JPS60142584A - プリント基板およびその製造方法 - Google Patents
プリント基板およびその製造方法Info
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- JPS60142584A JPS60142584A JP58251746A JP25174683A JPS60142584A JP S60142584 A JPS60142584 A JP S60142584A JP 58251746 A JP58251746 A JP 58251746A JP 25174683 A JP25174683 A JP 25174683A JP S60142584 A JPS60142584 A JP S60142584A
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- printed circuit
- annealing
- circuit board
- layer
- conductive pattern
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/44—Manufacturing insulated metal core circuits or other insulated electrically conductive core circuits
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
- H05K1/053—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an inorganic insulating layer
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0183—Dielectric layers
- H05K2201/0195—Dielectric or adhesive layers comprising a plurality of layers, e.g. in a multilayer structure
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S428/901—Printed circuit
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプリント基板およびその製造方法に係シ、特に
機械的熱的特性および平滑性にすぐれたプリント基板お
よびその製造方法に関する。
機械的熱的特性および平滑性にすぐれたプリント基板お
よびその製造方法に関する。
近来、ＩＣ，ＬＳＩ、パワートランジスターなどの電子
材料の発展に伴ない種々のプリント基板が開発されて来
た。プリント基板は通常フェノール、エポキシ、コンポ
ジットを主とする硬質基板と、屈曲性を特徴とするフレ
キシブル基板に区分される。しかしフレキシブル基板に
ついては現在のところ未だコスト高でＩＣ１使用も困難
であるという難点がある。
材料の発展に伴ない種々のプリント基板が開発されて来
た。プリント基板は通常フェノール、エポキシ、コンポ
ジットを主とする硬質基板と、屈曲性を特徴とするフレ
キシブル基板に区分される。しかしフレキシブル基板に
ついては現在のところ未だコスト高でＩＣ１使用も困難
であるという難点がある。
最近では、電子材料のより一層の小型化、高密度化、集
積化がめられ大容量化゛とチップサイズの増大の方向に
ある。かくの如き高集積化と大容量化に伴ない電子部品
および電子回路から発生する熱を如何にして放散させる
かが重要な問題となって来た。この問題を解決するため
に金属板を芯にしたいわゆるメタルコアプリント基板が
開発され、特に最近でははうろう鋼板を用いてプリント
基板を構成する方法が研究されておシ、例えば特開昭５
６−３６７３、特開昭５６−６２３８９、特開昭５６−
８８３４４．特開昭５７−１０９９４等に開示されてい
る。これらのほうろう銅板を用いたプリント基板は機械
的、熱的特性がすぐれているほか、はうろう焼成前に任
意の形状に加工できる等のすぐれた長所を有している。
積化がめられ大容量化゛とチップサイズの増大の方向に
ある。かくの如き高集積化と大容量化に伴ない電子部品
および電子回路から発生する熱を如何にして放散させる
かが重要な問題となって来た。この問題を解決するため
に金属板を芯にしたいわゆるメタルコアプリント基板が
開発され、特に最近でははうろう鋼板を用いてプリント
基板を構成する方法が研究されておシ、例えば特開昭５
６−３６７３、特開昭５６−６２３８９、特開昭５６−
８８３４４．特開昭５７−１０９９４等に開示されてい
る。これらのほうろう銅板を用いたプリント基板は機械
的、熱的特性がすぐれているほか、はうろう焼成前に任
意の形状に加工できる等のすぐれた長所を有している。
本発明者らは、従来のプリント基板の欠点を解消するた
めに、鋼板上に薄い７オルステライト（２Ｍ ｆ Ｏ、
Ｓ ＋ Ｏｚ）下地被膜を形成し、このフォルステライ
ト被膜上にほうろう層を形成し、このほうろう層上に導
・亀パターンを接着形成したプリント基板を発明し、特
願昭５８−１２６３２９にて開示した。而してこのプリ
ント基板は使用鋼板としてＳｉ １．Ｏ〜４．５％を含
む場合に特にすぐれていることを見出した。このように
素地鋼板としてＳｉを含有する鋼板を用い、その上にフ
ォルステライト被膜を形成させ、更にその上にほうろう
層を設けることによって被覆各層の密着性を向上させる
という技術思想は全く新規のものでアり注目されるべき
である。
めに、鋼板上に薄い７オルステライト（２Ｍ ｆ Ｏ、
Ｓ ＋ Ｏｚ）下地被膜を形成し、このフォルステライ
ト被膜上にほうろう層を形成し、このほうろう層上に導
・亀パターンを接着形成したプリント基板を発明し、特
願昭５８−１２６３２９にて開示した。而してこのプリ
ント基板は使用鋼板としてＳｉ １．Ｏ〜４．５％を含
む場合に特にすぐれていることを見出した。このように
素地鋼板としてＳｉを含有する鋼板を用い、その上にフ
ォルステライト被膜を形成させ、更にその上にほうろう
層を設けることによって被覆各層の密着性を向上させる
という技術思想は全く新規のものでアり注目されるべき
である。
本発明者らの上記特願昭５８−１２６３２９によって開
示したプリント基板は、機械的、熱的特性が著しくすぐ
れていることで一応の成功を収めたが、その後の研究に
よって次の如き難点があることが判明した。すなわち、
形成されたほうろう層は、基板端やスルーホールの孔の
周囲で多少盛上り、表面平滑性が悪く、滑らかな表面を
得るためにＮａ、にの如きアルカリ金属化合物を混入し
てほうろうを構成することによシ、これらのほうろうを
構成する金属酸化物が熱と電界の作用によシイオン化し
、イオンマイグレーション現象が発生するという問題が
あることが判明した。
示したプリント基板は、機械的、熱的特性が著しくすぐ
れていることで一応の成功を収めたが、その後の研究に
よって次の如き難点があることが判明した。すなわち、
形成されたほうろう層は、基板端やスルーホールの孔の
周囲で多少盛上り、表面平滑性が悪く、滑らかな表面を
得るためにＮａ、にの如きアルカリ金属化合物を混入し
てほうろうを構成することによシ、これらのほうろうを
構成する金属酸化物が熱と電界の作用によシイオン化し
、イオンマイグレーション現象が発生するという問題が
あることが判明した。
本発明の目的は、本発明者らが先に開示した特願昭５８
−１２６３２９によるプリント基板の上記欠点を克服し
、機械的、熱的特性および密着性がすぐれていて、しか
も平滑性にもすぐれた新規のプリント基板と、その安定
した効果的な製造方法を提供するにある。
−１２６３２９によるプリント基板の上記欠点を克服し
、機械的、熱的特性および密着性がすぐれていて、しか
も平滑性にもすぐれた新規のプリント基板と、その安定
した効果的な製造方法を提供するにある。
本発明によるプリント基板の要旨とするところは次の如
くである。すなわち、鋼板上に被覆された７オルステラ
イト被膜層と、前記フォルステライト被膜上に被覆され
たシん酸塩とコロイダルシリカを主成分とするコーティ
ング処理液の焼付けにより形成された絶縁被膜層と、前
記絶縁被膜層上に接着形成された導電パターンと、を有
して成ることを特徴とするプリント基板である。
くである。すなわち、鋼板上に被覆された７オルステラ
イト被膜層と、前記フォルステライト被膜上に被覆され
たシん酸塩とコロイダルシリカを主成分とするコーティ
ング処理液の焼付けにより形成された絶縁被膜層と、前
記絶縁被膜層上に接着形成された導電パターンと、を有
して成ることを特徴とするプリント基板である。
而して本発明によるこのプリント基板の製造方法の要旨
とするところは次の如くである。
とするところは次の如くである。
すなわち、鋼板上にＭｆＯを主成分とする焼鈍分離剤を
塗布した後焼鈍してフォルステライト層を形成する工程
と、前記フォルステライト層上にりん酸塩とコロイダル
シリカを主成分とするコーティング処理液を塗布した後
焼付けして絶縁被膜層を形成する工程と、前記絶縁被膜
層上（二導電パターンを接着した後３００〜９００℃の
温度域で焼鈍する工程と、を有して成ることを特徴とす
るプリント基板の製造方法である。
塗布した後焼鈍してフォルステライト層を形成する工程
と、前記フォルステライト層上にりん酸塩とコロイダル
シリカを主成分とするコーティング処理液を塗布した後
焼付けして絶縁被膜層を形成する工程と、前記絶縁被膜
層上（二導電パターンを接着した後３００〜９００℃の
温度域で焼鈍する工程と、を有して成ることを特徴とす
るプリント基板の製造方法である。
本発明者らは、従来の方向性珪素鋼板の２次再結晶焼鈍
時にＭｆＯを主成分とする焼鈍分離剤との反応で形成さ
れる７オルステライト下地被膜の上（＝、シん酸塩とコ
ロイダル７リカを主成分とする絶縁被膜層を形成するこ
とにより鉄損と磁気特性を改善し耐熱性のすぐれた絶縁
被膜を形成することに着目し、これをプリント基板に応
用することについて数多くの試行実験を重ねた結果、本
発明を完成するに至ったものである。
時にＭｆＯを主成分とする焼鈍分離剤との反応で形成さ
れる７オルステライト下地被膜の上（＝、シん酸塩とコ
ロイダル７リカを主成分とする絶縁被膜層を形成するこ
とにより鉄損と磁気特性を改善し耐熱性のすぐれた絶縁
被膜を形成することに着目し、これをプリント基板に応
用することについて数多くの試行実験を重ねた結果、本
発明を完成するに至ったものである。
本発明の実施例を、本発明者らが先に開示した特願昭５
８−１２６３２９のプリント基板および従来のほうろう
基板上に形成されたプリント基板と対比して説明する。
８−１２６３２９のプリント基板および従来のほうろう
基板上に形成されたプリント基板と対比して説明する。
第１図で示される本発明によるプリント基板は８ｉ：１
，０〜４．５ ％を含有する鋼板上にＭ ｆ Ｏを主成
分とする焼鈍分離剤を塗布し、Ｎ２ガス中１１００℃で
３０分間焼鈍して鋼板２人の表面に７オルステライト層
４を形成し、更にその上にヤ兄酸塩とコロイダルシリカ
を主成分とするコーティング処理液を塗布した後焼付け
て絶縁被膜層６を形成し、この絶縁被膜層６上に導電パ
ターン８を接着形成したプリント基板である。
，０〜４．５ ％を含有する鋼板上にＭ ｆ Ｏを主成
分とする焼鈍分離剤を塗布し、Ｎ２ガス中１１００℃で
３０分間焼鈍して鋼板２人の表面に７オルステライト層
４を形成し、更にその上にヤ兄酸塩とコロイダルシリカ
を主成分とするコーティング処理液を塗布した後焼付け
て絶縁被膜層６を形成し、この絶縁被膜層６上に導電パ
ターン８を接着形成したプリント基板である。
次に第２図に示されたものは、Ｓｉを含有する鋼板２Ｂ
上にＭｙＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し、Ｎ２ガ
ス中１ｉｏｏ℃で３θ分間焼鈍して鋼板２Ｂ表面に７オ
ルステライト層４を形成し、その上に直接はうろう掛け
してほうろう層１ｏを形成し、最上層に導電パーターン
８を接着した後６００℃で焼鈍したプリント基板であっ
て、特願１４８５８−１２６３２９に開示したプリント
基板ノーＢ様である。
上にＭｙＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し、Ｎ２ガ
ス中１ｉｏｏ℃で３θ分間焼鈍して鋼板２Ｂ表面に７オ
ルステライト層４を形成し、その上に直接はうろう掛け
してほうろう層１ｏを形成し、最上層に導電パーターン
８を接着した後６００℃で焼鈍したプリント基板であっ
て、特願１４８５８−１２６３２９に開示したプリント
基板ノーＢ様である。
第３図で示された従来のほうろう基板は、先ず前処理と
して酸洗、Ｎｉ７７ツシング処理を行なうので、その構
成は素地鋼板２Ｃ上に形成されるＮｉ７ラツシング層１
２と、その上に形成されるほうろう）＠１ｏと、更に姦
上層に形成される導電ハｐ ７ ｇにょシ構成される。
して酸洗、Ｎｉ７７ツシング処理を行なうので、その構
成は素地鋼板２Ｃ上に形成されるＮｉ７ラツシング層１
２と、その上に形成されるほうろう）＠１ｏと、更に姦
上層に形成される導電ハｐ ７ ｇにょシ構成される。
本発明によるプリント基板、特願昭５８−１２６３２９
にて開示したプリン）Ａ板および従来のほうろう基板は
上記の如く構成されているが、第３図にて示した従来の
はうるう基板はほうろう層１０中に気泡１４が発生し耐
電圧性の低下を来たす欠点があるほか、はうろう層１ｏ
を形成するに当ジアルカリ金属酸化物を極力少くしたの
で鋼板２ｃとの濡れ性が不良で、そのため良好な密着性
が得られない欠点があった。
にて開示したプリン）Ａ板および従来のほうろう基板は
上記の如く構成されているが、第３図にて示した従来の
はうるう基板はほうろう層１０中に気泡１４が発生し耐
電圧性の低下を来たす欠点があるほか、はうろう層１ｏ
を形成するに当ジアルカリ金属酸化物を極力少くしたの
で鋼板２ｃとの濡れ性が不良で、そのため良好な密着性
が得られない欠点があった。
また、第２図に示した本発明者らが先に開示したプリン
ト基板は７オルステライト層４によって鋼板２Ｂとの密
着性が著しく改善されたものの、はうろう層ホにアルカ
リ金属酸化物を極力少くしたため、スルーホールや基板
の周辺でほうろう層１０の盛シ上シが認められ表面の平
滑性において劣る点があシ、第３図にて示す従来のほう
ろう基板と同様の欠点を残していた。これに対し、第１
図にて示す本発明によるプリント基板は、密着性、耐熱
性、機械的強度がすぐれているだけではなく、表面の平
滑性もきわめて良好であって美しい光沢を有している。
ト基板は７オルステライト層４によって鋼板２Ｂとの密
着性が著しく改善されたものの、はうろう層ホにアルカ
リ金属酸化物を極力少くしたため、スルーホールや基板
の周辺でほうろう層１０の盛シ上シが認められ表面の平
滑性において劣る点があシ、第３図にて示す従来のほう
ろう基板と同様の欠点を残していた。これに対し、第１
図にて示す本発明によるプリント基板は、密着性、耐熱
性、機械的強度がすぐれているだけではなく、表面の平
滑性もきわめて良好であって美しい光沢を有している。
特に鋼板２人として、Ｓｉ：１．０〜４．５チを含有す
る鋼板を素地鋼板として使用する場合には、後記実施例
３の比較試験からも明らかな如く、本発明の効果が最も
顕著に発揮される。
る鋼板を素地鋼板として使用する場合には、後記実施例
３の比較試験からも明らかな如く、本発明の効果が最も
顕著に発揮される。
次に導電パターン８を接着した後焼鈍する必要があるが
、本発明によるプリント基板では３００〜９００℃の高
温で焼鈍すべきであることが判明した。その理由は３０
０℃未満の低温では焼成が不十分で導電パターン８を十
分接着させることができず、また９００℃を越す過度の
高温焼鈍では却って密着性の劣化をもたらすからである
。なお、第２図、第３図で示す比較例および従来例では
６００℃以上の高温焼鈍では、４電パターン８の密着性
が劣化することが認められた。
、本発明によるプリント基板では３００〜９００℃の高
温で焼鈍すべきであることが判明した。その理由は３０
０℃未満の低温では焼成が不十分で導電パターン８を十
分接着させることができず、また９００℃を越す過度の
高温焼鈍では却って密着性の劣化をもたらすからである
。なお、第２図、第３図で示す比較例および従来例では
６００℃以上の高温焼鈍では、４電パターン８の密着性
が劣化することが認められた。
実施例Ｉ
Ｓｉを２．２％含有する鋼板２人上にＭｒＯを主成分と
する焼鈍分離剤を塗布し、Ｎ２ガス＠１００℃で３０分
間焼鈍して鋼板表面に７オルステライト層４を形成し、
その上にシん酸マグネシウム２５チ水溶液８０Ｃ，Ｃ，
とコロイダルシリカ３０チ水分散液１００Ｃ，Ｃ，の割
合で含む処理液を塗布し焼付けして絶縁被膜６を施し、
この絶縁被膜６上に導電パターン８を接着させた後７５
０℃で１分間焼鈍した。得られたプリント基板は、導電
パターンの密着性も良好で、耐熱性、機械的強度もすぐ
れ、表面の平滑性も良好で美しい光沢のすぐれたもので
あった。
する焼鈍分離剤を塗布し、Ｎ２ガス＠１００℃で３０分
間焼鈍して鋼板表面に７オルステライト層４を形成し、
その上にシん酸マグネシウム２５チ水溶液８０Ｃ，Ｃ，
とコロイダルシリカ３０チ水分散液１００Ｃ，Ｃ，の割
合で含む処理液を塗布し焼付けして絶縁被膜６を施し、
この絶縁被膜６上に導電パターン８を接着させた後７５
０℃で１分間焼鈍した。得られたプリント基板は、導電
パターンの密着性も良好で、耐熱性、機械的強度もすぐ
れ、表面の平滑性も良好で美しい光沢のすぐれたもので
あった。
実施例２
Ｓｌを３．１チ含有する鋼板２人上にＭｆＯを主成分と
する焼鈍分離剤を塗布し、Ｎ２ガス中１１００℃で３０
分間焼鈍してフォルステライト層４を形成し、この７オ
ルステライト層４上にシん酸カルシウム１３％水溶ｇａ
ｏｃ、ｃ、と、コロイダルシリカ４０％水分散液１ｏＯ
Ｃ＋Ｃ−の割合で含む処理液を塗布し、焼付けして絶縁
被膜６を形成し、この絶縁被膜６上に導電パターン８を
接着させた後６５０℃で１分間焼鈍した。得られたブリ
。
する焼鈍分離剤を塗布し、Ｎ２ガス中１１００℃で３０
分間焼鈍してフォルステライト層４を形成し、この７オ
ルステライト層４上にシん酸カルシウム１３％水溶ｇａ
ｏｃ、ｃ、と、コロイダルシリカ４０％水分散液１ｏＯ
Ｃ＋Ｃ−の割合で含む処理液を塗布し、焼付けして絶縁
被膜６を形成し、この絶縁被膜６上に導電パターン８を
接着させた後６５０℃で１分間焼鈍した。得られたブリ
。
ント基板は実施例１の場合と同様にすぐれたものであっ
た。
た。
実施例３
Ｓ ｉ ０．７ ％ 、 ３．４ ％ 、 ５．０ ％
ヲ含有する３種の供試鋼板上に、同一条件でＭｆＯを
主成分とする焼鈍分離剤を塗布し、Ｎ２ガス中１１００
℃で３０分間輪鈍して７オルステ２イト）ｒ４４を形成
し、その上にりん酸マグネシウム２５チ水溶液６０Ｃ，
Ｃ，。
ヲ含有する３種の供試鋼板上に、同一条件でＭｆＯを
主成分とする焼鈍分離剤を塗布し、Ｎ２ガス中１１００
℃で３０分間輪鈍して７オルステ２イト）ｒ４４を形成
し、その上にりん酸マグネシウム２５チ水溶液６０Ｃ，
Ｃ，。
とコロイダルシリカ３０９！ｉ水分散液１００ＣＩＣ％
の割合で含む処理液を塗布し焼付けして絶縁被膜６を施
し、導電パターン８を接着させた後、それぞれ２００℃
、７００℃、および１０００℃で１分間焼鈍した。
の割合で含む処理液を塗布し焼付けして絶縁被膜６を施
し、導電パターン８を接着させた後、それぞれ２００℃
、７００℃、および１０００℃で１分間焼鈍した。
得られた９種類のプリント基板について、地鉄２と絶縁
被膜６の密着性および絶縁被膜６と導電パターン８との
密着性を比較試験した。結果は第１表に示すとおシであ
る。第１表においてそれぞれの密着性良好の場合はＯ印
、不良の場合はＸ印にて示した。
被膜６の密着性および絶縁被膜６と導電パターン８との
密着性を比較試験した。結果は第１表に示すとおシであ
る。第１表においてそれぞれの密着性良好の場合はＯ印
、不良の場合はＸ印にて示した。
第１表の比較試験結果よシ明らかな如く、素地鋼板とし
てはＳｉｌ、Ｑ％未満の０．７％の場合には、３００℃
未満の低温焼成の時を除き素地鋼板と絶縁被膜との密着
性は不良であシ、またＳＩ４，５チを越す５．０ ％の
場合には７００℃焼鈍時の絶縁被膜と導電パターン間の
密着性を除き、すべて不良である。これは８ｉ含有量が
１．０−未満の場合には５１０２を含むサブスケール生
成量が過少であシ、第１表 またＳｉ含有量が４５チを越して過多の場合は８ｉ０２
を含むサブスケールが過多となって共に良好＆ ７ 、
ｊ−ルステ２イト被膜を形成しないことによるためであ
る。
てはＳｉｌ、Ｑ％未満の０．７％の場合には、３００℃
未満の低温焼成の時を除き素地鋼板と絶縁被膜との密着
性は不良であシ、またＳＩ４，５チを越す５．０ ％の
場合には７００℃焼鈍時の絶縁被膜と導電パターン間の
密着性を除き、すべて不良である。これは８ｉ含有量が
１．０−未満の場合には５１０２を含むサブスケール生
成量が過少であシ、第１表 またＳｉ含有量が４５チを越して過多の場合は８ｉ０２
を含むサブスケールが過多となって共に良好＆ ７ 、
ｊ−ルステ２イト被膜を形成しないことによるためであ
る。
また、導電パターン接着後の焼鈍温度は３００℃未満の
２００℃では焼成が不十分であって導電パターンを十分
接着させることができず、逆に９００℃を越して１００
０℃の高温焼鈍では却って密着性を劣化させるからであ
る。
２００℃では焼成が不十分であって導電パターンを十分
接着させることができず、逆に９００℃を越して１００
０℃の高温焼鈍では却って密着性を劣化させるからであ
る。
従って、８ｉ：ｘ、ｏ〜４．５チのＳｉ３，４チの場合
であって、かつ導電パターン接着後の焼鈍温度が３００
〜９００℃ｏｈ度域内にある７００ｔ：焼鈍の場合には
、地鉄と絶縁被膜間および絶縁被膜と導電パターン間の
いずれの密着性も良好であることを示している。従２τ
麹θ味は３ｏｏ〜’？６Ｄ’Ｑ ４１ω１２敦吠、ス上
記実施例から明らかなとおシ、本発明によるプリント基
板は、好ましくは８ ｉ ：ｉ、ｏ〜４．５チを含む鋼
板上に７オルステライト下地被膜を形成し、その表面上
にシん酸塩とコロイダルシリカを主成分とする絶縁被膜
を形成し、更にその上に導電パターンを形成して３００
〜９００℃で高温焼鈍したものであって、次のようなす
ぐれた効果を有している。
であって、かつ導電パターン接着後の焼鈍温度が３００
〜９００℃ｏｈ度域内にある７００ｔ：焼鈍の場合には
、地鉄と絶縁被膜間および絶縁被膜と導電パターン間の
いずれの密着性も良好であることを示している。従２τ
麹θ味は３ｏｏ〜’？６Ｄ’Ｑ ４１ω１２敦吠、ス上
記実施例から明らかなとおシ、本発明によるプリント基
板は、好ましくは８ ｉ ：ｉ、ｏ〜４．５チを含む鋼
板上に７オルステライト下地被膜を形成し、その表面上
にシん酸塩とコロイダルシリカを主成分とする絶縁被膜
を形成し、更にその上に導電パターンを形成して３００
〜９００℃で高温焼鈍したものであって、次のようなす
ぐれた効果を有している。
（イ）機株的、熱的特性において著しくすぐれているの
で集積度の向上、大容量化に対しても十分対応できる。
で集積度の向上、大容量化に対しても十分対応できる。
（ロ） シん酸塩とコロイダルシリカを主成分とする被
膜の特徴として絶縁性が大である。
膜の特徴として絶縁性が大である。
ｅ）素地鋼板と絶縁被膜間および絶縁被膜と導電パター
ン間の密着性はいずれも極めて良好である。
ン間の密着性はいずれも極めて良好である。
（→ 表面の平滑性にすぐれ、基板端やスルーホールの
孔の周囲の盛り土シはない。
孔の周囲の盛り土シはない。
（ホ）直接、導電性もしくは抵抗性のインクを印刷した
後高温焼成しても基板の密着性が低下することがないの
で、すぐれたＩＣ，ＬＳＩ基板としてきわめて安定した
生産が可能である。
後高温焼成しても基板の密着性が低下することがないの
で、すぐれたＩＣ，ＬＳＩ基板としてきわめて安定した
生産が可能である。
（へ）加工が容易である。
なお、本発明に使用する素地鋼板はｓｉｘ、ｏ〜４．５
チを含有する限シ珪素鋼板のみならず、ステンレス鋼そ
の他如何なる鋼種でも使用可能である。
チを含有する限シ珪素鋼板のみならず、ステンレス鋼そ
の他如何なる鋼種でも使用可能である。
第１図は本発明のプリント基板の構成を示す拡大断面図
、第２図はＳｉを含む素地鋼板上に７オルステライト層
およびほうろう層を有する比較例プリント基板の構成を
示す拡大断面図、第３図は従来のほうろう基板を有する
プリント基板を示す拡大断面図である。 ２・・・（２Ａ、２Ｂ、２０）・・・素地銅板４・・・
フォルステライト層 ６・・・シん酸塩とコロイダルシリカを主成分とする絶
縁被膜 ８・・・導’ｉｉ４パターン 代理人 弁理士 中 路 武 雄 手続補正書 昭和５９年２月ｌＯ日 特許庁長官若杉和夫殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第２５１７４６号 ２ 発明の名称 プリント基板およびその製造方法 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 兵庫県神戸市中央区北本町通−丁目１番２８号
名称（１２５）川崎製鉄株式会社 代表者へ 木 端 浩 ４、代理人〒１８７ １、’−９？ ’ ！ノ ア、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ８、補正の内容 （１）明細書第６頁第６〜７行の「本発明を完成するに
至ったものである。」の次に「上記シん酸塩のｔｌＪｉ
は特に限定の喪がないが、りん酸マグネシウム、りん酸
アルミニウム、シん酸カルシウム、シん酸亜鉛、シん酸
ストロンチウム、シん酸鉄、シん酸バリウム等のシん酸
塩が特に適当であることが判明した。」を加える。 （２）明細書第１０頁第１４〜１５行の「実施例１の場
合と同様にすぐれたものであった。」の次に行を改めて
下記実施例３，４．５を加え、第１６行の「実施例３」
を「実施例６」に改める。 「実施例３ Ｓｉを２．９チ含有する鋼板２人上にＭｔＯｔｔ主成分
とする焼鈍分離剤を塗布し、Ｎ２ ガス中１１００℃で
３０分間焼鈍して鋼板２人表面にフォルステライト層４
を形成し、その上にシん酸アルミニウム４５％水ｍ液４
０ ｃ ｃとコロイダルシリカ２０チ水分散液１００
ｃｃめ割合で含む処理液を塗布し、焼付けして絶縁被膜
６を形成し、この絶縁被膜６上に導電パターン８を接着
させた後６５０℃で１分間焼鈍した。得られたプリント
基板は、導電パターンの密着性も良好で、耐熱性、機械
的強度もすぐれ、表面の平滑性′も良好で美しい光沢の
すぐれたものであった。 実施例４ ８ｉを３．１チ含有する鋼板２人上にＭｆＯを主成分と
する焼鈍分離剤を塗布し、Ｎ２ ガス中１１００℃で３
０分間焼鈍して鋼板２人表面にフォルステライト層４を
形成し、その上にシん酸亜鉛４０チ水溶液１５ ｃｃと
コロイダルシリカ２０％水分散液１−００ｃｃの割付で
含む処理液を塗布し、焼付けして絶縁被膜６を形成し、
この絶縁被膜６上に導電パターン８を接着させた後７５
０℃で１分間焼鈍した。得られたプリント基板は、導電
パターンの密着性も良好で、耐熱性、機械的強度がすぐ
れ表面性状も良好であった。 実施例゛５ Ｓｉを３．２％含有する鋼板２人上にＭｆＯを主成分と
する焼鈍分離剤を塗布し、Ｎ２ ガス叫１００℃で３０
分間焼鈍して鋼板２人表面にフォルステライト層４を形
成し、その上にシん酸ストロンチウム２０チ水溶液６２
ＣＣとコロイダルシリカ２０チ水分散液１００ ＣＣの
割合で含む処理液を塗布焼付けして絶縁被膜６を形成し
、この絶縁被膜６上に導電パターン８を接層させた後７
００℃で１分間焼鈍した。得られたプリント基板は導電
パターンの密着性も良好で、耐熱性、機械的強度がすぐ
れ、表面も美しい光沢のすぐれたものであった。」（３
）明細書第１０頁第２０行の「軸鈍して」を「焼鈍して
」に改める。 （４）明細書第９頁第１６．１７行、第１０頁第９．１
０行、第１１貞第１．２行のＦ Ｃ，Ｃ，Ｊをいずれも
「ｃｃＪ に改める。。 以上 手続補正書 １．事件の表示 昭和５８年 特許願 第２５１７４６号２ 発明の名称 プリント基板およびその製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 兵庫県神戸市中央区北本町通−丁目１番２８号
名称（１２５）川崎製鉄株式会社 代表者八木哨浩 ４、代理人〒１８７ 唱和５９年２月１０日付提出の手続補正書（以下単に手
続補正書と称する） ８、補正の内容 （１）手続補正書第３頁第１２行の「シん酸亜鉛４０チ
」を「りん酸亜鉛２０％Ｊ Ｅ改める。 （２）手続補正書第４Ｒ第１１行の「表面も美しい光沢
のすぐれたものであった。」の次に行を改めて下記実施
例６、比較例１および２を加える。 ｒ実施例６ ８ｉを３．０％含有する山板２Ａ上にＭｔＯを主成分と
する焼鈍分離剤を塗布し、Ｎ２ガス中１０８０℃で３５
分間焼ｌ１４ｉして鋼板２Ａ夫面にフオルステジイト層
４を形成し、その上にシん酸アルミニウム２０ｇ６水溶
液５５ ｃｃとコロイダルシリカ２０チ水分散液９０ｃ
ｃの１１合で含む処理液を塗布し、焼付けして絶縁被膜
６を形成し、この絶縁被膜６上に導電パターン８を接着
させた後７００℃で１分間焼鈍した。得られたプリント
基板は、導電パターンの密着性も良好で、耐熱性、機械
的強度にもすぐれ、表面の平滑性も良好で美しい光沢の
すぐれたものであった。 比較例Ｉ Ｓｉを２９％含有する鋼板２人上書二ＭｒＯを主成分と
する焼鈍分離剤を塗布し、Ｎ２ガス中１１００℃で３０
分間焼鈍して鋼板２人表面に７オルステライトノ鋒４を
形成し、その上にシん酸カルシウム１５％水溶液３０ｃ
ｃとコロイダルシリカ２０チ水分散液１００ｃｃの割合
で含む処理液を塗布し、焼付けして絶縁被膜６を形成し
、この絶縁被膜６上に導電パターン８を接着させた後１
ｏｏｏ’ｃで１分間焼鈍した。得られたプリント基板は
本発明による限定温度域３００〜９００℃を越す焼≦屯
温度であったため密ノ３性が不良であった。 比較例２ Ｓｉを３．１チ含有する錆゛場板２人上にＭｒＯを主成
分とする焼鈍分離剤を塗布し、Ｎ２ガス中１１００℃で
３０分間焼鈍して銅板２八表面に７オルステライト層４
を形成し、その上にりん酸アルミニウム４０％水溶液４
９ｃｃとコロイダルシリカ３０１水分散液１００ｃｃの
割合で含む処理液を塗布し、焼付けして絶縁被膜６を形
成し、この絶縁被膜６上に導電パターン８を接着させた
後１０００℃で１分間焼鈍した。得られたプリント基板
は、本発明による限定温度域３００〜９００℃を越す焼
鈍温度であったため密着性が不良゛であった。」（３）
手続補正書第２頁第１４行の「実施例６」をｒ実施例７
Ｊに改め、上記比較例２の最後の記載「３００〜９００
℃を越す焼鈍温度であったため密着性が不良であった。 」の次に行を改めて加える。 以上
、第２図はＳｉを含む素地鋼板上に７オルステライト層
およびほうろう層を有する比較例プリント基板の構成を
示す拡大断面図、第３図は従来のほうろう基板を有する
プリント基板を示す拡大断面図である。 ２・・・（２Ａ、２Ｂ、２０）・・・素地銅板４・・・
フォルステライト層 ６・・・シん酸塩とコロイダルシリカを主成分とする絶
縁被膜 ８・・・導’ｉｉ４パターン 代理人 弁理士 中 路 武 雄 手続補正書 昭和５９年２月ｌＯ日 特許庁長官若杉和夫殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第２５１７４６号 ２ 発明の名称 プリント基板およびその製造方法 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 兵庫県神戸市中央区北本町通−丁目１番２８号
名称（１２５）川崎製鉄株式会社 代表者へ 木 端 浩 ４、代理人〒１８７ １、’−９？ ’ ！ノ ア、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ８、補正の内容 （１）明細書第６頁第６〜７行の「本発明を完成するに
至ったものである。」の次に「上記シん酸塩のｔｌＪｉ
は特に限定の喪がないが、りん酸マグネシウム、りん酸
アルミニウム、シん酸カルシウム、シん酸亜鉛、シん酸
ストロンチウム、シん酸鉄、シん酸バリウム等のシん酸
塩が特に適当であることが判明した。」を加える。 （２）明細書第１０頁第１４〜１５行の「実施例１の場
合と同様にすぐれたものであった。」の次に行を改めて
下記実施例３，４．５を加え、第１６行の「実施例３」
を「実施例６」に改める。 「実施例３ Ｓｉを２．９チ含有する鋼板２人上にＭｔＯｔｔ主成分
とする焼鈍分離剤を塗布し、Ｎ２ ガス中１１００℃で
３０分間焼鈍して鋼板２人表面にフォルステライト層４
を形成し、その上にシん酸アルミニウム４５％水ｍ液４
０ ｃ ｃとコロイダルシリカ２０チ水分散液１００
ｃｃめ割合で含む処理液を塗布し、焼付けして絶縁被膜
６を形成し、この絶縁被膜６上に導電パターン８を接着
させた後６５０℃で１分間焼鈍した。得られたプリント
基板は、導電パターンの密着性も良好で、耐熱性、機械
的強度もすぐれ、表面の平滑性′も良好で美しい光沢の
すぐれたものであった。 実施例４ ８ｉを３．１チ含有する鋼板２人上にＭｆＯを主成分と
する焼鈍分離剤を塗布し、Ｎ２ ガス中１１００℃で３
０分間焼鈍して鋼板２人表面にフォルステライト層４を
形成し、その上にシん酸亜鉛４０チ水溶液１５ ｃｃと
コロイダルシリカ２０％水分散液１−００ｃｃの割付で
含む処理液を塗布し、焼付けして絶縁被膜６を形成し、
この絶縁被膜６上に導電パターン８を接着させた後７５
０℃で１分間焼鈍した。得られたプリント基板は、導電
パターンの密着性も良好で、耐熱性、機械的強度がすぐ
れ表面性状も良好であった。 実施例゛５ Ｓｉを３．２％含有する鋼板２人上にＭｆＯを主成分と
する焼鈍分離剤を塗布し、Ｎ２ ガス叫１００℃で３０
分間焼鈍して鋼板２人表面にフォルステライト層４を形
成し、その上にシん酸ストロンチウム２０チ水溶液６２
ＣＣとコロイダルシリカ２０チ水分散液１００ ＣＣの
割合で含む処理液を塗布焼付けして絶縁被膜６を形成し
、この絶縁被膜６上に導電パターン８を接層させた後７
００℃で１分間焼鈍した。得られたプリント基板は導電
パターンの密着性も良好で、耐熱性、機械的強度がすぐ
れ、表面も美しい光沢のすぐれたものであった。」（３
）明細書第１０頁第２０行の「軸鈍して」を「焼鈍して
」に改める。 （４）明細書第９頁第１６．１７行、第１０頁第９．１
０行、第１１貞第１．２行のＦ Ｃ，Ｃ，Ｊをいずれも
「ｃｃＪ に改める。。 以上 手続補正書 １．事件の表示 昭和５８年 特許願 第２５１７４６号２ 発明の名称 プリント基板およびその製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 兵庫県神戸市中央区北本町通−丁目１番２８号
名称（１２５）川崎製鉄株式会社 代表者八木哨浩 ４、代理人〒１８７ 唱和５９年２月１０日付提出の手続補正書（以下単に手
続補正書と称する） ８、補正の内容 （１）手続補正書第３頁第１２行の「シん酸亜鉛４０チ
」を「りん酸亜鉛２０％Ｊ Ｅ改める。 （２）手続補正書第４Ｒ第１１行の「表面も美しい光沢
のすぐれたものであった。」の次に行を改めて下記実施
例６、比較例１および２を加える。 ｒ実施例６ ８ｉを３．０％含有する山板２Ａ上にＭｔＯを主成分と
する焼鈍分離剤を塗布し、Ｎ２ガス中１０８０℃で３５
分間焼ｌ１４ｉして鋼板２Ａ夫面にフオルステジイト層
４を形成し、その上にシん酸アルミニウム２０ｇ６水溶
液５５ ｃｃとコロイダルシリカ２０チ水分散液９０ｃ
ｃの１１合で含む処理液を塗布し、焼付けして絶縁被膜
６を形成し、この絶縁被膜６上に導電パターン８を接着
させた後７００℃で１分間焼鈍した。得られたプリント
基板は、導電パターンの密着性も良好で、耐熱性、機械
的強度にもすぐれ、表面の平滑性も良好で美しい光沢の
すぐれたものであった。 比較例Ｉ Ｓｉを２９％含有する鋼板２人上書二ＭｒＯを主成分と
する焼鈍分離剤を塗布し、Ｎ２ガス中１１００℃で３０
分間焼鈍して鋼板２人表面に７オルステライトノ鋒４を
形成し、その上にシん酸カルシウム１５％水溶液３０ｃ
ｃとコロイダルシリカ２０チ水分散液１００ｃｃの割合
で含む処理液を塗布し、焼付けして絶縁被膜６を形成し
、この絶縁被膜６上に導電パターン８を接着させた後１
ｏｏｏ’ｃで１分間焼鈍した。得られたプリント基板は
本発明による限定温度域３００〜９００℃を越す焼≦屯
温度であったため密ノ３性が不良であった。 比較例２ Ｓｉを３．１チ含有する錆゛場板２人上にＭｒＯを主成
分とする焼鈍分離剤を塗布し、Ｎ２ガス中１１００℃で
３０分間焼鈍して銅板２八表面に７オルステライト層４
を形成し、その上にりん酸アルミニウム４０％水溶液４
９ｃｃとコロイダルシリカ３０１水分散液１００ｃｃの
割合で含む処理液を塗布し、焼付けして絶縁被膜６を形
成し、この絶縁被膜６上に導電パターン８を接着させた
後１０００℃で１分間焼鈍した。得られたプリント基板
は、本発明による限定温度域３００〜９００℃を越す焼
鈍温度であったため密着性が不良゛であった。」（３）
手続補正書第２頁第１４行の「実施例６」をｒ実施例７
Ｊに改め、上記比較例２の最後の記載「３００〜９００
℃を越す焼鈍温度であったため密着性が不良であった。 」の次に行を改めて加える。 以上
Claims (2)
- （１）鋼板上に被覆されたフォルステライト被膜層と、
前記フォルステライト被膜上に被覆されたシん酸塩とコ
ロイダルシリカを主成分とするコーティング処理液の焼
付けによシ形成された絶縁被膜層と、前記絶縁被膜層上
に接着形成された導電パターンと、を有して成ることを
特徴とするプリント基板。 - （２）鋼板上にＭｆＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布
した後焼鈍してフォルステライト層を形成する工程と、
前記フォルステライト層上（ニジん酸塩とコロイダルシ
リカを主成分とするコーティング処理液を塗布した後焼
付けして絶縁被膜層を形成する工程と、前記絶縁被膜層
上に導電パターンを接着した後３００〜９００℃の温度
域で焼鈍する工程と、を有して成ることを特徴とするプ
リント基板の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58251746A JPS60142584A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | プリント基板およびその製造方法 |
| DE8484307321T DE3476151D1 (en) | 1983-12-28 | 1984-10-24 | A substrate for print circuit board, a print circuit board, and methods of manufacturing the same |
| EP19840307321 EP0147023B1 (en) | 1983-12-28 | 1984-10-24 | A substrate for print circuit board, a print circuit board, and methods of manufacturing the same |
| US06/906,599 US4690855A (en) | 1983-12-28 | 1986-09-10 | Substrate for print circuit board, a print circuit board, and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58251746A JPS60142584A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | プリント基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60142584A true JPS60142584A (ja) | 1985-07-27 |
Family
ID=17227306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58251746A Pending JPS60142584A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | プリント基板およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4690855A (ja) |
| JP (1) | JPS60142584A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3936654C1 (ja) * | 1989-11-03 | 1990-12-20 | Schott Glaswerke, 6500 Mainz, De | |
| US5262204A (en) * | 1989-11-03 | 1993-11-16 | Schott Glaswerke | Glass-ceramic article decorated with ceramic color and process for its production |
| WO2003008938A2 (de) * | 2001-07-16 | 2003-01-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum bestimmen der haftfestigkeit einer beschichtung auf einem bauteil |
| TWI381780B (zh) | 2010-04-28 | 2013-01-01 | Wus Printed Circuit Co Ltd | 可辨識印刷電路板之製造方法 |
| KR20130077177A (ko) * | 2011-12-29 | 2013-07-09 | 삼성전기주식회사 | 파워 인덕터 및 그 제조방법 |
| US20220251712A1 (en) * | 2018-07-11 | 2022-08-11 | Next Innovation inc. | Insulation layer formation method, member with insulation layer, resistance measurement method and junction rectifier |
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|---|---|---|---|---|
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| US3136658A (en) * | 1960-10-04 | 1964-06-09 | Owens Illinois Glass Co | Metal coated refractories and method of utilizing and manufacturing same |
| DE1242282B (de) * | 1961-11-30 | 1967-06-15 | Ibm Deutschland | Verfahren zur Herstellung eines aus Metall- und Isolierstoffschichten bestehenden Traegers fuer gedruckte Schaltungen |
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| DE2536013A1 (de) * | 1975-08-13 | 1977-03-03 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur verbesserung der haltbarkeit von aus siliciumoxiden bestehenden schutzschichten |
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| US4260500A (en) * | 1979-02-21 | 1981-04-07 | The Lubrizol Corporation | Magnesium-containing complexes, method for their preparation, and compositions containing the same |
| JPS563673A (en) * | 1979-06-19 | 1981-01-14 | Fujikura Ltd | Manufacture of enameled substrate |
| JPS5662389A (en) * | 1979-10-26 | 1981-05-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Printed board |
| JPS5688344A (en) * | 1979-12-20 | 1981-07-17 | Murata Mfg Co Ltd | Heat dissipating plate for semiconductor |
| JPS5710994A (en) * | 1980-06-24 | 1982-01-20 | Fujikura Ltd | Substrate for electronic material |
| US4309485A (en) * | 1981-02-24 | 1982-01-05 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Enameled steel plate |
| JPH0652795B2 (ja) * | 1984-03-07 | 1994-07-06 | 太陽誘電株式会社 | 可撓性非晶質半導体太陽電池 |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP58251746A patent/JPS60142584A/ja active Pending
-
1986
- 1986-09-10 US US06/906,599 patent/US4690855A/en not_active Expired - Fee Related
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| JPS5681681A (en) * | 1979-12-05 | 1981-07-03 | Nippon Steel Corp | Forming method for insulating film with superior heat resistance |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4690855A (en) | 1987-09-01 |
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