JPS60145629A - 熱処理法 - Google Patents
熱処理法Info
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- JPS60145629A JPS60145629A JP59002175A JP217584A JPS60145629A JP S60145629 A JPS60145629 A JP S60145629A JP 59002175 A JP59002175 A JP 59002175A JP 217584 A JP217584 A JP 217584A JP S60145629 A JPS60145629 A JP S60145629A
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Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体デバイスの製造方法、特に透明基板上の
不透明膜、特に半導体膜を光加熱によって熱処理する方
法に関する。
不透明膜、特に半導体膜を光加熱によって熱処理する方
法に関する。
（従来技術）
従来の電気炉法に替り、近年ハロゲンランプ等を用いた
短時間アニール法が注目されている。この方法は発熱源
の温度を、熱処理温度よシ尚くすることによシ、よシ大
きな輻射熱を発生させ、短時間で加熱し、所定の温度に
達すると発熱を弱めて温度を一定に保つというものであ
る。
短時間アニール法が注目されている。この方法は発熱源
の温度を、熱処理温度よシ尚くすることによシ、よシ大
きな輻射熱を発生させ、短時間で加熱し、所定の温度に
達すると発熱を弱めて温度を一定に保つというものであ
る。
（従来技術の問題点）
この方法を５ＯＳ（シリコン・オン・ザファイア）など
透明基板上に半導体デバイスを形成する工程に用いると
、輻射光が基板を透過してしまい吸収量が少ないため短
時間で加熱することができない。
透明基板上に半導体デバイスを形成する工程に用いると
、輻射光が基板を透過してしまい吸収量が少ないため短
時間で加熱することができない。
またＩＣ−？ＬＳＩの製造工程において透明基板上に厚
さ０．５μｍ程度の薄いシリコン膜でできたパターンが
存在すると、薄いシリコン膜はある程度光を吸収するた
めパターンの密度によって吸ｌＡ駄がかわり、温度の上
昇率や、到達温度が変シテバイス特性に大きな変動を与
え不都合を生じる。
さ０．５μｍ程度の薄いシリコン膜でできたパターンが
存在すると、薄いシリコン膜はある程度光を吸収するた
めパターンの密度によって吸ｌＡ駄がかわり、温度の上
昇率や、到達温度が変シテバイス特性に大きな変動を与
え不都合を生じる。
第１図は従来法を説明するための基板の断面模式図であ
る。透明基板１上に、２で示すように、基板１の厚さに
比し大きな寸法の不透明半導体膜がある場合、光臨から
の光はこの半導体膜２に吸収され、半導体膜２は短時間
で同温に達する。しかし、３に示した、基板１の厚さに
比し小さな寸法の不透明半導体膜では、光源からの光は
半導体３で吸収される以外は透過して加熱に寄与せず、
半導体膜３で吸収した熱エネルギーは半導体膜３の１０
下のみならず近傍を３改元的拡りをもって加熱する必要
があるため短時間では昇温しない。特にランプアニール
のような短時間アニールでは最高温度がパターン形状に
より変わり、イオン注入不純物原子の活性化や拡散に不
均一が生じる。
る。透明基板１上に、２で示すように、基板１の厚さに
比し大きな寸法の不透明半導体膜がある場合、光臨から
の光はこの半導体膜２に吸収され、半導体膜２は短時間
で同温に達する。しかし、３に示した、基板１の厚さに
比し小さな寸法の不透明半導体膜では、光源からの光は
半導体３で吸収される以外は透過して加熱に寄与せず、
半導体膜３で吸収した熱エネルギーは半導体膜３の１０
下のみならず近傍を３改元的拡りをもって加熱する必要
があるため短時間では昇温しない。特にランプアニール
のような短時間アニールでは最高温度がパターン形状に
より変わり、イオン注入不純物原子の活性化や拡散に不
均一が生じる。
（発明の目的）
本発明は上記欠点を除去し、透明基板上にどのような形
状、密ＭＥでパターンが形成されていても均一に加熱が
できる方法を提供することを目的とする０ （発明の構成） 本発明は、光加熱によって熱処理される透明基板の裏面
に光を吸収する膜を付けることにより構成される。
状、密ＭＥでパターンが形成されていても均一に加熱が
できる方法を提供することを目的とする０ （発明の構成） 本発明は、光加熱によって熱処理される透明基板の裏面
に光を吸収する膜を付けることにより構成される。
（（１＃成の詳細な説明）
第２図は本発明のように光吸収膜４例えば多結晶シリコ
ン膜を付けた試料の断面模式図である。
ン膜を付けた試料の断面模式図である。
この場合、寸法の小さい半導体膜３に吸収されなかった
光も光吸収膜４で吸収されるだめ、寸法の大小にかかわ
らず半導体膜２．３は同一の温度になる。透明基板１の
厚みによる熱伝導の遅れの時定数は基板１の熱伝導度を
Ａ、比熱をＢ、比重をＣ１厚みをＷとするとｗ２ＢＣ／
Ａと表わされ、基板１の拐質を石英とするとＡ＝０．０
２ Ｊ／ｃｍ−ｓｅｔ・Ｋ 。
光も光吸収膜４で吸収されるだめ、寸法の大小にかかわ
らず半導体膜２．３は同一の温度になる。透明基板１の
厚みによる熱伝導の遅れの時定数は基板１の熱伝導度を
Ａ、比熱をＢ、比重をＣ１厚みをＷとするとｗ２ＢＣ／
Ａと表わされ、基板１の拐質を石英とするとＡ＝０．０
２ Ｊ／ｃｍ−ｓｅｔ・Ｋ 。
Ｂ＝１．ＯＪ／ｆ・Ｋ、Ｃ＝２．２ｔ／ｃｒＡでＷは通
常の半導体製造プロセスでは０．０３Ｃｒｎ程度なので
約０．１ｓｅｃとな９、ハロゲンランプアニールなどで
通常用いる１０８程度の加熱時間にくらべれば無視でき
る。
常の半導体製造プロセスでは０．０３Ｃｒｎ程度なので
約０．１ｓｅｃとな９、ハロゲンランプアニールなどで
通常用いる１０８程度の加熱時間にくらべれば無視でき
る。
なおラングアニールは光吸収膜４の側から行なっても、
その反対側から行なってもどちらでもよい。
その反対側から行なってもどちらでもよい。
寸だ透明基板１としては石英に限らず、ザファイア、ス
ピネル等ももちろん使うことができる。
ピネル等ももちろん使うことができる。
（発明の効果）
以上のように本発明によれば透明基板上の不透明膜にパ
ターン形状の差や密度の差があっても均一な短時間光加
熱が可能となる。
ターン形状の差や密度の差があっても均一な短時間光加
熱が可能となる。
第１図は従来法による試料の断面模式図で、１は透明基
板、２は大きな面積の被熱処理不透明膜、３は小さな面
積の被熱処理不透明膜である。 第２図は本発明による試料の断面模式図で、４は本発明
による光吸収膜である。 オＩ図
板、２は大きな面積の被熱処理不透明膜、３は小さな面
積の被熱処理不透明膜である。 第２図は本発明による試料の断面模式図で、４は本発明
による光吸収膜である。 オＩ図
Claims (1)
- 透明基板上に形成された不透明膜のパターンを光加熱法
によって加熱する熱処理法において、光を吸収する膜を
前記基板のｌＩＪ記パターンのない側に全面に形成した
状態で光加熱を行なうことを特徴とする熱処理法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59002175A JPS60145629A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 熱処理法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59002175A JPS60145629A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 熱処理法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60145629A true JPS60145629A (ja) | 1985-08-01 |
Family
ID=11522025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59002175A Pending JPS60145629A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 熱処理法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60145629A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63265424A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | Seiko Epson Corp | 透明基板の選択的加熱方法 |
| JPS63265425A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | Seiko Epson Corp | 透明基板の選択的加熱方法 |
| US5463975A (en) * | 1987-03-02 | 1995-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing crystal |
| DE19544525C2 (de) * | 1994-11-30 | 1999-10-21 | New Japan Radio Co Ltd | Verfahren zur Wärmebehandlung eines Halbleiterkörpers |
| US7218847B2 (en) * | 2003-10-24 | 2007-05-15 | Ushio Denki Kabushiki Kasiha | Heating unit for heating a workpiece with light-absorbing heat conducting layer |
-
1984
- 1984-01-10 JP JP59002175A patent/JPS60145629A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5463975A (en) * | 1987-03-02 | 1995-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing crystal |
| JPS63265424A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | Seiko Epson Corp | 透明基板の選択的加熱方法 |
| JPS63265425A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | Seiko Epson Corp | 透明基板の選択的加熱方法 |
| DE19544525C2 (de) * | 1994-11-30 | 1999-10-21 | New Japan Radio Co Ltd | Verfahren zur Wärmebehandlung eines Halbleiterkörpers |
| US7218847B2 (en) * | 2003-10-24 | 2007-05-15 | Ushio Denki Kabushiki Kasiha | Heating unit for heating a workpiece with light-absorbing heat conducting layer |
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