JPS60136134U - 単結晶成長装置 - Google Patents

単結晶成長装置

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JPS60136134U
JPS60136134U JP1984022015U JP2201584U JPS60136134U JP S60136134 U JPS60136134 U JP S60136134U JP 1984022015 U JP1984022015 U JP 1984022015U JP 2201584 U JP2201584 U JP 2201584U JP S60136134 U JPS60136134 U JP S60136134U
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JP
Japan
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crystal growth
single crystal
growth equipment
holding
seed crystal
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JP1984022015U
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古賀　和幸
新名　達彦
中田　俊武
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Publication date
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来例を示し、第１図は断面図、また第２図乃
至第４図は本考案の実施例を示し、第２図及び第４図は
断面図、第３図は斜視図である。 １・・・ルツボ、２・・・原材料、３・・・種結晶、５
・・・保持部、５ｃ・・・保持面。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 原材料が収納されるルツボ、該ルツボ中に位置し種結晶
    を保持する保持部を備え、上記保持部の上記種結晶の保
    持面は上記種結晶の結晶成長面と略同−形状をなすこと
    を特徴とする単結晶成長袋°　　　置。
JP1984022015U 1984-02-17 1984-02-17 単結晶成長装置 Granted JPS60136134U (ja)

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JPH0442911Y2 JPH0442911Y2 (ja) 1992-10-12

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