JPS60136156A - レ−ザ−トリガ−ドキセノンフラツシユランプ - Google Patents
レ−ザ−トリガ−ドキセノンフラツシユランプInfo
- Publication number
- JPS60136156A JPS60136156A JP24373083A JP24373083A JPS60136156A JP S60136156 A JPS60136156 A JP S60136156A JP 24373083 A JP24373083 A JP 24373083A JP 24373083 A JP24373083 A JP 24373083A JP S60136156 A JPS60136156 A JP S60136156A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode
- cathode
- laser
- poles
- lamp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/84—Lamps with discharge constricted by high pressure
- H01J61/90—Lamps suitable only for intermittent operation, e.g. flash lamp
Landscapes
- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は光の吸収１反射、螢光等の定量若しくは定性分
析を目的とする分光分析に用いられる分ラッシュランプ
に関するものである、 〔発明の技術的背景〕 従来、キセノンフラッシュランプは高速度写真用光源や
写植用光源として多用されている。
析を目的とする分光分析に用いられる分ラッシュランプ
に関するものである、 〔発明の技術的背景〕 従来、キセノンフラッシュランプは高速度写真用光源や
写植用光源として多用されている。
これは、キセノンフラッシュランプが容易に高輝度のフ
ラッシュ光を発生することに基づくも２．のであり、最
近ではさらにその低発熱性や長寿命であること等が見面
され一部の分光分析の光源として使用され始めている。
ラッシュ光を発生することに基づくも２．のであり、最
近ではさらにその低発熱性や長寿命であること等が見面
され一部の分光分析の光源として使用され始めている。
分光分−析においては一般的に分光光度計を使用し、短
波長での光の吸収９反射、螢光を測定することが行なわ
れる。
波長での光の吸収９反射、螢光を測定することが行なわ
れる。
このような分光光度計のブ０源としては、通常安Ｗ度の
高いハロゲンランプ、重水素ランプ、キセノンアーク灯
が用いられている。ここに安定度とは光源像のｗＪ１＃
ｌが小さいことを意味するものである。
高いハロゲンランプ、重水素ランプ、キセノンアーク灯
が用いられている。ここに安定度とは光源像のｗＪ１＃
ｌが小さいことを意味するものである。
すなわち、分光光度計の光の入射ス１ノット上での揺動
が小さいことが正確な分光分析を行なう上で必須の条件
とされる。
が小さいことが正確な分光分析を行なう上で必須の条件
とされる。
従来のキセノンフラッシュランプの具体的構造を第１図
に示す。
に示す。
同図において、１は′クラス製着しくは石英製の管体で
あり、この管体１の内部には対向配置に陽極２笈び陰極
３が設げられている、陽極２と陰極 □３との間には複
数の始動棒４が配置され、また管体１内には数十〜数百
ｙｅｓ Ｈｇのキセノンガスが封入されている。
あり、この管体１の内部には対向配置に陽極２笈び陰極
３が設げられている、陽極２と陰極 □３との間には複
数の始動棒４が配置され、また管体１内には数十〜数百
ｙｅｓ Ｈｇのキセノンガスが封入されている。
上記構成のキセノンフラッシュランプにおいて、陽極２
．陰極３間に高電圧が印加され、また始動＄ｊｉ、４に
順次高電圧が印加されると、始動棒４による軍、界に基
づき陽極２．陰極３間に゛「６８位の傾きが生じ、その
間のインピーダンスが低下する結果陽極２と１！’ｉ
Ｑｉ ３との間に放電が生じる。この放電は雷と同様で
あり、プラズマ状態となって陽極２から始動棒４を経て
陰極に至り瞬間的に６００〜１、００ （ｌ Ａ ／ｃ
ｒｌの電流密度に達する。
．陰極３間に高電圧が印加され、また始動＄ｊｉ、４に
順次高電圧が印加されると、始動棒４による軍、界に基
づき陽極２．陰極３間に゛「６８位の傾きが生じ、その
間のインピーダンスが低下する結果陽極２と１！’ｉ
Ｑｉ ３との間に放電が生じる。この放電は雷と同様で
あり、プラズマ状態となって陽極２から始動棒４を経て
陰極に至り瞬間的に６００〜１、００ （ｌ Ａ ／ｃ
ｒｌの電流密度に達する。
このような大電流が流れるとき管体ｌ内のキセノンガス
を励起して高輝度のフラッシュ光Ｆを発生する。
を励起して高輝度のフラッシュ光Ｆを発生する。
しかしながら、このフラッシュ光Ｆは始動棒４″の電界
変ｎ１に基づくプラズマ状態のわずかな変動で第２図に
示すような水平方向（放電の方向とは垂直方向）の揺動
が生じ、このようなフラッシュ光の揺動のため、キセノ
ンフラッシュランプは高輝度という大きな利点を有しな
がら分光光度計等の光源として十分寄与することができ
なかった。
変ｎ１に基づくプラズマ状態のわずかな変動で第２図に
示すような水平方向（放電の方向とは垂直方向）の揺動
が生じ、このようなフラッシュ光の揺動のため、キセノ
ンフラッシュランプは高輝度という大きな利点を有しな
がら分光光度計等の光源として十分寄与することができ
なかった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、プラズ
マ状態のフラッシュ光の揺動を生じさせる始動棒が不要
でかつ高輝度で安定したフラッシュ光を得ることができ
分光分析の光源として好適なレーザトリガードキセノン
フラッシュランプの提供を目的とするものである。
マ状態のフラッシュ光の揺動を生じさせる始動棒が不要
でかつ高輝度で安定したフラッシュ光を得ることができ
分光分析の光源として好適なレーザトリガードキセノン
フラッシュランプの提供を目的とするものである。
上記目的を達ＦＭ、するための本発明の概要は、管体内
にキセノンガスを封入するとともに陽極と陰極とを対向
配置してなるランプ本体と、レーザ光線を発生するレー
ザ発振手段とを備え、前記陽極。
にキセノンガスを封入するとともに陽極と陰極とを対向
配置してなるランプ本体と、レーザ光線を発生するレー
ザ発振手段とを備え、前記陽極。
陰極間にレーザ光線を通過させることにより生じる両極
間の電位の傾きに基づきその両極間にプラズマ状態のフ
ラッシュ光を発生させるようにしたことを性徴とするも
のである、 〔発明の実施例〕 以下に本発明の実施例を第、３図を参照して説明１゛る
。
間の電位の傾きに基づきその両極間にプラズマ状態のフ
ラッシュ光を発生させるようにしたことを性徴とするも
のである、 〔発明の実施例〕 以下に本発明の実施例を第、３図を参照して説明１゛る
。
同図において、１（）はガラス製若しくは石英製のラン
プ本体であり、このランプ本体１０の内部には第１図に
示すキセノンフラッシュランプと同様数十〜１１ Ｍ
ｔａｘ Ｈｇのキセノンガスが封入されている、 また、ランプ本体１（）の内部には対向配置に陽小＜−
１１１とＦｕｒ＜１２とが設けられている。
プ本体であり、このランプ本体１０の内部には第１図に
示すキセノンフラッシュランプと同様数十〜１１ Ｍ
ｔａｘ Ｈｇのキセノンガスが封入されている、 また、ランプ本体１（）の内部には対向配置に陽小＜−
１１１とＦｕｒ＜１２とが設けられている。
Ｉ易析１１及び１衾極１２の中心部にはともにレーザ光
線りが通スト９可能な小孔］１ａ、］２ａが仰、設され
ている、 Ｊ３はレーザ光線りを発生するレーザ発振手段であ、す
、このレーザ発振手段１３のレーザ光放出口１３ａは、
ランプ本体１０の外部でかつ陽極】１に穿設した小孔１
１ａＫ臨ませて配置されている、上記構成のレーザトリ
ガードキセノンフラッシュランプにおいて、陽極１１．
隈ＪｆＩｉＬ１２間に所定の電圧を印加するとともにレ
ーザ光放出口１３ａいてランプ本体１０の外部に至る。
線りが通スト９可能な小孔］１ａ、］２ａが仰、設され
ている、 Ｊ３はレーザ光線りを発生するレーザ発振手段であ、す
、このレーザ発振手段１３のレーザ光放出口１３ａは、
ランプ本体１０の外部でかつ陽極】１に穿設した小孔１
１ａＫ臨ませて配置されている、上記構成のレーザトリ
ガードキセノンフラッシュランプにおいて、陽極１１．
隈ＪｆＩｉＬ１２間に所定の電圧を印加するとともにレ
ーザ光放出口１３ａいてランプ本体１０の外部に至る。
小孔１１ａから小孔】２ａ、即ち陽極】１から陰極１２
へレーザ光線りが通過する際に両極間の空間における電
位分布に傾きが生じ、これに伴ない両極間のインピーダ
ンスが低くなって両極間にプラズマ放電が開始されフラ
ッシュ光Ｆが発生する。
へレーザ光線りが通過する際に両極間の空間における電
位分布に傾きが生じ、これに伴ない両極間のインピーダ
ンスが低くなって両極間にプラズマ放電が開始されフラ
ッシュ光Ｆが発生する。
レーザ光線りは直線性が良好であるため、両極間のプラ
ズマ放ｔｆｉ、も直線的になり、したがって従来のキセ
ノンフラッシュランプのような水平方向の揺動がない安
定したフラッシュ光Ｆ？得ることができる、 本発明は上述した実施例に１ＳＬ４足されるものではな
く、その要旨の範囲内で神々θ）変形が可能であること
ば菖うまでもない。
ズマ放ｔｆｉ、も直線的になり、したがって従来のキセ
ノンフラッシュランプのような水平方向の揺動がない安
定したフラッシュ光Ｆ？得ることができる、 本発明は上述した実施例に１ＳＬ４足されるものではな
く、その要旨の範囲内で神々θ）変形が可能であること
ば菖うまでもない。
例えばレーザ発Ｊ）；？手段として気体、液体、固体半
７！う体へ！？の各１ｉｆｉのレーザ物／７ｊ↓を用い
たものを用いろことができる。
７！う体へ！？の各１ｉｆｉのレーザ物／７ｊ↓を用い
たものを用いろことができる。
以」二詳述した本発明によれば、レーザ光線によりラン
プ本体内の陽極−１陰極間のインピーダンスを低下させ
その両極間にレーザ光線の軌跡に沿ったプラズマ族ＴＪ
、 ？生じさせるようにしたものであるから、従来のキ
セノンフラッシュランプのような始動棒が土製となると
ともに、揺動が少なく安定用に′ｆＡ＋１、かつ高輝度
のフラッシュ光′？得ることができ、分光分析の光源と
して好適なレーザトリカードキセノンフラッシュランプ
を提供し得るものである。
プ本体内の陽極−１陰極間のインピーダンスを低下させ
その両極間にレーザ光線の軌跡に沿ったプラズマ族ＴＪ
、 ？生じさせるようにしたものであるから、従来のキ
セノンフラッシュランプのような始動棒が土製となると
ともに、揺動が少なく安定用に′ｆＡ＋１、かつ高輝度
のフラッシュ光′？得ることができ、分光分析の光源と
して好適なレーザトリカードキセノンフラッシュランプ
を提供し得るものである。
第１図は従来のキセノンフラッシュランプの放Ω
市、状態を示す説明図、第２図は同上陽極、陰極間の放
電時におけるフラッシュ光の揺動状態を示す説、四回、
第３図は本発明の実施例を示す説明図である。 １・・・管体、１０・・・ランプ本体、１１・・・陽極
、１２・・・陰極、１３・・・レーザ発振手段、Ｆ・・
・フラッシュ光。
電時におけるフラッシュ光の揺動状態を示す説、四回、
第３図は本発明の実施例を示す説明図である。 １・・・管体、１０・・・ランプ本体、１１・・・陽極
、１２・・・陰極、１３・・・レーザ発振手段、Ｆ・・
・フラッシュ光。
Claims (1)
- 餡体内にキセノンガスを刺入するとともに陽極と陰極と
を対向配置してなるランプ本体と、レーザ光線を宥、生
するレーザ発振手段とを価え、前記陽極、陰４；メ間に
レーザ光線を通過させることにより生じる両極間σ）電
位の傾きに基づきその両極間にプラズマ状態のフラッシ
ュ光を発生させるようにしたことを特徴とするレーヘト
リガードキセノンフラッシュランプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24373083A JPS60136156A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | レ−ザ−トリガ−ドキセノンフラツシユランプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24373083A JPS60136156A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | レ−ザ−トリガ−ドキセノンフラツシユランプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60136156A true JPS60136156A (ja) | 1985-07-19 |
Family
ID=17108134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24373083A Pending JPS60136156A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | レ−ザ−トリガ−ドキセノンフラツシユランプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60136156A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5095357A (en) * | 1989-08-18 | 1992-03-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Inductive structures for semiconductor integrated circuits |
| US5227659A (en) * | 1990-06-08 | 1993-07-13 | Trustees Of Boston University | Integrated circuit inductor |
| US6842080B1 (en) | 1998-05-07 | 2005-01-11 | Niigata Seimitsu Co., Ltd. | LC oscillator formed on a substrate |
| US7268611B2 (en) | 2002-08-09 | 2007-09-11 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor device and memory card using same |
| WO2010030586A1 (en) * | 2008-09-09 | 2010-03-18 | Kino Flo, Inc. | Method and apparatus for maintaining constant color temperature of a fluorescent lamp |
| US8339230B2 (en) | 2006-08-01 | 2012-12-25 | Renesas Electronics Corporation | Inductor element, inductor element manufacturing method, and semiconductor device with inductor element mounted thereon |
| US9042117B2 (en) | 2010-03-24 | 2015-05-26 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
-
1983
- 1983-12-26 JP JP24373083A patent/JPS60136156A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5095357A (en) * | 1989-08-18 | 1992-03-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Inductive structures for semiconductor integrated circuits |
| US5227659A (en) * | 1990-06-08 | 1993-07-13 | Trustees Of Boston University | Integrated circuit inductor |
| US6842080B1 (en) | 1998-05-07 | 2005-01-11 | Niigata Seimitsu Co., Ltd. | LC oscillator formed on a substrate |
| US7268611B2 (en) | 2002-08-09 | 2007-09-11 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor device and memory card using same |
| US8339230B2 (en) | 2006-08-01 | 2012-12-25 | Renesas Electronics Corporation | Inductor element, inductor element manufacturing method, and semiconductor device with inductor element mounted thereon |
| WO2010030586A1 (en) * | 2008-09-09 | 2010-03-18 | Kino Flo, Inc. | Method and apparatus for maintaining constant color temperature of a fluorescent lamp |
| US8456091B2 (en) | 2008-09-09 | 2013-06-04 | Kino Flo, Inc. | Method and apparatus for maintaining constant color temperature of a fluorescent lamp |
| US9042117B2 (en) | 2010-03-24 | 2015-05-26 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
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