviceInfo
- Publication number
- JPS60158619A JPS60158619A JP1369484A JP1369484A JPS60158619A JP S60158619 A JPS60158619 A JP S60158619A JP 1369484 A JP1369484 A JP 1369484A JP 1369484 A JP1369484 A JP 1369484A JP S60158619 A JPS60158619 A JP S60158619A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- container
- vapor
- metal
- clusters
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、薄膜蒸着装置に関し、特にクラスタイオンビ
ーム蒸着法により薄膜を蒸着形成する場合の投入電力の
低減に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a thin film deposition apparatus, and particularly to reducing input power when depositing a thin film by cluster ion beam deposition.
一般に、クラスタイオンビーム蒸着法による薄膜蒸着方
法は、真空槽内において、基板に蒸着すべき物質の蒸気
を噴出して該蒸気中の多数の原子が緩く結合したクラス
タ（塊状原子集団）を生成し、該クラスタに電子のシャ
ワーを浴びせて該クラスタをそのうちの１個の原子がイ
オン化されたクラスタ・イオンにし、該クラスタ・イオ
ンを加速して基板に衝突せしめ、これにより基板に薄膜
を蒸着形成する方法である。In general, a thin film deposition method using cluster ion beam deposition involves ejecting the vapor of a substance to be deposited onto a substrate in a vacuum chamber to generate clusters (massive atomic groups) in which many atoms in the vapor are loosely bonded. , showering the cluster with electrons to transform the cluster into cluster ions in which one atom is ionized, and accelerating the cluster ions to collide with a substrate, thereby depositing a thin film on the substrate. It's a method.
このような薄膜蒸着方法を実施する装置として、従来、
第１図及び第２図に示すものがあった。第１図は従来の
薄膜蒸着装置を模式的に示す概略構成図、第２図はその
主要部の一部を切り欠いて内部を示す斜視図である。図
において、１は所定の真空度に保持された真空槽、２は
該真空槽１内の排気を行なうための排気通路で、これは
図示しない真空排気装置に接続されている。３は該排気
通路２を開閉する真空用バルブである。Conventionally, as an apparatus for carrying out such a thin film deposition method,
There were those shown in Figures 1 and 2. FIG. 1 is a schematic configuration diagram schematically showing a conventional thin film deposition apparatus, and FIG. 2 is a perspective view showing the inside with a part of the main part thereof cut away. In the figure, 1 is a vacuum chamber maintained at a predetermined degree of vacuum, and 2 is an exhaust passage for evacuating the inside of the vacuum chamber 1, which is connected to a vacuum evacuation device (not shown). 3 is a vacuum valve that opens and closes the exhaust passage 2;
４は通常カーボン（Ｃ）を用いて形成される密閉形るつ
ぼであり、該密閉形るつぼ４の上面には、直径ｉｍｍ〜
２ｍｍのノズル４ａが設けられ、また該るつぼ４内には
基板に蒸着されるべき蒸着物質、通学制（Ｃｏ ） 、
コバル）（Ｃｏ）等の粉末状金属５が収容される。６は
上記るつぼ４に熱電子を照射し、これの加熱を行なうホ
ンバード用フィラメント、７はモリブデン（Ｍｏ）ある
いはタンタル（Ｔａ）を用いて形成され上記フィラメン
ト６からの輻射熱を遮断する熱シールド板であり、上記
るつぼ４．ボンバード用フィラメント６及び熱シールド
板７により、基板に蒸着すべき物質の蒸気を上記真空槽
１内に噴出してクラスタを生成せしめる蒸気発生源８が
形成されている。なお、１９は上記熱シールド板７を支
持する絶縁支持部材、２０は上記るつぼ４を支持する支
持台である。4 is a closed crucible usually formed using carbon (C), and the upper surface of the closed crucible 4 has a diameter of imm to
A 2 mm nozzle 4a is provided, and in the crucible 4 are deposited materials to be deposited on the substrate, such as Co.
A powdered metal 5 such as cobal (Co) or the like is accommodated. Reference numeral 6 denotes a hombard filament that heats the crucible 4 by irradiating it with thermoelectrons, and 7 a heat shield plate made of molybdenum (Mo) or tantalum (Ta) that blocks radiant heat from the filament 6. Yes, above crucible 4. The bombardment filament 6 and the heat shield plate 7 form a steam generation source 8 that spouts vapor of a substance to be deposited onto the substrate into the vacuum chamber 1 to generate clusters. Note that 19 is an insulating support member that supports the heat shield plate 7, and 20 is a support stand that supports the crucible 4.
９は２０００℃以上に熱せられてイオン化用の熱電子１
３を放出するイオン化フィラメント、１ｏは該イオン化
フィラメント９から放出された熱電子１３を中心部に引
き出して電子のシャワーを形成する電子引き出し電極、
１１はＭｏあるいはＴａを用いて形成され上記イオン化
フィラメント９からの輻射熱を遮断する熱シールド板で
あり、上記イオン化フィラメント９．電子引き出し電極
１゜及び熱シールド扱１１により、上記蒸気発生源８か
らのクラスタをイオン化するためのイオン化手段１２が
形成されている。なお、２３は熱シールド板１１を支持
する絶縁支持部材である。9 is heated to 2000℃ or more to generate thermionic electrons 1 for ionization.
1o is an electron extraction electrode that extracts thermionic electrons 13 emitted from the ionization filament 9 to the center to form an electron shower;
A heat shield plate 11 is formed using Mo or Ta and blocks radiant heat from the ionized filament 9. The electron extraction electrode 1° and the heat shield 11 form an ionization means 12 for ionizing the clusters from the steam generation source 8. Note that 23 is an insulating support member that supports the heat shield plate 11.
１４は上記イオン化されたクラスタ・イオン１６を加速
してこれをイオン化されていない中性クラスタ１５とと
もに基板１８に衝突させて薄膜を蒸着させる加速電極で
あり、これは電子引き出し電極１０との間に最大１０ｋ
Ｖまでの電位を印加でき、この電位差によってクラスタ
・イオン１６を加速する。なお、２４は加速電極１４を
支持する絶縁支持部材、２２は基板１８を支持する基板
ホルダ、２１は該基板ホルダ２２を支持する絶縁支持部
材、１７はクラスタ・イオン１６と中性クラスタ１５と
からなるクラスタビームである。Reference numeral 14 denotes an acceleration electrode that accelerates the ionized cluster ions 16 and causes them to collide with the substrate 18 together with the unionized neutral clusters 15 to deposit a thin film. Max 10k
A potential up to V can be applied, and the cluster ions 16 are accelerated by this potential difference. Note that 24 is an insulating support member that supports the accelerating electrode 14, 22 is a substrate holder that supports the substrate 18, 21 is an insulating support member that supports the substrate holder 22, and 17 is an insulating support member that supports the cluster ions 16 and the neutral clusters 15. This is a cluster beam.
次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.
基板１８に金属薄膜を蒸着形成するには、ます蒸着金Ｂ
５をるっぽ４内に装填し、上記真空排気装置により真空
槽１内の空気を排気して該真空槽■内を１０ Ｔｏｒｒ
程度の真空度にする。To form a metal thin film on the substrate 18 by vapor deposition, mass-deposited gold B is used.
5 is loaded into Ruppo 4, the air in vacuum chamber 1 is evacuated using the vacuum evacuation device, and the inside of the vacuum chamber 1 is heated to 10 Torr.
Create a certain degree of vacuum.
次いで、ボンバード用フィラメント６に通電して発熱せ
しめてこれを２０００〜２２００℃に昇温させ、該ボン
バード用フィラメント６からの輻射熱により、または該
フィラメント６から放出される熱電子をるつぼ４に衝突
させること、即ち電子衝撃によって、該るつぼ４内の蒸
着金属５を加熱し蒸発せしめる。そして該るつぼ４内が
蒸着金属５の蒸気圧が０．１〜１０Ｔｏｒｒ程度になる
温度に昇温すると、ノズル４ａから噴出した金属蒸気は
、るっぽ４と真空槽１との圧力差により断熱膨張してク
ラスタと呼ばれる、多数の原子が緩く結合した塊状原子
集団となる。Next, the bombardment filament 6 is energized to generate heat to raise its temperature to 2000 to 2200°C, and the radiant heat from the bombardment filament 6 or thermionic electrons emitted from the filament 6 are caused to collide with the crucible 4. In other words, the deposited metal 5 in the crucible 4 is heated and evaporated by electron bombardment. When the temperature inside the crucible 4 is raised to a temperature where the vapor pressure of the vapor-deposited metal 5 is about 0.1 to 10 Torr, the metal vapor ejected from the nozzle 4a is thermally insulated due to the pressure difference between the Lupo 4 and the vacuum chamber 1. It expands to form a mass of atoms, called a cluster, in which many atoms are loosely bonded.
このクラスタ状のクラスタビーム１７は、イオン化フィ
）メント９から電子引き出し電極１ｏによって引き出さ
れた熱電子１３と衝突するため、その一部のクラスタは
そのうちの１個の原子がイオン化されてクラスタ・イオ
ン１６となる。このクラスタ・イオン１６は加速電極１
４と電子引き出し電極１０との間に形成された電界によ
り適度に加速され、イオン化されていない中性クラスタ
１５がるつぼ４から噴射されるときの運動エネルギーで
もって基板１８に衝突するのと共に、基板１８に衝突し
、これにより該基板１８上に金属薄膜が蒸着形成される
。This cluster-shaped cluster beam 17 collides with thermionic electrons 13 extracted from the ionized fi)ment 9 by the electron extraction electrode 1o, so that one atom of some of the clusters is ionized and becomes a cluster ion. It becomes 16. This cluster ion 16 is
The non-ionized neutral clusters 15 are accelerated by the electric field formed between the crucible 4 and the electron extraction electrode 10, and collide with the substrate 18 with the kinetic energy of the unionized neutral clusters 15 ejected from the crucible 4. 18, thereby depositing a metal thin film on the substrate 18.
このように従来の装置では、クラスタを発生させるため
にはるつぼ全体を加熱しなければならず、そのため非常
に大きな投入電力が必要であるという欠点があった。As described above, the conventional apparatus had the disadvantage that the entire crucible had to be heated in order to generate clusters, and therefore a very large input power was required.
本発明は、上記のような従来の装置の欠点を除去するた
めになされたもので、基板に蒸着すべき物質を収容する
容器をレーザ光線透過性物質を用いて形成し、レーザ光
を利用して金属を局部的に加熱することにより、低入力
で運転でき、さらに上記容器に蒸着物質を連続的に供給
できるようにすることにより、該容器を小さくしてレー
ザ光源を小さなものにでき、その結果投入電力をさらに
低減できる薄膜蒸着装置を提供することを目的としてい
る。The present invention has been made in order to eliminate the drawbacks of the conventional apparatus as described above, and it uses a laser beam-transmitting material to form a container containing a substance to be deposited on a substrate, and utilizes a laser beam. By locally heating the metal using the metal, it is possible to operate with low input power, and by continuously supplying the vapor deposition material to the container, the container can be made smaller and the laser light source can be made smaller. As a result, it is an object of the present invention to provide a thin film deposition apparatus that can further reduce input power.
以下、本発明の実施例を図について説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第３図は本願の第１の発明の一実施例を示す。FIG. 3 shows an embodiment of the first invention of the present application.
図において、第１図及び第２図と同一符号は同−又は相
当部分を示し、４０は蒸着物質５を収容する容器である
るつぼであり、該るつぼ４０はレーザ光線透過性物質、
この場合はサファイアを用いて形成されている。３０は
真空槽１外に設置されたレーザ光源であるレーザ発振器
、３１はレーザ発振器３０から発射されるレーザ光線、
３２ば真空槽１に設けられ、レーザ光線３１をるつぼ４
０に導（ためのガラス製のレーザ光透過窓である。In the figure, the same reference numerals as those in FIGS. 1 and 2 indicate the same or corresponding parts, and 40 is a crucible that is a container for storing the vapor deposition material 5, and the crucible 40 includes a laser beam transparent material,
In this case, it is formed using sapphire. 30 is a laser oscillator that is a laser light source installed outside the vacuum chamber 1; 31 is a laser beam emitted from the laser oscillator 30;
32 is provided in the vacuum chamber 1 and directs the laser beam 31 to the crucible 4.
This is a glass laser light transmitting window for guiding the laser beam to zero.
次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.
本実施例装置において、基板１８の表面に金属薄膜を蒸
着形成するには、蒸着金属５をるつぼ４０に収容し、真
空槽１内を真空排気装置２により１０ Ｔｏｒｒ程度の
真空度に排気する。In the apparatus of this embodiment, in order to deposit a metal thin film on the surface of the substrate 18, the deposited metal 5 is placed in the crucible 40, and the inside of the vacuum chamber 1 is evacuated to a degree of vacuum of about 10 Torr by the evacuation device 2.
次いでレーザ発振器３０を作動させる。すると該レーザ
発振器３０から発射されたレーザ光線３１は、レーザ光
透過窓及びるつぼ４０の壁部を透過して蒸着金属５の上
部に照射され、これを選択的に加熱融解し、これにより
るつぼ４０内の金属蒸気圧が次第に高まる。そして、る
つぼ４０内の金属蒸気圧が０．１〜１０Ｔｏｒｒになる
と、金属蒸気がノズル４ａから勢いよく噴射されるよう
になり、これにより蒸着金属５のクラスタが形成される
。Next, the laser oscillator 30 is activated. Then, the laser beam 31 emitted from the laser oscillator 30 passes through the laser beam transmission window and the wall of the crucible 40 and is irradiated onto the upper part of the deposited metal 5, selectively heating and melting it, thereby causing the crucible 40 to melt. The metal vapor pressure inside gradually increases. When the metal vapor pressure in the crucible 40 reaches 0.1 to 10 Torr, the metal vapor is vigorously injected from the nozzle 4a, thereby forming clusters of vapor-deposited metal 5.
上記クラスタは電子引き出し電極１０によって引き出さ
れた熱電子シャワー１３と衝突するため、その一部のク
ラスタは、これを構成するうちの１個の重子がイオン化
されてクラスタ・イオン１６となり、該クラスタ・イオ
ン１６は、加速電極１４により適度な電界加速を受け、
イオン化されていない中性クラスタ１５と共に基板１８
に衝突し、これにより該基板１８上に金属薄膜が形成さ
れる。Since the clusters collide with the thermionic shower 13 extracted by the electron extraction electrode 10, one of the deuterons constituting the cluster is ionized and becomes a cluster ion 16. The ions 16 are accelerated by an appropriate electric field by the accelerating electrode 14,
Substrate 18 with non-ionized neutral clusters 15
, thereby forming a thin metal film on the substrate 18 .
このように本実施例では、るつぼ４０をレーザ光透過性
物質で形成し、蒸着金属５をレーザ光線３１により直接
、即ちるつば４０を加熱することなく加熱融解するよう
にしたので、るつぼ４０を加熱するための電力が不要と
なり、投入電力を大きく低減できる。In this embodiment, the crucible 40 is made of a material that transmits laser light, and the vapor-deposited metal 5 is heated and melted directly by the laser beam 31, that is, without heating the crucible 40. Electric power for heating is not required, and input power can be significantly reduced.
第４図は、本願の第２の発明の一実施例を示す。FIG. 4 shows an embodiment of the second invention of the present application.
図において第３図と同一符号は同−又は相当部分を示し
、４１はサファイアを用いて形成されたるつぼであり、
該るつぼ４１の底面には蒸着金属５０を装入するための
装入孔４１ａが形成されている。また該るつぼ４１の下
方には蒸着金属供給装置３３が設けられており、これは
、ワイヤ状の蒸着金属５０を上記るつぼ４１内に連続的
に供給するためのもので、蒸着金属５０をコイル状にし
たリール３４と駆動ローラ３５とを備えている。In the figure, the same reference numerals as in FIG. 3 indicate the same or corresponding parts, and 41 is a crucible made of sapphire;
A charging hole 41a for charging the vapor-deposited metal 50 is formed in the bottom surface of the crucible 41. Further, a vapor-deposited metal supply device 33 is provided below the crucible 41, and is used to continuously supply a wire-shaped vapor-deposited metal 50 into the crucible 41. It is equipped with a reel 34 and a drive roller 35.
本実施例では、るつぼ４１内にその底部からワイヤ状の
蒸着金属５０を連続的に供給できるようにしたので、多
量の蒸着金属を収容する必要がな（なってるつぼ４１の
容積を小さくでき、そのため小型のレーザ発振器３０で
も金属范気を発生でき、その結果投入電力をさらに低減
できる。In this embodiment, since the wire-shaped vapor deposited metal 50 can be continuously supplied into the crucible 41 from the bottom thereof, there is no need to accommodate a large amount of vapor deposited metal (the volume of the crucible 41 can be reduced, Therefore, even a small laser oscillator 30 can generate metal flash, and as a result, input power can be further reduced.
なお上記再実施例では、るつぼ４０．４１をサファイア
を用いて形成した場合について説明したが、該るつぼ４
０．４１用の材料はサファイアに限られるものではなく
、レーザ光線透過性物質でかつ耐熱性の高い物質であれ
ばよい。In addition, in the above-mentioned second embodiment, the case where the crucibles 40 and 41 were formed using sapphire was explained, but the crucibles 40 and 41
The material for 0.41 is not limited to sapphire, but may be any material that is transparent to laser beams and has high heat resistance.
以上のように、本発明によれば、蒸着物質を収容する容
器をレーザ光線透過性物質を用いて形成し、レーザ光線
で蒸着金属を局部的に加熱するようにしたので、るつぼ
全体を加熱する必要がなくなり、金属蒸気のクラスタを
得るために必要な投入電力を大きく低減できる効果があ
り、さらに蒸着金属を容器内に連続的に供給できるよう
にしたので、該容器の容積を小さくでき、その結果投入
電力をさらに低減できる効果がある。As described above, according to the present invention, the container containing the vapor-deposited material is formed using a laser beam-transparent material, and the vapor-deposited metal is locally heated by the laser beam, so that the entire crucible is heated. This eliminates the need for metal vapor clusters, which has the effect of greatly reducing the input power required to obtain clusters of metal vapor.Furthermore, since the vapor-deposited metal can be continuously supplied into the container, the volume of the container can be reduced, and the As a result, there is an effect that the input power can be further reduced.
第１図は従来の薄膜蒸着装置を模式的に示す概略構成図
、第２図はその一部を切り欠いて真空槽の内部を示す斜
視図、第３図は本願の第１の発明の一実施例による薄膜
蒸着装置を模式的に示す概ある。
１・・・真空槽、５．５０・・・蒸着物質、１２・・・
イオン化手段、１４・・・加速電極、１５・・・中性ク
ラスタ、１６・・・クラスタ・イオン、１８・・・基板
、３０・・・レーザ光源、３３・・・蒸着金属供給装置
、４０．４１・・・容器（るつぼ）。
なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
代理人 大岩増雄
第１図
□
第２図
第３図
第４図FIG. 1 is a schematic configuration diagram schematically showing a conventional thin film deposition apparatus, FIG. 2 is a partially cutaway perspective view showing the inside of a vacuum chamber, and FIG. 3 is one of the first inventions of the present application. 1 is a diagram schematically showing a thin film deposition apparatus according to an embodiment. 1... Vacuum chamber, 5.50... Vapor deposition substance, 12...
Ionization means, 14... Accelerating electrode, 15... Neutral cluster, 16... Cluster ion, 18... Substrate, 30... Laser light source, 33... Vapor deposited metal supply device, 40. 41... Container (melting pot). Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts. Agent Masuo Oiwa Figure 1 □ Figure 2 Figure 3 Figure 4
Claims (1)
器内の上記蒸着物質にレーザ光線を照射して該容器をし
て上記蒸着物質の蒸気を上記真空槽内に噴出せしめて該
蒸気中の多数の原子が緩く結合したクラスタを発生せし
めるレーザ光源と、上記容器からのクラスタをイオン化
させるイオン化手段と、上記イオン化されたクラスタ・
イオンを加速しこれをイオン化されていない中性クラス
タとともに基板に衝突させて薄膜を蒸着させる加速電極
とを備えたことを特徴とする薄膜蒸着装置。 （２） 上記容器は、サファイアを用いて形成されたも
のであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
薄膜蒸着装置。 （３） 所定の真空度に保持された真空槽と、レーザ光
線透菰鷺り質を用いて形成され基板に蒸着すべき物質を
収容し上記真空槽内に設けられた容器と、該容器に上記
蒸着物質を連続的に供給する蒸着物質供給装置と、上記
容器内の蒸着物質にレーザ光線を照射して該容器をして
上記蒸着物質の蒸気を上記真空槽内に噴出せしめて該蒸
気中の多数の原子が緩く結合したクラスタを発生せしめ
るレーザ光源と、上記容器からのクラスタをイオン化さ
せるイオン化手段と、上記イオン化されたクラスタ・イ
オンを加速しこれをイオン化されていない中性クラスタ
とともに基板に衝突させて薄膜を蒸着させる加速電極と
を備えたことを特徴とする薄膜蒸着装置。[Scope of Claims] A container that contains a substance and is provided in the vacuum chamber, and the vapor deposition material in the container is irradiated with a laser beam, and the vapor of the vapor deposition material is transferred to the vacuum chamber. a laser light source that generates clusters in which a large number of atoms in the vapor are loosely bonded; an ionization means that ionizes the clusters from the container;
A thin film deposition apparatus comprising an acceleration electrode that accelerates ions and causes them to collide with a substrate together with non-ionized neutral clusters to deposit a thin film. (2) The thin film deposition apparatus according to claim 1, wherein the container is formed using sapphire. (3) A vacuum chamber maintained at a predetermined degree of vacuum, a container formed using a laser beam-transparent material and provided in the vacuum chamber and containing a substance to be deposited on a substrate, and a container provided in the vacuum chamber; a vapor deposition material supply device for continuously supplying the vapor deposition material; and a vapor deposition material supply device for continuously supplying the vapor deposition material; a laser light source for generating loosely bonded clusters of a large number of atoms; ionization means for ionizing the clusters from the container; A thin film deposition apparatus characterized by comprising an accelerating electrode that deposits a thin film by colliding with the accelerating electrode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1369484A JPS60158619A (en) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | Thin film evaporating device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1369484A JPS60158619A (en) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | Thin film evaporating device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60158619A true JPS60158619A (en) | 1985-08-20 |
Family
ID=11840298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1369484A Pending JPS60158619A (en) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | Thin film evaporating device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60158619A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5099791A (en) * | 1989-09-08 | 1992-03-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Cluster beam thin film deposition apparatus with thermionic electron control |
| US5855683A (en) * | 1996-07-18 | 1999-01-05 | Korea Institute Of Science And Technology | Thin film deposition apparatus |
-
1984
- 1984-01-27 JP JP1369484A patent/JPS60158619A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5099791A (en) * | 1989-09-08 | 1992-03-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Cluster beam thin film deposition apparatus with thermionic electron control |
| US5855683A (en) * | 1996-07-18 | 1999-01-05 | Korea Institute Of Science And Technology | Thin film deposition apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60158619A (en) | Thin film evaporating device | |
| JPH0364454A (en) | Crucible for vapor source | |
| JP2000144392A (en) | Thin film forming device and formation of thin film | |
| JP4408505B2 (en) | Method and apparatus for forming diamond-like carbon film | |
| JPS60124932A (en) | Device for vapor deposition of thin film | |
| JPS60262963A (en) | Device for vapor-depositing compound thin film | |
| JPS60124914A (en) | Thin film deposition equipment | |
| JPH0447969B2 (en) | ||
| JPH0342033Y2 (en) | ||
| JPS60124921A (en) | Device for vapor deposition of thin film | |
| JPH0313568A (en) | Vapor and cluster ejecting device | |
| JPS60124929A (en) | Device for vapor deposition of thin film | |
| JPH0541698B2 (en) | ||
| JPH0443412B2 (en) | ||
| JPS60125368A (en) | Vapor deposition device for thin film | |
| JPS60124923A (en) | Device for vapor deposition of thin film | |
| JPS60125367A (en) | Vapor deposition device for thin film | |
| JPH0586474B2 (en) | ||
| JPH0830268B2 (en) | Thin film deposition equipment | |
| JPS60124933A (en) | Device for vapor deposition of thin film | |
| JPH0443411B2 (en) | ||
| JPS6320820A (en) | Vapor deposition apparatus for thin film | |
| JPS60124930A (en) | Device for vapor deposition of thin film | |
| JPS60124928A (en) | Device for vapor deposition of thin film | |
| JPS60124916A (en) | Device for vapor deposition of thin film |