JPS60134675A - 固体撮像デバイスおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 九髭芳」 本発明は撮像デバイス、とくに、撮像セルが１次元また
は２次元に配列され、発生した光キャリアに応じた電流
を出力する方式の固体撮像デバイスおよびその製造方法
に関するものである。

１隻且遺 フォトダイオードなどの感光セルが水平行および垂直列
に２次元配列されて撮像セルアレイを構成し、この２次
元アレイの垂直または水平方向の少なくとも一方は、シ
フトレジスタによって順次セルが選択されて画素信号を
読み出す方式の２次元間体撮像デバイスがある。水平お
よび垂直の両方向にシフトレジスタを使用するものは、
一般にＭＯ９型撮像デバイスと称し、たとえば垂直方向
にシフトレジスタを使用して水平方向は電荷転送を行な
うものは呼び水転送デバイス（ＣＰＤ）と称している。

このように２次元配列の撮像セルの選択にシフトレジス
タを使用する２次元撮像デバイスは一般に、ラスク走査
方式にて画素信号を読み出す場合、使用するシフトレジ
スタによってその読出し方向がデバイスに固有に定まっ
ている。

これは、２板式固体撮像デバイスを使用するカメラでは
次のような問題を生ずる。

２板式カメラは、単一の固体撮像デバイスを有する単板
式に比較して解像度が高いという利点を有し、単板式に
おけるように空間的な色分解に起因して輝度差の大きな
被写体エツジで偽色信号が発生するなどの欠点がない。

しかし従来、前述のように２次元撮像デバイスの画素信
号読出し方向がデバイスに固有であることから、２つの
撮像デバイスの撮像セルアレイには被写体の同じ正像を
結像させる必要があった。

このため、全反射を利用したプリズムを使用し、正像を
結像させていた。

このようなプリズムは、形状が複雑で重い欠点がある。

そこで、プリズムを使用せず、ビームスプリッタによっ
て２つの撮像デバイスに被写体像を鏡像関係のまま結像
させ、後になんらかの方法で２つの正像の映像信号に変
換することが考えられる。たとえば、２つの撮像デバイ
スから読み出した画素信号を水平走査線単位で蓄積し、
反対方向にこれを読み出す読出し方向反転用のバッファ
を設けたり、または、２つの撮像デバイスから読み出し
た画素信号をそのまま磁気記録媒体に蓄積し、再生の際
、一方を逆方向から読み出すなどの工夫が必要であった
。

しかし、被写体の鏡像が結像された撮像デバイスから画
素信号が正像の信号として読み出される撮像デバイスを
使用すれば、このような反転手段を講じないでよい。そ
こで、このように撮像セルアレイに結像された鏡像から
正像の映像信号を出力する２次元撮像デバイスが必要と
なる。しかし、そのような鏡像反転読出しの撮像デバイ
スはいずれも、それらに使用される読出しシフトレジス
タが鏡像反転読出しに固有の布線パターンを有している
必要があった。

より詳細には、鏡像反転読出しのためには、垂直シフト
レジスタまたは水平シフトレジスタのいずれか一方を通
常の方向、すなわち正像の場合とは反対の方向に歩進さ
せなければならない。そのため、鏡像反転読出しの撮像
デバイスは、シフトレジスタの各段の結線が通常のもの
、すなわち正像読出しのものとは反対になり、その初段
と終段にそれぞれあるイニシエータとターミネータの位
置が通常とは反対になる。したがって、鏡像反転読出し
の固体撮像デバイスは、それ専用の回路パターンのマス
クを使用して製造されていなけれ□ばならない・ これは、通常の、すなわち正像読出しの固体撮像デバイ
スとは別に特別なマスクパターンを用意し、別個の製造
工程で鏡像反転読出しの固体撮像デバイスを製造しなけ
ればならない。鏡像反転読出しの固体撮像デバイスは、
通常の、すなわち正像読出しの固体撮像デバイスと比較
して需要個数も少ないので、このような特別な回路パタ
ーンと製造工程を用意することは、素子価格の−Ｌ昇を
招くのみならず、製造管理も複雑になる。

則−勝 本発明はこのような従来技術の欠点を解消し、簡略な製
造工程によって正像読出しの固体撮像デバイスおよび鏡
像反転読出しの固体撮像デバイスの両方を製造すること
ができる固体撮像デバイスおよびその製造方法を提供す
ることを目的とする。

発１！ＩＪＬポ 本発明によれば、半導体の構体と、この構体上に形成さ
れ複数の撮像セルを有する撮像セル配列と、この構体上
に形成され撮像セル配列の複数の撮像セル□を選択的に
駆動して画素信号を出力させるためのシフトレジスタ手
段とを含む固体撮像デバイスにおいて、シフトレジスタ
手段は、撮像セル配列に対応した複数のレジスタ段と、
複数のレジスタ段の両端にそれぞれ１組ずつ配置された
２組のイニシエータ回路およびターミネータ回路とを含
み、複数のレジスタ段の間の相互の接続、ならびに２組
のイニシエータ回路およびターミネータ回路と複数のレ
ジスタ段の初段および終段との選択的接続は、シフトレ
ジスタ手段の歩進の方向に応じて、構体の上に後に形成
される。

この固体撮像デバイスは、次の方法によって製造される
。すなわちこの方法は、複数の撮像セルを有する撮像セ
ル配列と、撮像セル配列の複数の撮像セルを選択的に駆
動して画素信号を出力させるためのシフトレジスタ手段
とが半導体の構体−ヒに形成される固体撮像デバイスの
製造方法であって、半導体の基板を用意する第１の工程
と、基板のＦに、撮像セル配列、シフトレジスタ手段を
構成する複数のレジスタ段、ならびに複数のレジスタ段
の両端にそれぞれ１組ずつ配置される２組のイニシエー
タ回路およびターミネータ回路を形成する第２の工程と
、第２の工程によって形成された構体の上に、複数のレ
ジスタ段の間の相互の接続、ならびに２組のイニシエー
タ回路およびターミネータ回路と複数のレジスタ段の初
段および終段との選択的接続をシフトレジスタ手段の歩
進の方向に応じて形成する第３の工程とを含む。

支１爽ｍ 次に添付図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。

第１図を参照すると、いわゆるＭＯＳ型の２次元固体撮
像デバイスの半導体チップ１０における回路パターン配
列が概念的に示されている。これによれば、たとえばフ
ォトダイオードなどの感光セル１１が２次元マトリクス
アレイ状に配列され、撮像セルアレイ１２を構成してい
る。この実施例では、アレイ１２は、垂直方向に２４２
行の水平走査線、水平方向に２５６個の画素が配列され
ている。撮像セルアレイ１２の光入射面には、画素ごと
にこの例では無色（Ｗ）、緑（Ｇ）、黄（Ｙｅ）および
シアン（Ｇｙ）のモザイク状分解色フィルタが配設され
ている。

各セル１１は、水平行選択ゲ−）１４を介して垂直シフ
トレジスタＶＳＲによって水平行が選択され、垂直列選
択ゲート１６を介して水平シフトレジスタＨ８Ｈによっ
て垂直列が選択される。チップ１０の四隅に配置されて
いる電極パッド２０には電源ＶＳ　、　ＢＤ　。

Ｈ！３．ＧＮ、ＢＳ、ＳＯ２などが供給される。

各セル１１への入射光に対応した電流は、画素信号とし
て映像信号線１８に分解色ごとに読み出される。これは
、垂直シフトレジスタＶＳＲには駆動クロックφＶｌ、
φｖ２、および駆動パルスφＶｉｎを対応する電極パッ
ド２０から入力し、水平シフトレジスタＨ９Ｒには駆動
クロックφ旧、φＨ２、および駆動パルスφ旧ｎを対応
する電極パッド２０から入力することによって行なわれ
る。分解色信号は、対応するパッドＷ、Ｇ、Ｙｅ、Ｃｙ
から外部回路に出力され１す る。なお、電極パッドＨＧ、ＨＤ、ＶＤ、ＶＧは、試験
駆動入力端子である。

これらの垂直シフトレジスタＶＳＲおよび水平シフトレ
ジスタＨ８Ｒは、その一部を第２図に示すように、ｅｋ
数のレジスタ段Ｘｉ、Ｘ２．．　、　、で構成されてい
る。各レジスタ段は同一の構成であるので、その初段×
１を図示し、これについて説明する。

電極パッド２０のφｌ、φ２およびφｉｎには、これが
垂直シフトレジスタＶＳＲである場合は駆動クロックφ
Ｖｌ、φｖ２、および駆動パルスφＶｉｎがそれぞれ供
給され、水平シフトレジスタＨ９Ｒである場合は駆動ク
ロックφ旧、φＨ２、および駆動パルスφ旧ｎがそれぞ
れ供給される。これらの駆動クロックφｌ、φ２．およ
び駆動パルスφｉｎの波形を第３図に示す。たとえばＮ
ＴＳＣ標準テレビジョン方式では、垂直シフトレジスタ
ＶＳＲの場合、パルスφｌまたはφ２の間隔ｔｌは８３
．８１マイクロ秒、パルスφｉｎの間隔ｔ２は１８．Ｂ
？　ミリ秒であり、水平シフトレジスタＨ８Ｒの場合、
間隔ｔｌは１４０ナノ秒、間隔ｔ２は８３．８１マイク
ロ秒である。

２ 初段のレジスタ段ＸＩの前には、イニシエータ２２が配
置されている。各レジスタ段、たとえばＸｉは、３つの
スイッチングトランジスタＭｌ、Ｍ４．Ｍ５と、ブート
ストラップコンデンサＭ２と、ダイオードＭ３の５つの
ＭＯ９素子が図示のように配置されている。これかられ
かるように、２段で１組を構成している。各組の前段す
なわち奇数段では、トランジスタ旧にクロックφ１．Ｍ
２にφ２がそれぞれ供給され、各組の後段すなわち偶数
段では、トランジスタ旧にクロックφ２９Ｍ２にφ１が
それぞれ供給される。各段の出力Ｌ１２などは２段前の
トランジスタＭ４のゲートＬ１３などに帰還されている
。偶数段の出力Ｌ２２．Ｌ４２などが選択ゲ−）１４ま
たは１Ｂを駆動する。

第３図のタイミング図を参照して動作を概説する。まず
、駆動パルスφｉｎが高レベルの状態でクロックφｌが
高レベルになると、イニシエータ２２を通してトランジ
スタＭ１のゲートＬｌｌが高レベルになり、コンデンサ
Ｍ２が充電される。そこでクロックφ２が高レベルにな
ると、トランジスタＭｌを通してコンデンサＭ２のレベ
ルがクロックφ２の高レベル期間だけ上昇する。したが
って、その蓄積電荷が一部す−ドＬｌｌに逃げ、リード
Ｌ１２のレベルが図示のように同じ期間−上昇する。偶
数段の出力Ｌ２２．Ｌ４２などが高レベルになると、こ
れが対応する選択ゲ−）１４または１６を駆動する。

クロックφ１の次の高レベルでトランジスタＭ５が導通
し、出力Ｌｌｌなどがリセットされるとともに、これが
２段前のトランジスタＭ４に帰還され、その段は初期状
態にリセットされる。

このようにしてシフトレジスタが駆動され、ゲート１４
または１６の駆動パルスが順次歩進する。

最終段の次には、各レジスタ段とほぼ同様の構成のター
ミネータが接続されている。

ところで第４図は、本発明の実施例において、このよう
なシフトレジスタのチップ１０上における構成を概念的
に示す。この図は、後にわかるように、第２図に示すシ
フトレジスタのチップ１０−Ｌにおける配置、構成を概
念的に示す平面図であって、止像読出しの固体撮像デバ
イスと鏡像反転読出しの固体撮像デバイスの両方に共通
の部分を示している。したがって、やはり後にわかるよ
うに、これはあくまで説明を理解しやすくするためであ
って、チップ１０の製造Ｔ捏上、このような回路パター
ンの段階が必ずしも実在するわけではない。また、第４
図の回路パターンは、正像読出しの固体撮像デバイスお
よび鏡像反転読出しの固体撮像デバイスの双方に共用さ
れるものであるが、説明を簡略にするため、回路要素の
符号に関するかぎり、第２図に使用のものに対応して示
され、しかも正像読出しの固体撮像デバイスの場合のシ
フトレジスタ段の場合を示している。

第２図で素子Ｍ１〜Ｍ５で構成される１つのレジスタ段
は、第４図において、同図の中央の接地線ＣＤの上下に
配置され、上下の２段で１組を構成している。すなわち
、ヒに奇数段が配置され、下には偶数段が配置されてい
る。

各回路素子の一部、およびそれらの相方接続は、半導体
チップ１０の表面に３層で形成されている。本実施例で
は、たとえばシリコンなどの半導５ 体基板に最も近い層がＮ十拡散層であり、これは同図で
細い実線で示されている。その−Ｌに酸化シリコンなど
の絶縁層を介して多結晶シリコンの層が形成され、これ
は点線で示されている。さらにそのＬには、やはり絶縁
層を介して金属蒸着層が形成され、これは太い実線で示
されている。これらの各層の異なるレベル間の相互接続
点は、同図では白ぬきの丸印で示されている。

より詳細に製造Ｔ程順に説明すると、まず、半導体基板
の主表面に１拡散層が形成され、各素子Ｍ１〜Ｍ５とそ
れらの相Ｗ接続、たとえばＬ１２などの一部や、選択ゲ
ート１４または１６への出力Ｌ２２などの一部が細実線
のように形成される。また、シフトレジスタの両端には
、イニシエータ２２とターミネータ２４がそれぞれ１対
ずつ配設される。

次にその上に絶縁層が形成され、点線で示すような回路
パターンで多結晶層が形成される。つまり、各素子のゲ
−１・に対応する部分の接続Ｌｌｌなどが形成される。

その上に第２の絶縁層が形成される。この工程までは、
正像読出しの固体撮像ゾロ バイスと鏡像反転読出しの固体撮像デバイスの両方の場
合に共通である。すなわち、両者に共通のマスクパター
ンが用意され、製造工程に差はない。

次に、その上に金属蒸着層を形成するが、これは正像読
出しの固体撮像デバイスと鏡像反転読出しの固体撮像デ
バイスではマスクパターンが多少相違する。両者に共通
の部分は第４図に太い実線で示されている。これらは、
接地線ＧＤ、クロック線φ１．φ２．接続線Ｌ１２など
の残りの部分等である。また、正像読出しの固体撮像デ
バイスの場合、それに固有の部分は第５図に太い一点鎖
線で示され、同様にして、鏡像反転読出しの固体撮像デ
バイスの場合、それに固有の部分は第６図に太い一点鎖
線で示されている。しかしここで注意すべき点は、説明
の便宜−Ｆそのように示したにすぎず、実際に太線は、
実線も一点鎖線も単一の工程で単一のマスクパターンに
よって金属蒸着にて形成してよいことである。

第５図を参照すると、正方向Ｆに歩進する正像読出しの
固体撮像デバイスの場合、接続点２６にパルス人力φｉ
ｎの接続！！２８が形成され、左側のイニシエータ２２
から初段、すなわち最左上段の入力への接続線Ｌｌｌが
形成されるように金属蒸着パターンが構成されている。

この場合、右側のイニシエータ２２に接続回路は形成さ
れない。

この金属蒸着１稈ではまた、各段において、２段前のレ
ジスタ段への帰還路Ｌ２３．Ｌ３２などの残りの部分、
および偶数段から次の組の奇数段への入力Ｌ３１などの
残りの部分も形成される。したがって接続線Ｌｌｌ、Ｌ
２１などは、これと交差接触しないように多結晶層で形
成されている。このようにして、矢印Ｆの方向に上下の
段が順次駆動されて歩進するように、金属蒸着パターン
が形成される。

最終、すなわち最左の１組の段からは、図示のように右
側のターミネータ２４への接続２９，３０，３２゜３４
がこの金属蒸着で形成される。この場合、左側のターミ
ネータ２４には接続線が形成されない。なお、第４図以
降の図では、レジスタ段が３組しか図示されていないが
、これは説明を簡略にするために単純化して図示したも
のであって、実際には水平走査行または画素の数に対応
する組数の段が用意されることは言うまでもない。

鏡像反転読出しの固体撮像デバイスの場合は第６図のよ
うになる。第６図を参照すると、逆方向Ｂに歩進する鏡
像反転読出しの固体撮像デバイスの場合、接続点３６に
パルス入力φｉｎの接続線３８が形成され、右側のイニ
シエータ２２から初段、すなわち最左上段の入力への接
続線Ｌｌｌが形成されるように金属蒸着パターンが構成
されている。この場合、左側のイニシエータ２２に接続
回路は形成されない。

この金属蒸着工程ではまた、各段において、２段前のレ
ジスタ段への帰還路Ｌ２３　、Ｌ３２などなどの残りの
部分、および偶数段から次の組の奇数段への入力Ｌ３１
などの残りの部分も形成される。これは、多結晶層で形
成されている接続線Ｌｌｌ、Ｌ２１などとは交差接触し
ない。このようにして、矢印Ｂの方向に上下の段が順次
駆動されて歩進するよう９ に、金属蒸着パターンが形成される。

最終、すなわち最左の１組の段からは、図示のように左
側のターミネータ２４への接続３９，４０．４２゜４４
がこの金属蒸着で形成される。この場合、左側のターミ
ネータ２４には接続線が形成されない。

こうして、最上層の金属蒸着層の布線パターンのみを正
像読出しの固体撮像デバイスと鏡像反転読出しの固体撮
像デバイスとで相違させ、それぞれに固有の回路パター
ンを形成し、他の製造工程およびマスクパターンは共通
とすることによって、従来より少ない製造工数と少ない
種類のマスクパターンで両方の撮像デバイスを製造する
ことができる。

第７図ないし第９図は、本発明の他の実施例を示し、第
４図ないし第６図の実施例と同様の要素は同じ参照符号
にて示され、相違点を詳細に説明する。

この実施例における基本的な思想は、前述の実施例を同
じく金属蒸着回路パターンのみを正像読出しの固体撮像
デバイスの場合と鏡像反転読出し０ の固体撮像デバイスの場合とで変えることであるが、シ
フトレジスタの歩進方向の違いを主として電極パ・ンド
の結線によって達成している。

第７図を参照すると、第４図と相違する点は、各段への
入力Ｌｌｌ、Ｌ２１．Ｌ３１などの結線の金属層にて形
成される部分の位置が異なることである。たとえば、第
７図において、接続１ｉＬ３１の垂直部分の一部が金属
層で構成され、水平部分の一部が多結晶層で構成される
。各段の出力Ｌ３２などが２段前の入力Ｌ１３などに帰
還される帰還路は多結晶層にて形成される。

符号５０で示される接続部は、第１０Ａ図に金属層蒸着
前の状態を示すように、拡散層５２と２つの多結晶層５
４．５８が半導体基板−ヒに形成され、それらを金属蒸
着層に接続するための電極パッド５８がそれらから最上
部の絶縁層に露出している。これらのパッド５８は、第
１０Ｂ図に示すように、金属層が蒸着されると、そのマ
スクパターンによって選択的に結合部８０によって接続
される。勿論、これら３つのパッド５８をすべて接続し
てもよいし、２つを接続してもよいし、全く接続しなく
てもよい。

前の実施例と同様に、金属層の形成に先立って拡散層お
よび多結晶層が形成される。次に、正像読出しの固体撮
像デバイスの場合と鏡像反転読出しの固体撮像デバイス
の場合に応じて異なった金属蒸着層のマスクによって金
属蒸着層の回路パターンが形成される。

正像読出しの固体撮像デバイスの場合は、第８図に示す
ように、金属蒸着工程において左側のイニシエータ２２
と右側のターミネータ２４とに結線され、接続部５０の
すべてのパッド５８が結合部６０によって結合される。

また、前述したように、たとえば接続線Ｌ３１などの垂
直部分の一部がこのとき金属層で形成される。他の接続
は＄５図の実施例と同様である。これによって、矢印Ｆ
で示す正方向のレジスタ段歩進が可能なシフトレジスタ
が完成する。

鏡像反転読出しの固体撮像デバイスの場合は、第９図に
示すように、金属蒸着工程において右側のイニシエータ
２２と左側のターミネータ２４とに結線され、接続部５
Ｏのパッド５８が結合部６０によって選択的に結線され
る。またこのとき、たとえば接続線Ｌ３１などの垂直部
分および水平部分の一部が金属層で形成され、次段への
出力線を構成する。

他の接続は第６図の実施例と同様である。これによって
、矢印Ｂで示す逆方向のレジスタ段歩進が可能なシフト
レジスタが完成する。

要約すると、本発明によれば、シフトレジスタのイニシ
ェークおよびターミネータへの接続、ならびに各レジス
タ段の人出力およびリセット線などの各レジスタ股間の
相互の接続を除いた回路は、正像読出しの固体撮像デバ
イスと鏡像反転読出しの固体撮像デバイスの双方に共通
の製造工程で形成し、最終工程または実質的にそれに近
い工程で残りの接続を正像読出しの固体撮像デバイスと
鏡像反転読出しの固体撮像デバイスの場合に応じて形成
している。

−１ ３ 本発明はこのように、正像読出しの固体撮像デバイスと
鏡像反転読出しの固体撮像デバイスの製造に際して、最
終工程または実質的にそれに近い工程において形成され
る撮像セル選択用のシフトレジスタの回路結線を正像読
出しの固体撮像デバイスと鏡像反転読出しの固体撮像デ
バイスの場合に応じて変え、それ以前の工程では両者の
場合とも共通の製造工程によって回路を形成している。

これによって、簡略な製造工程で正像読出しの固体撮像
デバイスおよび鏡像反転読出しの固体撮像デバイスの両
方を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、いわゆるＭＯＳ型の２次元固体撮像デバイス
のチップにおける回路パターン配列を概念的に示す平面
図、 第２図は、第１図に示す撮像デバイスにおける垂直シフ
トレジスタおよび水平シフトレジスタの回路構成の一部
を示す回路図、 第３図は第２図の回路の動作を説明するための４ タイミング図、 第４図は、第２図に示すシフトレジスタを本発明の実施
例に従って構成した場合のチップ上における配置、構成
を概念的に示す平面図であって、正像読出しの固体撮像
デバイスと鏡像反転読出しの固体撮像デバイスの両方に
共通の部分を示す図、 第５図は、第４図の実施例によって回路として最終的に
完成した正像読出しの固体撮像デバイスにおけるシフト
レジスタの配置、構成を示す図、 第６図は、第４図の実施例における鏡像反転読出しの固
体撮像デバイスの場合の配置、構成を示す第５図と同様
の図、 第７図ないし第９図は、本発明の他の実施例を第４図な
いし第６図に対応して示す図、第１０Ａ図および第１０
Ｂ図は第７図の実施例における接続部を示す平面図であ
り、第１０Ａ図は金属層蒸着前の状態を、第１０Ｂ図は
金属層蒸着後の状態をそれぞれ示す。 °　ノの　のプ １０、、、半導体チップ １２、、、撮像セルアレイ １４．１８．　、撮像セル選択ゲート ２０．５８．　、電極パッド ２２、、、イニシエータ ２４、、、ターミネ〜り ２９．３０．　、接続線 ５Ｑ、、、接続部 ５２、、、拡散層 ５４．５Ｅ１．　、多結晶層 ｅｏ、、、結合部 Ｈ３Ｐ、、、水平シフトレジスタ Ｌｌｌ、、、接続線 に卜１５　、　ＭＯ９素子 ＶＳＲ，、、垂直シフトレジスタ Ｘｔ、、　、レジスタ段 ６

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体の構体と、 該構体上に形成され、複数の撮像セルを有する撮像セル
   配列と、 該構体上に形成され、該撮像セル配列の複数の撮像セル
   を選択的に駆動して画素信号を出力させるためのシフト
   レジスタ手段とを含む固体撮像デバイスにおいて、 前記シフトレジスタ手段は、 前記撮像セル配列に対応した複数のレジスタ段と、 該複数のレジスタ段の両端にそれぞれ１組ずつ配置され
   た２組のイニシエータ回路およびターミネータ回路とを
   含み、 該複数のレジスタ段の間の相互の接続、ならびに該２組
   のイニシエータ回路およびターミネータ回路と該複数の
   レジスタ段の初段および終段との選択的接続は、該シフ
   トレジスタ手段の歩進の方向に応じて、前記構体の上に
   後に形成されることを特徴とする固体撮像デバイス。 ２、特許請求の範囲第１項記載の固体撮像デバイスにお
   いて、 前記撮像セル配列は、複数の撮像セルが水平行および垂
   直列に配列された２次元配列であり、前記シフトレジス
   タ手段は、該２次元配列の水平行を選択的に駆動する水
   平シフトレジスタと。 該２次元配列の垂直列を選択的に駆動する垂直シフトレ
   ジスタとを含み、 該水平シフトレジスタおよび垂直シフトレジスタの少な
   くとも一方について、前記複数のレジスタ段の間の相互
   の接続、ならびに前記２組のイニシエータ回路およびタ
   ーミネータ回路と該複数のレジスタ段の初段および終段
   との選択的接続が、該少なくとも一方のシフトレジスタ
   の歩進の方向に応じて、前記構体の卜に後に形成される
   ことを特徴とする固体撮像デバイス。 ３、複数の撮像セルを有する撮像セル配列と、該撮像セ
   ル配列の複数の撮像セルを選択的に駆動して画素信号を
   出力させるためのシフトレジスタ手段とが半導体の構体
   −１−に形成される固体撮像デバイスの製造方法におい
   て、該方法は、 半導体の基板を用意する第１の工程と、該基板の上に、
   前記撮像セル配列、前記シフＩ・レジスタ手段を構成す
   る複数のレジスタ段、ならびに該複数のレジスタ段の両
   端にそれぞれ１組ずつ配置される２組のイニシエータ回
   路およびターミネータ回路を形成する第２の工程と、第
   ２の工程によって形成された構体の卜に、該複数のレジ
   スタ段の間の相互の接続、ならびに該２組のイニシエー
   タ回路およびターミネータ回路と該複数のレジスタ段の
   初段および終段との選択的接続を該シフトレジスタ手段
   の歩進の方向に応じて形成する第３の工程とを含むこと
   を特徴とする固体撮像デ／へイスの製造方法。 ４、特許請求の範囲第３項記載の方法において、 前記撮像セル配列は、複数の撮像セルが水平行および垂
   直列に配列された２次元配列であり、前記シフトレジス
   タ手段は、該２次元配列の水平行を選択的に駆動する水
   平シフトレジスタと、 該２次元配列の垂直列を選択的に駆動する垂直シフトレ
   ジスタとを含み、 第３の工程は、該水平シフトレジスタおよび垂直シフト
   レジスタの少なくとも一方について行なわれることを特
   徴とする製造方法。