JPS60136339A - Bump electrode - Google Patents
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- JPS60136339A JPS60136339A JP58244052A JP24405283A JPS60136339A JP S60136339 A JPS60136339 A JP S60136339A JP 58244052 A JP58244052 A JP 58244052A JP 24405283 A JP24405283 A JP 24405283A JP S60136339 A JPS60136339 A JP S60136339A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、突起電極と接続している導電層、特にフェイ
スダウン用ペレットの導電層の信頼性向上に適用して有
効な技術に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a technique that is effective when applied to improve the reliability of a conductive layer connected to a protruding electrode, particularly a conductive layer of a face-down pellet.
［背景技術］
半田等のろう材からなる突起電極および該突起電極と電
気的に接続された導電層の形成方法については、本発明
者等による既特許出願（特願昭５７−７３９５２号）に
詳述されている。この特許出願は、「フエイスダウンポ
ンディングチソプおよびその製造方法」に関するもので
あり、そこに記載されている突起電極および導電層の製
造方法は、概路次のようである。[Background Art] A method for forming a protruding electrode made of a brazing material such as solder and a conductive layer electrically connected to the protruding electrode is described in an existing patent application filed by the present inventors (Japanese Patent Application No. 73952/1982). detailed. This patent application is related to "Face down-ponding chisop and method for manufacturing the same," and the method for manufacturing protruding electrodes and conductive layers described therein is outlined as follows.
ペレット上のアルミ電極以外の全面にリンガラス（ＰＳ
Ｇ）またはプラズマシリコンナイトライド（Ｐ−３ｉＮ
）等からなるファイナルパッシベーション膜を形成し、
この膜およびアルミ電極の上のペレット全面にチタン、
その上に銅、さらにその上にチタンの金属を蒸着法等に
て被着形成する。この金属層の上全面にポリイミド等の
絶縁膜を形成し、その後慣用のホトエツチング法にて突
起電極形成領域対応部と、後に不要となる金属層対応部
のポリイミド膜を除去する。Phosphorous glass (PS) is applied to the entire surface of the pellet except for the aluminum electrode.
G) or plasma silicon nitride (P-3iN
), etc., to form a final passivation film.
Titanium is applied to the entire surface of the pellet above this membrane and aluminum electrode.
Copper is deposited on top of this, and titanium is deposited on top of it by a vapor deposition method or the like. An insulating film such as polyimide is formed on the entire surface of this metal layer, and then the polyimide film in the portion corresponding to the protruding electrode formation region and the portion corresponding to the metal layer which will be unnecessary later is removed by a conventional photoetching method.
次に、ポリイミドに形成された突起電極用スルーホール
を残して、他のポリイミド部および露出金属部の全体に
ホトレジスト膜を被着形成し、さらに上記スルーホール
内に露出しているチタン層のみをエツチング除去する。Next, a photoresist film is formed on the entire other polyimide parts and the exposed metal part, leaving the through hole for the protruding electrode formed in the polyimide, and then only the titanium layer exposed in the through hole is formed. Remove by etching.
次に、ホトレジストをマスクとして、該スルーポール部
にニッケル、錫、鉛の順にめっきをして３層からなる電
極部を形成する。その後、ホトレジスト膜を除去し、さ
らに該電極部およびポリイミド膜をマスクとして、露出
しているチタン−銅−チタンの金属層をエツチング除去
することにより、ポリイミド膜でバターニングされ、か
つペレット上のアルミ電極と導通された導電層が完成す
る。Next, using a photoresist as a mask, the through-pole portion is plated with nickel, tin, and lead in this order to form an electrode portion consisting of three layers. After that, the photoresist film is removed, and the exposed titanium-copper-titanium metal layer is etched away using the electrode part and the polyimide film as a mask, so that the polyimide film is patterned and the aluminum on the pellet is etched. A conductive layer electrically connected to the electrode is completed.
最後に、所定温度以上に加熱すると突起電極部にめっき
された錫および鉛が混合溶融するとともに、表面張力の
作用で略半球形状の半田からなる突起電極が形成され、
突起電極を備えたフェイスダウンボンディング用ベレン
トが完成する。Finally, when heated above a predetermined temperature, the tin and lead plated on the protruding electrode part are mixed and melted, and a protruding electrode made of approximately hemispherical solder is formed by the action of surface tension.
A belent for face-down bonding with protruding electrodes is completed.
ところが、上記製造方法において、パターニングされた
ポリイミド膜および該ポリイミド膜上に形成された突起
電極をマスクとして不要な金属層をエツチング除去する
際、エツチング時間が長い場合工、チンダ液がスルーホ
ール部より浸透して行き、内部の導電層を腐食し断線に
至らしめ、突起電極との導通不良をきたすということが
、本発明者等により見い出された。However, in the above manufacturing method, when removing unnecessary metal layers by etching using the patterned polyimide film and the protruding electrodes formed on the polyimide film as a mask, if the etching time is long, the molding liquid may leak from the through-hole area. The inventors of the present invention have discovered that the metal penetrates and corrodes the internal conductive layer, leading to disconnection, resulting in poor conduction with the protruding electrode.
また、エソチンダ液が内部に浸透して行く場所は、ポリ
イミド膜のスルーホール部にめっき法等にて形成された
突起電極の金属部と該スルーホール開口部のポリイミド
との間に生じている間隙部であることが本発明者等によ
り明らかにされた。In addition, the place where the Esotynda liquid permeates into the interior is the gap created between the metal part of the protruding electrode formed by plating or the like in the through-hole part of the polyimide film and the polyimide at the opening of the through-hole. The present inventors have clarified that this is the case.
［発明の目的コ
本発明の目的は、導電層と電気的に接続されている突起
電極において、該導電層との導通不良等の発生を有効に
防止し、該突起電極を備えてなる電子装置等の信頼性を
向上することにある。[Object of the Invention] An object of the present invention is to effectively prevent occurrence of poor conduction with the conductive layer in a protruding electrode electrically connected to the conductive layer, and to provide an electronic device equipped with the protruding electrode. The aim is to improve the reliability of
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細店の記述および添付図面から明らかになるであろう
。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description and accompanying drawings herein.
し発明の概要］
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。Summary of the Invention] A brief summary of typical inventions disclosed in this application is as follows.
すなわち、絶縁膜と他の絶縁膜との間に形成された導電
層と、最上層の絶縁膜の一部に形成したスルーホールの
上部に該スルーホールを介して導通を図ったろう利から
なる突起電極において、耐食性の優れた金属でスルーホ
ール開口部周縁の絶縁膜上面に密着したひさしを有する
下地金属を突起電極下層に設ける。前記下地金属を設け
ることにより、スルーボール開口部の電極金属と絶縁膜
の間に生じた間隙を塞ぐことができるので、該間隙より
腐食物質が浸透して導電層を腐食し、断線に至らしめる
ことを未然に防止することができるため、突起電極を備
えた電子装置の信頼性の向上を達成することができるも
のである。That is, a conductive layer formed between an insulating film and another insulating film, and a protrusion made of brazing material that is connected to the top of a through hole formed in a part of the uppermost insulating film through the through hole. In the electrode, a base metal that is made of a metal with excellent corrosion resistance and has a canopy that is in close contact with the upper surface of the insulating film around the through-hole opening is provided as a lower layer of the protruding electrode. By providing the base metal, it is possible to close the gap created between the electrode metal and the insulating film at the through-ball opening, so corrosive substances can penetrate through the gap and corrode the conductive layer, leading to disconnection. Since this can be prevented from occurring, it is possible to improve the reliability of electronic devices equipped with protruding electrodes.
［実施例］
第１図は、本発明の一実施例である突起電極が半導体ペ
レット表面に形成された導電層と電気的に接続された状
態を示す部分断面図である。[Example] FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing a state in which a protruding electrode according to an example of the present invention is electrically connected to a conductive layer formed on the surface of a semiconductor pellet.
本実施例による突起電極ｌは、ポリイミドからなる絶縁
１！ｔｉ２とシリコン等からなるペレット３の上面に被
着形成されたプラズマナイトライド膜等のファイナルパ
ッシベーション膜４の間に形成されたチタン層５および
銅層６の２層からなる導電層７と、ニッケルからなる下
地金属８を介して電気的に接続された略半球状の半田か
らなる。The protruding electrode l according to this embodiment is an insulator made of polyimide. A conductive layer 7 consisting of two layers, a titanium layer 5 and a copper layer 6, formed between a final passivation film 4 such as a plasma nitride film deposited on the upper surface of a pellet 3 made of Ti2 and silicon, etc. It consists of approximately hemispherical solder electrically connected via a base metal 8 consisting of.
下地金属８は、上記絶縁膜２の一部に形成されたスルー
ホール９で、銅層６と接触しかつ該スル−ボール開口部
周縁の絶縁膜上面に密着したひさし１０を形成するよう
に設けられている。The base metal 8 is a through hole 9 formed in a part of the insulating film 2, and is provided so as to form an eaves 10 in contact with the copper layer 6 and in close contact with the upper surface of the insulating film around the through-ball opening. It is being
また、上記導電層７は突起電極１の位置から離れた位置
に形成されたベレット上のアルミ電極１１とチタン層５
を介して電気的に接続されている。Further, the conductive layer 7 includes an aluminum electrode 11 and a titanium layer 5 on the pellet formed at a position away from the position of the protruding electrode 1.
electrically connected via.
第２図は、第１図に示した導電層７および突起電極の平
面図で、竿状の配線部とその端部にリング状の電極部を
有する形状を表したものである。FIG. 2 is a plan view of the conductive layer 7 and the protruding electrodes shown in FIG. 1, and shows a shape having a rod-shaped wiring part and a ring-shaped electrode part at the end thereof.
この電極部における複数のリング１２．１３．１４およ
び１５はそれぞれ絶縁膜２、突起電極１、下地金属８お
よびスルーホール９の周縁部に対応するものであり、配
線部の左端の破線部１６はベレット上のアルミ電極１１
の位置を示している。A plurality of rings 12, 13, 14 and 15 in this electrode section correspond to the peripheral edges of the insulating film 2, protruding electrode 1, base metal 8 and through hole 9, respectively, and the broken line section 16 at the left end of the wiring section Aluminum electrode 11 on the pellet
It shows the position of
以上のように、本実施例による突起電極ｌば、特定の位
置にある電極を導電層を介して任意の位置に引き出して
外部に接続するために用いて有効な電極であり、さらに
は、絶縁膜２および突起電極ｌをマスクとして、慣用の
エツチング液を用いて不要金属層を除去して形成される
導電層７の一端に形成されている該突起電極に適用して
有効な電極である。As described above, the protruding electrode according to this embodiment is an effective electrode that can be used to pull out an electrode at a specific position to an arbitrary position via a conductive layer and connect it to the outside. This electrode is effective when applied to the protruding electrode formed at one end of the conductive layer 7, which is formed by removing an unnecessary metal layer using a conventional etching solution using the film 2 and the protruding electrode I as a mask.
次に、本実施例の突起電極１とこれに接続する導電層等
の形成方法の一例を順を追って説明する。Next, an example of a method of forming the protruding electrode 1 of this embodiment and the conductive layer connected thereto will be explained in order.
（１）、アルミ電極１１をその表面の一部に有する半導
体ベレット３の表面のアルミ電極以外の全域をプラズマ
シリコンナイＩ・ライド膜等のファイナルパッシベーシ
ョン膜４で被着する。(1) The entire area of the surface of the semiconductor pellet 3 having the aluminum electrode 11 on a part of its surface other than the aluminum electrode is coated with a final passivation film 4 such as a plasma silicon nylonide film.
（２）、アルミ電極１１およびファイナルバ・ノシベー
ション膜４の上面全域に蒸着等の方法でチタン層５およ
び銅Ｍ６の２層からなる金属層を形成する。(2) A metal layer consisting of two layers, titanium layer 5 and copper M6, is formed over the entire upper surface of the aluminum electrode 11 and the final bar inoculation film 4 by a method such as vapor deposition.
これは最終的には導電層７になるものである。This will eventually become the conductive layer 7.
（３）、金属層上面全域にポリイミド等の絶縁膜を被着
する。(3) An insulating film such as polyimide is deposited over the entire upper surface of the metal layer.
（４）、さらに、絶縁膜上面全域にホトレジストを被着
した後、導電層７および電極形成領域以外の不要な絶縁
膜をエツチング除去し、導電層上面のノでターニングさ
れた絶縁膜２を形成する。この段階で電極形成領域のス
ルーホール９も同時に形成される。(4) Furthermore, after depositing a photoresist over the entire upper surface of the insulating film, unnecessary insulating films other than the conductive layer 7 and the electrode formation area are removed by etching to form the insulating film 2 which is turned on the upper surface of the conductive layer. do. At this stage, through holes 9 in the electrode forming region are also formed at the same time.
（５）、スルーホール９および該スルーホール開口部周
縁の所定１１】の絶縁膜を残し、他の絶縁膜および絶縁
膜のエツチング除去で露出した金属層の全域に再びホト
レジスト膜を被着させる。(5) A photoresist film is again deposited over the entire area of the other insulating film and the metal layer exposed by etching away the insulating film, leaving the through hole 9 and a predetermined 11] of the insulating film around the opening of the through hole.
（６）、被着したホトレジスト膜をマスクとして、電気
めっき法にてニッケルからなる下地金属８を形成し、そ
の上に半田層を同方法にて形成する。(6) Using the deposited photoresist film as a mask, a base metal 8 made of nickel is formed by electroplating, and a solder layer is formed thereon by the same method.
（７）、マスクとして用いたホトレジスト膜を除去し再
び金属層を露出させた後、上記（４）でバターニングさ
れた絶縁膜２および上記（６）で形成されたニッケルと
半田からなる電極部をマスクとして、慣用のエツチング
液を用いて露出金属層の銅層およびチタン層の全てをエ
ツチング除去する。この段階で第２図の平面図に示すよ
うなパターンで、その１１ｉ面が第１図で示すような導
電層７が形成される（８）、最後に、めっき法にて形成
された電極部を加熱すると、半田のみが溶融しニッケル
である下地金属８をぬらして接触すると同時に、その表
面張力の作用で略球状の突起電極１を形成する。(7) After removing the photoresist film used as a mask and exposing the metal layer again, the insulating film 2 patterned in the above (4) and the electrode part made of nickel and solder formed in the above (6) Using as a mask, all of the exposed metal layers, the copper layer and the titanium layer, are etched away using a conventional etching solution. At this stage, a conductive layer 7 is formed with a pattern as shown in the plan view of FIG. 2, and its 11i plane is as shown in FIG. 1 (8).Finally, the electrode portion is formed by plating. When heated, only the solder melts and wets and contacts the base metal 8, which is nickel, and at the same time forms a substantially spherical protruding electrode 1 due to its surface tension.
第３図は、本発明であるひさしを有する下地金属を設け
た突起電極が、その導電層の腐食防止に寄与する態様を
説明するために第２図に示す突起電極１の形成状態を■
−■にお＆Ｊる断面図で示したものである。FIG. 3 shows the formation state of the protruding electrode 1 shown in FIG.
- It is shown in a cross-sectional view in &J.
第３図（ａ）は、第１図に示した完成された突起電極に
ついての断面図で、第３図（ｂｌは上記形成工程で（６
）の段階における状態を断面図で示したものである。FIG. 3(a) is a cross-sectional view of the completed bump electrode shown in FIG.
) is a cross-sectional view showing the state at the stage.
第３図（ｂｌはバターニングされた絶縁膜２の上面の外
縁部と不要露出金属層１７を所要厚のホトレジスト膜１
８で覆った後、ホトレジスト不覆部であるスルーホール
９にニッケルを所要の厚さで鍍゛ 着することにより、
同じくホトレジスト不覆部であるスルーホール開口部周
縁の絶縁膜上面に密着した状態でひさし１０を形成させ
ることができる。FIG. 3 (bl is a photoresist film 1 of a required thickness that covers the outer edge of the upper surface of the patterned insulating film 2 and the unnecessary exposed metal layer 17.
After covering with nickel 8, the through holes 9, which are not covered with photoresist, are coated with nickel to the required thickness.
The eaves 10 can be formed in close contact with the upper surface of the insulating film at the periphery of the through-hole opening, which is also a photoresist-uncovered portion.
この場合、ホトレジスト膜の開口部の壁１９は、ひさし
１０の型の役割を果たしている。In this case, the walls 19 of the opening in the photoresist film serve as a mold for the eaves 10.
次いで（７）の工程であるが、ホトレジスト膜１７を全
て除去し、再び不要金属Ｎ１１を露出させた後、該不要
金属層の銅およびチタンを全てエツチング除去する。こ
のエツチング除去の際、バターニングされた絶縁１１ｉ
２および突起電極がマスクになっている。その結果、第
３図（ｂｌに示す導電層７が形成され、さらに工程（８
）に示す加熱処理により第３図（ａｌに示す略球状の突
起電極を形成することができる。Next, in step (7), the photoresist film 17 is completely removed to expose the unnecessary metal N11 again, and then all the copper and titanium in the unnecessary metal layer are removed by etching. During this etching removal, the patterned insulation 11i
2 and the protruding electrode serve as a mask. As a result, the conductive layer 7 shown in FIG.
) The substantially spherical protruding electrode shown in FIG. 3 (al) can be formed by the heat treatment shown in FIG.
従来、突起電極にひさしを有する下地金属を設しＪでい
なかった場合には上記の不要金属層をエツチング除去す
る工程において、エツチング時間が長い場合は特に、ス
ルーホール開口部の絶縁膜と電極金属との間に生じた間
隙をエツチング液が浸透して行き、スルーホール下の導
電層である銅層６およびチタンＮ５を腐食し、その結果
導電層の断線をきたし該突起電極１と導電１目７との間
の導通不良の問題が生じていた。Conventionally, when a protruding electrode has been provided with a base metal having a visor, in the step of etching away the unnecessary metal layer, the insulating film and the electrode at the through-hole opening may be removed, especially if the etching time is long. The etching solution penetrates the gap created between the metal and the copper layer 6 and titanium N5, which are the conductive layers under the through-hole, and as a result, the conductive layer is disconnected, and the protruding electrode 1 and the conductive layer 1 are disconnected. There was a problem of poor conduction between the eyes 7 and 7.
そこで、本実施例に示す突起電極ｌのようにニッケルで
ひさし１Ｏを有する下地金属を設けることにより、構造
上ある程度はさけられない絶縁膜と電極金属との間に生
じる間隙を塞ぐことができるので、エツチング液の浸透
を防止することができる。また、下地金属がニッケルで
あるため、導電［１の形成工程で銅およびチタンの除去
を目的で使用する慣用エツチング液によっては腐食され
にくいので、本実施例に示す突起電極はエツチング時間
が長い場合であってもマスクとしての機能を十分に発揮
することができる。Therefore, by providing a base metal with an overhang of nickel like the protruding electrode l shown in this example, it is possible to close the gap that occurs between the insulating film and the electrode metal, which cannot be avoided to some extent due to the structure. , it is possible to prevent the etching solution from penetrating. In addition, since the underlying metal is nickel, it is not easily corroded by the conventional etching solution used to remove copper and titanium in the process of forming conductivity [1]. Even if it is, it can fully demonstrate its function as a mask.
し効果］
（ｌ）、第１絶縁膜のスルーホール上部に該スルーホー
ルを介して該第１絶縁膜および第２絶縁膜の間に形成さ
れた導電層と電気的に接続されている突起電極において
、スルーホール開口部周縁の第１絶縁膜上面に密着する
ひさしを有し、かつ導電層金属に接触する下地金属を設
けることにより、該スルーホール開口部の電極金属と絶
縁膜との間に生じた間隙を塞ぐことができるので、該間
隙を通して腐食物質が内部に浸透し、導電層を腐食する
ことを有効に防止することができる。Effect] (l) A protruding electrode electrically connected to the conductive layer formed between the first insulating film and the second insulating film via the through hole above the through hole of the first insulating film. In this method, by providing a base metal that has an eave that is in close contact with the upper surface of the first insulating film at the periphery of the through-hole opening and is in contact with the conductive layer metal, there is a gap between the electrode metal and the insulating film of the through-hole opening. Since the created gap can be closed, corrosive substances can be effectively prevented from penetrating into the interior through the gap and corroding the conductive layer.
（２）、上記（１１により、上記突起電極を備えた電子
装置の信頼性の向上を達成することができる。(2) According to (11) above, it is possible to improve the reliability of an electronic device equipped with the protruding electrode.
（３）、前記（ｊｌにおいて、バターニングされた第１
絶縁膜および突起電極をマスクとして、露出している金
属層をエツチング除去することにより、導電層を形成す
る場合、突起電極としてひさしを有する下地電極を設け
ることにより、エツチング液がスルーホール開口部の間
隙を通して浸透し、導電層を腐食することを防止できる
。(3), above (in jl, the buttered first
When forming a conductive layer by etching away the exposed metal layer using the insulating film and the protruding electrode as a mask, providing a base electrode with a canopy as the protruding electrode allows the etching solution to reach the through-hole opening. It can prevent penetration through gaps and corrosion of the conductive layer.
（４）、上記（３）におい°Ｃ１下地金属としてエツチ
ング液に対する耐食性の優れた金属を使用することによ
り、長時間のエツチング処理を行うことができる。(4) In the case of (3) above, by using a metal with excellent corrosion resistance against an etching solution as the base metal, the etching process can be carried out for a long time.
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor.
たとえば、下地金属としてはニッケルに限定するもので
なく、エツチング液に対する耐食性を備えた他の金属で
あってもよく、また導電層金属も銅およびチタン以外の
金属であってもよく、金属も２Ｎに限るものではなく１
層または３層以上の導電層であってもよい。For example, the base metal is not limited to nickel, but may be other metals that have corrosion resistance against etching solutions, and the conductive layer metal may also be a metal other than copper or titanium, and the metal may also be 2N. Not limited to 1
It may be a conductive layer or three or more conductive layers.
また、導電層の配線部が真直ぐな形状であるものを示し
たが、これに限らず任意の形状で形成できるものであり
、電極形成領域もリング状でなくてもよい。Further, although the wiring portion of the conductive layer is shown to have a straight shape, it is not limited to this and can be formed in any shape, and the electrode forming region does not have to be ring-shaped.
さらに、下地金属の形成方法は電気めっき法に限るもの
ではなく、たとえばリフトオフ蒸着法等を用いることも
でき、導電層を形成するための金属層も蒸着法以外の方
法で被着してもよいことはいうまでもない。Furthermore, the method for forming the base metal is not limited to electroplating; for example, a lift-off vapor deposition method can also be used, and the metal layer for forming the conductive layer may also be deposited by a method other than vapor deposition. Needless to say.
［利用分野］
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるフェイスダウンボン
ディング用ペレットに通用した場合について説明したが
、それに限定されるものではなく、たとえば、突起電極
を備えた種々の電子装置に適用することができる。[Field of Application] In the above explanation, the invention made by the present inventor was mainly applied to pellets for face-down bonding, which is the field of application that formed the background of the invention, but the present invention is not limited to this, for example, It can be applied to various electronic devices equipped with protruding electrodes.
第１図は、本発明の一実施例である突起電極をベレット
に適用した場合の部分断面図、第２図は、第１図で示し
た突起電極と該突起電極に接続している導電層の平面図
、
第３図（ａｌは、第２図の■−■における断面図、第３
図（ｂｌは、第３図（ａｌと同一部位における形成工程
の途中形状を示す断面図である。
ｌ・・・突起電極、２・・・絶縁膜、３・・・ペレット
、４・・・ファイナルパッシベーション膜、５・・・チ
タン層、６・・・銅層、７・・・導電層、８・・・下地
金属、９・・・スルーホール、１０・・・ひさし、１１
・・・アルミ電極、１２．１３．１４．１５・・・リン
グ、１６・・・破線部、１７・・・露出金属層、１８・
・・ホトレジスト膜、１９・・・壁。
の ゝFIG. 1 is a partial cross-sectional view of a projecting electrode according to an embodiment of the present invention applied to a pellet, and FIG. 2 shows the projecting electrode shown in FIG. 1 and a conductive layer connected to the projecting electrode. A plan view of Fig. 3 (al is a sectional view taken along ■-■ of Fig. 2, Fig. 3
Figure (bl is a sectional view showing the intermediate shape of the formation process at the same site as in Figure 3 (al). l... protruding electrode, 2... insulating film, 3... pellet, 4... Final passivation film, 5... Titanium layer, 6... Copper layer, 7... Conductive layer, 8... Base metal, 9... Through hole, 10... Eaves, 11
... Aluminum electrode, 12.13.14.15 ... Ring, 16 ... Broken line part, 17 ... Exposed metal layer, 18.
... Photoresist film, 19... Wall. of ゝ
Claims (1)
と、該第１絶縁膜に形成されたスルーホール−に部に該
スルーボールを介して電気的に接続されているろう材か
らなる突起電極において、導電層金属とろう祠との間に
、耐食性の下地金属がスルーボール開口部周縁の第１絶
縁膜上面に密着したひさしを形成するように設けられた
ことを特徴とする突起電極。 ２、金属層の一部をパターニングされた第１絶縁膜と該
第１絶縁膜のスルーホール上部に形成された突起電極と
でマスクして、他の露出金属層をエツチング除去するこ
とにより形成された導電層と電気的に接続されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の突起電極。 ３、第１絶縁膜および第２絶縁膜がそれぞれ半導体ペレ
ット最上層の有機絶縁膜およびファイナルパノシヘーソ
ヨン股であることを特徴とする特許請求の範囲第１項ま
たは第２項記載の突起電極。 ４、導電層を形成する金属の少なくとも一層が銅であり
、該銅層と電気的に接続する下地金属がニッケルである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記
載の突起電極。 ５、ろう材が半田であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項または第２項記載の突起電極。[Scope of Claims] 1. A conductive layer formed between a first insulating film and a second insulating film, and a through hole formed in the first insulating film, through which electricity is transmitted through the through ball. In the protruding electrode made of a brazing material that is connected to the solder metal, the corrosion-resistant base metal forms an eave that is in close contact with the upper surface of the first insulating film at the periphery of the through-ball opening between the conductive layer metal and the brazing hole. A protruding electrode characterized by being provided. 2. A part of the metal layer is masked with a patterned first insulating film and a protruding electrode formed above a through hole in the first insulating film, and the other exposed metal layer is etched away. The protruding electrode according to claim 1, wherein the protruding electrode is electrically connected to a conductive layer. 3. The protruding electrode according to claim 1 or 2, wherein the first insulating film and the second insulating film are an organic insulating film and a final pane layer of the uppermost layer of a semiconductor pellet, respectively. . 4. The protrusion according to claim 1 or 2, wherein at least one layer of metal forming the conductive layer is copper, and the base metal electrically connected to the copper layer is nickel. electrode. 5. The protruding electrode according to claim 1 or 2, wherein the brazing material is solder.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58244052A JPS60136339A (en) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | Bump electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58244052A JPS60136339A (en) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | Bump electrode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60136339A true JPS60136339A (en) | 1985-07-19 |
Family
ID=17113007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58244052A Pending JPS60136339A (en) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | Bump electrode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60136339A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0321848U (en) * | 1989-07-11 | 1991-03-05 | ||
| US5471092A (en) * | 1992-09-15 | 1995-11-28 | International Business Machines Corporation | Metallurgical joint including a stress release layer |
| US5969424A (en) * | 1997-03-19 | 1999-10-19 | Fujitsu Limited | Semiconductor device with pad structure |
-
1983
- 1983-12-26 JP JP58244052A patent/JPS60136339A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0321848U (en) * | 1989-07-11 | 1991-03-05 | ||
| US5471092A (en) * | 1992-09-15 | 1995-11-28 | International Business Machines Corporation | Metallurgical joint including a stress release layer |
| US5969424A (en) * | 1997-03-19 | 1999-10-19 | Fujitsu Limited | Semiconductor device with pad structure |
| US6232147B1 (en) | 1997-03-19 | 2001-05-15 | Fujitsu Limited | Method for manufacturing semiconductor device with pad structure |
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